JPH01162236U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH01162236U JPH01162236U JP1988055487U JP5548788U JPH01162236U JP H01162236 U JPH01162236 U JP H01162236U JP 1988055487 U JP1988055487 U JP 1988055487U JP 5548788 U JP5548788 U JP 5548788U JP H01162236 U JPH01162236 U JP H01162236U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recess
- semiconductor component
- semiconductor
- metallized layer
- conductive pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/60—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
- H10W70/67—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers characterised by their insulating layers or insulating parts
- H10W70/68—Shapes or dispositions thereof
- H10W70/682—Shapes or dispositions thereof comprising holes having chips therein
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Description
図面はいずれも本考案の実施例を示し、第１図
は第１の実施例の平面図、第２図および第３図は
夫々その断面図、第４図は第２の実施例の平面図
、第５図及び第６図は夫々その断面図、第７図は
第３の実施例の平面図、第８図はその断面図であ
る。 １，２，３，９……メタライズ層、４……ＦＥ
Ｔチツプ、５……凹所、６……ソルダ、７……ボ
ンデイングワイヤ、８……素子容器。
は第１の実施例の平面図、第２図および第３図は
夫々その断面図、第４図は第２の実施例の平面図
、第５図及び第６図は夫々その断面図、第７図は
第３の実施例の平面図、第８図はその断面図であ
る。 １，２，３，９……メタライズ層、４……ＦＥ
Ｔチツプ、５……凹所、６……ソルダ、７……ボ
ンデイングワイヤ、８……素子容器。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 １ 凹所が形成されている絶縁性の素子容器の、
前記凹所内底部にメタライズ層が形成されており
、前記メタライズ層上に半導体チツプがソルダに
て固着されている半導体部品。 ２ 凹所は、導電パターン中に形成されている請
求項１記載の半導体部品。 ３ 導電パターンはドレイン用、ゲート用および
ソース用に夫々分離して形成されており、各導電
パターンは夫々半導体素子にボンデイングワイヤ
にて接続されている請求項１又は請求項２記載の
半導体部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988055487U JPH01162236U (ja) | 1988-04-25 | 1988-04-25 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988055487U JPH01162236U (ja) | 1988-04-25 | 1988-04-25 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01162236U true JPH01162236U (ja) | 1989-11-10 |
Family
ID=31281389
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1988055487U Pending JPH01162236U (ja) | 1988-04-25 | 1988-04-25 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01162236U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003023843A1 (fr) * | 2001-09-05 | 2003-03-20 | Renesas Thechnology Corp. | Dispositif a semi-conducteur, son procede de fabrication et dispositif de communication radio |
-
1988
- 1988-04-25 JP JP1988055487U patent/JPH01162236U/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003023843A1 (fr) * | 2001-09-05 | 2003-03-20 | Renesas Thechnology Corp. | Dispositif a semi-conducteur, son procede de fabrication et dispositif de communication radio |