JPS6085433A - 磁気記録体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は磁気記録装置に用いられる磁気ディスク、磁気
ドラム、磁気テープ等の磁気記録体にかかる。

近年、高密度磁気記録体として、記録媒体（磁性層）に
磁性金属薄膜を用いた磁気ディスク等が用いられ始めた
。記録媒体に磁性金属薄膜を用いる利点は、飽和磁束密
度が大きいので媒体の薄膜化が可能であり、また高保磁
力が得られるため高密度記録に適することである。磁性
金属薄膜の他の利点は、無電解メッキ、電気メッキ、ス
バ、り蒸着等の方法で薄膜作製が容易なことである。

ところで、磁気記録装置における高記録密度化への要請
は、年々高まりつつあり、これを実現するために磁気記
録体の媒体特性の改善、媒体の薄膜化および磁気ヘッド
の特性改善とともに、ヘッド−媒体分離長の減少が不可
欠となっている。磁気テープ、７０ツピデイスク等の磁
気記録体は記録密度を最大限に高めるために磁気ヘッド
と接触状態もしくはそれに近い状態で使用される。また
、磁気ヘッドを磁気記録体から微小間隔浮上させて使用
する磁気ディスクの場合には、磁気記録装置の高性能化
ｌこ伴ないこの浮上間隔を小さくするために磁気ヘッド
の荷重を小さくすると同時に接触始動・停止（コンタク
ト・スタート・ストップ。

Ｃ５５）型のヘッド浮揚システムが採用されている。こ
のため、磁気ヘッドによる磁気記録体の損傷がしばしば
生じる。これを防ぐ有効な方法として磁性金属薄膜の表
面に保護層を設ける方法があり、耐久性の改善がはから
れてきた。保護層としては耐摩耗性を有するとともに、
−磁性、平滑性と強固な密着力をもち、可能な限り薄膜
化が図られねばならない。これらの目的のために従来様
々の検討が、なされたが、いづれも不十分であった。

従来、提案された方法としてＲｈ、Ｃｒ等の高硬度の金
属を電気メツキ法によって媒体表面に被覆する方法があ
るが、電解液浸漬時に受ける媒体の侵食、またはそれを
避けるために設ける中間層による保護層の実質的な膜厚
増大という欠点がある。

別の方法としてＣｒ　、Ｗ等の金属、８　ｓ　０１　、
−ＡＡ％　Ｏｓ等の酸化物を蒸着、スパッタなどの手段
で媒体表面に被覆する方法があるが密着力が不十分であ
り真空系内で作製するため生産性に問題があった。

耐摩耗性と密着力に優れた保護層として、　Ｃｏまたは
Ｃｏ−Ｎｉの磁性金属薄膜の表面を酸化してＣｏ。

０、の酸化膜を形成する方法が提案された。

例えば、特公昭４２−２００２５号、　ＵＳＰ　３，３
５３，１６６号では、温度および湿度を制御した酸化雰
囲気中で金属薄膜の表面に存在するＣｏを酸化し、保護
酸化皮膜を形成する方法が提案された。より強固な酸化
皮膜を得るために陽極酸化による方法、酸処理による方
法、さらに空気中で焼成する方法（特公昭４９−２９４
４５号、　［Ｊ８Ｐ　３，７１９，５２５号）等が提案
された。しかし、上記の方法では広い処理面積にわたっ
て均一なＣＯ酸化皮膜を得ることは困難であり、保護酸
化皮膜の厚さのバラツキと残存磁性層の厚さのバラツキ
によって、再生出力の均一性が損われ、時にはビットエ
ラーの多発を生じるという問題があった。このため、こ
れを改善する方法として、［Ｊ８Ｐ　４，１２４，７３
６に示される様に記憶媒体の磁性層と保護酸化皮膜を得
るための金属層の間に酸化処理の障壁となる中間層を形
成する方法が提案された。この様な中間層を設けること
によって、酸化処理による反応が磁性層にまで達するこ
とが妨げられ、かつ、均一な膜厚の保護酸化皮膜が得ら
れることを目的としていたが、酸化処理による磁性層の
侵食を防止し十分な障壁効果を得るには中間層の膜厚を
非常に厚くする必要があった。この様に、記録媒体と保
護酸化皮膜の間に酸化処理の障壁となる厚い中間層を形
成することは保護膜厚の実質的な増大となり記録再生特
性の著しい低下を招い廠。

さらに記録媒体、中間層、保護層と薄膜の積層数が増加
する程、工程が複雑化し生産性が損われる。また、中間
層にＮｉ合金を用い酸化処理に高温焼成を伴なう場合、
中間層が帯磁し再生出力の著しい低下を招くおそれがあ
る。

本発明の目的は、上述した従来技術の欠点を改善して、
実用的な耐久性を備えた高密度記録用の磁気記録体を提
供することにある。

（５） 本発明の他の目的は、保護酸化皮膜を有する磁気記録体
の再生出力の一様性を保持するとともに製作工程の簡素
化をはかることにより、高品質かつ安価な磁気記録体を
提供することにある。

本発明のさらにもう一つの目的は、均一で耐摩耗性に優
れた保護酸化皮膜を有する磁気記録体を再現性よく提供
することにある。

本発明によれば、基体上に磁性層および保護層が、この
順に設けられた磁気記録体において、前記保護層が前記
磁性層よりも耐酸化性の弱いＣ。

を主成分とする金属薄膜を酸化することにより形成され
た層であることを特徴とする磁気記録体が提供される。

本発明の磁気記録体の基体には、ディスク状、ドラム状
、テープ状等従来公知の種々の形状が適用される。基体
の材質としては、アルミニウム合金、黄銅等の金属、マ
イラー、ポリイミド等の樹脂あるいは、それらの上にＮ
１−Ｐメ、キ膜、　Ｃｕ。

Ｃｒ　等の蒸着膜、スパッタ膜などが記憶媒体の下地と
して被覆されたものが用いられる。

（６） 本発明の磁気記録体の磁性層としては、Ｆｅ。

Ｃｏ、Ｎの少なくとも一種を構成元素とする磁性金属薄
膜が用いられる。他の二次的成分としてＣｕ。

Ｚｎ等の金属、Ｐ、Ｂ、Ｏ等の非金属が含有されていて
もよいが、高密度記録媒体として用いるには、一般に３
０００ｅ　以上の保磁力を有している必要がある。磁性
層の厚みは、均一性を確保するために０．０１μｍ以上
とする必要があり１面内記録刃式で１０．０ＯＯＢＰＩ
　（１インチ当りのビット数）以上の記録密度を得るた
めには、１．０μｍ　程度以下にする必要がある。

しかし、垂直記録方式を使用する場合には、１．０μｍ
以上の膜厚の磁性層を用いることもできる。

本発明による磁性層は無電解メッキ法によって形成され
ることが、生産性と膜厚の一様性の点で望ましいが、電
気メツキ法、蒸着法、スパッタ法等を用いてもよい。

本発明の保護層の酸化物を形成するための金属薄膜とし
ては、記録媒体の磁性層よりも耐酸化性の弱い金属薄膜
であることが要求され％Ｃｏを含有（７） し一様な組成と膜厚を有する連続した金属薄膜であるこ
とが要求される。十分な耐久性の保護層を得るためには
、この金属薄膜の膜厚は０．００５μｍ以上である必要
があり、この金属薄膜は５０９ｂ以上のＣＯを含有して
いることが望ましい。この金属薄膜は、Ｃｏを主成分と
する力ξこれにＭｎ　、　Ｂ　、　Ｖ　。

Ｆｅ、Ｚｎ　から選ばれた少なくとも一種を含有するこ
とがあり、さらにＮｉ、Ｐから選ばれた少なくとも一種
を含有することがある。Ｍｎ含有量は０．０１チから３
０チの範囲が用いられるが、０．１％から８チの範囲が
好ましい。Ｂ含有量はｏ、ｏｏｉ　ｓから２゜チの範囲
が用いられるが、０．１％から６％の範囲が好ましい。

■含有量は０．０１　％から３０チの範囲が用いられる
が、０．０５％から２５ｑＩｂの範囲が好ましい。

Ｆｅ含有量はＯ，ｉ％から４０％の範囲が用いられるが
。

１チから３０チの範囲が好ましい。Ｚｎ含有量は０．１
チから２０％の範囲が用いられるが、０．３％から５チ
の範囲が好ましい。Ｎｉ含有量は０．１％から４０チの
範囲が用いられるが、１％から２５優の範囲が好ましい
。Ｐ含有量は０．０１％から８チの範囲が用い（８） られるが、３％以下の範囲が好ましい。ＣＯにＭｎ。

Ｂ、Ｖ、Ｆｅ、Ｚｎを含有させる目的の一つは金属薄膜
の耐酸化性を減少させることにある。Ｎｉ　、Ｐの含有
は耐酸化性を増大させるが、無電解００合金メツキにお
いてＣＯ以外の元素の共析量を増加させる場合にＮｉの
同時共析が利用されることがあり、次亜リン酸を還元剤
とする無電解メッキにおいてはＰの共析を伴う。金属薄
膜の耐酸化性が磁性層のそれよりも小であれば、これら
以外にどの様な二次的元素が含有されていてもよいが、
金属薄膜と磁性層の耐酸化性の差が大きい程良好な品質
の磁気記録体が得られやすい。金属薄膜は一様な組成と
膜厚を有する連続した薄膜が容易に得られる無電解メッ
キ法によって形成することが望ましいが、電気メツキ法
、蒸着法、スパッタ法等を用いてもよい。

電気メツキ法によってＣｏ−Ｍｎ合金膜を得るには１例
えばＢｒｅｎｎｅｒ著Ｅｌｅｃｔｒｏｄｅｐｏｓｉｔｉ
ｏｎ　ｏｆＡｌｌｏｙｓ　ｖｏｌｕｍｅ　…（ＡＣＡＤ
ＲＭＩＣＰＲＥ８８１９６３年刊）１３，１４０〜１５
０に示される様な硫酸コ（９） バルト、硫酸マンガンの他にチオシアン酸アンモニウム
、硫酸アンモニウム、クエン酸ナトリウム等を加えたメ
ッキ浴を用いることができる。電気メツキ法によってＣ
ｏ　−Ｍｎ　−Ｐ合金膜を得る一例としては、′新しい
合金メッキ法“（日・ソ通信社発行）ｐ、１４２に示さ
れる様な、塩化コバルト。

塩化マンガン、次亜リン酸アンモンを加えたメッキ浴を
用いる方法がある。無電解メッキ法によって、Ｃｏ　−
Ｍｎ−ＦあるいはＣｏ−Ｎｉ　−Ｍｎ　−Ｐ合金膜を得
るには、例えば、Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｅｌｅｃｔｒ
ｏｃｈｅ−ｍｉｃａｌ　５ｏｃｉｅｔｙ　、　Ｖｏｌ、
　１３０．４４　、１９８３のｐ、　７９０〜７９４に
示される様な、次亜リン酸を還元剤とし、金属塩として
硫酸コバルト、硫酸マンガンまたはこれらに硫酸ニッケ
ル、錯化剤として有機酸他を加えたメッキ浴を用いるこ
とができる。

無電解メッキ法によってＣｏ−Ｂ　あるいはこれに他の
金属元素を加えた８合金膜を得るには、ホウ水素化ナト
リウム、ジメチルアミンボランまたはこれらの誘導体を
還元剤とし、金属塩として硫酸コバルト、塩化コバルト
等のコバルト塩、それに（１０） 得たい合金のＣＯ以外の金属塩を加え、錯化剤として有
機酸、ｐＨ緩衝剤、ｐＨ調節剤等の添加剤を加えたメッ
キ浴を用いることができる。２合金膜の場合は、還元剤
として次亜リン酸塩を用いるほかは同様の成分を加えた
メッキ浴より得ることができる。

電気メッキの場合には、無電解メッキにくらべて一般に
浴成分が少なく、得られる合金の種類および組成が広範
囲である。スパッタ、蒸着の場合には、ターゲット組成
または蒸発源元素の種類をかえることにより、より広範
囲の合金を得ることができる。

保護層は、前記金属薄膜を恒温・恒湿環境中に放置する
方法、熱酸化による方法、陽極酸化による方法、酸化剤
または酸処理による方法、さらに空気中で焼成する方法
等の各々またはこれらの組合せによって酸化することに
より形成される。恒温・恒湿環境中に放置する方法とし
ては、３５℃以上、相対温度５０チ以上の空気中、酸素
雰囲気中または蒸気中に３０分以上放置することによっ
て酸化（１１） 膜を形成する方法がある。陽極酸化による方法としては
、硫酸浴、クロム酸浴、シュウ酸浴等が用いられる。酸
化剤または酸処理による方法としては、硝酸、硫酸、塩
酸、フッ酸等の強酸、ギ酸、シーウ酸、リン酸、乳酸、
プロピオン酸、リンゴ酸、クエン酸、酢酸、酒石酸、ア
スパラギン酸、コハク酸、安息香酸、酪酸、マロン酸、
ホウ酸、ピロリン酸、タルトロン酸等昭和４１年９月２
５日発行日本化学会編化学便覧基礎編■ｐ　１０５４〜
１０５８の表に示さイ１．る様な弱酸およびそれらの塩
の１５ＩＴＪまたは２種以上の組合せ、または過マンガ
ン酸カリ、過酸化水素等の酸化剤などの溶液に１０秒以
上浸漬することにより酸化膜を形成する方法がある。

強酸については０．００１〜１５％の濃度が用いられる
が、ｏ、ｏｏｉ〜５俤の範囲が好ましい。弱酸では０．
０１〜５０％、好ましくは０．１〜２０チの濃度範囲が
使用できる。酸化剤については、０．１〜４０チ、好ま
しくは０．２〜１５％の濃度範囲が使用できる。

これらの濃度および浸漬時間は、酸ぶよび酸化剤の強さ
、酸化する金属薄膜の耐酸化性および膜（１２） 厚に応じて適する条件が選択される。これに続いて行わ
れる空気中で焼成する条件としては、従来２００℃から
２９０℃の温度範囲が用いられていたが、この温度範囲
で得られた磁気記録体は摩擦係数が太きく　ＣＳＳによ
って摩耗粉を生じやすい、また２００℃以上の焼成によ
って磁気記録体の下地および中間層に用いるＮｉ合金層
が帯磁しやすい等の問題があった。本発明においては前
記の様な耐酸化性の弱い金属薄膜を用いることにより２
００℃以下の焼成によっても十分な耐久性を有する保護
層の形成が可能となった。また２００℃以下の焼成では
酸化膜保護層の表面が完全に最終的な酸化状態には達し
ていないため活性が高くその上の潤滑層を強固に付着さ
せることができ、この温度範囲では摩擦係数も小さい。

これらも本発明の利点の一つである。

保護層上には摩擦力を更に低減しヘッドと磁気記録体と
の密着を防止するため固体潤滑剤または液体潤滑剤の薄
層が塗布される場合がある。

本発明において、従来技術に比べてヘッド−媒（１３） 体スペーシングの著しい減少が可能となり、ビット・エ
ラーの少ない高品質、高性能な磁気記録体が実現できる
理由を図を用いて説明する。保護層を形成する金属薄膜
の酸化方法の一例として、酸処理による方法をとりあげ
る。酸処理方法として。

従来より知られているＵ８Ｐ　３，７１９，５２５　に
示された０、１６〜０．２５　％の硝酸溶液に浸漬する
工程（工程Ａ）と、本発明の効果をより顕著に実現しつ
る０、１〜数チのギ酸、シーウ酸、リン酸等の弱酸に浸
漬する工程（工程Ｂ）を用いる。被処理皮膜としては、
従来より知られている構成の試験片、即ちアルミ板上に
膜厚５０μｍのＮ１−Ｐ合金をメッキし研磨したものを
基板とし、この上に膜厚０．０８μｍのＣｏ　−Ｎｉ　
−Ｐ　メッキ膜よりなる磁性層、膜厚０．０５μｍのＮ
ｉ　−Ｐ　メッキ膜よりなる中間層、膜厚０，０５μｍ
のＣｏ−Ｎ１−Ｐ　メッキ膜からなる金属薄膜を形成し
たもの（試験片Ａ）、および試験片人において中間層を
除き、金属薄膜として膜厚０．０５　ｔｉｍのＣｏ　−
Ｍｎ−Ｐ　、　Ｃｏ　−Ｍｎ　、　Ｃｏ−Ｂ　、　Ｃｏ
　−Ｐｅ−Ｐ、Ｃｏ等磁性層にくらべて著しく耐酸化性
（１４） の小さい金属層を用いた本発明の構成の試験片（試験片
Ｂ）を用いる。試験片Ａに対し工程Ａ１試験片Ａ、Ｂに
対し、工程Ｂの処理を施した場合の各試験片の飽和磁化
量の変化を振動試料式磁束計（ＶＳＭ）　で測定した。

その結果の傾向を図に比較して示す。各試験片の面積は
一定とし、飽和磁化量は磁性層のみの値を１とした相対
値を示す。

曲線１は、試験片Ａに工程Ａを施した場合の飽和磁化量
の時間変化である。曲線２．３は各々試験片Ａ、Ｂに工
程Ｂを施した場合の飽和磁化量の時間変化である。

従来の構成の試験片人に工程Ａを施した曲線１について
述べると、最初の約３分間に金属薄膜の酸化が進行し磁
性が失われている。次の約５分間は磁化の減少がゆるや
かになり合金中間層の障壁効果があられれているものの
十分ではなく、磁性層への侵食もかなり進んでいる。浸
漬８分以後は中間層はその作用をはたさず磁性層の酸化
が急速に進む。これに対し、試験片Ａに工程Ｂを施した
場合、曲線２に示す様に金属薄膜の酸化の進行は（１５
） わずかである。そこで本発明の構成の試験片Ｂに工程Ｂ
を施した場合は、曲線３に示す様に最初の約７分間で金
属薄膜の酸化が終了した後、磁性層の酸化が殆ど進行し
ないことが分った。即ち、本発明の構成をとることによ
り、中間層を用いることなく、金属薄膜の酸化に対する
障壁効果が得られることを示している。このため従来技
術に比べてヘッド−媒体スペーシングの著しい減少かり
能々なり、ビット・エラーの少ない高品質、高性能な磁
気記録体を潜ることが可能となる。なお、試験片Ｂを強
酸溶液に浸漬する場合も非常ζこ薄い濃度、例えば硝酸
については工程ｈｏ）’／、ｏ以下の濃度を用いること
により曲線３と同様の関係が得られる。

次に実施例によって本発明による磁気記録体の特徴を説
明する。下記の実施例は本発明の効果を示す一例であっ
て、ここに示す成分、膜厚、処理方法等を適宜変更して
もその目的を達成しつることは当然である。

（１６） 実施例１゜ 機械加工により表面を平坦かつ平滑に仕上げたアルミ合
金円板（直径２１１１１．厚さ１．９　ｔｎｗ　）上ζ
こ公知のメッキ法により厚さ５０μｍの非磁性Ｎｉ　−
Ｐ合金を形成した後、表面を機械加工により鏡面仕上げ
し、磁気ディスク基板を得た。Ｎｉ　−Ｐ　メッキ液に
は多くの市販品があるが、ここではカニセン・シー−マ
ー液を用いた。さらに、この基体上に保磁力６０００ｅ
、残留磁束密度７，３００　ｇａｕｓｓ　（７）磁気特
性をもち、膜厚０．０８　ｐｍＯ）　Ｃｏ−Ｎ１−Ｐ膜
からなる磁性層を形成した後、膜厚を０．００５μｍ〜
０．０８μｍの範囲で変化させて、当金有量４％のＣｏ
−Ｍｎメッキ膜からなる金属薄膜を形成した。

メッキ方法は前記の様な′１気メッキ法によった。

次にこれを硫酸溶液（濃度１〜３ｑ６）に数分〜十数分
間浸漬した後、空気中において１９０’Ｃ前後で６時間
加熱した。浸漬時間はＣｏ−Ｍｎメッキ膜厚に応じて増
加させた。

こうして得られた磁気ディスクの表面には、Ｃ０−Ｍｎ
　メッキ膜が酸化さｎて生じた一様な酸化物（１７） 保護層が形成されており、第１表のＣ８Ｓ試験結果に示
す様にＣｏ−Ｍｎメッキ膜厚０．０２μｍ以上のサンプ
ルについては実用上十分な耐久性が得られた。

第１表　Ｃ８Ｂ試験結果（Ｍｎ−Ｚｎフェライトヘッド
使用）本実施例で得られた磁気ディスクを下記の条件で
記録再生試験を行なった。

測定条件 ディスク回転数：　３０００　ｒｐｍ 使用ヘッド：トラック巾１８．５μｍ。

キャップ長０．８μｔｎ。

コイル巻数　１６＋１６゜ ヘッド浮上量二０．２μｍ 記録周波数（２Ｆ）　：　６．０８　ＭＨｚエラー・ス
ライスレベル二６０チ （１８） −面あたりのエラー個数は、第２表に示す様に１００個
以下となり、各Ｃｏ−Ｍｎ膜厚のディスクについて磁性
層の膜厚は実用上十分な一様性が保たれていることが認
められた。

第２表　記録再生試験結果 比較例１゜ 基体および磁性層は実施例１と同様に作製し、磁性層の
上にＮｉ　−Ｐ　メッキ膜よりなる中間層を形成した後
、膜厚０．０３１ｔｍＯ）Ｃｏ　−Ｎｉ　−Ｐ　メ、　
＋膜よりなる金属薄膜を形成し、この金属薄膜を酸化し
て保護層とした磁気ディスクを作製した。この場合、金
属薄膜、磁性層ともにＣｏ　−Ｎｉ−Ｐメッキ膜であり
、両者の耐酸化性が同等であるため金属薄膜の酸化によ
り保護層を形成する工程における酸浸漬処理には前述の
Ｇｏ−Ｍｎ膜の処理で用いた処理液よりも高濃度の酸溶
液を必要とした。

（１９） このため前述の記録再生試験と同じ測定条件において一
面当りのエラー数が１００個以下となる磁気ディスクを
得るためには厚さｏ、ｉｏμｍ以上の中間層を必要とし
、保護層の厚さがほぼ同等のＣｏ　−Ｍｎメッキ膜厚０
．０３μｍの実施例１の磁気ディスクに比べて再生出力
が２７チ程度減少した。また金属薄膜としてＣｏ　−Ｎ
ｉ−Ｐ膜を用い、硫酸浸漬後の焼成温度を１９０℃とし
た場合、耐久性が著しく劣りＣ８Ｓ回数１００〜２００
回で傷を生じた。２７５℃で焼成した場合にはＣ８Ｓ耐
久性は約４０００回まで増したが、Ｎ１−Ｐメッキ層の
帯磁によって記録再生特性が著しく劣化した。

実施例２゜ 実施例１と同様にして磁気ディスクを作製したが、本実
施例では膜厚０．０５μｍ、Ｍｎ含有量４％のＣｏ　−
Ｍｎ膜よりなる金属薄膜の酸化工程において用いる処理
液として第３表に示すものをそれぞれ用いた。本発明に
おいては、金属薄膜と磁性層との耐酸化性に著しい差が
あるため、金属薄膜全体に反応が及び、磁性層は侵食さ
れない処理条件を（２０） 容易に見い出すことができた。酸の強さに応じて濃度、
浸漬時間等の適する条件が選択されるが、その−例とし
て本実施例で用いた条件を表３に示す。

第３表　処理液の種類および浸漬条件 こうして得られた磁気ディスクを実施例１と同様にして
Ｃ８Ｓ試験および記録再生試験を行った結果、実用上十
分な耐久性（ｃｓｓ２万回以上回以上性）とエラー特性
（−面あたりのエラー個数１００個以下）を有すること
が確認された。また再生出力は、同等のエラー特性が得
られる比較例１のディスクにくらべて３２％程度増加し
た。

（２１） 実施例３゜ 実施例１と同様にして磁気ディスクを作製したが、本実
施例では磁性層上に、当金有量を変化させた膜厚０．０
３μｍ　（７）　Ｃｏ　−Ｍｎ電気メツキ膜からなる金
属薄膜を形成し、２〜４チのリン酸溶液で処理した後１
８０℃、８時間の焼成を行った。Ｃ。

−胤膜は、０．１９６から７チのものを用いた。

こうして得られた磁気ディスクを実施例１と同様にして
Ｃ８Ｓ試験を行なった。ディスク表面に傷が発生するＣ
８Ｓ回数を第４表に示す。

第４表　胤含有量とＣ８８耐久回数 （２２） 比較例２゜ 実施例２と同様にして作製したが、中間層膜厚をＱ、１
９μｍとし、膜厚０．０４　ｔｔｍノＣｏ　−Ｎｉ　−
Ｐ　膜からなる金属薄膜を硝酸浸漬後２３０℃で焼成し
て保護層とした磁気ディスクでは、同様のＣ８Ｓ試験に
おいて０８８３５００回で傷が発生した。

本実施例において保護層に少量の鳩を含有することによ
って耐久性が著しく向上することが示された。

実施例４゜ 実施例１と同様にして磁気ディスクを作製したが、本実
施例では膜厚０，０４μｍ、Ｂ含有量３チのＣｏ　−Ｂ
　膜よりなる金属薄膜を形成した。Ｃｏ　−Ｂ膜は、金
属塩として硫酸コバルト、還元剤としてジメチルアミン
ボラン、錯化剤としてマロン酸ナトリウム、クエン酸ナ
トリウムを含む無電解メ、キ浴を用い、ｐＨ５〜６の酸
性側で作製した。

下記の第５表に示す条件でそれぞれ処理した後。

１７０℃にて２５時間焼成した。

（２３） 第５表　処理液の種類および浸漬条件 こうして得られた磁気ディスクの表面には一様な酸化物
保護層が形成されていた。Ｃ８Ｓ試験の結果、２万回の
Ｃ８８に耐え、十分な耐久性をもつことが確認された。

実施例１と同様の記録再生試験の結果、処理液濃度が減
少する程エラー個数が減少する傾向があり、各処理液の
濃度を適宜選ぶことにより一面あたりのエラー数が１０
０個以下（２４） のディスクを得ることができた。また再生出力は同等の
エラー特性が得られる比較例１のディスクにくらべて３
４−程度増加した。

実施例５゜ 実施例１と同様にして磁気ディスクを作製したが、本実
施例では磁性層上に膜厚０．０５μｍＱ）Ｃｏ−Ｂ膜か
らなる金属薄膜を形成し、第６表の条件で処理した後、
１８０℃、１５時間の焼成を行なった。

Ｃｏ−Ｂ膜は、０．０１％から４．０チのＢ含有量のも
のを用いた。Ｂ含有量はメッキ浴のｐｉ（を増加する゛
ことにより減少させた。実施例４と同様のメッキ浴を用
いたが、アルカリ側では浴の安定性を増すため錯化剤と
してアスパラギン酸を用いた。

こうして得られた磁気ディスクを実施例１と同様にして
Ｃ８Ｓ試験を行なった。ディスク表面に傷が発生するＣ
８Ｓ回数を同じく第６表に示す。

（２５） 第６表　Ｂ含有量　処理条件、ｇｃｓｓ回数比較例３゜ 実施例５と同様にして作製したが、中間層のＮ１−Ｐ、
メッキ膜厚を０．１０μｍとし、この上に膜厚０．０５
μｍのＣｏ　−Ｎｉ　−Ｐ　メッキ膜からなる金属薄膜
を形成し、これを０．２５％の硝酸に数分間浸漬後１８
０℃で１５時間焼成して保護層とした磁気ディスクでは
、同様のＣ８Ｓ試験においてＣ８Ｓ約１５０回で傷が発
生した。実用上必要なエラー特性を得るため中間層膜厚
を０．１０μｍとしたので、本実施例で得た磁気ディス
クにくらべて再生出力が約２６（２６） チ減少した。焼成温度を２７５℃とした場合にはＣ８Ｓ
耐久性は約５０００回まで増加したが、下地および中間
層のＮｉ　−Ｐ　メッキ膜の帯磁によって記録再生特性
が著しく劣化した。

実施例５において、保護層に少量のＢを含有することに
よって耐久性が著しく向上することが示された。

実施例６゜ 実施例５と同様にして磁気ディスクを作製したが、本実
施例ではＢ含有量０．４チのＣｏ−Ｂ　メッキ膜からな
る金属薄膜の膜厚を０．００５μｍから０．１μｍの範
囲で変化させた。金属薄膜の酸化は、１〜１０チのプロ
ピオン酸に数分間浸漬後、１９５℃で１５時間焼成した
。

Ｃ８Ｓ試験の結果を第７表に示す様にＣｏ−Ｂメッキ膜
厚０．０２μｍ以上においてＣ３Ｓ　２万回以上の耐久
性を示した。プロピオン酸処理条件をＣｏ−Ｂ　メッキ
膜厚に応じて適宜変化させたところ、各膜厚について一
面あたりのエラー個数が１００個以下のディスクが得ら
れた。

（２７） 第７表　Ｃｏ−Ｂメッキ膜厚とＣＳＳ回数実施例７゜ 実施例１と同様にして磁気ディスクを作製したが、本実
施例ではＣｏ−Ｎ１−Ｐ磁性層上に膜厚０．０４ｐｍ、
Ｍｎ含有量１．５優、Ｐ含有量　２．５　％のＣ。

−Ｍｎ　−Ｐ無電解メッキ膜よりなる金属薄膜を第８表
に示す条件でそれぞれ処理した後、１９０℃にて７時間
焼成して保護層を形成した。

第８表　処理液の種類および浸漬条件 （２８） Ｃｏ　−Ｍｎ　−Ｐ無電解メッキ膜は、Ｊｏｕｒｎａｌ
　ｏｆｍｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ　５ｏｃｊｅｔ
ｙ　、　Ｖｏｌ、　１３０　、　Ａ　４　ｅ１９８３の
ｐ、７９０〜７９４に示した様に次亜リン酸ナトリウム
を還元剤とし、金属塩に硫酸コバルト、（ｊｔｔ［ｔマ
ンガン、錯化剤としてマロン酸ナトリウムおよびリンゴ
酸ナトリウム、ｐＨ緩衝剤として硫酸アンモニウムを用
いたメッキ浴より作製した。

本実施例で得られた磁気ディスクを実施例１と同様にし
て記録再生試験を行った結果、処理液濃度が減少する程
エラー個数が減少する傾向があり処理条件を適宜選ぶこ
とにより一面あたりのエラー個数が１００個以下のディ
スクが得られた。またＣ８Ｓ試験においても実用上十分
な耐久性が得られた。再生出力については、同等のエラ
ー特性が得られる比較例１のディスクにくらべて３４％
程度増加した。

実施例８゜ 実施例１と同様にして磁気ディスクを作製したθξ本本
実側例は磁性層の上に膜厚０，０４μｍの下記第９表に
示す各糧金属薄膜を形成し％０．５〜７％（２９） の酢酸溶液に数分間浸漬した後１９０℃で８時間焼成し
た。

第９表　各種金属薄膜 Ｃｏ　−Ｍｎ　−Ｐ膜、　Ｃｏ　−Ｎｉ　−Ｍｎ−Ｐ膜
はＪｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃ
ａｌ　５ｏｃｉｅｔｙ　、　Ｖｏｌ　。

１３０、腐４　、１９８３のｐ、　７９０〜７９４　で
用いたメッキ浴より作製した。Ｃｏ　−Ｆｅ　−Ｐ膜は
、Ｐｌａｔｌｎｇｅ１９６７年、　ｐ、７０５に示され
る次亜リン酸を還元剤とするアンモニア・アルカリ性ク
エン酸浴より作製した。Ｃｏ　−Ｚｎ　−Ｐ膜は、ＩＥ
ＥＥ　Ｔｒａｎ、ｏｎＭａｇ、、　１９６６年、　９．
６８１に示される次亜リン酸を還元剤とするアンモニア
・アルカリ性クエン１１１［よ（３０） り作製した。Ｃｏ膜はヒドラジンを還元剤とするカセイ
アルカリ性メッキ浴より作製した。Ｃｏ　−■膜はＲＦ
スパッタ法によって作製した。

こうして得られた磁気ディスクを実施例１と同様にして
試験した結果、ＣＢ５２万回以上の耐久性と実用上十分
なエラー特性を有していた。再生出力は、同等のエラー
特性が得られる比較例１のディスクにくらべて約３４チ
増加した。

実施例９゜ 実施例１と同様にして磁気ディスクを作製したが、本実
施例では、膜厚０．０３μｍ、Ｍｎ含有ｉ１．５％。

Ｂ含有量０，６チのＣｏ　−Ｍｎ　−Ｂ無電解メッキ膜
からなる金属薄膜を形成し、数チのリン酸、シュウ酸、
酢酸、プロピオン酸等の弱酸に十数分間浸漬後１００℃
から１９０℃の温度範囲で３０時間焼成した。

こうして得られた磁気ディスクを実施例１と同様にして
試験した結果、Ｃ３Ｓ２万回以上の耐久性と実用上十分
なエラー特性を有していた。また、本実施例において焼
成工程を省いた場合もＣ８８回数５ｏｏｏ回程度の耐久
性を得ることができた。

再生出力は、比較例１で同等のエラー特性が得られたデ
ィスクにくらべて約３６俤増加した。

実施例１０ 実施例１と同様にして磁気ディスクを作製したが、本実
施例では当台有量３．５チ、膜厚０．０２μｍのｃｏ−
Ｍｎ膜を金属薄膜とし、酸化工程は、空気中１９５℃で
５０時間焼成する方法をとった。こうして得られた磁気
ディスクを実施例１と同様にして試験した結果、実用上
十分な耐久性とエラー特性を有していた。再生出力は、
比較例１で同等のエラー特性が得られたディスク１こく
らべて約３８係増加した。

以上の実施例により明らかなように基体、磁性層および
保護層の順をこ設けらｎた磁気記録体において、前記保
護層となる酸化物形成に用いる金属薄膜に前記磁性層よ
りも耐酸化性の弱い金属膜を用いることにより、実用的
な耐久性を有し一様な再生出力の得られる磁気記録体が
得られる。特に磁性層と保＠層の間に中間層を形成した
従来の磁気記録体に比べ、ヘッド−媒体分離長低減によ
る再生出力の増大が図れるきともに、製作工程の簡素化
が可能となり、本発明の実用的、工業的価値は極めて高
い。

【図面の簡単な説明】

図面は酸化処理液浸漬時間に対する飽和磁化量の変化を
示す図である。 （３３）

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）　基体上に磁性層および保護層が、この順に設け
   られた磁気記録体において、前記保護層が前記磁性層よ
   りも耐酸化性が弱いＣｏを主成分とする金属薄膜を酸化
   することにより形成された層であることを特徴とする磁
   気記録体。
2. （２）前記保護層力ξ　Ｃｏを主成分とし、これにＭｎ
   　。 す逼磁気記録体。
3. （３）前記保護層が、ｃｏを主成分とし、これにＭｎ。 Ｂ、Ｖ、Ｆｅ、Ｚｎから選ばれた少なくとも一種を含有