JPH01167233A - ＩｎＡＭｎＸＯｙ（ＡはＦｅまたはＧａ，Ｘ＝２のときＹ＝５，Ｘ＝２．５のときＹ＝５．５，Ｘ＝３のときＹ＝６，Ｘ＝３．５のときＹ＝６．５）で示される立方晶系のスピネル型構造を有する化合物およびその製造法 - Google Patents
ＩｎＡＭｎＸＯｙ（ＡはＦｅまたはＧａ，Ｘ＝２のときＹ＝５，Ｘ＝２．５のときＹ＝５．５，Ｘ＝３のときＹ＝６，Ｘ＝３．５のときＹ＝６．５）で示される立方晶系のスピネル型構造を有する化合物およびその製造法Info
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- JPH01167233A JPH01167233A JP62327953A JP32795387A JPH01167233A JP H01167233 A JPH01167233 A JP H01167233A JP 62327953 A JP62327953 A JP 62327953A JP 32795387 A JP32795387 A JP 32795387A JP H01167233 A JPH01167233 A JP H01167233A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は新規化合物である一般式ＩｎＡＭｎＸＯｙ（Ａ
はＦｅまたはＧａ、 Ｘ ＝ ２〜３．５ 、Ｙ ＝
５〜６．５を表わす）で示される立方晶系のスピネル型
構造を有する化合物およびその製造法に関する。この新
規化合物は陰イオン導電体、半導体材料、触媒材料とし
て有用なものである。
はＦｅまたはＧａ、 Ｘ ＝ ２〜３．５ 、Ｙ ＝
５〜６．５を表わす）で示される立方晶系のスピネル型
構造を有する化合物およびその製造法に関する。この新
規化合物は陰イオン導電体、半導体材料、触媒材料とし
て有用なものである。
従来技術
従来立方晶系のスピネル型構造を有する化合物としては
、（１）一般式へＢ、０４（Ａは２価陽イオン。
、（１）一般式へＢ、０４（Ａは２価陽イオン。
Ｂは３価陽イオンを表わす）で示される足止組成の化合
物、（２）ｙ−Ｆｅｚｅ３． Ｔｉ３ＣＯｚＯｅ、 Ｔ
ｉ４ＣＯ４０＋ｚで示される陽イオン欠陥を持つ化合物
が知られている。
物、（２）ｙ−Ｆｅｚｅ３． Ｔｉ３ＣＯｚＯｅ、 Ｔ
ｉ４ＣＯ４０＋ｚで示される陽イオン欠陥を持つ化合物
が知られている。
これらの化合物は陽イオン数と陰イオン数との割合が３
対４．２対３あるいは５対８のものであった。
対４．２対３あるいは５対８のものであった。
発明の目的
本発明は従来の立方晶系のスピネル型構造を有する化合
物の陽イオン数と陰イオン数の割合とは異なった４対５
〜５．５対６．５の割合である陰イオン欠陥（酸素イオ
ン欠陥）を有する新規な立方晶系のスピネル型構造を有
する化合物を提供するにある。
物の陽イオン数と陰イオン数の割合とは異なった４対５
〜５．５対６．５の割合である陰イオン欠陥（酸素イオ
ン欠陥）を有する新規な立方晶系のスピネル型構造を有
する化合物を提供するにある。
発明の構成
本発明の新規化合物は、一般式ＩｎＡＭｎ）（Ｏｙ（Ａ
。
。
Ｘ、Ｙは前記と同じものを表わす）で示される立方晶系
のスピネル型構造を有する化合物である。
のスピネル型構造を有する化合物である。
この化合物は陽イオン数と陰イオン数の割合が４対５〜
５．５対６．５の値を有する化合物で、従来の走化組成
および陽イオン欠陥の化合物とは異なり、陰イオン欠陥
（酸素欠陥）を有する化合物である。
５．５対６．５の値を有する化合物で、従来の走化組成
および陽イオン欠陥の化合物とは異なり、陰イオン欠陥
（酸素欠陥）を有する化合物である。
その格子定数値（ａ（入））は次の通りである。
化学組成 格子定数
ＩｎＦｅＭｎｚＯｓ ８．７０６±０．００
Ｈ人）ＩｎＦｅＭｎｚ、 ５０ｓ、 ｓ ８．６
８８±０．００１（入）ＩｎＧａＭｎ３０６８．６６５
±０．００１（人）ＩｎＦｅＭｒ＋＋、 ５ｏｂ、 ５
８．６５６±０．００１（人）ＩｎＧａＭｎ２０
ｓ ８．６６９±０．００１（人）ＩｎＧ
ａＭｎｚ、 ｓｏｓ、 ｓ ８．６４２±０．０
０１（入）ＩｎＧａＭｎ３０６８．６３５±０．００１
（人）ＩｎＧａＭｎ３．５０６． Ｓ ８．５９
９±０．００３（入）これらの格子定数は、陽イオン数
対陰イオン数の割合が４対５から５．５対６．５へ変化
するに対応して格子定数は減少する。これにより酸素イ
オンがその副格子から除去され、空位が生じていること
がわかる。
Ｈ人）ＩｎＦｅＭｎｚ、 ５０ｓ、 ｓ ８．６
８８±０．００１（入）ＩｎＧａＭｎ３０６８．６６５
±０．００１（人）ＩｎＦｅＭｒ＋＋、 ５ｏｂ、 ５
８．６５６±０．００１（人）ＩｎＧａＭｎ２０
ｓ ８．６６９±０．００１（人）ＩｎＧ
ａＭｎｚ、 ｓｏｓ、 ｓ ８．６４２±０．０
０１（入）ＩｎＧａＭｎ３０６８．６３５±０．００１
（人）ＩｎＧａＭｎ３．５０６． Ｓ ８．５９
９±０．００３（入）これらの格子定数は、陽イオン数
対陰イオン数の割合が４対５から５．５対６．５へ変化
するに対応して格子定数は減少する。これにより酸素イ
オンがその副格子から除去され、空位が生じていること
がわかる。
また、これらの化合物の面指数（ｈｋｆｆｉ）、面間隔
（ｄ（人）） （ｄ、（人）は実測値、ｄｃ（人）は計
算値を示す〕、およびＸ線に対する相対反射強度（■（
％））を示すと表−１〜８に示す通りである。
（ｄ（人）） （ｄ、（人）は実測値、ｄｃ（人）は計
算値を示す〕、およびＸ線に対する相対反射強度（■（
％））を示すと表−１〜８に示す通りである。
これらの化合物は陰イオン導電体、半導体材料。
触媒材料として使用し得られる。前記一般式ＡがＦｅの
場合は前記の用途のほか、磁性材料としても使用し得ら
れる。
場合は前記の用途のほか、磁性材料としても使用し得ら
れる。
表 −２
表 −３
表 −４
表−８
これらの混合物は次の方法によって製造し得られる。
インジウム、鉄またはガリウム、マンガン、の金属ある
いは金属酸化物もしくは加熱により金属酸化物に分解さ
れる化合物を、インジウム、鉄またはガリウム、マンガ
ンの割合が原子比で１対１対２〜３．５になるように混
合し、該混合物を１２００°Ｃ以上の温度で、インジウ
ム、ガリウムまたは鉄が各々３価イオン状態、マンガン
が２価イオン状態を維持する雰囲気中で加熱することに
よって製造し得られる。
いは金属酸化物もしくは加熱により金属酸化物に分解さ
れる化合物を、インジウム、鉄またはガリウム、マンガ
ンの割合が原子比で１対１対２〜３．５になるように混
合し、該混合物を１２００°Ｃ以上の温度で、インジウ
ム、ガリウムまたは鉄が各々３価イオン状態、マンガン
が２価イオン状態を維持する雰囲気中で加熱することに
よって製造し得られる。
本発明に用いる出発物質は市販のものをそのまま使用し
てもよいが、出発物質相互間の化学反応を速やかに進行
させるためには粒径が小さい程よ（、特に１０μｍ以下
であることが望ましい。また、陰イオン導電体、半導体
材料、触媒材料等として用いる場合には不純物の混入を
きらうので、出発物質の純度は高いほど好ましい。加熱
により金属酸化物となる化合物としては、それぞれの金
属の水酸化物、炭酸塩、硝酸塩等が挙げられる。
てもよいが、出発物質相互間の化学反応を速やかに進行
させるためには粒径が小さい程よ（、特に１０μｍ以下
であることが望ましい。また、陰イオン導電体、半導体
材料、触媒材料等として用いる場合には不純物の混入を
きらうので、出発物質の純度は高いほど好ましい。加熱
により金属酸化物となる化合物としては、それぞれの金
属の水酸化物、炭酸塩、硝酸塩等が挙げられる。
これらの原料をそのままあるいはアルコールまたはアセ
トンと共に充分混合する。混合割合はＩｎ。
トンと共に充分混合する。混合割合はＩｎ。
ＦｅまたはＧａ、 ｌ’Ｉｎが原子比で１対１対２〜３
．５の割合である。この割合をはずすと目的とする化合
物の単一相のものを得ることができない。この混合物を
ＩｎおよびＦｅまたはＧａが各々３価イオンの状態、Ｍ
ｎが２価イオン状態を維持する雰囲気の下で１２００°
Ｃ以上に加熱する。加熱時間は数時間もしくはそれ以上
である。加熱後は０°Ｃに急冷するか、あるいは大気中
に象、速に引き出せばよい。
．５の割合である。この割合をはずすと目的とする化合
物の単一相のものを得ることができない。この混合物を
ＩｎおよびＦｅまたはＧａが各々３価イオンの状態、Ｍ
ｎが２価イオン状態を維持する雰囲気の下で１２００°
Ｃ以上に加熱する。加熱時間は数時間もしくはそれ以上
である。加熱後は０°Ｃに急冷するか、あるいは大気中
に象、速に引き出せばよい。
得られるＩｎＦｅＭｎ）（Ｏｙ及びＩｎＧａＭｎｘＯｙ
化合物の色は共に黒色であり、粉末Ｘ−線回折法により
結晶構造を有することが分かった。その結晶構造はスピ
ネル型であり、通常のスピネル型化合物が示す陽イオン
数と陰イオン数との比である３対４から著しくずれた４
対５〜５．５対〜６．５のものであった。
化合物の色は共に黒色であり、粉末Ｘ−線回折法により
結晶構造を有することが分かった。その結晶構造はスピ
ネル型であり、通常のスピネル型化合物が示す陽イオン
数と陰イオン数との比である３対４から著しくずれた４
対５〜５．５対〜６．５のものであった。
実施例１゜
ＴｎＦｅＭｎ２０５の合成
純度９９．９９％以上の酸化インジウム（Ｉｒ＋ｚＯｉ
）粉末、純度９９．９９％以上の酸化鉄（ＦｅｚＯ：＋
）粉末および純度９９．９％の酸化マンガン（ＭｎＯ）
粉末を、モル比で１対１対４の割合に秤量し、めのう乳
ばち内でエタノールを加えて約３０分間混合し平均粒径
数μｍの微粉状混合物を得た。該混合物を白金管内に封
入し、１４５０°Ｃに設定された管状シリコニット炉内
にいれ、３日間加熱した後、試料を炉外で室温まで急速
に冷却した。
）粉末、純度９９．９９％以上の酸化鉄（ＦｅｚＯ：＋
）粉末および純度９９．９％の酸化マンガン（ＭｎＯ）
粉末を、モル比で１対１対４の割合に秤量し、めのう乳
ばち内でエタノールを加えて約３０分間混合し平均粒径
数μｍの微粉状混合物を得た。該混合物を白金管内に封
入し、１４５０°Ｃに設定された管状シリコニット炉内
にいれ、３日間加熱した後、試料を炉外で室温まで急速
に冷却した。
得られた試料はＩｎＦｅＭｎ２Ｏ３単一相のものであっ
た。これは粉末Ｘ線回折法によってスピネル型槽造を有
することが分かった。その面指数（ｈ ｋ ｆｉ）、面
間隔（ｄ、（人））およびＸ線に対する相対反射強度（
Ｉ（％））を測定した。その結果は表−１に示す通りで
あった。
た。これは粉末Ｘ線回折法によってスピネル型槽造を有
することが分かった。その面指数（ｈ ｋ ｆｉ）、面
間隔（ｄ、（人））およびＸ線に対する相対反射強度（
Ｉ（％））を測定した。その結果は表−１に示す通りで
あった。
また立方晶系としての格子定数は、８．７０６±０．０
０１（人）であった。
０１（人）であった。
上記格子定数と面指数（ｈｋＩ！、）より算出した面間
隔（ｄＣ（入））と実測の面間隔（ｄｏ（入））とは極
めてよく一致している。
隔（ｄＣ（入））と実測の面間隔（ｄｏ（入））とは極
めてよく一致している。
実施例２゜
ＩｎＦｅＭｒ＋＋、 ｓｏｂ、 ｓの合成純度９９．９
９％以上の酸化インジウム（ＩｎｚＯ＊）粉末、純度９
９．９９％以上酸化鉄（ＦｅｚＯｉ）粉末および純度９
９．９％の酸化マンガン（ＭｎＯ）粉末をモル比で１対
１対７の割合に秤量し、めのう乳ばち内でエタノールを
加えて約３０分間混合し平均粒径数μｍの微粉状混合物
を得た。該混合物を白金管内に封入し、１４５０°Ｃに
設定された管状シリコニット炉内に入れ、４日間加熱し
た後、試料を炉外で室温まで急速に冷却した。
９％以上の酸化インジウム（ＩｎｚＯ＊）粉末、純度９
９．９９％以上酸化鉄（ＦｅｚＯｉ）粉末および純度９
９．９％の酸化マンガン（ＭｎＯ）粉末をモル比で１対
１対７の割合に秤量し、めのう乳ばち内でエタノールを
加えて約３０分間混合し平均粒径数μｍの微粉状混合物
を得た。該混合物を白金管内に封入し、１４５０°Ｃに
設定された管状シリコニット炉内に入れ、４日間加熱し
た後、試料を炉外で室温まで急速に冷却した。
得られた試料はＩｎＦｅＭｒ＋３．５０６．５単一相の
もので面指数（ｈｋｆｉＬ面間隔（ｄｏ（入））および
Ｘ線に対する相対反射強度（Ｉ（％））を測定した。そ
の結果は表−４に示す通りであった。
もので面指数（ｈｋｆｉＬ面間隔（ｄｏ（入））および
Ｘ線に対する相対反射強度（Ｉ（％））を測定した。そ
の結果は表−４に示す通りであった。
また立方晶系としての格子定数は８．６５６±０．００
１（人）であった。上記格子定数と面指数（ｈｋＥ＞よ
り算出した面間隔（ｄＣ（入））と実測の面間隔（ｄｏ
（入））とは極めてよく一致している。
１（人）であった。上記格子定数と面指数（ｈｋＥ＞よ
り算出した面間隔（ｄＣ（入））と実測の面間隔（ｄｏ
（入））とは極めてよく一致している。
実施例３゜
ＩｎＧａＭｎ２Ｏ３の合成
実施例１における酸化鉄粉末に代え酸化ガリウム（Ｇａ
２０３）を使用したほかは実施例１と同様にしてＩｎＧ
ａＭｎｚＯｓの単一相のものが得られた。
２０３）を使用したほかは実施例１と同様にしてＩｎＧ
ａＭｎｚＯｓの単一相のものが得られた。
これを粉末Ｘ線回折法によって面指数（ｈｋｌｌ）、面
間隔（ｄｏ（入））およびＸ線に対する相対反射強度（
１（％））を測定した。その結果は表−５に示す通りで
あった。
間隔（ｄｏ（入））およびＸ線に対する相対反射強度（
１（％））を測定した。その結果は表−５に示す通りで
あった。
また、立方晶系としての格子定数は、８．６６９±０．
００１（入）であった。
００１（入）であった。
上記格子定数と面指数（ｈｋｆｆｉ）より算出した面間
隔（ｄｃ（入））と実測の面間隔（ｄｏ（人））とは極
めてよく一致している。
隔（ｄｃ（入））と実測の面間隔（ｄｏ（人））とは極
めてよく一致している。
実施例４゜
ＩｎＧａＭｎ５＋、 ５０６．５の合成実施例２におけ
る酸化鉄に代え酸化ガリウム（ＧａｚＯ：＋）を使用し
、他は実施例２と同様にしてＩｎＧａＭｎ５．５ｏｂ、
ｓの単一相のものが得られた。
る酸化鉄に代え酸化ガリウム（ＧａｚＯ：＋）を使用し
、他は実施例２と同様にしてＩｎＧａＭｎ５．５ｏｂ、
ｓの単一相のものが得られた。
これは粉末Ｘ線回折法によってスピネル型構造を有する
ものであることが分った。その面指数（ｈｋｆｆｉＬ面
間隔（ｄｏ（入））及びＸ線に対する反射強度（Ｉ（％
））を測定した。その結果は表−８に示す通りであった
。
ものであることが分った。その面指数（ｈｋｆｆｉＬ面
間隔（ｄｏ（入））及びＸ線に対する反射強度（Ｉ（％
））を測定した。その結果は表−８に示す通りであった
。
また立方晶系としての格子定数は８．５９９±０．００
３（入）であった。上記格子定数と面指数（ｈｋＩＶ、
）より算出した面間隔（ｄｃ（入））と実測の面間隔（
ｄ。
３（入）であった。上記格子定数と面指数（ｈｋＩＶ、
）より算出した面間隔（ｄｃ（入））と実測の面間隔（
ｄ。
（人））とは極めてよく一致している。
発明の効果
本発明は陰イオン導電体、半導体材料、触媒材料。
磁性材料として有用な陰イオン欠陥を有する新規な立方
晶系のスピネル型構造を有する化合物を提供し得たもの
である。
晶系のスピネル型構造を有する化合物を提供し得たもの
である。
Claims (2)
- １．一般式ＩｎＡＭｎ＿ＸＯ＿Ｙ（ＡはＦｅまたはＧａ
、Ｘ＝２〜３．５、Ｙ＝５〜６．５を表わす）で示され
る立方晶系のスピネル型構造を有する化合物。 - ２．インジウム、鉄またはガリウム、及びマンガンの金
属あるいは金属酸化物もしくは加熱により金属酸化物に
分解される化合物を、インジウム、鉄またはガリウム、
マンガンの割合が原子比で１対１対２〜３．５になるよ
うに混合し、該混合物を１２００℃以上の温度で、イン
ジウム，ガリウムまたは鉄が各々３価イオン状態、マン
ガンが２価イオン状態を維持する雰囲気中で加熱するこ
とを特徴とする一般式ＩｎＡＭｎ＿ＸＯ＿Ｙ（ＡはＦｅ
またはＧａ、Ｘ＝２〜３．５、Ｙ＝５〜６．５を表わす
）で示される立方晶系のスピネル型構造を有する化合物
の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62327953A JPH01167233A (ja) | 1987-12-24 | 1987-12-24 | ＩｎＡＭｎＸＯｙ（ＡはＦｅまたはＧａ，Ｘ＝２のときＹ＝５，Ｘ＝２．５のときＹ＝５．５，Ｘ＝３のときＹ＝６，Ｘ＝３．５のときＹ＝６．５）で示される立方晶系のスピネル型構造を有する化合物およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62327953A JPH01167233A (ja) | 1987-12-24 | 1987-12-24 | ＩｎＡＭｎＸＯｙ（ＡはＦｅまたはＧａ，Ｘ＝２のときＹ＝５，Ｘ＝２．５のときＹ＝５．５，Ｘ＝３のときＹ＝６，Ｘ＝３．５のときＹ＝６．５）で示される立方晶系のスピネル型構造を有する化合物およびその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01167233A true JPH01167233A (ja) | 1989-06-30 |
| JPH0513093B2 JPH0513093B2 (ja) | 1993-02-19 |
Family
ID=18204855
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62327953A Granted JPH01167233A (ja) | 1987-12-24 | 1987-12-24 | ＩｎＡＭｎＸＯｙ（ＡはＦｅまたはＧａ，Ｘ＝２のときＹ＝５，Ｘ＝２．５のときＹ＝５．５，Ｘ＝３のときＹ＝６，Ｘ＝３．５のときＹ＝６．５）で示される立方晶系のスピネル型構造を有する化合物およびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01167233A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011108620A (ja) * | 2009-08-26 | 2011-06-02 | Ngk Insulators Ltd | 接合剤 |
| JP2021193062A (ja) * | 2020-06-08 | 2021-12-23 | パウダーテック株式会社 | フェライト粒子、電子写真現像剤用キャリア、電子写真現像剤及びフェライト粒子の製造方法 |
-
1987
- 1987-12-24 JP JP62327953A patent/JPH01167233A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011108620A (ja) * | 2009-08-26 | 2011-06-02 | Ngk Insulators Ltd | 接合剤 |
| JP2021193062A (ja) * | 2020-06-08 | 2021-12-23 | パウダーテック株式会社 | フェライト粒子、電子写真現像剤用キャリア、電子写真現像剤及びフェライト粒子の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0513093B2 (ja) | 1993-02-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |