JPH01162228A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、磁気テープ、磁気ディスクなどの磁気記録媒
体の製造方法に関するものである。

（従来の技術） 強磁性薄膜に限らず真空蒸着法、スパッタリング法、イ
オンル−ティング法等により薄膜を形成する際には大量
の熱が発生するため、特に基板に高分子成形物基体を用
いる場合は、この熱を逃がす必要があり、従来より高分
子成形物基体を水冷されたキャンに接触させる方法が用
いられているが、キャンが円筒形であるため薄膜を形成
する上で制約を受けることが多く、自由な形成が困難で
あった。

（発明が解決しようとする問題点） 上記従来の方法では、円筒形のキャンと接触させる必要
があるため、薄膜の自由な形成が困難であるという問題
点があった。

そこで本発明では、ペルチエ効果を用いて基板自体に熱
を逃がす機能を付加させ、自由な形成を簡単に行えるよ
うにすることを目的とする。

（問題点を解決するための手段） 上記目的を達成するための手段の具体的方法について第
２図（Ａ）および（Ｂ）を参考にしながら、以下に示す
。

まず、第２図（Ａ＞または（Ｂ）に示したように、高分
子成形物基体３上に第１の金属薄ＷＡｌを設ける。そし
て、基体３の端に一定幅で第１の金属薄膜１の表面が出
るようにして、第１の金属薄膜上に第２の金属薄膜２を
設ける。

次に、第１の金属薄膜１と第２の金属薄膜２に電極を接
触させ、電流を流すと第１の金属薄ＷＡ１と第２の金属
薄膜２との接合部でペルチエ効果による熱の発生又は吸
収が起こる。

なお、第１の金属薄膜１および第２の金属薄膜２は各部
分での放電や接触を抑えるため、連続薄膜でなく不連続
薄膜の方が良い。

薄膜の作成方法は、電気抵抗の厚み依存性を考慮した上
で、薄膜の厚みを設定する必要はあるが、蒸着、スパッ
タ、イオンブレーティング、無電解メツキ等どの方法を
用いても良い。

（作　用） 本発明は上記構成において、ペルチエ効果を用いて高分
子成形物基体の温度制御を行なうことを特徴とする磁気
記録媒体の製造方法である。

ペルチエ効果とは、２種の異なった金属を接合させた回
路に電流を流すと、接合部でジュール熱以外の熱の発生
または吸収が起こる現象である。

この効果は可逆的であり、電流を流す方向を逆にすると
、熱の発生と吸収が逆になる。

いま、第２図（Ａ）または（Ｂ）に示した磁気記録媒体
の薄膜において、第１の金属薄膜１から第２の金属薄ｒ
ｙＡ２へ電流Ｉ　［Ａ］を通じ、この接合部で熱が発生
したとすれば、発熱量Ｑ　［Ｗ］は次式で与えられる。

Ｑ＝πａｂＩ 但し、π、ｂはペルチェ係数である。

代表的な物質の組み合わせのペルチェ係数を表１に示す
。

（実施例） 本発明の磁気記録媒体の製造方法の一実施例を第１図を
基に説明する。

Ｉ　Ｘ　１０’　Ｔｏｒｒの真空槽内で、第１の不連続
金属薄ＷＡ１としてｓｂを、第２の不連続金属薄！２と
してＢｉを用いて、厚さ１５［μｍ］のポリエステルフ
ィルムの基体３上に第１の金属薄膜１を蒸着し、その上
に第２の金属薄膜２の連続蒸着を行なった。

そして第２の金属薄膜２上に塩化ビニル酢酸ビニル共重
合体による非導電性薄膜層４を形成して長尺フィルムを
得た。

そしてさらにこの非導電性薄膜４の上に強磁性金属５と
して２０００　［人］のＣ〇−旧（旧２０［％コ）合金
を用いてＷＪ薄膜層形成する。

ところで、非導電性薄膜４を形成せず、第２の不連続金
属薄膜２を形成した後その上に直接強磁性薄ＷＡ５を形
成すると、なめらかな表面が得られないので実用上問題
が多く、また強磁性薄ＷＡ５自体が導電性を所持してい
る場合導電性の連続薄膜が形成されることになり、後の
工程で第１の金属薄ｖ４１と第２の金属薄膜２に電流を
流す時に、各部分で放電や接触が起きるので、非導電性
薄ｖ４を形成した後強磁性薄ＷＡ５を形成する。

非導電性薄膜４の材料は磁気テープ用に使用されるバイ
ンダーで良く、塩化ビニル酢酸ビニル共重合体、塩化ビ
ニル塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニルアクリロニト
リル共重合体、ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、エ
ポキシ樹脂、フエノ−ル樹脂、ポリウレタン硬化型樹脂
等が考えられ、非導電性薄膜４を形成することにより、
表面が平滑になり、また電流も強磁性膜ＷＡ５に流れず
、とても良い結果が得られる。

なお、第１の金属薄ＷＡ１と第２の金属薄膜２を連続に
設けた場合は、表面が滑らかになっているので、非導電
性薄膜４は不要であるが、この場合各部分での放電や接
触に充分注意しなければならない。

そして、強磁性金属薄膜５を形成する際に第１の金属薄
膜１と第２の金属薄膜２に電極６を接触させ、第１の金
属薄膜１をマイナス側にして、５［Ａ］の電流を流し、
発生する熱の吸収を行なった。

ただし、強磁性膜５を電＠６、第１の不連続金属薄１１
！１及び第２の不連続薄膜２上に形成すると、前述のよ
うに、放電その他により、効率が悪くなるので、強磁性
薄膜５が電極６、第１の不連続金属薄膜１及び第２の不
連続金属薄ｒｆ！Ａ２に接しないように遮蔽板を設けて
遮蔽する必要がある。

また磁気記録媒体の製造は長手方向に走行させつつ行う
が、電流は走行方向と直角に流れるなめ、走行方向に磁
場が発生し、配向にも効果がある。

この真空槽の室温が２０［’Ｃ］であるとすると、表１
よりペルチエ係数は＋４４８０００　［μＶ］であるか
ら５（Ａ）の電流を第２の金属薄ＤＩ（Ｂｉ）２から第
１の金属薄１１１（Ｓｂ）１に流せば発熱量Ｑは次のよ
うになる。

Ｑ　＝　−４４８（ｌｏｏｘ　５　＝　−２２４０００
０［μＷ］＝−２，２４［Ｗ］ よって、２．２４［Ｗ］の吸熱反応となる。

また、この実施例の場合はポリエステルフィルムの基体
３の熱変形を防ぐため、吸熱反応を利用したが、熱処理
が必要な場合は、プラス、マイナスを逆にすれば発熱反
応となり、Ｂｉをプラス側、ｓｂをマイナス側として、
５［Ａ］の電流を流せば２０［”Ｃ］で＋２．２４［Ｗ
］の発熱反応となる。

なおこの実施例では、第１の金属薄ＷＡ１の第２の金属
薄Ｍ２を設けた場合について説明したが、これら２つの
金属薄膜を連続に設けた場合でも同様な方法で実施可能
であるが、この場合各部分での放電や接触に充分注意し
なければならない。

（発明の効果） 通常、水冷しなキャンを用いないと高分子成形物基体（
ポリエステルフィルム）が熱変形を受けるが、本発明の
磁気記録媒体の製造方法ではペルチェ効果により吸熱し
たため熱変形のない′ｆｓ膜を作成することができる。

よって、本発明の製造方法はキャンを用いずに水冷でき
るため、自由な媒体の形成が可能となる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を説明するための磁気記録媒
体の斜視図、第２図（Ａ）および第２図（Ｂ）は、不連
続金属薄膜の形成を説明するための斜視図である。 １・・・第１の（不連続）金属薄膜（Ｓｂ）、２・・・
第２の（不達１１ｔ　）　ＩＩＲ薄Ｗ１４　（Ｂり、３
・・・高分子成形物基体（ポリエステルフィルム）、４
・・・非導電性薄膜層（塩化ビニル酢酸ビニル共重合体
）、５・・・強磁性金属薄ＪＩＳ（ＧＯ−旧合金）、６
・・・電極、７・・・蒸発源、８・・・蒸発原子。 （Ａ） 第２図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 長尺の高分子成形物基体に第１の金属薄膜を設け、この
   第１の金属薄膜の上部に第２の金属薄膜を２層膜となる
   ように設け、この第２の金属薄膜の上部に強磁性金属薄
   膜を設け、前記第１の金属薄膜から前記第２の金属薄膜
   あるいは前記第２の金属薄膜から前記第１の金属薄膜に
   電流を流し、第１及び第２の金属薄膜の間に起こるペル
   チエ効果により、前記高分子成形物基体の温度制御を行
   なうことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。