JPH01179729A - 一般式ＩｎＡＢＭｎＯ↓５（ＡはＦｅ，ＧａあるいはＣｒを，ＢはＭｇ，Ｃｏ，ＮｉあるいはＺｎを表わす）で示される立方晶系のスピネル型構造を有する化合物およびその製造法 - Google Patents
一般式ＩｎＡＢＭｎＯ↓５（ＡはＦｅ，ＧａあるいはＣｒを，ＢはＭｇ，Ｃｏ，ＮｉあるいはＺｎを表わす）で示される立方晶系のスピネル型構造を有する化合物およびその製造法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は新規化合物である一般式１ｎＡＢＭｎＯｓ （
ＡはＦｅ、 ＧａあるいはＣｒを、ＢはＭｇ、 Ｃｏ、
ＮｉあるいはＺｎを表わす）で示される立方晶系のス
ピネル型構造を有する化合物およびその製造法に関する
。この新規化合物は陰イオン導電体、半導体材料、触媒
材料として有用なものである。
ＡはＦｅ、 ＧａあるいはＣｒを、ＢはＭｇ、 Ｃｏ、
ＮｉあるいはＺｎを表わす）で示される立方晶系のス
ピネル型構造を有する化合物およびその製造法に関する
。この新規化合物は陰イオン導電体、半導体材料、触媒
材料として有用なものである。
従来技術
従来立方晶系のスピネル型構造を有する化合物としては
、（１）一般弐ＡＢｔ０４（Ａは２価陽イオン、Ｂは３
価陽イオンを表わす）で示される足止組成の化合物、（
２）７−ＦｅｔＯｓ 、 Ｔｉ５ＣＯｚＯｅ、 Ｔｉ４
Ｃｏ４０＋ｚで示される陽イオン欠陥を持つ化合物が知
られている。
、（１）一般弐ＡＢｔ０４（Ａは２価陽イオン、Ｂは３
価陽イオンを表わす）で示される足止組成の化合物、（
２）７−ＦｅｔＯｓ 、 Ｔｉ５ＣＯｚＯｅ、 Ｔｉ４
Ｃｏ４０＋ｚで示される陽イオン欠陥を持つ化合物が知
られている。
これらの化合物は陽イオン数と陰イオン数との割合が３
対４．２対３あるいは５対８のものであった。
対４．２対３あるいは５対８のものであった。
発明の目的
本発明は従来の立方晶系のスピネル型構造を有する化合
物の陽イオン数と陰イオン数の割合とは異なった４対５
の割合である陰イオン欠陥（酸素イオン欠陥）を有する
立方晶系のスピネル型構造を有する化合物を提供するに
ある。
物の陽イオン数と陰イオン数の割合とは異なった４対５
の割合である陰イオン欠陥（酸素イオン欠陥）を有する
立方晶系のスピネル型構造を有する化合物を提供するに
ある。
発明の構成
本発明の新規化合物は、−儀式１ｎＡＢＭｎＯｓ （Ａ
はＦｅ、 ＧａあるいはＣｒを、ＢはＭｇ、 Ｃｏ、
ＮｉあるいはＺｎを表わす）で示される立方晶系のスピ
ネル型構造を持つ化合物で、陽イオン数と陰イオン数と
の割合が４対５である。
はＦｅ、 ＧａあるいはＣｒを、ＢはＭｇ、 Ｃｏ、
ＮｉあるいはＺｎを表わす）で示される立方晶系のスピ
ネル型構造を持つ化合物で、陽イオン数と陰イオン数と
の割合が４対５である。
この陽イオン数と陰イオン数との割合は、従来知られて
いる電比組成の３対４．あるいは陽イオン欠陥スピネル
型構造の組成の２対３から大幅にずれている陰イオン欠
陥を有する化合物である。
いる電比組成の３対４．あるいは陽イオン欠陥スピネル
型構造の組成の２対３から大幅にずれている陰イオン欠
陥を有する化合物である。
これらの化合物の格子定数（ａ（入））の値は次の表−
Ａに示す通りである。
Ａに示す通りである。
これらの化合物が陰イオン欠陥であることは、陰イオン
欠陥状態であると仮定して、上述の格子定数から得られ
る密度とアルキメデス法による実測値とがよく一致して
いる（表−Ａ参照）ことから結論づけられる。
欠陥状態であると仮定して、上述の格子定数から得られ
る密度とアルキメデス法による実測値とがよく一致して
いる（表−Ａ参照）ことから結論づけられる。
これらの化合物の面指数（ｈｋｉ！、）、面間隔（ｄ（
入））、ｄｏ（入）は実測値、ｄＣ（人）は計算値を示
す）、およびＸ線に対する相対反射強度（Ｉ（％））を
示すと、表−１〜１２（前記化学組成の番号１〜１２に
対応）に示す通りである。
入））、ｄｏ（入）は実測値、ｄＣ（人）は計算値を示
す）、およびＸ線に対する相対反射強度（Ｉ（％））を
示すと、表−１〜１２（前記化学組成の番号１〜１２に
対応）に示す通りである。
これらの化合物はいずれも酸素イオン導電体。
半導体材料、触媒材料として有用である。Ｆｅを含有す
る化合物の場合は前記のほか、磁性材料としても使用し
得られる。
る化合物の場合は前記のほか、磁性材料としても使用し
得られる。
１に
れらの化合物は次の方法によって製造し得られる。
一般式１ｎＡＢＭｎＯｓ （ＡはＦｅ、 Ｇａあるいは
Ｃｒを、ＢはＭｇ、 Ｃｏ、 ＮｉあるいはＺｎを表わ
す）で示される化合物の組成金属であるＩｎ、 Ａ、
Ｂ、 Ｍｎの金属あるいは金属酸化物もしくは加熱によ
り金属酸化物に分解される化合物を、Ｉｎ、 Ａ、
Ｂ、 Ｍｎの割合が原子比で１対１対１対１になるよう
に混合し、この混合物を１２００°Ｃ以上の温度で、Ｉ
ｎ、 Ａが各々３価イオン状態、Ｂ、Ｍｎが各々２価イ
オン状態を維持する雰囲気の下で加熱することによって
製造し得られる。
Ｃｒを、ＢはＭｇ、 Ｃｏ、 ＮｉあるいはＺｎを表わ
す）で示される化合物の組成金属であるＩｎ、 Ａ、
Ｂ、 Ｍｎの金属あるいは金属酸化物もしくは加熱によ
り金属酸化物に分解される化合物を、Ｉｎ、 Ａ、
Ｂ、 Ｍｎの割合が原子比で１対１対１対１になるよう
に混合し、この混合物を１２００°Ｃ以上の温度で、Ｉ
ｎ、 Ａが各々３価イオン状態、Ｂ、Ｍｎが各々２価イ
オン状態を維持する雰囲気の下で加熱することによって
製造し得られる。
本発明に用いる出発物質は市販のものをそのまま使用し
てもよいが、出発物質相互間の化学反応を速やかに進行
させるためには粒径が小さい程よく、特に１０μｍ以下
であることが望ましい。また陰イオン導電体、半導体材
料、触媒材料等として用いる場合には不純物の混入をき
らうので、出発物質の純度は高いほど好ましい。加熱に
より金属酸化物に分解される化合物としては、それぞれ
の金属の水酸化物、炭酸塩、硝酸塩等が挙げられる。
てもよいが、出発物質相互間の化学反応を速やかに進行
させるためには粒径が小さい程よく、特に１０μｍ以下
であることが望ましい。また陰イオン導電体、半導体材
料、触媒材料等として用いる場合には不純物の混入をき
らうので、出発物質の純度は高いほど好ましい。加熱に
より金属酸化物に分解される化合物としては、それぞれ
の金属の水酸化物、炭酸塩、硝酸塩等が挙げられる。
これらの原料はそのままあるいはアルコールまたはアセ
トンと共に充分混合する。原料の混合割合はＩｎ、 Ａ
、 Ｂ、 Ｍｎ （Ａ、 Ｂは前記と同じ）が原子比
で１対１対１対１の割合である。この割合をはずすと目
的とする化合物の単一相のものを得ることができない。
トンと共に充分混合する。原料の混合割合はＩｎ、 Ａ
、 Ｂ、 Ｍｎ （Ａ、 Ｂは前記と同じ）が原子比
で１対１対１対１の割合である。この割合をはずすと目
的とする化合物の単一相のものを得ることができない。
この混合物をＩｎ、 Ａが各々３価イオン状態、Ｂ。
加熱後はＯ′Ｃに急冷するかあるいは大気中に急速に引
き出せばよい。
き出せばよい。
実施例１゜
ＩｎＦｅＭｇＭｎＯ３の合成
純度９９．９９％以上の酸化インジウム（ＴｎｚＯ：＋
）粉末、純度９９．９９％以上の酸化鉄（Ｆｅｚ（１＋
）粉末、純度９９．９％以上の酸化マグネシウム（Ｍｇ
Ｏ）粉末および純度９９．９％以上の酸化マンガン（Ｍ
ｎＯ）粉末を、モル比で１対１対２対２の割合に秤量し
、これらの粉末をめのう乳鉢内でエタノールを加えて約
３０分間混合し平均粒径数μｍの微粉状混合物を得た。
）粉末、純度９９．９９％以上の酸化鉄（Ｆｅｚ（１＋
）粉末、純度９９．９％以上の酸化マグネシウム（Ｍｇ
Ｏ）粉末および純度９９．９％以上の酸化マンガン（Ｍ
ｎＯ）粉末を、モル比で１対１対２対２の割合に秤量し
、これらの粉末をめのう乳鉢内でエタノールを加えて約
３０分間混合し平均粒径数μｍの微粉状混合物を得た。
この混合物を白金管内に封入し、１４５０°Ｃに設定さ
れた管状シリコニット炉内に入れ４日間加熱した後、試
料を炉外に取出し室温まで急冷した。得られた試料はＩ
ｎＦｅＭｇＭｎＯ３の単一相のものであった。
れた管状シリコニット炉内に入れ４日間加熱した後、試
料を炉外に取出し室温まで急冷した。得られた試料はＩ
ｎＦｅＭｇＭｎＯ３の単一相のものであった。
これを粉末Ｘ線回折法によって面指数（ｈＭり、面間隔
（ｄｏ（人））およびＸ線に対する相対反射強度（Ｉ（
％））を測定し結果は表−１に示す通りであった。立方
晶系としての格子定数は ａ ＝８．６０３±０．００１（入）であった。
（ｄｏ（人））およびＸ線に対する相対反射強度（Ｉ（
％））を測定し結果は表−１に示す通りであった。立方
晶系としての格子定数は ａ ＝８．６０３±０．００１（入）であった。
上記の格子定数および表−１の面指数（ｈｋｆ）より算
出した面間隔（ｄｃ（入））は実測の面間隔（ｄ。
出した面間隔（ｄｃ（入））は実測の面間隔（ｄ。
（人））と極めてよい一致を示した。
実施例２゜
ＩｎＦｅＣｏＭｎＯ３の合成
実施例１における酸化マグネシウム粉末に代え酸化コバ
ルト（ＣｏＯ）を用いた他は実施例１と同様にして試料
を得た。この試料はＩｎＦｅＣｏＭｎＯ３単一相のもの
であった。これを粉末Ｘ線回折法によって面指数（ｈｋ
ｆｆｉ）、面間隔（ｄｏ（入））およびＸ線に対する相
対反射強度（１（％））を測定した結果は表−２に示す
通りであった。立方晶系としての格子定数は、 ａ ＝８．６２５±０．００１（人）であった。
ルト（ＣｏＯ）を用いた他は実施例１と同様にして試料
を得た。この試料はＩｎＦｅＣｏＭｎＯ３単一相のもの
であった。これを粉末Ｘ線回折法によって面指数（ｈｋ
ｆｆｉ）、面間隔（ｄｏ（入））およびＸ線に対する相
対反射強度（１（％））を測定した結果は表−２に示す
通りであった。立方晶系としての格子定数は、 ａ ＝８．６２５±０．００１（人）であった。
上記の格子定数および表−２の面指数（ｈｋｆ）より算
出した面間隔（ｄｃ（入））は実測の面間隔（ｄｏ（人
））と極めてよい一致を示した。
出した面間隔（ｄｃ（入））は実測の面間隔（ｄｏ（人
））と極めてよい一致を示した。
実施例３゜
ＩｎＦｅＮｉＭｎＯｓの合成
実施例１における酸化マグネシウム粉末に代え酸化ニッ
ケル（Ｎｉｐ）粉末を用いた他は実施例１と同様にして
試料を得た。この試料はＩｎＦｅＮｉＭｎＯｓ単−相の
ものであった。これを粉末Ｘ線回折方法によって面指数
（ｈｋｆｆｉ）、面間隔（ｄｏ（入））およびＸ線に対
する相対反射強度（１（％））を測定した結果は表−３
に示す通りであった。立方晶系としての格子定数は、 ａ ＝８．６０４±０．００１（人）であった。
ケル（Ｎｉｐ）粉末を用いた他は実施例１と同様にして
試料を得た。この試料はＩｎＦｅＮｉＭｎＯｓ単−相の
ものであった。これを粉末Ｘ線回折方法によって面指数
（ｈｋｆｆｉ）、面間隔（ｄｏ（入））およびＸ線に対
する相対反射強度（１（％））を測定した結果は表−３
に示す通りであった。立方晶系としての格子定数は、 ａ ＝８．６０４±０．００１（人）であった。
上記の格子定数および表−３の面指数（ｈｋｌりより算
出した面間隔（ｄｃ（人））は実測の面間隔（ｄ。
出した面間隔（ｄｃ（人））は実測の面間隔（ｄ。
（入））と極めてよい一致を示した。
実施例４゜
ＩｎＦｅＺｎＭｎＯ３の合成
実施例１における酸化マグネシウム粉末に代え酸化亜鉛
（ＺｎＯ）粉末を用いた他は実施例１と同様にして試料
を得た。この試料はＩｎＦｅＺｎＭｎ０．単一相のもの
であった。これを粉末Ｘ線回折法によって面指数（ｈｋ
ｆｆｉ）、面間隔（ｄｏ（人））およびＸ線に対する相
対反射強度（Ｉ（％））を測定した結果は表−４に示す
通りであった。立方晶系としての格子定数は ａ ＝８．６６１±０．００１であった。
（ＺｎＯ）粉末を用いた他は実施例１と同様にして試料
を得た。この試料はＩｎＦｅＺｎＭｎ０．単一相のもの
であった。これを粉末Ｘ線回折法によって面指数（ｈｋ
ｆｆｉ）、面間隔（ｄｏ（人））およびＸ線に対する相
対反射強度（Ｉ（％））を測定した結果は表−４に示す
通りであった。立方晶系としての格子定数は ａ ＝８．６６１±０．００１であった。
上記の格子定数および表−４の面指数（ｈｋｆｆｉ）よ
り算出した面間隔（ｄｃ（入））は実測の面間隔（ｄ。
り算出した面間隔（ｄｃ（入））は実測の面間隔（ｄ。
（人））と極めてよい一致を示した。
実施例５゜
ＩｎＧａＭｇＭｎＯｓの合成
純度９９．９９％以上の酸化インジウム（ＴｎｚＯ３）
粉末、純度９９．９９％以上の酸化ガリウム（Ｇａｚｅ
ｓ）粉末、純度９９．９％以上の酸化マグネシウム（Ｍ
ｇＯ）粉末および純度９９．９％以上の酸化マンガン（
ＭｇＯ）粉末を、モル比で１対１対２対２の割合に秤量
し、これら粉末をめのう乳鉢内でエタノールを加えて約
３０分間混合し、平均粒径数μｍの微粉状混合物を得た
。この混合物を白金管内に封入し、１４５０°Ｃに設定
された管状シリコニット炉内に入れ４日間加熱した後、
試料を炉外に取出し室温まで象、冷した。得られた試料
はＴｎＧａＭｇＭｎＯｓ単一相のものであった。これを
粉末Ｘ線回折方法によって面指数（ｈｋｎ）、面間隔（
ｄｏ（入））およびＸ線に対する相対反射強度（１（％
））を測定した結果は表−５に示す通りであった。立方
晶系としての格子定数は、 ａ ＝８．５６２±０．００１（入）であった。
粉末、純度９９．９９％以上の酸化ガリウム（Ｇａｚｅ
ｓ）粉末、純度９９．９％以上の酸化マグネシウム（Ｍ
ｇＯ）粉末および純度９９．９％以上の酸化マンガン（
ＭｇＯ）粉末を、モル比で１対１対２対２の割合に秤量
し、これら粉末をめのう乳鉢内でエタノールを加えて約
３０分間混合し、平均粒径数μｍの微粉状混合物を得た
。この混合物を白金管内に封入し、１４５０°Ｃに設定
された管状シリコニット炉内に入れ４日間加熱した後、
試料を炉外に取出し室温まで象、冷した。得られた試料
はＴｎＧａＭｇＭｎＯｓ単一相のものであった。これを
粉末Ｘ線回折方法によって面指数（ｈｋｎ）、面間隔（
ｄｏ（入））およびＸ線に対する相対反射強度（１（％
））を測定した結果は表−５に示す通りであった。立方
晶系としての格子定数は、 ａ ＝８．５６２±０．００１（入）であった。
上記の格子定数および表−５の面指数（ｈｋｆ）より算
出した面間隔（ｄｃ（入））は実測の面間隔（ｄ。
出した面間隔（ｄｃ（入））は実測の面間隔（ｄ。
（入））と極めてよい一致を示した。
実施例６〜Ｂ。
（６） ＩｎＧａＣｏＭｎＯ３の合成（７） Ｉｎ
ＧａＮｉＭｎ０６の合成（８） ＩｎＧａＺｎＭｎＯ
ｓの合成実施例５における酸化マグネシウム粉末に代え
、酸化コバルト（６）、酸化ニッケル（７）、酸化亜鉛
（８）、の粉末を用いた他は実施例５と同様にしてそれ
ぞれ試料を得た。得られた試料はそれぞれ、ＩｎＧａＣ
ｏＭｎＯｓ。
ＧａＮｉＭｎ０６の合成（８） ＩｎＧａＺｎＭｎＯ
ｓの合成実施例５における酸化マグネシウム粉末に代え
、酸化コバルト（６）、酸化ニッケル（７）、酸化亜鉛
（８）、の粉末を用いた他は実施例５と同様にしてそれ
ぞれ試料を得た。得られた試料はそれぞれ、ＩｎＧａＣ
ｏＭｎＯｓ。
ＩｎＧａＮｉＭｎＯｓ、 ＩｎＧａＺｎＭｎＯｓの単一
相のものであった。
相のものであった。
これらを粉末Ｘ線回折方法によって面指数（ｈｋｆｆｉ
）、面間隔（ｄ、（入））およびＸ線に対する相対反射
強度（Ｉ（％））を測定した結果は、それぞれ表−６９
表−７２表−８に示す通りであった。立方晶系としての
格子定数は、それぞれ ａ ＝８．５９７±０．００１ （入）・・・・・・
（６）ａ ＝８．５５８±ｏ、ｏｏｉ ＜入）・・・
・・・（７）ａ ＝８．５９１ ±０．００１ （入
）・・・・・・（８）上記の格子定数および各表の面指
数（ｈｋ（！、＞より算出した面間隔（ｄｃ（入））は
実測の面間隔（ｄｏ（入））と極めてよい一致を示した
。
）、面間隔（ｄ、（入））およびＸ線に対する相対反射
強度（Ｉ（％））を測定した結果は、それぞれ表−６９
表−７２表−８に示す通りであった。立方晶系としての
格子定数は、それぞれ ａ ＝８．５９７±０．００１ （入）・・・・・・
（６）ａ ＝８．５５８±ｏ、ｏｏｉ ＜入）・・・
・・・（７）ａ ＝８．５９１ ±０．００１ （入
）・・・・・・（８）上記の格子定数および各表の面指
数（ｈｋ（！、＞より算出した面間隔（ｄｃ（入））は
実測の面間隔（ｄｏ（入））と極めてよい一致を示した
。
実施例９゜
ＩｎＣｒＭｇＭｎＯｓの合成
純度９９．９９％以上の酸化インジウム（Ｉｎｚ（Ｌ＋
）粉末、純度９９．９９％以上の酸化クロム（ＣｒＪ：
＋）粉末、純度９９．９％以上の酸化マグネシウム（Ｍ
ｇＯ）および純度９９．９％の酸化マンガン（ＭｎＯ）
粉末を、モル比で１対１対２対２の割合に秤量し、これ
ら粉末をめのう乳鉢内でエタノールを加えて約３０分間
混合し、平均粒径数μｍの微粉状混合物を得た。この混
合物を白金管内に封入し、１４５０°Ｃに設定された管
状シリコニント炉内に入れ、４日間加熱した後、試料を
炉外に取出し室温まで急冷し。得られた試料はＩｎＣｒ
ＭｇＭｎＯｓ単−相のものであった。これを粉末Ｘ線回
折方法によって面指数（ｈＭ２）、面間隔（ｄｏ（人）
）およびＸ線に対する相対反射強度（１（％））を測定
した結果は表−９に示す通りであった。立方晶系として
の格子定数は ａ ＝８．５６１ ±０．００１ （入）であった。
）粉末、純度９９．９９％以上の酸化クロム（ＣｒＪ：
＋）粉末、純度９９．９％以上の酸化マグネシウム（Ｍ
ｇＯ）および純度９９．９％の酸化マンガン（ＭｎＯ）
粉末を、モル比で１対１対２対２の割合に秤量し、これ
ら粉末をめのう乳鉢内でエタノールを加えて約３０分間
混合し、平均粒径数μｍの微粉状混合物を得た。この混
合物を白金管内に封入し、１４５０°Ｃに設定された管
状シリコニント炉内に入れ、４日間加熱した後、試料を
炉外に取出し室温まで急冷し。得られた試料はＩｎＣｒ
ＭｇＭｎＯｓ単−相のものであった。これを粉末Ｘ線回
折方法によって面指数（ｈＭ２）、面間隔（ｄｏ（人）
）およびＸ線に対する相対反射強度（１（％））を測定
した結果は表−９に示す通りであった。立方晶系として
の格子定数は ａ ＝８．５６１ ±０．００１ （入）であった。
上記の格子定数および表−９に示す面指数（ｈｋ ｎ
）より算出した面間隔（ｄｃ（入））は実測の面間隔（
ｄ。
）より算出した面間隔（ｄｃ（入））は実測の面間隔（
ｄ。
（入））と極めてよい一致を示した。
実施例１０〜１２
００） ＩｎＣｒＣｏＭｎＯ３の合成θｌ） Ｔｎ
ＣｒＮｉＭｎＯｓの合成Ｑ＄ ＩｎＣｒＺｎＭｎＯｓ
の合成 実施例９における酸化マフネシウム粉末に代え酸化コバ
ルト００） 、酸化ニッケルθ１１．酸化亜鉛（ｌ乃の
粉末を用いた他は実施例９と同様にしてそれぞれ試料を
得た。得られた試料はそれぞれ、ＩｎＣｒＣｏＭｎＯｓ
。
ＣｒＮｉＭｎＯｓの合成Ｑ＄ ＩｎＣｒＺｎＭｎＯｓ
の合成 実施例９における酸化マフネシウム粉末に代え酸化コバ
ルト００） 、酸化ニッケルθ１１．酸化亜鉛（ｌ乃の
粉末を用いた他は実施例９と同様にしてそれぞれ試料を
得た。得られた試料はそれぞれ、ＩｎＣｒＣｏＭｎＯｓ
。
ＩｎＣｒＮｉＭｎＯ３，ＩｎＣｒＺｎＭｎＯｓの単一相
のものであった。
のものであった。
これらを粉末Ｘ線回折法によって面指数（ｈ ｋ Ｉ！
、）、面間隔（ｄｏ（入））およびＸ線に対する相対反
射強度（Ｉ（％））を測定した結果はそれぞれ表−１０
１表−１１゜表−１２に示す通りであった。
、）、面間隔（ｄｏ（入））およびＸ線に対する相対反
射強度（Ｉ（％））を測定した結果はそれぞれ表−１０
１表−１１゜表−１２に示す通りであった。
立方晶系としての格子定数はそれぞれ
ａ ＝８．５８６±０．００１（入）・・・・・・００
）ａ ＝８．５７０±０．００１（入）・・−・−（１
１）ａ ＝８．６０２ ±０．００１（入）・・・・・
・（１２）であった。
）ａ ＝８．５７０±０．００１（入）・・−・−（１
１）ａ ＝８．６０２ ±０．００１（入）・・・・・
・（１２）であった。
上記の格子定数および各表の面指数（ｈｋｆ）より算出
した面間隔（ｄｃ（入））は実測の面間隔（ｄ。
した面間隔（ｄｃ（入））は実測の面間隔（ｄ。
（人））と極めてよい一致を示した。
発明の効果
本発明は陰イオン導電体、半導体材料、触媒材料。
磁性材料として有用な陰イオン欠陥を有する新規な立方
晶系のスピネル型構造を有する化合物を提供し得たもの
である。
晶系のスピネル型構造を有する化合物を提供し得たもの
である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）、一般式ＩｎＡＢＭｎＯ＿５（ＡはＦｅ、Ｇａある
いはＣｒを、ＢはＭｇ、Ｃｏ、ＮｉあるいはＺｎを表わ
す）で示される立方晶系のスピネル型構造を有する化合
物。 ２）、一般式ＩｎＡＢＭｎＯ＿５（ＡはＦｅ、Ｇａある
いはＣｒを、ＢはＭｇ、Ｃｏ、ＮｉあるいはＺｎを表わ
す）で示される化合物の組成金属であるＩｎ、Ａ、Ｂ、
Ｍｎの金属あるいは金属酸化物もしくは加熱により金属
酸化物に分解される化合物を、Ｉｎ、Ａ、Ｂ、Ｍｎの割
合が原子比で１対１対１対１になるように混合し、この
混合物を１２００℃以上の温度で、Ｉｎ、Ａが各々３価
イオン状態、Ｂ、Ｍｎが各々２価イオン状態を維持する
雰囲気の下で加熱することを特徴とする一般式 ＩｎＡＢＭｎＯ＿５（Ａ、Ｂはそれぞれ前記と同じもの
を表わす）で示される立方晶系のスピネル型構造を有す
る化合物の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP160688A JPH01179729A (ja) | 1988-01-07 | 1988-01-07 | 一般式ＩｎＡＢＭｎＯ↓５（ＡはＦｅ，ＧａあるいはＣｒを，ＢはＭｇ，Ｃｏ，ＮｉあるいはＺｎを表わす）で示される立方晶系のスピネル型構造を有する化合物およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP160688A JPH01179729A (ja) | 1988-01-07 | 1988-01-07 | 一般式ＩｎＡＢＭｎＯ↓５（ＡはＦｅ，ＧａあるいはＣｒを，ＢはＭｇ，Ｃｏ，ＮｉあるいはＺｎを表わす）で示される立方晶系のスピネル型構造を有する化合物およびその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01179729A true JPH01179729A (ja) | 1989-07-17 |
| JPH0437009B2 JPH0437009B2 (ja) | 1992-06-18 |
Family
ID=11506159
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP160688A Granted JPH01179729A (ja) | 1988-01-07 | 1988-01-07 | 一般式ＩｎＡＢＭｎＯ↓５（ＡはＦｅ，ＧａあるいはＣｒを，ＢはＭｇ，Ｃｏ，ＮｉあるいはＺｎを表わす）で示される立方晶系のスピネル型構造を有する化合物およびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01179729A (ja) |
-
1988
- 1988-01-07 JP JP160688A patent/JPH01179729A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0437009B2 (ja) | 1992-06-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |