JPH01165025A - 磁気ディスク基板とその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 この発明は、ハードディスク及びフレキシブルディスク
に使用される磁気ディスク基板、とくに、金属製連続薄
膜を使用する磁気ディスク基板及びその製造方法に関す
るものである。

解決しようとする技術課題 Ｃｏ−Ｃｒ合金、Ｃｏ−Ｎｉ合金に代表される金属磁性
薄膜を使用する磁気記録媒体は、その高い飽和磁気密度
及び表面の平滑性から高記録密度媒体として注目され、
各地で広く実用化が研究されている。とくに、垂直磁気
記録特性を有するＣｏ−Ｃｒは、線記録密度が２００に
ＢＰＩにも達している。また、Ｃｏ−Ｎｉも、５００人
程度の薄膜の水平磁気記録媒体に使用した場合に、７０
にＢＰＩの線記録密度が報告されている。

上記のいずれの磁気記録媒体も、現在広く実用化されて
いるγ−Ｆｅ２０３塗布型媒体の線記録密度１５〜２０
にＢＰＩより遥かに優れている。

しかし、この様に磁気記録特性が優れた連続薄膜媒体は
、現在広くは実用化されていない。

実用化を妨げる要因の一つとして挙げられているのは、
磁気ヘッドと媒体の摺動特性の問題である。

すなわち、金属製連続薄膜媒体は、表面が平滑なため、
ハードディスクの場合は磁気ヘッドと媒体の吸着による
磁気ヘッドクラッシュを、フレキシブルディスクの場合
は潤滑剤の保持が困難なことによる摩擦係数の活動時の
増加による磁気ヘッドクラッシュを起こし易い。

これらの問題を解決するため、従来は、メカニカルテク
スチャー処理、すなわち、サンドペーパーなどにより基
板表面に線溝状のキズをつける表面処理が試みられてい
る。第１３図はメカニカルテクスチャー処理後の基板の
表面ｍ織を示す微分干渉顕微鏡写真（倍率４００倍）、
第１４図はレーザ干渉型あさら計による同組織の２４８
Ｘ２４８μｍの範囲を拡大した斜視図である。

このメカニカルテクスチャー処理はそれなりに効果があ
るが、高記録密度が要求される媒体においては、テクス
チャー（緑酒）の密度や深さによりとットエラーが増加
して、量産レベルで制御することが難しい、すなわち、
磁気記録のトラック幅が１０〜２０μｍ程度に狭くなる
と、テクスチャーの幅をその十分の一程度にしないと、
モジュレーション（記録電流を種々変えた場合の再生出
力の変動）が１０％を越すようになる。また、テクスチ
ャーの凹みが２００人を越すと、ヘッド出力が１０％以
上減少するようになり、モジュレーションが増加する。

そして、これらの要求を満足するテクスチャーができて
も、単位面積当りの本数が少ないと、磁気ヘッドの摺動
面積が０．５ｍｍＸ４ｍｍと大きいため、吸着の問題が
発生する。メカニカルテクチャ−によるパリ等の不規則
な凹凸のため、ヘッドと磁気記録媒体との距離を充分に
接近させることができず、スペースイングロスのため記
録密度を増加させることが困難である。特に、ハードデ
ィスクでは不規則な凹凸がＣ８Ｓ動作中にゴミとなって
発生し、ヘッドと媒体に付着してヘッドクラッシュの原
因となる。

この発明は、上記の問題を解決するためになされたもの
であり、第一発明は、アルマイトのボアの規則性、すな
わち、ボア径とボア間隔（セル径）が微小でこれらとボ
ア分布がそれぞれ均一であることに着眼し、アルマイト
のボア中に材料を充填した状態における基板と前記材料
の物理的化学的性質の差異を利用して、エツチング処理
により基板表面に規則的な二次元の微小凹凸を生成する
ことにより、磁気ヘッドクラッシュを起こさない摺動特
性を備えた磁気ディスクを得るための基板を提供しよう
とするものである。

第二発明は、表面に上記の微小凹凸を備えた磁気ディス
ク基板の製造方法を提供しようとするものである。

課題解決手段及び作用効果 第一発明によるディスク基板は、アルマイト処理された
基板のボア中に前記基板と物理的及び化学的性質の異な
る材料が充填された状態で、これをエツチング処理して
、表面に前記基板と前記材料の物理的化学的性質の差に
基く微小凹凸を形成したものである。

従って、各凹凸の径及び間隔がアルマイトのボアの径及
び間隔に等しく、分布が非常に均一であるとともに、凹
凸の深さの適切な設定により、磁気ヘッドに対して好適
な摩擦係数を得ることができ、磁気ヘッドクラッシュを
起こさない摺動特性を有する磁気ディスクの提供が可能
である。

第二発明では、基板の多孔質アルマイトのボア中に電気
析出処理及び加熱冷却を利用したコーティング処理、又
はボア径が大きい場合はスパッタ処理により、基板と物
理的及び化学的性質が異なる材料、例えばＣｕ、Ｓｎ、
Ｎｉ。

Ｚｎ、Ｎｉｐ、樹脂、Ｎｉ−３ｎなどを析出又は浸透さ
せて充填する。この場合、必ずしもボアの底部まで入れ
る必要はない、スパッタ処理又はコーティング処理の場
合は運択される材料は任意である。酸化物の粉末を含む
有機塗布剤の場合は、コーテイング後、還元処理をして
金属を析出させても良い（Ｉ　Ｂ　Ｍ　　Ｔｅｃｈｎｉ
ｃａｌＤｉｓｃｌｏｓｕｒｅ　Ｂｕｌｌｅｔｉｎ　Ｖｏ
ｌ、　１１　ｌ１Ｑ３　１９６８年８月発行により既知
）、ボア径及びセル径はアルマイト処理電圧及びボア溶
解処理条件により、１００〜４００人、４００〜２００
０人の範囲で自由に制御できる。

充填処理を終了した基板は、次に、これを研磨して表面
を平滑にした後、エツチング処理する。エツチング方法
は化学的エツチングが好ましいが、スバヴタリングなど
の物理的方法でも良い、このエツチング処理により、基
板表面にボア分布に基く規則正しい二次元的な微小凹凸
からなるテクスチャー構造が形成される。また、メカニ
カルテクスチャー処理のように凹凸が不規則でなく、表
面が均一であるため、磁性体のノイズレベルも１７２程
度に減少する。

ボア中に充填させる材料の種類によっては、表面が柔ら
かい場合がある。この場合は、無電解メツキ又はスパッ
タ処理により、硬質膜をコーティングして、表面の硬質
化を図ることが良い、硬質膜は表面の凹凸に習って成長
するので、二次元的なテクスチャー構造は保持される。

このようにして作成された基板の表面に、スパッタ処理
又はメツキにより磁性体を付着させ、この上に保ＩＭを
コーティングすることにより、磁気記録媒体が出来上が
る。

必要に応じて、表面の凹凸部分に液体潤滑剤を保持する
と良い。

上記のように、この発明方法は、アルマイトのボアに充
填された材料と基板の物理的化学的性質の差異を利用し
て、エツチング速度差によって凹凸を形成しているので
、凹凸の分布率の均一化は極めて容易であり、品質の均
一なディスク基板の量産が可能であり、この基板の表面
に磁性体を付着することにより、テクスチャー処理によ
るビヅトエラーの問題も生じない。

この発明の実施例 次に、この発明の詳細な説明する。

［実施例Ｉ］　　（充・項物がＣｕの場合）基板として
用いるガラス板の表面に蒸着により厚み１μｍのアルミ
ニウム皮膜を生成し、この基板を印加電圧４８Ｖのシュ
ウ酸３％洛中で陽＃ｌ酸化処理を行い、ボア径２５０人
、セル径“１１００人のアルマイト皮膜を生成した後、
この基板をＣｕＳＯ４浴槽内で電解メツキ処理してボア
中にＣｕを析出充填させ、その後、この基板の表面を０
．８μｍ径のアルミナ粉末を使用して５分間研磨して表
面を平滑にし、アルマイト膜厚な０．５μｍとした。

そして、上記研磨後の基板に対してエツチング処理を施
した。基板の一つは、Ｎ　ａ　ＯＨ４％溶液中で、エツ
チング率がＣｕよりもアルマイトの方が大きくなるよう
にケミカルエツチング処理をした。これにより、第１図
（イ）に表面構造を示すように、針状のＣｕがアルマイ
トＡＩの表面から突出して、基板表面に二次元の凹凸を
生成した。

第２図はエツチング処理後の基板の表面組織を示す微分
干渉顕微鏡写真（４００倍）である。

第３図はレーザー干渉型あらさ計による同組繊の２４８
Ｘ２４８μｍの範囲の拡大斜視図である。第１３図及び
第１４図と対比すると、あらさのちがいが明瞭であり、
本発明の基板の凹凸がいかに均一であるが理解される。

また、もう一つの基板は、スパッタガスＡｒ、真空度１
０−’Ｔｏｒｒ、印加電圧６００Ｖの条件下で、エツチ
ング率がＣｕの方がアルマイトよりも大きくなるように
スパッタエツチング処理をした。これにより、第１図（
ロ）に表面構造を示すように、針状のＣｕの上端部がア
ルマイトＡｌの表面から窪んで、基板表面に同様の均一
な二次元の凹凸を生成した。

続いて、得られた基板の表面に磁性体をコー、ティング
して磁気ディスクとし、その磁気ディスクの凹凸深さと
摩擦係数の関係を調べた。磁性体のコーティングは、次
の条件で行なわれた。

基板温度　　　　　　　　　１３０℃ 下地層Ｃｒ　　　　１．１００人 磁性層Ｃｏ−Ｎｉ　　　６００人 保護層　Ｃ２００人 その結果は、第４図に示す通りである。なお、測定に使
用した磁気ヘッドの荷重は１５ｇ、移動速度はＱ、２ｍ
／ｓｅｃである。

同図において、Δ印は凹凸深さが２００人、口印は３０
０人、◇印は５００人の基板である。

凹凸深さが１００人の基板は２００人の基板と同一であ
った。同図には、エツチング処理をしていないもの、す
なわち、凹凸のないものも、○印で対照的に示しである
。また、Ｘ印のものは、凹凸深さ２００人のものの表面
に液体潤滑剤を保持した基板の場合である。

このような測定の結果、凹凸深さが５０〜５０００人の
ものが、許容範囲の摩擦係数を呈することが判明した。

また、上記のようにして得られた磁気ディスクについて
、環境条件によへ摩擦係数の変化を高湿度放置テスト及
び高温回転テストにより測定した。

高湿度放置テストには、いずれも表面に２００人のカー
ボンコートを施した、凹凸深さ１００人、３００人の２
種類の基板を用いた。

このテストの結果は、第５図に示す通りであり、通常の
使用条件下で、摩擦係数の変化は非常に少ない。

高温回転テストは、凹凸深さ２００人、２００人のカー
ボンコート付きの磁気ディスクを使用し、気温８０℃、
回転遠度３６００　ｒｐｌで行った。このテストの結果
は、第６図に示す通りであり、放置日数に係わらず、摩
擦係数が低い値で非常に安定していることがわかる。

［実施例Ｉ［］　　（充填物がＮｉの場合）基板として
のガラス板の表面に蒸着により厚み１μｍのアルミニウ
ム皮膜を生成し、この基板を印加電圧４８Ｖのシュウ酸
３％洛中で陽極酸化処理を行い、膜厚０．５μ、ボア径
２５０人、セル径１１００人のアルマイト皮膜を生成し
た後、この基板をＮ　ｉ　ＳＯａ　３０９／　ｊ！溶液
中で浴槽内でボアからＮｉがオーバフローするまで電析
充填させ、その後、この基板の表面を０．３μｍ径のア
ルミナ粉末を用いて膜厚が０．３μｍになるまで研磨し
て表面を平渭にした。

そして、上記研磨後の基板をリン酸クロム酸混合液１０
％溶液中でケミカルエツチング処理をした。これにより
基板表面に、凹凸深さがそれぞれ１００人、２００人、
３００人、５００人の二次元的な凹凸を生成した。

上記エツチング処理後の基板に、次の条件により磁性体
をスパッタした。

基板温度　　　　　　　１５０℃ 下地層Ｃｒ　　　　１．０００人 磁性層Ｃｏ−Ｎｉ　　　６００人 保護層０２００人 第７図はボアにＮｉを充填後、ケミカルエツチング処理
を施した状態の基板の表面組線を示す電子顕微鏡写真（
傾斜角７０°）であり、第８図は同基板に磁性体をスパ
ッタし、カーボン保護層を塗着した状態の電子顕微鏡写
真（傾斜角７０゛）である。

［実施例Ｉ］　　（充填物がＳｎの場合）基板としてＡ
ｌ−４％Ｍｇ合金を用い、この基板を印加電圧４８Ｖの
シュウ酸３％洛中で陽極酸化処理を行い、膜厚１０μｍ
、ボア径２５０人、セル径１１００人のアルマイト皮膜
を生成した後、この基板を５ｎＳＯｎ３０！？／Ａ溶液
中でボアからＳｎがオーバフローするまで電析充填させ
、その後、この基板の表面を一次研磨として０．３μｍ
径のアルミナ粉末を用いて膜厚が１０μになるまで研磨
し、引き続き二次研磨として０．１μｍ径のシリカ粉末
を用いて膜厚が７μから６μになるまで研磨して表面を
平滑にした。

そして、上記研磨後の基板をリン酸クロム酸混合液１０
％溶液中でケミカルエツチング処理をし、浸漬時間に応
じて凹凸深さが実施例■の場合と同様に、基板表面にそ
れぞれ凹凸深さ１００人、２００人、３００人、５００
人の二次元的な凹凸を生成した。

上記エツチング処理後の基板に、次の条件により磁性体
をスパッタした。

基板温度　　　　　　　　１００℃ 下地層　Ｃｒ　　１，０００人 磁性層　Ｃｏ−Ｎｉ　　６００人 保護層　０２００人 第９図は同基板に磁性体をスパッタし、カーボン保護層
を塗着した状態の電子顕微鏡写真（傾斜角７０°）であ
る。

［実施例ＩＶ］（充填物がテフロンの場合）ＡＩ−４％
Ｍｇ合金製基板を印加電圧４８Ｖのシュウ酸３％洛中で
陽極酸化処理を行い、膜厚１０μｍ、ボア径２５０人、
セル径１１００人のアルマイト皮膜を生成した後、この
基板をＨ３Ｐ　Ｏｓ　１％溶液中に１０分間浸漬してボ
ア拡大処理を行い、ボア径６００人、セル径１．１００
人とし、これを３５０℃の溶融テフロン中に浸漬して、
加熱浸透処理によりボア中にテフロンを充填させ、この
テフロンコーティングの後、この基板の表面を０．３μ
ｍ径のアルミナ粉末を用いて膜厚が０．５μｍになるま
で研磨して表面を平滑にした。

そして、上記研磨後の基板をリン酸クロム酸混合液３％
溶液中でケミカルエツチング処理をした。これにより、
基板表面に実施例■の場合と同様に凹凸深さがそれぞれ
１００人、２００人、３００人、５００人の二次元的な
凹凸を生成した。

上記エツチング処理後の基板に、先の実施例と同じ条件
により磁性体をスパッタした。

［実施例Ｖ］　　（充填物がアクリル樹脂の場合）Ａ１
−４％Ｍｇ合金製基板を印加電圧４８Ｖのシュウ酸３％
洛中で陽極酸化処理を行い、膜厚９μｍ、ボア径２５０
人、セル径１１００人のアルマイト皮膜を生成した後、
この基板をＨ：＋　ＰＯａ　１％溶液中に１０分間浸漬
して、ボア径６００人、セル径１，１００人とし、これ
を固形分２０％の水溶性アクリル樹脂中に１分間浸漬し
、３分間の液切りをして浸漬塗装を行った後、１８０℃
の下で１０分間焼付けを行い、続いてこの基板の表面を
０．３μｍ径のアルミナ粉末を用いて膜厚が８μｍにな
るまで研磨した。

そして、上記研磨後の基板をリン酸クロム酸混合液（５
：５）１０％溶液中でケミカルエツチング処理をし、基
板表面に実施例Ｈの場合と同様に凹凸深さがそれぞれ１
００，２００゜３００．５００人の二次元的な凹凸を生
成した。

上記エツチング処理後の基板に、実施例■と同じ条件に
より磁性体をスパッタした。ただし、基板温度は１３０
０である。

［実施例Ｖｌｌ］（還元処理による充填の場合）ＡＩ−
４％Ｍｇ合金製基板を印加電圧４８Ｖのシュウ酸３％洛
中で陽極酸化処理を行い、膜厚１０μｍ、ボア径２５０
人、セル径１１００人のアルマイト皮膜を生成した後、
この基板をＨ３Ｐ０ａ１％溶液中に１０分間浸漬して、
ボア径８５０人、セル径１，１００人とし、これにＮｉ
　ｃｌｘ　６００ｇ、Ｈ２０１０００ＣＣ２Ｄｅｘｔｒ
ｉｎ　３０　ｇの塗料を塗布した後、４５０℃のＨ２内
で１０分間加熱還元処理を行い、続いてこの基板の表面
を０．１μｍ径のアルミナ粉末を用いて膜厚が９μｍに
なるまで研磨した。

そして、上記研磨後の基板をリン酸クロム酸混合液（５
：５）１０％溶液中でケミカルエッチング処理をし、凹
凸深さがそれぞれ１００゜２００，３００．５００人の
二次元的な凹凸を生成した。

上記エツチング処理後の基板に、実施例■と同じ条件に
より磁性体をスパッタした。

上記実施例■ないしｖ■により得られた磁気ディスク基
板に対して、凹凸深さと摩擦係数の関係のテストを行い
、かつ、高湿度放置テスト及び高温回転テストによる環
境条件に伴う摩擦係数の変化を実施例Ｉの場合と同様の
条件で測定したところ、実施例工とほぼ同様の結果が得
られた。

進んで、上記各実施例により得られた磁気記録媒体につ
いて、記録再生特性テストを行なった。

第１０Ａ図ないし第１０Ｃ図は、実施例■による磁気デ
ィスク（充填物Ｎｉ、磁性体Ｃｏ−Ｎｉの水平磁化膜）
に対して松下電器産業（株）製Ｍｎ−Ｚｎモノリシック
形磁気ヘッド（製品記号Ｍ５５６）を使用した場合の測
定結果である（ベツドギャップ０．５′μｍ、トラック
幅１５μｍ、浮上量０．Ｌｕｍ）。

第１０Ａ図は上記媒体にそれぞれ２．５ＭＨｚ及び５　
Ｍ　）ｉ　ｚで記録する時に磁気ヘッドに印加した電流
と、同媒体の再生時に磁気ヘッドに得られた出力電圧と
の関係及びオーバーライド時の出力減衰量を示す記録再
生特性図である。

いずれの記録波長の場合も、記録電流の如何によらず、
安定したヘッド出力が得られる。

第１０Ｂ図はヘッド出力の最大値と最小値の変動状態を
示す出力波形図である。

第１０Ｃ図は記録周波数に対するヘッド出力の関係を示
す周波数特性図である。１００ＫＨ２から２　Ｍ　Ｈｚ
までは殆ど出力値が一定であり、５ＭＨｚにおいても約
２０ｍＶが得られる。記録密度の欄の数字はそれぞれ上
側の周波数の場合に相当する記録密度を意味する。

第１１Ａ図ないし第１１Ｃ図は、実施例■による磁気デ
ィスク（充填物Ｓｎ、磁性体Ｃｏ−Ｎ１）に対して、製
品記号Ｍ５１５の磁気ヘッドを用いて同一測定条件で測
定した場合のそれぞれ第１０Ａ図ないし第１０Ｃ図に対
応するものである。

□第１１Ｂ図を第１０Ｂ図と対比すると明らかなように
、充填物にＮ１を用い、磁性体にＣＯ、−Ｎｉ又はＣｏ
−Ｃｒの水平磁性層を用いて、磁気的結合を弱くした場
合は、ヘッド出力は幾分低下するが、記録電流の大小に
係りなく、ヘッド出力の変動（モジュレーション）が殆
んどなく、高安定性が得られる。これは基板の下層の垂
直磁性膜と上層の水平磁炸膜の相互作用によるものと推
測される。

さらに、本発明によるケミカルテクスチャー法により得
られた磁気ディスクの信号対雑音テストの結果を、従来
のメカニカルテクチャ−法によるものの信号対雑音テス
トの結果と比敦した。第１２Ａ図は本発明による磁気デ
ィスク、第１２Ｂ図は従来品のテスト結果を示す１図中
、線ＢＮはテスト装置のバックグラウンドノイズ、。

線Ｓは信号であり、ＢＮとＳの間の面積がノイズの大き
さを示す、従って、本発明による磁気ディスク基板を用
いると、従来品よりノイズが二分の−に減ることが理解
される。

以上の各種の材料によるケミカルテクスチャー処理の結
果、次の結論が得られた。

ａ、磁気ディスクの機械的な性質（摩擦係数、湿度テス
ト、潤滑性）はテクスチャーの深さにより決定される。

ｂ、ボアの充填材料として磁性材料（Ｎｉ）を使用し、
その上側の磁性体を水平磁化した場合は、下側の垂直磁
化層と上側の水平磁化層の相互作用によりモジュレーシ
ョンが小さくなる。

これらの測定結果は、この発明による磁気ディスク基板
及びその製造方法が、従来のメカニカルテクスチャーと
異なり、制御されたテクスチャー処理が可能であること
及び所望の摺動特性を備えていることを示しており、そ
の工業的効果は著しく大きい。

【図面の簡単な説明】

第１図は、この発明による基板のエッチング処理後の表
面構造を示す一部の拡大断面図、第２図はエツチング処
理後の基板の表面組繊を示す微分干渉芽微鏡写真、第３
図はレーザー干渉型あらさ計による基板の表面組織の拡
大斜視図、第４図は基板表面の各種の凹凸深さと摩擦係
数の関係を示すグラフ、第５図及び第６図は環境条件に
よる摩擦係数の変化を示すグラフであり、第５図は高湿
度放置テストの結果を示し、第６図は高温回転テストの
結果を示す。 第７図はＮｉ充填、ケミカルエツチング処理後の基板の
表面組織を示す電子顕微鏡写真、第８図は同基板に磁性
体スパッタ、カーボン保護層塗着をした後の基板の表面
組織を示す電子顕微鏡写真、第９図はＳｎ充填、エツチ
ング処理、磁性体スパッタ及びカーボン塗着後の基板の
表面組繊を示す電子顕微鏡写真である。 第１０Ａ図ないし第１０Ｃ図は一実施例による磁気ディ
スクの記録再生特性を示すものであり、第１０Ａ図は記
録再生特性図、第１０Ｂ図は出力波形図、第１０Ｃ図は
周波数特性図、第１１Ａ図ないし第１１Ｃ図は他の実施
例による磁気ディスクの同様の記録再生特性を示すグラ
フである。 第１２Ａ図及び第１２Ｂ図はそれぞれ本発明の磁気ディ
スクと従来品の信号対雑音テストの結果を示すグラフで
ある。 第１３図は従来のメカニカルテクスチャーによる基板の
表面組織を示す微分干渉閣微鏡写真、第１４図は同基板
のレーザー干渉型あらさ計による表面組織の拡大斜視図
である。 ）′り八′ｔ４ 第２図 第３図 Ｏｒ＋＊ｎｔｍｔ＋ｏ＾ 第１２Ａ図 第１２Ｂ図 周波数（ＭＨｚ） Σ　ＩＬＬ

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）アルマイト処理された基板のボア中に前記基板と
   物理的化学的性質が異なる材料を充填したものをエッチ
   ング処理して、表面に前記基板と前記材料の物理的化学
   的性質の差に基く微小凹凸を形成したことを特徴とする
   磁気ディスク基板。
2. （２）表面の凹凸の深さが５０〜５０００Åであること
   を特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の磁気ディス
   ク基板。
3. （３）ボア中に充填される材料として磁性材料を使用し
   たことを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第３項に
   記載の磁気ディスク基板。
4. （４）ボア中に充填される材料として非磁性材料を使用
   したことを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第３項
   に記載の磁気ディスク基板。
5. （５）エッチング処理後の表面に硬質材料がコーティン
   グされていることを特徴とする特許請求の範囲第１項な
   いし第４項のいずれか１項に記載の磁気ディスク基板。
6. （６）アルマイト基板のボア中に前記基板と物理的化学
   的性質が異なる材料を充填し、これを研磨して表面を平
   滑にした後、エッチング処理をすることを特徴とする磁
   気ディスク基板の製造方法。