JPH01181227A - 排他的論理和回路 - Google Patents

排他的論理和回路

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JPH01181227A
JPH01181227A JP538288A JP538288A JPH01181227A JP H01181227 A JPH01181227 A JP H01181227A JP 538288 A JP538288 A JP 538288A JP 538288 A JP538288 A JP 538288A JP H01181227 A JPH01181227 A JP H01181227A
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JP
Japan
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signal
circuit
exclusive
transistor
drain
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Application number
JP538288A
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English (en)
Inventor
Hajime Kubosawa
久保沢 元
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (It要〕 2つの入力信号の排他的論理和演算を行なう排他的論理
和回路を提供することを目的とし、トランジスタ数が減
少し、集積回路の集積度が向上することを目的とし、 ソース(又はドレイン)に第1の信号を供給され、ゲー
トに第2の信号を供給される第1のPチャンネルMOS
トランジスタと、ソース(又はドレイン)に該第2の信
号を供給され、ゲートに該第1の信号を供給され、ドレ
イン(又はソース)を該第1のPチャンネルMOSトラ
ンジスタのドレイン(又はソース)と共通接続された第
2のPチャンネルMOSトランジスタと、ゲートに該第
1(又は第2)の信号を供給され、ドレインが該第1及
び第2のPチャンネルMOSトランジスタのドレイン(
又はソース)の共通接続点に接続された第1のNチャン
ネルMOSトランジスタとゲートに該第2(又は第1)
の信号を供給され、ドレインが該第1のNチャンネルM
OSトランジスタのソースに接続され、ソースが電源に
接続された第2のNチャンネルMOSトランジスタとを
有し、該第1及び第2のPチャンネルトランジスタのド
レイン(又はソース)の共通接続点より該第1及び第2
の信号の排他的論理和出力を得るよう構成する。
〔産業上の利用分野〕
本発明は排他的論理和回路に関し、2つの入力信号の排
他的論理和回路を行なう排他的論理和回路を提供するこ
とを目的とする。
集積回路の各種論理回路はアンド回路、ナンド回路、オ
ア回路、ノア回路、イクスクルーシプオア(排他的論理
和)回路等の基本的回路より構成されている。
従って、集積回路の集積度を高めるためには各基本的回
路のトランジスタ数を減少させることが要望されている
〔従来の技術〕
従来の排他的論理和回路は第5図(A)の如くノア回路
10.11とアンド回路12とより構成されており、信
号A、Bから信号X(=A−B+A−8)を生成する。
この回路は同図(B)に示ずトランジスタ回路構成で、
PチャンネルMOSトランジスタP1〜P5とNチャン
ネルMOSトランジスタN1〜Nsとからなる。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記従来の排他的論理和回路は、全体で10個のMOS
トランジスタP1〜Ps、N1〜N5を必要とし、トラ
ンジスタ数が多く、従って集積回路の集積度が低いとい
う問題点があった。
本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、トランジス
タ数が減少し、集積回路の集積度が向上する排他的論理
和回路を提供することを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明の排他的論理和回路は、 ソース(又はドレイン)に第1の信号を供給され、ゲー
トに第2の信号を供給される第1のPチャンネルMOS
トランジスタ(P+++)と、ソース(又はドレイン)
に第2の信号を供給され、ゲートに第1の信号を供給さ
れ、ドレイン(又はソース)を第1のPチャンネルMO
Sトランジスタ(Pro)のドレイン(又はソース)と
共通接続された第2のPチャンネルMOSトランジスタ
(Pn)と、 ゲートに第1(又は第2)の信号を供給され、ドレイン
が第1及び第2のPチャンネルMOSトランジスタ(P
ro 、 Pu )のドレイン(又はソース)の共通接
続点に接続された第1のNチャンネル MOSトランジ
スタ(N10)と、ゲートに第2(又は第1)の信号を
供給され、ドレインが第1のNチャンネルMOSトラン
ジスタ(N10>のソースに接続され、ソースが電源に
接続された第2のNチャンネルMOSトランジスタ(N
o)とを有する。
(作用) 本発明においては、第1のPチャンネルMOSトランジ
スタ(P10)で第2の信号の否定と第1の信号との論
理積をとり、第2のPチャンネルMOSトランジスタ(
Pu)で第1の信号の否定と第2の信号との論理積をと
り、上記2つの論理積ソイ1アート・オアによって排他
的論理和を得る。
更に第1.第2のNチャンネルMOSトランジスタ(N
+6.N11)で第1.第2の信号が共にHレベルの際
の出力が不定となることを防止しており、最少で4個の
MOSトランジスタで排他的論理和演算を実現している
〔実施例〕
第1図は本発明回路の一実施例のトランジスタ回路図を
示す。
第1図において、端子20a、20b夫々には信号Aが
入来し、端子21a、21b夫々には信号Bが入来する
。端子20aはPチャンネル808トランジスタP 1
0のソース(又はドレイン)及びPチャンネルMOSト
ランジスタPuのゲートに接続され、端子20bはMO
SトランジスタPnのソース(又はドレイン)及びMO
SトランジスタP+oのゲートに接続されている。
MOSトランジスタPI6.pH夫々のドレイン(又は
ソース)は点工で共通接続されてNチャンネルMOSト
ランジスタN10のドレインに接続されている。MOS
トランジスタN+oのゲートは端子20bに接続され、
ソースはNチャンネルHOSトランジスタNoのドレイ
ンに接続されている。
MOSトランジスタNuのゲートは端子21bに接続さ
れ、ソースは接地されている。
更に、MOSトランジスタP1・、Pu(又はドレイン
)の接続点Iの出力信号Xは、PチャンネルMOSトラ
ンジスタPI2とNチャンネルMOSトランジスタNI
2とで構成されるインバータで反転されて端子23から
出力されると共に、P−7−t−ンネルMOSトランジ
スタPI3とNチャンネルMO8トランジスタNI3と
で構成されるインバータで更に反転されて端子22より
出力される。
ここで、信号A(又はB)がHレベルで信MB(又はA
)がLレベルのときMOSトランジスタP+o(又はP
u)が導通し、MOSトランジスタNu(又はNeo)
が遮断して、接続点工はHレベルとなる。
また、信号A、Bが共にHレベルのときMOSトランジ
スタP10,PI+が遮断し、MOSトランジスタN1
o、Nnが導通して、接続点IはLレベルどなる。
また、信号A、Bが共にLレベルのときMOSトランジ
スタP+o、Puが導通し、MOSトランジスタN10
,NI+が遮断して、接続点工はLレベルとなる。
これはMOSトランジスタPIGで信号Bの否定百と信
号Aとの論理積(A・百)をとり、MOSトランジスタ
PI+で信号への否定Aと信号Bとの論理積(A−8)
をとり、接続点Iのワイヤード・オアで2つの論理積の
論理和(A−B+A−8)をとっている。またMOSト
ランジスタN+6゜Nnで信号A、Bが共にHレベルの
際の出力が不定となることを防止している。
つまり、接続点工の出力信号XはX−A−B+A−8で
表わされ、信号A、Bのイクスクルーシブオア出力であ
る。
なお、MOSトランジスタP12 * Pe3. Ne
t +N+3は出力バッフ?であり、必らずしも設ける
必要はなく、イクスクルーシブノア出力が所望の場合に
はMOS トランジスタP+2.Netのみが必要とさ
れる。
従来の排他的論理和回路のトランジスタ数が10個であ
るのに対して、本発明回路は8個、ただし出力バッファ
が不要であれば4個と、トランジスタ数が減少する。従
って、集積回路の集積度を向上させることが可能となる
ところで、全加惇器は第2図に示す如(、端子25.2
6夫々よりの信号A、Bを供給される排他的論理和回路
28と、この回路28の出力及び端子27よりのキャリ
ーCiを供給され端子30よりサムSを出力する排他的
論理和回路29とでサム生成回路が構成される。更に、
上記排他的論理和回路29出力及びキャリーC1を供給
されるアンド回路31と、信号A、Bを供給されるアン
ド回路32と、これらの出力を供給されるノア回路33
及び端子35よりキャリーCOを出力するインバータ3
4とでキャリー生成回路が構成される。
サム生成回路は本発明の排他的論理和回路を用いると第
3図に示す構成となる。同図中、第2図と同一部分には
同一符号を付す。
第3図中、PチャンネルMOSトランジスタPa、P2
+及びNチャンネルMOSトランジスタN26.N2+
で排他的論理和回路28が構成され、接続点■で信号A
、Bの排他的論理和回路出力AeBが得られる。
また、PチャンネルMOSトランジスタP22゜P23
及びNチャンネルMOSトランジスタN22゜N23及
びインバータとしてのPチャンネルMOSトランジスタ
P 24 、P 251NチャンネルMOSトランジス
タN24.N25で排他的論理和回路29が構成されて
おり、vos トランジスタP25.N2!1のドレイ
ンよりサムSが出力される。
この場合、排他的論理和回路28には出力バッフ7とし
ての2段のインバータを設ける必要はない。従って、ト
ランジスタ数は12個で済み、第5図(B)の従来回路
を用いた場合のトランジスタ数20gに対してトランジ
スタ数が大幅に減少する。
なお、キャリー生成回路は第4図に示す構成であり、P
チャンネントランジスタP3]−P311及びNチャン
ネルトランジスタN311〜N34より構成される。第
4図中、第2図と同一部分には同一符号をf−1シてい
るが、端子40にはサム生成回路のイクスクルーシプオ
ア回路28から信号A、Bの排他的論理和出力が供給さ
れる。このキャリー生成回路は従来、本発明共に同一構
成である。
(発明の効果〕 上述の如く、本発明の排他的論理和回路によれば、トラ
ンジスタ数・が従来より減少し、集積回路の集v4度を
向上させることができ、実用上きわめて有用である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の排他的a即和回路の一実施例のトラン
ジスタ回路図、 第2図は全加算器の一例の回路図、 第3図は本発明回路を適用したサム生成回路の一実施例
のトランジスタ回路図、 第4図はキャリー生成回路の一例のトランジスタ回路図
、 第5図は従来の排他的論理和回路の一例の回路図、トラ
ンジスタ回路図である。 図において、 20a、20b、21a、21b、25〜27゜30.
35は端子、 28.29は排他的論理和回路、 31.32はアンド回路、 33はノア回路。 34はインバータ、 Pro −P311 ハPチャンネルMosトランジス
タ、N+o=Ny+G、tNチャンネルMOSトランジ
スタを示す。 ND 本発明回路のトランジスタ回路図 第1図 全加算器の回路図 第2図 サム生成回路のトランノスタ回路図 第3図 υh0 従来の排他的論理和回路の回路図、トランジスタ回路図
第5図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】  ソース(又はドレイン)に第1の信号を供給され、ゲ
    ートに第2の信号を供給される第1のPチャンネルMO
    Sトランジスタ(P_1_0)と、ソース(又はドレイ
    ン)に該第2の信号を供給され、ゲートに該第1の信号
    を供給され、ドレイン(又はソース)を該第1のPチャ
    ンネルMOSトランジスタ(P_1_0)のドレイン(
    又はソース)と共通接続された第2のPチャンネルMO
    Sトランジスタ(P_1_1)と、 ゲートに該第1(又は第2)の信号を供給され、ドレイ
    ンが該第1及び第2のPチャンネルMOSトランジスタ
    (P_1_0、P_1_1)のドレイン(又はソース)
    の共通接続点に接続された第1のNチャンネルMOSト
    ランジスタ(N_1_0)と、ゲートに該第2(又は第
    1)の信号を供給され、ドレインが該第1のNチャンネ
    ルMOSトランジスタ(N_1_0)のソースに接続さ
    れ、ソースが電源に接続された第2のNチャンネルMO
    Sトランジスタ(N_1_1)とを有し、 該第1及び第2のPチャンネルトランジスタ(P_1_
    0、P_1_1)のドレイン(又はソース)の共通接続
    点より該第1及び第2の信号の排他的論理和出力を得る
    ことを特徴とする排他的論理和回路。
JP538288A 1988-01-13 1988-01-13 排他的論理和回路 Pending JPH01181227A (ja)

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JP538288A JPH01181227A (ja) 1988-01-13 1988-01-13 排他的論理和回路

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7843219B2 (en) 2008-12-10 2010-11-30 Hynix Semiconductor, Inc. XOR logic circuit

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US7843219B2 (en) 2008-12-10 2010-11-30 Hynix Semiconductor, Inc. XOR logic circuit

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