JPH01184866A - イメージセンサ - Google Patents
イメージセンサInfo
- Publication number
- JPH01184866A JPH01184866A JP63003891A JP389188A JPH01184866A JP H01184866 A JPH01184866 A JP H01184866A JP 63003891 A JP63003891 A JP 63003891A JP 389188 A JP389188 A JP 389188A JP H01184866 A JPH01184866 A JP H01184866A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- individual electrode
- upper individual
- image sensor
- wiring portion
- amorphous silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
ファクシミリ、画像入力端末装置等の原稿読取部に用い
られるイメージセンサに関し、分解能の向上を目的とし
、 基板上に、下部共通電極と、アモルファスシリコン層と
、ＩＴＯを用いた透明な上部個別電極とが積層形成され
て成るイメージセンサにおいて、上記上部個別電極の配
線部分の上に絶縁膜を介して遮光膜を設けるように構成
する。
られるイメージセンサに関し、分解能の向上を目的とし
、 基板上に、下部共通電極と、アモルファスシリコン層と
、ＩＴＯを用いた透明な上部個別電極とが積層形成され
て成るイメージセンサにおいて、上記上部個別電極の配
線部分の上に絶縁膜を介して遮光膜を設けるように構成
する。
本発明はファクシミリ、画像入力端末装置等の原稿読取
部に用いられるイメージセンサに関する。
部に用いられるイメージセンサに関する。
従来のイメージセンサは第３図ａの平面図及び第３図す
の断面図に示すように、ガラス、セラミック等の基板ｌ
の上にＣｒを用いた下部共通電極２と、その上に設けら
れた水素化アモルファスシリコン（ａ−Ｓｔ：Ｈ）層３
と、その上に設けられたＩＴＯの透明な上部個別電極４
とにより構成され、該上部個別電極４は例えば８素子／
ＩＩＩＩＩ＋程度の間隔で原稿の幅方向に配置形成され
ている。そして上部から照射された光５により上部個別
電極４と下部共通電極２との間に光電流が流れ光電変換
が行なわれるようになっている。
の断面図に示すように、ガラス、セラミック等の基板ｌ
の上にＣｒを用いた下部共通電極２と、その上に設けら
れた水素化アモルファスシリコン（ａ−Ｓｔ：Ｈ）層３
と、その上に設けられたＩＴＯの透明な上部個別電極４
とにより構成され、該上部個別電極４は例えば８素子／
ＩＩＩＩＩ＋程度の間隔で原稿の幅方向に配置形成され
ている。そして上部から照射された光５により上部個別
電極４と下部共通電極２との間に光電流が流れ光電変換
が行なわれるようになっている。
上記従来のイメージセンサでは、光入射時に上部個別電
極４の素子部を構成する部分以外の配線部分４ａの近傍
でもキャリアが発生する。また上部個別電極４と下部共
通電極２の間で生じる電界は上部個別電極パターンより
も多少床がると考えられるので、配線部分４ａの近傍で
発生したキャリアは電界によって動き光電流に寄与する
と考えられる。このため分解能が低下するという問題が
あった。
極４の素子部を構成する部分以外の配線部分４ａの近傍
でもキャリアが発生する。また上部個別電極４と下部共
通電極２の間で生じる電界は上部個別電極パターンより
も多少床がると考えられるので、配線部分４ａの近傍で
発生したキャリアは電界によって動き光電流に寄与する
と考えられる。このため分解能が低下するという問題が
あった。
本発明は上記問題点に鑑み、分解能の低下を防止したイ
メージセンサを提供することを目的とするものである。
メージセンサを提供することを目的とするものである。
上記目的は、基板１上に下部共通電極２と、アモルファ
スシリコン層３と、ＩＴＯを用いた透明な上部個別電極
４とが積層形成されたイメージセンサにおいて、上記上
部個別電極４の配線部分４ａの上に絶縁膜５を介して遮
光膜６を設けたことを特徴とするイメージセンサによっ
て達成される。
スシリコン層３と、ＩＴＯを用いた透明な上部個別電極
４とが積層形成されたイメージセンサにおいて、上記上
部個別電極４の配線部分４ａの上に絶縁膜５を介して遮
光膜６を設けたことを特徴とするイメージセンサによっ
て達成される。
上部個別電極４の配線部分４ａに絶縁層５を介して遮光
膜６を設けたことにより、該配線部分４ａ近傍には光照
射によるキャリアは発生しない。
膜６を設けたことにより、該配線部分４ａ近傍には光照
射によるキャリアは発生しない。
従って該配線部分４ａからの光電流はなく、分解能の低
下は防止される。
下は防止される。
第１図は本発明の実施例を示す図であり、ａは平面図、
ｂはａ図のｂ−ｂ線における断面図である。
ｂはａ図のｂ−ｂ線における断面図である。
本実施例は同図に示すように、ガラス、セラミック等の
基板１の上にＣｒの下部共通電極２、アモルファスシリ
コン層３、ＩＴＯの上部個別電極４が形成されているこ
とは第３図で説明した従来例と同様であり、本実施例の
要点は、上部個別電極４の配線部分４ａの上に絶縁層５
を介して遮光膜６を設けたことである。
基板１の上にＣｒの下部共通電極２、アモルファスシリ
コン層３、ＩＴＯの上部個別電極４が形成されているこ
とは第３図で説明した従来例と同様であり、本実施例の
要点は、上部個別電極４の配線部分４ａの上に絶縁層５
を介して遮光膜６を設けたことである。
本実施例の作製方法は、第２図に示すように、先ずａ図
の如く基板ｌ上に下部共通電極２としてＣｒを１０００
人の厚さに抵抗加熱蒸着法により蒸着しパターン形成し
、その上に厚さ１ｕｌＩのアモルファスシリコン層３を
メタルマスクを用いて形成し、その上に上部個別電極４
としてＩＴＯを１０００人の厚さにＤＣスパッタリング
して形成する０次にｂ図に示すように絶縁膜５としてＳ
ｉ Ｏｔを１０００人の厚さで全面に形成し、次いで
０図に示すようにＳｉＯ□の絶縁膜５の上に厚さ１００
０人のＣｒを抵抗加熱法によって蒸着した後、該Ｃｒ膜
を上部個別電極の配線部分４ａを覆う様に残してパター
ン形成し遮光膜６とするのである。
の如く基板ｌ上に下部共通電極２としてＣｒを１０００
人の厚さに抵抗加熱蒸着法により蒸着しパターン形成し
、その上に厚さ１ｕｌＩのアモルファスシリコン層３を
メタルマスクを用いて形成し、その上に上部個別電極４
としてＩＴＯを１０００人の厚さにＤＣスパッタリング
して形成する０次にｂ図に示すように絶縁膜５としてＳ
ｉ Ｏｔを１０００人の厚さで全面に形成し、次いで
０図に示すようにＳｉＯ□の絶縁膜５の上に厚さ１００
０人のＣｒを抵抗加熱法によって蒸着した後、該Ｃｒ膜
を上部個別電極の配線部分４ａを覆う様に残してパター
ン形成し遮光膜６とするのである。
このようにして構成された本実施例は遮光膜６により上
部個別電極の配線部分４ａに入射する光を遮るため該配
線部分４ａからの光電流は生ぜず、従ってイメージセン
サとしての分解能は向上する。
部個別電極の配線部分４ａに入射する光を遮るため該配
線部分４ａからの光電流は生ぜず、従ってイメージセン
サとしての分解能は向上する。
以上説明したように本発明によれば、上部個別電極の配
線部分に遮光膜を設けることにより、素子以外から生ず
る光電流を抑えることができ、それによって分解能の向
上が可能となる。
線部分に遮光膜を設けることにより、素子以外から生ず
る光電流を抑えることができ、それによって分解能の向
上が可能となる。
第１図は本発明の実施例を示す図、
第２図は本発明の実施例の作製方法を説明するための図
、 第３図は従来のイメージセンサを示す図である。 図において、 １は基板、 ２は下部共通電極、 ３はアモルファスシリコン層、 ４は上部個別電極、 ４ａは上部個別電極の配線部分、 ５は絶縁層、 ６は遮光膜 を示す。 （Ｑ）平面図 本発明の実施例を示す図 １・・・基板 ２・・・下部共通電極 ３・・・アモルファスシリコン層 ４・・・上部個別電極 ５・・・絶縁膜 ６・・・遮光膜 第２図
、 第３図は従来のイメージセンサを示す図である。 図において、 １は基板、 ２は下部共通電極、 ３はアモルファスシリコン層、 ４は上部個別電極、 ４ａは上部個別電極の配線部分、 ５は絶縁層、 ６は遮光膜 を示す。 （Ｑ）平面図 本発明の実施例を示す図 １・・・基板 ２・・・下部共通電極 ３・・・アモルファスシリコン層 ４・・・上部個別電極 ５・・・絶縁膜 ６・・・遮光膜 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板（１）上に下部共通電極（２）と、アモルファ
スシリコン層（３）と、ＩＴＯを用いた透明な上部個別
電極（４）とが積層形成されて成るイメージセンサにお
いて、 上記上部個別電極（４）の配線部分（４ａ）の上に絶縁
膜（５）を介して遮光膜（６）を設けたことを特徴とす
るイメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63003891A JPH01184866A (ja) | 1988-01-13 | 1988-01-13 | イメージセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63003891A JPH01184866A (ja) | 1988-01-13 | 1988-01-13 | イメージセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01184866A true JPH01184866A (ja) | 1989-07-24 |
Family
ID=11569807
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63003891A Pending JPH01184866A (ja) | 1988-01-13 | 1988-01-13 | イメージセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01184866A (ja) |
-
1988
- 1988-01-13 JP JP63003891A patent/JPH01184866A/ja active Pending
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