JPH01175961A - ヘキサヒドロフタルアニリド酸誘導体、その製造方法及びそれを有効成分として含有する除草剤 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は新規なヘキサヒドロフタルアニリド酸誘導体
、その製造方法及びそれを有効成分として含有する除草
剤に関する。

［従来の技術］ 従来より、ヘキサヒドロフタルアニリド誘導体の除草活
性はよく知られており、例えば特開昭５１−３３１５４
号には５°−イソプロポキシ−４°−クロロ−２°−フ
ルオロ−１，２，：１，４，５．６−ヘキサヒドロフタ
ルアニリド酸エチルか開示されている。

［従来技術の欠点］ しかしながら、従来のへキサヒドロフタルアニリド酸誘
導体は除草活性が必ずしも十分ではないか又は作物・雑
草間の選択性が十分でなく、従って、作物に対する安全
性に問題がある。

［発明が解決しようとする問題点］ 従って、この発明の目的は、除草剤として用いた場合に
除草活性が高くかつ作物に対する安全性の高い新規化合
物、その製造方法及びそれを有効成分として含有する新
規な除草剤を提供することである。

［問題点を解決するための手段］ 本願発明者らは、鋭意研究の結果、エステル部分とアリ
ール部分の５位に特定の置換基を有する新規なヘキサヒ
ドロフタルアニリド酸誘導体が極めて優れた除草活性と
選択性を有することを見出し、この発明を完成した。

すなわち、この発明は、 一般式［１１ （ただし、式中、Ｒ１、Ｒ２は同−又は異なって低級ア
ルキル基、低級アルケニル基又は低級アルキニル基を表
わす、ただし、Ｒ１及びＲｔは同時に低級アルキル基で
はない） て示されるヘキサヒドロフタルアニリド酸誘導体を提供
する。

また、この発明は、 一般式［１１］ （ただし、式中、Ｘはハロゲン原子を表わし、Ｒ１は低
級アルキル基、低級アルケニル基又は低級アルキニル基
を表わす） で示される酸へロゲン化物と、 一般式［ｍｌ （ただし、式中、Ｒ２は低級アルキル基、低級アルケニ
ル基又は低級アルキニル基を表わす）て示されるアニリ
ン誘導体とを塩基存在下反応させることから成る上記一
般式［Ｉ］で示されるこの発明の化合物の製造方法を提
供する。

さらにまた、この発明は、上記一般式［１１で示される
この発明の化合物を有効成分として含有する除草剤を提
供する。

［発明の効果］ この発明により、除草剤として優れた除草活性及び安全
性を有する新規化合物及びその型遣方法が提供された。

また、この発明の化合物を有効成分として含有するこの
発明の除草剤は、後述する実施例で明らかになるように
、種々の雑草を的確に駆除することができる除草活性の
高いものであり、それでいて種々の作物、特にイネや畑
作物であるコムギ、トウモロコシ、ダイス等には、極め
て安全に使用できる安全性の高いものである。

［発明の詳細な説明］ 上述したように、この発明のへキサヒドロフタルアニリ
ド酸誘導体は、上記一般式［Ｉ］で示される。一般式［
Ｉｌ中、ＲＩ及びＲ２はそれぞれ低級アルキル基、低級
アルケニル基又は低級アルキニル基を示す、ＲＩとＲ２
とは同一であっても異なっていてもよいが、Ｒ１とＲ２
が同時に低級アルキル基てはない。１１及びＲ２の好ま
しい例として、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、
イソプロピル基等の炭素数１〜６、特に炭素数１〜５の
直鎖又は分岐していてもよいアルキル基：アリル基、２
−メチルアリル基、ｌ−メチルアリル基、２−ブテニル
基等の炭素数３又は４のアルケニル基ニブロバギル基、
１−メチルプロパギル基、２−ブチニル基等の炭素数３
又は４のアルキニル基を挙げることがてきる。

表１に、この発明の好ましい具体例を示すが、この発明
の化合物はこれらに限定されるもの表１ 上記この発明の化合物は上記式［Ｒ１て示される酸ハロ
ゲン化物と上記一般式［ｍｌで示されるアニリン誘導体
とを溶媒中で又は溶媒の不存在下で、塩基存在下で０℃
ないし１５０℃、好ましくは２０℃ないし１００℃で数
分から４８時間友反応せることにより、以下の反応式に
従って製造することができる。

［ｍｌ ［１１ 一般式［１］中、Ｘはハロゲン原子、好ましくは塩素原
子、臭素原子又はヨウ素原子を表わし、一般式［１１］
中のＲ１及び一般式［ｍｌ中のＲ３は一般式［ｍｌと同
じものを示す。

反応に用いられる溶媒の好ましい例として、アセトン、
メチルエチルケトン等のケトン類：ベンゼン、トルエン
、キシレン等の芳香族炭化水素類：エチルエーテル、テ
トラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類；クロロ
ベンゼン、クロロホルム、四塩化炭素、ジクロロエタン
、ジクロロメタン等のハロゲン化炭化水素類；トリエチ
ルアミン、ピリジン、ジメチルアニリン等の第三級アミ
ン：及びアセトニトリル、ジメチルホルムアミド、ジメ
チルスルホキシド、リン酸へキサメチルトリアミド等の
極性溶媒等を挙げることがてきる。

また、反応に用いられる好ましい塩基の例としてトリエ
チルアミン、ピリジン、１，８−ジアザビシクロ［５，
４，０１−７−ウンデセン、ジメチルアニリン等の第三
級アミン：水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の水酸
化アルカリ：水酸化カルシウム等の水酸化アルカリ土類
；炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム
、炭酸水素カリウム等の炭酸アルカリ塩及び水素化ナト
リウムのような水素化金属等を挙げることができる。

反応に供される試剤の量は、通常、−最大［１１］で示
される酸ハロゲン化物１当量に対して一般式［］Ｉ［］
で示されるアニリン誘導体は１当量ないし５当量、塩基
は１当量ないし１０当量である。

上記したこの発明の化合物を有効成分として含むこの発
明の除草剤は、種々の雑草に対して除草活性を有するが
、特に広葉雑草に対して優れた除草活性を有する。その
ような雑草としては、例えば、カラシ、マメムンバイナ
ズナ、ヤエムグラ、キムタソウ、ハコベ、アカザ、イラ
クサ、ノボロギク、アオビユ、オナモミ、ノビエ、オオ
イヌタデ、イチビ等を挙げることができる。また、この
発明の除草剤はトウモロコシ、イネ、小麦等のイネ科作
物に対しては言うに及ばず大豆等の広葉作物に対しても
ほとんど薬害を与えることがなく、安全性の高いもので
ある。また、この発明の除草剤は、水田の湛水処理にお
いて問題となる種々の雑草、例えばタイヌビエ等のイネ
科雑草、アゼナ、キカシグサ、ミゾハコベ等の広！ｊ雑
草、タマガヤツリ、マツバイ、ミズガヤツリ等のカヤツ
リグサ科雑草、コナギ等に対して優れた除草効力を有し
、しかもイネに対しては問題となるような薬害は示さな
い。

この発明の除草剤は、上記したこの発明の化合物である
有効成分と、この分野において通常用いられている農薬
補助剤を用いて、農薬製剤上−般に行なわれている方法
により製剤された、例えば乳剤、水和剤、水溶剤、油剤
、粒剤等の製剤形態にある。これら種々の製剤は実際の
使用に際しては、そのまま使用するか、又は水で所定濃
度に希釈して使用することができる。

農薬補助剤の例としては、希釈剤、界面活性剤、安定剤
、固着剤、エアゾール用噴射剤、共力剤、増量剤、固体
担体、効力延長剤、分散安定剤等を挙げることができる
。希釈剤の例としては水、炭化水素類、アルコール類、
エーテル類、アルコールエーテル類、ケトン類、エステ
ル類、アミド類、スルホキシド類を挙げることかできる
。

また、増量剤、固体担体としては無機質粉粒体、例えば
生石灰、マグネシウム石灰、石膏、炭酸カルシウム、１
土、パーライト、軽石、珪藻上、アルミナ、ゼオライト
、粘土誠物（滑石、バーミキュライト、カオリナイト）
、植物粉粒体（例えばデン粉、穀物、ブドウ糖）、合成
樹脂粉体（例えばフェノール樹脂、炭素樹脂、塩化ビニ
ル樹脂）等を挙げることができる。界面活性剤としては
、アニオン界面活性剤（例えばアルキル硫酸エステル類
、アリールスルホン酸類、コハク酸塩類、ポリエチレン
クリコールアルキルアリールエーテル硫酸塩類）、カチ
オン界面活性剤（例えばアルキルアミン類、ポリオキシ
エチレンアルキルアミン類）、非イオン界面活性剤（例
えばポリオキシエチレングリコールエーテル類、ポリオ
キシエチレングリコールエステル類、多価アルコールエ
ステル類）、両性界面活性剤等を挙げることかてきる。

以下に具体的な製剤の例を示す。

製剤例１（乳剤） 有効成分２０重量部、キシレン６０重量部及びツルポー
ル２８０６Ｂ　　（商品名：東邦化学工業製界面活性剤
）２０重量部を均一に攪拌混合して乳剤を得る。

製剤例２（水和剤） 有効成分１０重量部、ジ−クライト８７重量部、ネオブ
レックスパウダー（商品名）及びツルポール８００Ａ　
（商品名：東邦化学工業製界面活性剤）１．５重量部を
混合粉砕して水利剤とする。

この発明の除草剤は、通常の除草剤と同様にして使用す
ることかでき、例えば畑地雑草の発芽前又は発芽初期に
この発明の除草剤を用いて土壌処理を行なうことができ
る。また、水田雑草に対しては例えば水稲の移植活着後
に雑草の発生前又は発生直後にこの発明の除草剤を用い
て土壌処理を行なうことがてきる。

この発明の除草剤の施用量は、施用する方法、目的、時
期、雑草の発生状況等により適宜選択することかできる
が、通常、１ヘクタール当たり有効成分量で０．０１　
ｋｇないし１０ｋｇ、好ましくは０．０５　ｋｇないし
５ｋｇである。

以下、実施例によりこの発明を具体的に説明するが、こ
の発明はこれらに限定されるものではない。

［実施例］ 実施例１ ５°−アリロキシ−４９−クロロ−２９−フルオロ−１
，２，：１，４．Ｓ、６−へキサヒドロフタルアニリド
酸エチル（化合物番号ｌ（表１参照））の製造１．２，
３，４．Ｓ、６−へキサヒドロツタルアニリド酸モノエ
チル１．２０　ｇを塩化メチレン２０１に溶解し、ピリ
ジン０．４７　ｇ、塩化チオニル０．７１　ｇを加え、
室温下で攪拌した。２時間後に５−アリロキシ−４−ク
ロロ−２−フルオロアニリン１．２０　ｇ＋　　）−リ
エチルアミン０．６１　ｇを加え室温で５時間攪拌した
。反応終了後、反応液に１０％塩酸水溶液を加え酸性と
し、塩化メチレンで２回抽出した。集めた有機層を飽和
炭酸水素ナトリウム水溶液で洗い、硫酸マグネシウムで
乾燥した後、溶媒を留去した。残留物をカラムクロマト
グラフィー（シリカゲル）で精製し、淡褐色結晶ｔ、ｓ
　ｇを得た。なお、カラムクロマトにおいては、ヘキサ
ン／酢酸エチル＝　５／１　（ｖ／ｖ）を溶離液として
用いて展開した。

’ＩＩ−ＮＭＲ（６０ＭＨｚ％ＣＤＣｌ！溶媒、単位ｐ
ｐｍ　）１．１７　　（３１，ｔ）、　　１．００〜２
．５０　　（８１１，鳳）、　　２．５０へ３．０７（
２）１．　＠）、　４．１０　（２Ｈ，ｑ）、　４．５
６　（２Ｎ、　ｄ）、　５．１０〜５．５６　（２Ｈ，
ｍ）、　５．６３〜６．５０　（１）１．　＠）、　７
．０５　（ＩＨ。

ｄ、　Ｊ　＝　１０１１ｚ）、　７．６７　（ＩＨ，ｂ
ｓ）、　８．０７　（Ｉｌｌ、　ｄ、　Ｊ＝　７Ｈｚ） 融点：５２〜５３℃ 実施例２ 上記−最大［ＩＩＩ］て示されるアニリン誘導体のＲ２
か＝ＣＨ，Ｃ＝ＣＨであるものを用いることを除き、実
施例１と同様な操作を行ない、化合物番号２（表１参照
）の化合物を得た。

’）ｌ−ＮＭＲ（６０ＭＨｚ、　ＣＤＣｌ：Ｉ溶媒、単
位ｐｐｍ　）１．１３　（：ｌＨ，ｔ）、　１．００〜
２．３５　（８Ｈ，■）、　２．５０　（ＩＨ。

ｔ）、　２．６３　Ｓ３．２０　（２Ｈ，朧）、　４．
０８　（２Ｈ，Ｑ）、　４．７３（２）１．　ｄ）、　
７．１０　（１）１．、　ｄ、　Ｊ　−１０Ｈｚ）、　
７．７６　（ＩＩＩ。

ｂｓ）、　８．２０　（ＩＨ，ｄ、　Ｊ　＝　７　Ｈｚ
）融点ニア６℃〜７７℃ 実施例３ 上記−最大［１］で示される酸ハロゲン化物のＲ１が−
Ｃ１ｌ＊ＣＨ＝Ｃ）Ｉｔであるもの及び上記−最大［ｍ
ｌで示されるアニリン誘導体のＲ２が−ＣＩＩ　（ＣＮ
　：＋　）　２であるものを用いることを除き、実施例
１と同様な操作を行ない、化合物番号３（表１参照）の
化合物を得た。

’Ｉｆ−ＮＭＲ（５０ＭＨｚ、　ＣＤＣｈ溶媒、単位ｐ
ｐｍ　）１．２１ｉ　　（６１１，ｄ）、　　１．１７
〜２．６０　（８１１，冒）、　　Ｚ、ＳＯ〜３．２０
（２１１，■）、　４．３０〜４．７６　（ＩＮ、　ｓ
）、　４．５６　（２８，ｄ）。

５．００〜５．４６　　（２Ｈ，■）、　　Ｓ、ＳＯ〜
６．３０　　ＣＩｌ＋、　　膳）、　　７．０７（Ｉｌ
ｌ、　ｄ、　Ｊ　＝　１０　ｆｉｚ）、　７．６７　（
ｌ）ｌ、　ｂｓ）、　８．０５（ＩＩＩ、　ｄ、　Ｊ　
＝　７　Ｈｚ）屈折率（ｎ”ｏ　）　：　１．５：１０
８実施例４ 上記−最大［１１］で示される酸ハロゲン化物のＲ１が
＝ＣＨ，ＣＥ　Ｃ）ｌであるもの及び上記−最大［ｍｌ
て示されるアニリン誘導体のＲ２か−ＣＩｌ（Ｃ）Ｉ：
＋）２であるものを用いることを除き、実施例１と同様
な操作を行ない、化合物番号４（表１参照）の化合物を
得た。　　゛ ”Ｈ−Ｎ滅Ｒ（６０Ｍ）ｌｚ、　ＣＤＣｌ５溶媒、単位
ｐｐｗ＋　）１．３０　　（６Ｈ，ｄ）、　　１．１３
〜２．５０　　（８Ｎ、　　鳳）、　　２．３４　　（
ｉｌｌ。

ｔ）、　　２．６（１−３，２５（２）１．　　ｍ）、
　　４．１７〜４．６７　　（ＩＨ，ｍ）。

４．６７　（２Ｈ，ｄ）、　７．０７　（Ｉｌｌ、　ｄ
、　Ｊ　ｌ１１０１１ｚ）、　７．５６（ＩＬ　　ｂｓ
）、　　８．０５　　（ＩＨ，ｄ、　　Ｊ　　−７Ｈｚ
）融点＝４７〜４８℃ 裏ム亘ｊ 上記一般式［ｎｌで示される酸ハロゲン化物のＲ１が−
ＣＨ＊ＣＨ＝ＣＩＩａであるものを用いることを除き、
実施例１と同様な操作を行ない、化合物番号５（表１参
照）の化合物を得た。

’　Ｈ−ＮＭＲ（６０Ｍｌｌｚ、　ＣＤＣＩｓ溶媒、単
位ｐｐｍ　）１．２６〜２．４３　　（８Ｈ，ｍ）、　
　２．５６〜３．１７　　（２１１，ｍ）、　　４．５
３（４１１，ｄ）、　４．９４〜５．４６　（４Ｈ，鵬
）、　５．５０〜６．４３（２８，＋ｉ）、　７．０３
　（ＩＨ，ｄ、　Ｊ−１１０１（ｚ）、　７．６３　（
Ｈｌ。

ｂｓ）、　８．０３　（ｉｌｌ、　ｄ、　Ｊ　＝　７　
Ｈｚ）屈折率（ｎ　ｏ　）　−１，５３６１ 実施例６ 上記一般式［■１］で示される酸ハロゲン化物のＲ１が
−ＣＨｇＣＨ１ｌｌｌ：Ｈａであるもの及び上記一般式
［ｍｌて示されるアニリン誘導体のＲ２が−Ｃ）ｌ、Ｃ
＝　ｃ＋＋であるものを用いることを除き、実施例１と
同様な操作を行ない、化合物番号６（表１参照）の化合
物を得た。

’ｆｌ−ＮＭＲ（６０ＭＨｚ、　ＣＤＣｌ３溶媒、単位
ｐｐｍ　）１．３４〜２．４３　　（８！＋、　　霞）
、　　２．５０　　（１）！、　　ｔ）、　　２．５９
〜３．２５（２８，ｍ）、　　４．５６　　（２）１．
　　ｄ）、　　４．７３　　（２１ｔ、　　ｄ）、　（
２Ｈ。

ｄ）、　４．９６〜５．５３　（２Ｈ，ｍ）、　５．５
６〜５．２６　（ＩＨ。

ｍ）、　７．１０　（ＩＨ，ｄ、　Ｊ　−１０Ｈｚ）、
　７．６７　（ＩＨ，ｂｓ）。

８．１６　（ＩＨ，ｄ、　Ｊ　ＩＨ７Ｈｚ）融点：９４
℃〜９６℃ 実施例７ 上記一般式［１１て示される酸ハロゲン化物のＲ１か−
（：Ｈ，Ｃ＝　ｃ）Ｉであるものを用いることを除き、
実施例１と同様な操作を行ない、化合物番号７（表１参
照）の化合物を得た。

’Ｉｔ−ＮＭＲ（６０ＭＨｚ％ＣＤＣ１ｚ溶媒、単位ｐ
ｐｍ　）１．２６〜２．５９　　（８１１，鳳）、　　
２．３６　　（Ｉｌｌ、　　ｔ）、　　２．５３〜３．
１７（２Ｈ，＠）、　　４．５６　　（２Ｈ，ｄ）、　
　４．６７　　（２１１，ｄ）、　　５．０７〜５．５
７　　（２Ｈ，■）、　　５．６７〜６．３５　　（Ｉ
Ｈ，輸）、　　７．０３　　（ＩＨ。

ｄ、Ｊ　　＝　　１０　　Ｈｚ）、７．５９　　（１８
，ｂｓ）、８．００　　（ＩＨ，ｄ、Ｊ＝　　７　　Ｈ
ｚ） 屈折率（ｎＩｌ＋　）　：　１．５４７０衷】Ｒ１互 上記一般式［１Ｆで示される酸ハロゲン化物のＲ１が−
ＣＩ１．Ｃ＝Ｃ１１であるもの及び上記−般式［Ｉ［［
］で示されるアニリン誘導体のＲ２が−ＣＨ２ＣミＣＩ
であるものを用いることを除き、実施例１と同様な操作
を行ない、化合物番号８（表１参照）の化合物を得た。

’Ｈ−ＮＭＲ（６０Ｍｔｌｚ、　ＣＤＣｌ３溶媒、単位
ｐｐｍ　）１．３３〜２．３３　（８１１，ｍ）、　２
．４０　（１８，ｔ）、　２．５１ｉ　（ＩＨ。

ｔ）、　２．Ｉｉ７〜３．：ｌ：ｌ　（２）１．　ｍ）
、　４．６９　（２）１．　ｄ）、　４．７９（２ｔｌ
、　ｄ）、　７．４８　（１）１．　ｄ、　Ｊ　−１０
Ｈｚ）、　７．６７　（０１゜ｂｓ）、　８．１３　（
ＩＨ，ｄ、　Ｊ　＝　７　Ｈｚ）融点＝８９℃〜９０℃ 友亙亘ユ　茎葉処理試験 ２２　ｃｍ　ｘ　１６　ｃｍのプラスチックバットに畑
土壌を詰め、小麦、トウモロコシ、大豆の種子を一定量
播種し、その上にノビエ、イチビ、アオビユ、オナモミ
、オオイヌタデ等の雑草の種子を含む土壌を約１ｃ＋ｓ
の厚さに覆土した。ノビエか２〜２．５葉期になった時
に、上記化合物番号ｌないし８のこの発明の化合物並び
に比較のため特開昭６１−：１３１５４号に記載された
５°−イソプロポキシ−４°−クロロ−２°−フルオロ
−１，２，３，４，５，６−へキサヒドロツタルアニリ
ド酸エチル（比較化合物）を下記表２に示す量だけ散布
した。散布後１４日目に雑草及び作物の生育状態を観察
し、表２に示す結果を得た。なお、除草効力の評価は下
記のようにθ〜５の数字で表わした。また、作物に対す
る薬害も除草効力と同じ基準で示した。

０・・・抑草率　　　　０〜９％ ｌ・・・抑草率　　　１０〜２９％ ２・・・抑草率　　　３０〜４９％ ３・・・抑草率　　　５０〜６９％ ４・・・抑草率　　　７０〜８９％ ５・・・抑草率　　　９０〜１００％ Ｌ五亘ユＡ　移植水稲における土壌処理試験６０ｃ■２
のプラスチックポットに水田土壌を詰め、代掻き後、表
３に示す雑草の種子を播いてから２葉期の水稲（品種：
ヤマホウシ）を１ポツトちり１本を移植し、約３０履の
湛水状態で管理した。ノビエ及び広葉雑草の発生初期に
上記製剤例２に基づいて製剤したこの発明の除草剤を所
定量の水て希釈して表３に示す量たけ水面に均一に施し
た。薬剤処理後２０日目に除草効果及び薬害を調査し、
表３に示す結果を得た。なお、除草効果及び薬害の評価
は実施例９と同様に行なった。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （ただし、式中、Ｒ＾１、Ｒ＾２は同一又は異なって低
   級アルキル基、低級アルケニル基又は低級アルキニル基
   を表わす。ただし、Ｒ＾１及びＲ＾２は同時に低級アル
   キル基ではない） で示されるヘキサヒドロフタルアニリド酸誘導体。
2. （２）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （ただし、式中、Ｘはハロゲン原子を表わし、Ｒ＾１は
   低級アルキル基、低級アルケニル基又は低級アルキニル
   基を表わす） で示される酸ハロゲン化物と、 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （ただし、式中、Ｒ＾２は低級アルキル基、低級アルケ
   ニル基又は低級アルキニル基を表わす） で示されるアニリン誘導体とを塩基存在下反応させるこ
   とから成る 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （ただし、式中、Ｒ＾１、Ｒ＾２は同一又は異なって低
   級アルキル基、低級アルケニル基又は低級アルキニル基
   を表わす。ただし、Ｒ＾１及びＲ＾２は同時に低級アル
   キル基ではない） で示されるヘキサヒドロフタルアニリド酸誘導体の製造
   方法。
3. （３）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （ただし、式中、Ｒ＾１、Ｒ＾２は同一又は異なって低
   級アルキル基、低級アルケニル基又は低級アルキニル基
   を表わす。ただし、Ｒ＾１及びＲ＾２は同時に低級アル
   キル基ではない） で示されるヘキサヒドロフタルアニリド酸誘導体を有効
   成分として含有する除草剤。