JPH0116916B2 - - Google Patents
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- JPH0116916B2 JPH0116916B2 JP56212976A JP21297681A JPH0116916B2 JP H0116916 B2 JPH0116916 B2 JP H0116916B2 JP 56212976 A JP56212976 A JP 56212976A JP 21297681 A JP21297681 A JP 21297681A JP H0116916 B2 JPH0116916 B2 JP H0116916B2
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- substituted phenylacetic
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- tetramethylammonium
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Landscapes
- Electrolytic Production Of Non-Metals, Compounds, Apparatuses Therefor (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、4―置換フエニル酢酸類の製造法に
関する。更に詳しくは本発明は、一般式 〔式中R1は水酸基又は低級アルコキシ基を、R2
は水素原子又は低級アルキル基をそれぞれ示す。〕 で表わされる4―置換フエニル酢酸類の新規な製
造法に関する。
関する。更に詳しくは本発明は、一般式 〔式中R1は水酸基又は低級アルコキシ基を、R2
は水素原子又は低級アルキル基をそれぞれ示す。〕 で表わされる4―置換フエニル酢酸類の新規な製
造法に関する。
上記一般式(2)で表わされる4―置換フエニル酢
酸類は、反応性に富み生理活性物質の原料として
有用であり、医薬や農薬の原料として広く使用さ
れている。例えば一般式(2)で表わされる4―置換
フエニル酢酸類から気管支拡張作用を有する2―
(4―ヒドロキシフエニル)―3―アミノ―1―
プロパノールに容易に誘導することができる(西
独特許公報第2621090号参照)。
酸類は、反応性に富み生理活性物質の原料として
有用であり、医薬や農薬の原料として広く使用さ
れている。例えば一般式(2)で表わされる4―置換
フエニル酢酸類から気管支拡張作用を有する2―
(4―ヒドロキシフエニル)―3―アミノ―1―
プロパノールに容易に誘導することができる(西
独特許公報第2621090号参照)。
上記一般式(2)で表わされる4―置換フエニル酢
酸類のうち4―ヒドロキシフエニル酢酸の製造法
としては、例えばフエノールからフリーデル・ク
ラフツ反応により4―ヒドロキシアセトフエノン
を生成させ、次いで4―ヒドロキシアセトフエノ
ンをウイルゲロツト反応させて4―ヒドロキシフ
エニル酢酸を得る方法〔J.Sci.Ind.Hes.(New
Delhi)Sect.B.、21、284(1962)参照〕、4―ヒ
ドロキシマンデル酸及びそのエステルや3―ハロ
ゲノ―4―ヒドロキシマンデル酸及びそのエステ
ルを還元して4―ヒドロキシフエニル酢酸を得る
方法〔特開昭54−125635号公報、同54−148746号
公報等参照〕等が知られている。しかしながら、
前者の方法では目的とする4―ヒドロキシ酢酸が
せいぜい30%程度で得られるに過ぎず、工業的な
方法としては不充分である。また後者の方法にお
いても、還元反応を高温、高圧下の苛酷な条件下
に行なわねばならず、しかもそのような場合でも
目的化合物が低収率、低純度で得られるに過ぎな
い。また上記一般式(2)で表わされる4―置換フエ
ニル酢酸類のうち4―低級アルコキシフエニル酢
酸は、上記で得られる4―ヒドロキシフエニル酢
酸からジメチル硫酸等のアルキル化剤を用いてア
ルキル化して製造されているに止まる。
酸類のうち4―ヒドロキシフエニル酢酸の製造法
としては、例えばフエノールからフリーデル・ク
ラフツ反応により4―ヒドロキシアセトフエノン
を生成させ、次いで4―ヒドロキシアセトフエノ
ンをウイルゲロツト反応させて4―ヒドロキシフ
エニル酢酸を得る方法〔J.Sci.Ind.Hes.(New
Delhi)Sect.B.、21、284(1962)参照〕、4―ヒ
ドロキシマンデル酸及びそのエステルや3―ハロ
ゲノ―4―ヒドロキシマンデル酸及びそのエステ
ルを還元して4―ヒドロキシフエニル酢酸を得る
方法〔特開昭54−125635号公報、同54−148746号
公報等参照〕等が知られている。しかしながら、
前者の方法では目的とする4―ヒドロキシ酢酸が
せいぜい30%程度で得られるに過ぎず、工業的な
方法としては不充分である。また後者の方法にお
いても、還元反応を高温、高圧下の苛酷な条件下
に行なわねばならず、しかもそのような場合でも
目的化合物が低収率、低純度で得られるに過ぎな
い。また上記一般式(2)で表わされる4―置換フエ
ニル酢酸類のうち4―低級アルコキシフエニル酢
酸は、上記で得られる4―ヒドロキシフエニル酢
酸からジメチル硫酸等のアルキル化剤を用いてア
ルキル化して製造されているに止まる。
本発明者らは一般式(2)で表わされる4―置換フ
エニル酢酸類を工業的に有利に製造する方法を開
発すべく鋭意研究を重ねた結果、ついに本発明を
完成するに至つた。
エニル酢酸類を工業的に有利に製造する方法を開
発すべく鋭意研究を重ねた結果、ついに本発明を
完成するに至つた。
即ち本発明は、一般式
〔式中R1は水酸基又は低級アルコキシ基を、R2
は水素原子又は低級アルキル基をそれぞれ示す。〕 で表わされる4―置換フエニル酢酸誘導体を電解
還元して一般式 〔式中R1及びR2は前記に同じ。〕 で表わされる4―置換フエニル酢酸類を得ること
を特徴とする4―置換フエニル酢酸類の製造法に
係る。
は水素原子又は低級アルキル基をそれぞれ示す。〕 で表わされる4―置換フエニル酢酸誘導体を電解
還元して一般式 〔式中R1及びR2は前記に同じ。〕 で表わされる4―置換フエニル酢酸類を得ること
を特徴とする4―置換フエニル酢酸類の製造法に
係る。
本発明の方法によれば、簡便な操作且つ緩和な
反応条件下で目的とする4―置換フエニル酢酸類
を高収率、高純度で製造し得る。
反応条件下で目的とする4―置換フエニル酢酸類
を高収率、高純度で製造し得る。
本発明の電解還元は、通常中央に隔膜を設けた
陽極室及び陰極室よりなる電解槽中にて行なわれ
る。隔膜としては、カチオン交換膜の他アスベス
ト、セラミツク等も使用可能であるが、カチオン
交換膜が好適である。また陽極室は通常硫酸溶液
及び陽極より構成されており、陰極室は通常一般
式(1)で表わされる4―置換フエニル酢酸誘導体、
有機溶媒、電解質及び陰極より構成されている。
陽極室及び陰極室よりなる電解槽中にて行なわれ
る。隔膜としては、カチオン交換膜の他アスベス
ト、セラミツク等も使用可能であるが、カチオン
交換膜が好適である。また陽極室は通常硫酸溶液
及び陽極より構成されており、陰極室は通常一般
式(1)で表わされる4―置換フエニル酢酸誘導体、
有機溶媒、電解質及び陰極より構成されている。
陽極室における硫酸溶液の濃度としては特に制
限されず広い範囲内から適宜選択できるが、通常
1〜20%、好ましくは5〜10%の硫酸水溶液又は
アルコール溶液を使用するのがよい。陽極として
は硫酸溶液により溶解されないものである限り公
知のものをいずれも使用でき、例えば鉛、鉛合
金、白金、ニツケル、ニツケル合金、亜鉛、亜鉛
合金、カドミウム等を挙げることができる。これ
らのうちでも鉛や白金を使用するのが好ましい。
限されず広い範囲内から適宜選択できるが、通常
1〜20%、好ましくは5〜10%の硫酸水溶液又は
アルコール溶液を使用するのがよい。陽極として
は硫酸溶液により溶解されないものである限り公
知のものをいずれも使用でき、例えば鉛、鉛合
金、白金、ニツケル、ニツケル合金、亜鉛、亜鉛
合金、カドミウム等を挙げることができる。これ
らのうちでも鉛や白金を使用するのが好ましい。
陰極室における有機溶媒としては例えばメタノ
ール、エタノール、プロパノール等の低級脂肪族
アルコール、アセトニトリル等のニトリル類、テ
トラヒドロフラン、ジオキサン等の環状エーテル
等を挙げることができる。斯かる有機溶媒の使用
量としては特に制限されず広範囲から適宜選択使
用できるが、通常原料化合物1モル当り有機溶媒
を6〜20程度、好ましくは6〜10用いるのが
よい。また電解質としては通常の第4級アンモニ
ウム塩をいずれも使用でき、具体的にはテトラメ
チルアンモニウムトシレート、テトラメチルアン
モニウムクロライド、テトラメチルアンモニウム
ブロマイド、テトラエチルアンモニウムトシレー
ト、テトラエチルアンモニウムクロライド、テト
ラエチルアンモニウムブロマイド、テトラブチル
アンモニウムトシレート、テトラブチルアンモニ
ウムクロライド等を例示できる。これらのうちで
テトラメチルアンモニウムトシレート、テトラメ
チルアンモニウムクロライド及びテトラメチルア
ンモニウムブロマイドが好適である。斯かる電解
質の使用量としては特に限定がなく広い範囲内か
ら適宜選択されるが、通常原料化合物1モル当り
電解質を100〜300g程度、好ましくは200〜250g
使用するのがよい。また陰極としては鉛、亜鉛等
が好適である。
ール、エタノール、プロパノール等の低級脂肪族
アルコール、アセトニトリル等のニトリル類、テ
トラヒドロフラン、ジオキサン等の環状エーテル
等を挙げることができる。斯かる有機溶媒の使用
量としては特に制限されず広範囲から適宜選択使
用できるが、通常原料化合物1モル当り有機溶媒
を6〜20程度、好ましくは6〜10用いるのが
よい。また電解質としては通常の第4級アンモニ
ウム塩をいずれも使用でき、具体的にはテトラメ
チルアンモニウムトシレート、テトラメチルアン
モニウムクロライド、テトラメチルアンモニウム
ブロマイド、テトラエチルアンモニウムトシレー
ト、テトラエチルアンモニウムクロライド、テト
ラエチルアンモニウムブロマイド、テトラブチル
アンモニウムトシレート、テトラブチルアンモニ
ウムクロライド等を例示できる。これらのうちで
テトラメチルアンモニウムトシレート、テトラメ
チルアンモニウムクロライド及びテトラメチルア
ンモニウムブロマイドが好適である。斯かる電解
質の使用量としては特に限定がなく広い範囲内か
ら適宜選択されるが、通常原料化合物1モル当り
電解質を100〜300g程度、好ましくは200〜250g
使用するのがよい。また陰極としては鉛、亜鉛等
が好適である。
本発明の電解還元において、電解方法としては
定電圧法及び定電流法のいずれでも可能である
が、定電流法によるのが好ましい。定電流法を採
用する場合、電流密度としては通常1〜
100mA/cm2程度、好ましくは30〜60mA/cm2であ
る。電解反応に必要な通電量としては、電解槽の
形状、電極の種類、基質濃度、基質反応性等によ
り一定しないが、通常約5〜6モル/F程度の電
気量を通電すればよい。該電解還元は通常0〜60
℃、好ましく30〜50℃にて行なわれる。
定電圧法及び定電流法のいずれでも可能である
が、定電流法によるのが好ましい。定電流法を採
用する場合、電流密度としては通常1〜
100mA/cm2程度、好ましくは30〜60mA/cm2であ
る。電解反応に必要な通電量としては、電解槽の
形状、電極の種類、基質濃度、基質反応性等によ
り一定しないが、通常約5〜6モル/F程度の電
気量を通電すればよい。該電解還元は通常0〜60
℃、好ましく30〜50℃にて行なわれる。
以下に実施例を挙げる。
実施例 1
4―ヒドロキシマンデル酸0.5g及びテトラメ
チルアンモニウムトシレート0.75gをメタノール
20mgに溶解し、この溶液を隔膜〔カチオン交換
膜、セレミオンCMV、旭硝子製〕で隔てられた
電解槽の陰極室へ入れ、陽極室には10%硫酸メタ
ノール溶液20mlを入れる。陰極材料として亜鉛、
陽極材料として白金を用いて50℃で定電流電解
(30mA/cm2)を行ない、6F/mol通電し反応を
行なつた。反応終了後陰極液のメタノールを留去
し、水5mlを加え、10mlの酢酸エチルで5回抽出
を行ない、抽出液を無水硫酸マグネシウムで乾燥
する。溶媒を留去した後、残渣をシリカゲルカラ
ムで分離・精製すると4―ヒドロキシフエニル酢
酸0.40gを得る。
チルアンモニウムトシレート0.75gをメタノール
20mgに溶解し、この溶液を隔膜〔カチオン交換
膜、セレミオンCMV、旭硝子製〕で隔てられた
電解槽の陰極室へ入れ、陽極室には10%硫酸メタ
ノール溶液20mlを入れる。陰極材料として亜鉛、
陽極材料として白金を用いて50℃で定電流電解
(30mA/cm2)を行ない、6F/mol通電し反応を
行なつた。反応終了後陰極液のメタノールを留去
し、水5mlを加え、10mlの酢酸エチルで5回抽出
を行ない、抽出液を無水硫酸マグネシウムで乾燥
する。溶媒を留去した後、残渣をシリカゲルカラ
ムで分離・精製すると4―ヒドロキシフエニル酢
酸0.40gを得る。
得られた化合物のNMRデーター(溶媒CDCl3)
を以下に示す。
を以下に示す。
σ(ppm)=3.50(S、2H)
=6.60〜7.18(m、4H)
=5.26(S、1H)
実施例 2
4―ヒドロキシマンデル酸の代りに4―ヒドロ
キシマンデル酸メチル0.5gを用いる以外は実施
例1と同様の操作を行ない、4―ヒドロキシフエ
ニル酢酸メチル0.41gを得る。
キシマンデル酸メチル0.5gを用いる以外は実施
例1と同様の操作を行ない、4―ヒドロキシフエ
ニル酢酸メチル0.41gを得る。
得られた化合物のNMRデーター(溶媒CDCl3)
を以下に示す。
を以下に示す。
σ(ppm)=3.54(S、2H)
=3.68(S、3H)
=6.60〜7.20(m、4H)
=7.80(S、1H)
実施例 3
4―ヒドロキシマンデル酸の代りに4―メトキ
シマンデル酸メチル0.5gを用いて実施例1と同
様な操作を30℃の温度で行ない、4―メトキシフ
エニル酢酸メチル0.43gを得る。
シマンデル酸メチル0.5gを用いて実施例1と同
様な操作を30℃の温度で行ない、4―メトキシフ
エニル酢酸メチル0.43gを得る。
以下にNMRデーター(溶媒CDCl3)を示す。
σ(ppm)=3.50(S、2H)
=3.60(S、3H)
=3.75(S、3H)
=6.70〜7.25(m、4H)
実施例 4
硫酸メタノール溶液の代りに硫酸水溶液、白金
の代りに鉛、亜鉛の代りに鉛、テトラメチルアン
モニウムトシレート0.75gの代りにテトラメチル
アンモニウムクロライドを用い、実施例1と同様
の操作を行ない、4―ヒドロキシフエニル酢酸
0.38gを得る。
の代りに鉛、亜鉛の代りに鉛、テトラメチルアン
モニウムトシレート0.75gの代りにテトラメチル
アンモニウムクロライドを用い、実施例1と同様
の操作を行ない、4―ヒドロキシフエニル酢酸
0.38gを得る。
得られる化合物のNMRデータは実施例1のそ
れと一致する。
れと一致する。
実施例 5
陰極液のメタノールの代りにアセトニトリル、
テトラメチルアンモニウムトシレート0.75gの代
りにテトラメチルアンモニウムブロマイド0.45g
を用い、実施例1と同様の操作を行ない、4―ヒ
ドロキシフエニル酢酸0.37gを得る。
テトラメチルアンモニウムトシレート0.75gの代
りにテトラメチルアンモニウムブロマイド0.45g
を用い、実施例1と同様の操作を行ない、4―ヒ
ドロキシフエニル酢酸0.37gを得る。
得られる化合物のNMRデータは実施例1のそ
れと一致する。
れと一致する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 一般式 〔式中R1は水酸基又は低級アルコキシ基を、R2
は水素原子又は低級アルキル基をそれぞれ示す。〕 で表わされる4―置換フエニル酢酸誘導体を電解
還元して 一般式 〔式中R1及びR2は前記に同じ。〕 で表わされる4―置換フエニル酢酸類を得ること
を特徴とする4―置換フエニル酢酸類の製造法。 2 陰極室が一般式(1)で表わされる4―置換フエ
ニル酢酸誘導体、有機溶媒、電解質及び陰極より
構成され且つ陽極室が硫酸溶液及び陽極より構成
される隔膜式電解槽を用いて電解還元を行なう特
許請求の範囲第1項記載の方法。 3 陽極として鉛又は白金を、陰極として亜鉛又
は鉛を用いる特許請求の範囲第1項又は第2項記
載の方法。 4 隔膜がカチオン交換膜である特許請求の範囲
第1項乃至第3項のいずれかに記載の方法。 5 電解質がテトラメチルアンモニウムトシレー
ト、テトラメチルアンモニウムクロライド又はテ
トラメチルアンモニウムブロマイドである特許請
求の範囲第1項乃至第4項のいずれかに記載の方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56212976A JPS58117886A (ja) | 1981-12-29 | 1981-12-29 | 4−置換フエニル酢酸類の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56212976A JPS58117886A (ja) | 1981-12-29 | 1981-12-29 | 4−置換フエニル酢酸類の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58117886A JPS58117886A (ja) | 1983-07-13 |
| JPH0116916B2 true JPH0116916B2 (ja) | 1989-03-28 |
Family
ID=16631407
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56212976A Granted JPS58117886A (ja) | 1981-12-29 | 1981-12-29 | 4−置換フエニル酢酸類の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58117886A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101979714A (zh) * | 2010-11-22 | 2011-02-23 | 天津市职业大学 | 一种对羟基苯乙酸的电解合成方法 |
-
1981
- 1981-12-29 JP JP56212976A patent/JPS58117886A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58117886A (ja) | 1983-07-13 |
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