JPH01177539A - レジストの現像方法 - Google Patents
レジストの現像方法Info
- Publication number
- JPH01177539A JPH01177539A JP63001622A JP162288A JPH01177539A JP H01177539 A JPH01177539 A JP H01177539A JP 63001622 A JP63001622 A JP 63001622A JP 162288 A JP162288 A JP 162288A JP H01177539 A JPH01177539 A JP H01177539A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- sensitivity
- developing
- pmma
- exposing
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、パターンを形成するために用いるレジストの
現像方法に関するものである。
現像方法に関するものである。
従来の技術
レジストを用いてパターンを形成するリングラフィ技術
は、微細加工の基本となる技術であり、レジストの塗布
、露光および現像によりパターンを形成する。代表的な
ポジ形レジストとして知られるＰＭＭＡ（ポリメチルメ
タクリレート）に対する露光は、遠紫外光、Ｘ線、電子
ビーム、イオンビームなどの光源により行われ、各種の
有機溶済を単独あるいは糾み合わせて現像される。しか
２７、−７ しながら、レジストの感度、解像度などのすべての条件
を満足する有機現像液は存在しない。第２図に、ＭＩ
ＢＫ （メチルイソブチルケトン）全現像液として用い
、２３℃で１分間現像した場合のＰＭＭＡの感度曲線を
示″す。この試料は、Ｓｔ基板上に０．５μｍの厚さに
ＰＭＭＡを塗布し、さらに、１７０’Ｃ，３０分の熱処
理を施した後、加速電圧２５ＫＶで電子ビーム露光を行
ったものである。感度は、約９０ ｐｃ／ｃｒｌであり
、ＭＩＢＫを用いる場合、より高感度にすることはでき
ない。
は、微細加工の基本となる技術であり、レジストの塗布
、露光および現像によりパターンを形成する。代表的な
ポジ形レジストとして知られるＰＭＭＡ（ポリメチルメ
タクリレート）に対する露光は、遠紫外光、Ｘ線、電子
ビーム、イオンビームなどの光源により行われ、各種の
有機溶済を単独あるいは糾み合わせて現像される。しか
２７、−７ しながら、レジストの感度、解像度などのすべての条件
を満足する有機現像液は存在しない。第２図に、ＭＩ
ＢＫ （メチルイソブチルケトン）全現像液として用い
、２３℃で１分間現像した場合のＰＭＭＡの感度曲線を
示″す。この試料は、Ｓｔ基板上に０．５μｍの厚さに
ＰＭＭＡを塗布し、さらに、１７０’Ｃ，３０分の熱処
理を施した後、加速電圧２５ＫＶで電子ビーム露光を行
ったものである。感度は、約９０ ｐｃ／ｃｒｌであり
、ＭＩＢＫを用いる場合、より高感度にすることはでき
ない。
発明が解決しようとする課題
ＰＭＭＡに限らず、有機溶済を現像液として用いるレジ
ストにおいては、使用する有機溶済により感度が限定さ
れてしまい、これ以上の高感度化を図ることができなか
った。
ストにおいては、使用する有機溶済により感度が限定さ
れてしまい、これ以上の高感度化を図ることができなか
った。
課題を解決するための手段
本発明はこのような問題点を解決するだめになされたも
のであり、本発明の現像方法の特徴は、重量比０．０１
％以上で相溶限度以下の水を含んだ有機溶済を用いて、
露光後のレジストを現像する３ ヘ−ノ ことにある。
のであり、本発明の現像方法の特徴は、重量比０．０１
％以上で相溶限度以下の水を含んだ有機溶済を用いて、
露光後のレジストを現像する３ ヘ−ノ ことにある。
作 用
本発明の現像方法によれば、レジストの感度を向上させ
ることができ、しかも、現像の安定化を図ることができ
る。
ることができ、しかも、現像の安定化を図ることができ
る。
実施例
以下に本発明の実施例について詳細に説明する。
第１の実施例として、レジストとしてＰＭλう、Ａを用
い、さらに、現像液としてＭＩ ＢＫを用いた場合を説
明する。Ｓｉ基板上に、０．５μｍの厚さにＰＭＭＡを
塗布し、１７０℃、３０分の熱処理を施した後、加速電
圧２５ ＫＶで電子ビーム露光を行い、次イテ、ＭＩＢ
Ｋ５００．９ＫＨ２０１０ｉを混合した現像液を用いて
、２３℃で１分間デイツプ現像を行った。なお、比較の
だめに、ＭＩＢＫのみでも現像を行った。第１図に感度
曲線を示す。
い、さらに、現像液としてＭＩ ＢＫを用いた場合を説
明する。Ｓｉ基板上に、０．５μｍの厚さにＰＭＭＡを
塗布し、１７０℃、３０分の熱処理を施した後、加速電
圧２５ ＫＶで電子ビーム露光を行い、次イテ、ＭＩＢ
Ｋ５００．９ＫＨ２０１０ｉを混合した現像液を用いて
、２３℃で１分間デイツプ現像を行った。なお、比較の
だめに、ＭＩＢＫのみでも現像を行った。第１図に感度
曲線を示す。
ＭＩＢＫ現像では、感度が９０μＣＡであったのに対し
て、ＭＩＢＫ／Ｈ２Ｏ２％現像では、感度は５０μＣ／
ｃｒＩとなシ、約１．８倍の感度の向上が確認された。
て、ＭＩＢＫ／Ｈ２Ｏ２％現像では、感度は５０μＣ／
ｃｒＩとなシ、約１．８倍の感度の向上が確認された。
次に、ＭＩ ＢＫ中のＨ２Ｏの割合を変化させて、感度
の変化を調べた結果を第３図に示す。
の変化を調べた結果を第３図に示す。
Ｈ２Ｏ０割合が○チから最大２チに変化するにつれて、
感度は、９ｏμＣ／ｃＩｌから５０μＣ／７へと連続的
に変化していく。Ｈ２Ｏを加えることにより、感度を向
上させるだけでなく、現像の安定化を図ることができる
。すなわち、Ｈ２Ｏを加えない場合、Ｍ Ｉ Ｂ Ｋ現
像液は、吸湿により水をとりこみ、第３図に示すように
感度が変化する。これに対して、ＭＩＢＫ中に相溶限度
までＨ２Ｏを混合することによシ、感度の安定化を図る
ことができる。
感度は、９ｏμＣ／ｃＩｌから５０μＣ／７へと連続的
に変化していく。Ｈ２Ｏを加えることにより、感度を向
上させるだけでなく、現像の安定化を図ることができる
。すなわち、Ｈ２Ｏを加えない場合、Ｍ Ｉ Ｂ Ｋ現
像液は、吸湿により水をとりこみ、第３図に示すように
感度が変化する。これに対して、ＭＩＢＫ中に相溶限度
までＨ２Ｏを混合することによシ、感度の安定化を図る
ことができる。
第２の実施例として、ＰＭＭＡの現像液を変えた場合に
ついて説明する。ＰＭＭＡの現像液としてＭＩＢＫにか
えて、 ＢｔＡｃ（酢酸ブチ／ｌ／） ／ Ｉ ＡＡ ｃ （酢
酸イソアミ／ｌ／）＝１／３を用いた。ＰＭＭＡの塗布
、露光は、第１の実施例と同様に行った。ＢｔＡｃ／Ｉ
ＡＡｃ ＝１ ／３および、ＢｔＡｃ／ＩＡＡｃ二１／
３にＨ２Ｏ全１／３えた溶液で１分間現像した結果を第
４図に示す。
ついて説明する。ＰＭＭＡの現像液としてＭＩＢＫにか
えて、 ＢｔＡｃ（酢酸ブチ／ｌ／） ／ Ｉ ＡＡ ｃ （酢
酸イソアミ／ｌ／）＝１／３を用いた。ＰＭＭＡの塗布
、露光は、第１の実施例と同様に行った。ＢｔＡｃ／Ｉ
ＡＡｃ ＝１ ／３および、ＢｔＡｃ／ＩＡＡｃ二１／
３にＨ２Ｏ全１／３えた溶液で１分間現像した結果を第
４図に示す。
ＢｔＡｃ／ＩＡＡｃ＝１／３で現像した場合、感度が７
５μＣ肩であるのに対し、Ｈ２Ｏを２チ加えるこ６ベー
ノ とによシ、感度は４５μＣ／ｉに向上することが確認さ
れた。
５μＣ肩であるのに対し、Ｈ２Ｏを２チ加えるこ６ベー
ノ とによシ、感度は４５μＣ／ｉに向上することが確認さ
れた。
第３の実施例として、レジストとしてポリトリフルオロ
エチル・ａ−クロロアクリレート、現像液としてＭＩＢ
Ｋを用いた場合について説明する。
エチル・ａ−クロロアクリレート、現像液としてＭＩＢ
Ｋを用いた場合について説明する。
レジストは、０．５μｍの膜厚でＳｉ基板上に塗布され
、２００℃、３０分の熱処理の後、加速電圧２５ ＫＶ
で電子ビーム露光を行った。ＭＩＢＫおよびＭＩＢＫＫ
：Ｈ２Ｏを２％加えた溶液で１分間現像した結果を第６
図に示す。ＭＩＢＫのみで現像した場合、１２．５μＣ
／ｄの感度であるのに対し、ＭＩＢＫ／２％Ｈ２０で現
像した場合には、感度が６．８μＣ／Ｃｒ！と向上する
ことが確認された。
、２００℃、３０分の熱処理の後、加速電圧２５ ＫＶ
で電子ビーム露光を行った。ＭＩＢＫおよびＭＩＢＫＫ
：Ｈ２Ｏを２％加えた溶液で１分間現像した結果を第６
図に示す。ＭＩＢＫのみで現像した場合、１２．５μＣ
／ｄの感度であるのに対し、ＭＩＢＫ／２％Ｈ２０で現
像した場合には、感度が６．８μＣ／Ｃｒ！と向上する
ことが確認された。
なお、以上の実施例において、Ｈ２Ｏの含有量の上限を
２係としたのは、ＭＩ ＢＫに対するＨ２Ｏの相溶限度
が２チであり、これ以上のＨ２ＯがＭＩＢＫ中に溶け々
いからである。また、Ｈ２Ｏの含有量を０．０１％よシ
も少い値とした場合には効果がないことも確認された。
２係としたのは、ＭＩ ＢＫに対するＨ２Ｏの相溶限度
が２チであり、これ以上のＨ２ＯがＭＩＢＫ中に溶け々
いからである。また、Ｈ２Ｏの含有量を０．０１％よシ
も少い値とした場合には効果がないことも確認された。
本発明は、以上の実施例に示しだレジスト、現像液に限
定されるものではなく、６１＼−７ 有機溶済を現像液とする、すべてのレジストに適用可能
である。
定されるものではなく、６１＼−７ 有機溶済を現像液とする、すべてのレジストに適用可能
である。
発明の効果
本発明の現像方法によれば、レジストの感度を向上させ
ることができ、パターンの微細化をはかる効果が奏され
る。
ることができ、パターンの微細化をはかる効果が奏され
る。
第１図は本発明の現像方法を適用した場合のＰＭＭＡの
感度曲線を示す図、第２図は従来の現像方法を適用した
場合のＰＭＭＡの感度曲線を示す図、第３図はＭＩＢＫ
中のＨ２Ｏ含有量の変化とＰＭＭＡの感度の関係を示す
図、第４図は本発明の現像方法の第２の実施例の効果を
確認するだめのＰＭＩＶＩＡの感度曲線を示す図、第６
図は本発明の現像方法の第３の実施例の効果を確認する
ためのポリトリフルオロエチルα−クロロアクリレート
の感度曲線を示す図である。
感度曲線を示す図、第２図は従来の現像方法を適用した
場合のＰＭＭＡの感度曲線を示す図、第３図はＭＩＢＫ
中のＨ２Ｏ含有量の変化とＰＭＭＡの感度の関係を示す
図、第４図は本発明の現像方法の第２の実施例の効果を
確認するだめのＰＭＩＶＩＡの感度曲線を示す図、第６
図は本発明の現像方法の第３の実施例の効果を確認する
ためのポリトリフルオロエチルα−クロロアクリレート
の感度曲線を示す図である。
Claims (1)
- 重量比０．０１％以上、相溶限度以下の範囲内の水を
含んだ有機溶済を用いて、露光後のレジストを現像する
ことを特徴とするレジストの現像方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63001622A JPH01177539A (ja) | 1988-01-07 | 1988-01-07 | レジストの現像方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63001622A JPH01177539A (ja) | 1988-01-07 | 1988-01-07 | レジストの現像方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01177539A true JPH01177539A (ja) | 1989-07-13 |
Family
ID=11506631
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63001622A Pending JPH01177539A (ja) | 1988-01-07 | 1988-01-07 | レジストの現像方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01177539A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS512430A (en) * | 1974-05-28 | 1976-01-10 | Ibm | Mechiru isopuchiru ketongenzozai |
| JPS59181536A (ja) * | 1983-03-31 | 1984-10-16 | Oki Electric Ind Co Ltd | レジストパタ−ンの形成方法 |
-
1988
- 1988-01-07 JP JP63001622A patent/JPH01177539A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS512430A (en) * | 1974-05-28 | 1976-01-10 | Ibm | Mechiru isopuchiru ketongenzozai |
| JPS59181536A (ja) * | 1983-03-31 | 1984-10-16 | Oki Electric Ind Co Ltd | レジストパタ−ンの形成方法 |
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