JPH0118495B2 - - Google Patents
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- JPH0118495B2 JPH0118495B2 JP56024296A JP2429681A JPH0118495B2 JP H0118495 B2 JPH0118495 B2 JP H0118495B2 JP 56024296 A JP56024296 A JP 56024296A JP 2429681 A JP2429681 A JP 2429681A JP H0118495 B2 JPH0118495 B2 JP H0118495B2
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- Japan
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- film
- magnetic
- gap
- insulating layer
- magnetic film
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
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- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3176—Structure of heads comprising at least in the transducing gap regions two magnetic thin films disposed respectively at both sides of the gaps
- G11B5/3179—Structure of heads comprising at least in the transducing gap regions two magnetic thin films disposed respectively at both sides of the gaps the films being mainly disposed in parallel planes
- G11B5/3183—Structure of heads comprising at least in the transducing gap regions two magnetic thin films disposed respectively at both sides of the gaps the films being mainly disposed in parallel planes intersecting the gap plane, e.g. "horizontal head structure"
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は薄膜プロセスによる多層化された磁性
膜を用いた磁気ヘツドの構造およびその製法に関
するのである。
膜を用いた磁気ヘツドの構造およびその製法に関
するのである。
磁気ヘツドを薄膜プロセスを用いて基板上に平
面的に製造する方法が知られている。これらの要
点は第１図ａ示すように、基板１の上に磁気コア
の半体となる第１の磁性膜２を形成し、次に第１
図ｂに示すように非磁性膜３を施こししかる後、
第１図ｃに示すように第２の磁性膜４を被着さ
せ、最終的に第１の磁性膜２と第２の磁性膜４と
の間の非磁性膜３をギヤツプとなした構成の磁気
ヘツドを製造することである。なお、５は巻線窓
である。
面的に製造する方法が知られている。これらの要
点は第１図ａ示すように、基板１の上に磁気コア
の半体となる第１の磁性膜２を形成し、次に第１
図ｂに示すように非磁性膜３を施こししかる後、
第１図ｃに示すように第２の磁性膜４を被着さ
せ、最終的に第１の磁性膜２と第２の磁性膜４と
の間の非磁性膜３をギヤツプとなした構成の磁気
ヘツドを製造することである。なお、５は巻線窓
である。
ここで、上記した磁性膜２，４としてはパーマ
ロイ、センダスト等の合金薄膜を用いるわけであ
るが、これらの合金薄膜の比抵抗は80μｍ−cm程
度であり、ビデオの磁気記録に用いられる4MHz
の周波数でのスキンデプスは7μｍ程度である。
このためビデオヘツドのようにトラツク幅が20μ
ｍ程度の磁気ヘツドを上記した薄膜プロセスによ
り製造した場合、エデイカレントロスが大きくな
り、磁気ヘツドの効率が低下する欠点がある。
ロイ、センダスト等の合金薄膜を用いるわけであ
るが、これらの合金薄膜の比抵抗は80μｍ−cm程
度であり、ビデオの磁気記録に用いられる4MHz
の周波数でのスキンデプスは7μｍ程度である。
このためビデオヘツドのようにトラツク幅が20μ
ｍ程度の磁気ヘツドを上記した薄膜プロセスによ
り製造した場合、エデイカレントロスが大きくな
り、磁気ヘツドの効率が低下する欠点がある。
一方、合金系の磁性材料においてエデイカレン
トロスを小さくする技術として積層、多層化する
ことは知られている。しかし、ギヤツプをボンデ
イング技術によらない上記したような薄膜プロセ
スによる磁気ヘツドにおいては、多層化をはかれ
ることは磁気ヘツド特有の問題を生じ一般的では
ない。
トロスを小さくする技術として積層、多層化する
ことは知られている。しかし、ギヤツプをボンデ
イング技術によらない上記したような薄膜プロセ
スによる磁気ヘツドにおいては、多層化をはかれ
ることは磁気ヘツド特有の問題を生じ一般的では
ない。
第１図に示した方法による磁気ヘツドにおい
て、第２の磁性膜はギヤツプ部の充填を良くしよ
うとすれば、第２図に示すようにいつたん第１の
磁性膜２を被うように第２の磁性膜４を被着さ
せ、しかるのちに第１図ｃに示すような形に第１
の磁性膜２の部位を被う第２の磁性膜を一部除去
する方法をとらざるをえない。他の方法、例えば
マスク６等により第１の磁性膜部位２を被う場合
には、マスクを浮いた状態にセツトすると、第３
図ａに示すようなギヤツプ部の充填不足を生じト
ラツク幅コントロールが難かしくなる。また、第
３図ｂに示すような第２の磁性膜４の第１の磁性
膜２上への部分的まわり込みを生じるとともにマ
スク６を高精度に配置できない欠点がある。他
方、第３図ｃのようにマスクを密着させ、第２の
磁性膜４を被着させたのち、マスク６を除去させ
る方法においては第３図ｄに示すようなカケをマ
スク除去の際に生じたり、第３図ｅに示すような
突出部を生じそのフリンジ効果によるへい害を生
じる欠点がある。
て、第２の磁性膜はギヤツプ部の充填を良くしよ
うとすれば、第２図に示すようにいつたん第１の
磁性膜２を被うように第２の磁性膜４を被着さ
せ、しかるのちに第１図ｃに示すような形に第１
の磁性膜２の部位を被う第２の磁性膜を一部除去
する方法をとらざるをえない。他の方法、例えば
マスク６等により第１の磁性膜部位２を被う場合
には、マスクを浮いた状態にセツトすると、第３
図ａに示すようなギヤツプ部の充填不足を生じト
ラツク幅コントロールが難かしくなる。また、第
３図ｂに示すような第２の磁性膜４の第１の磁性
膜２上への部分的まわり込みを生じるとともにマ
スク６を高精度に配置できない欠点がある。他
方、第３図ｃのようにマスクを密着させ、第２の
磁性膜４を被着させたのち、マスク６を除去させ
る方法においては第３図ｄに示すようなカケをマ
スク除去の際に生じたり、第３図ｅに示すような
突出部を生じそのフリンジ効果によるへい害を生
じる欠点がある。
以上述べた点から第２の磁性層は第２図に示し
たごとくいつたん第１の磁性層をも被うように被
着せざるをえないわけである。
たごとくいつたん第１の磁性層をも被うように被
着せざるをえないわけである。
このように第１の磁性層による段差部をスラツ
プカバーすることに薄膜プロセスによる磁気ヘツ
ドのコアの多層化の特殊性がある。従来技術によ
り多層化をはかると、第４図ａに示すように基板
１上に層間絶縁層７をはさんだ第１の多層化磁性
膜２′にギヤツプとなる非磁性層３を被着させ、
しかる後に層間絶縁層７をはさんだ第２の多層化
磁性膜４′を被着させ、最後に第１の多層化磁性
膜２′上にオーバコートした部位の第２の多層化
磁性膜４′を除却し、第４図ｂに示すギヤツプ構
造を得る。
プカバーすることに薄膜プロセスによる磁気ヘツ
ドのコアの多層化の特殊性がある。従来技術によ
り多層化をはかると、第４図ａに示すように基板
１上に層間絶縁層７をはさんだ第１の多層化磁性
膜２′にギヤツプとなる非磁性層３を被着させ、
しかる後に層間絶縁層７をはさんだ第２の多層化
磁性膜４′を被着させ、最後に第１の多層化磁性
膜２′上にオーバコートした部位の第２の多層化
磁性膜４′を除却し、第４図ｂに示すギヤツプ構
造を得る。
しかし、第４図ｂからわかるように、ギヤツプ
となる非磁性層３の他にこのギヤツプに平行に第
２の多層化磁性膜４′の層間絶縁層７が副次的な
ギヤツプができる。その結果、主たるギヤツプと
この副次的なギヤツプが平行であるためアジマス
損失がなく相互干渉が出る欠点がある。
となる非磁性層３の他にこのギヤツプに平行に第
２の多層化磁性膜４′の層間絶縁層７が副次的な
ギヤツプができる。その結果、主たるギヤツプと
この副次的なギヤツプが平行であるためアジマス
損失がなく相互干渉が出る欠点がある。
本発明の目的は上記した従来技術の欠点をなく
し、薄膜プロセスによる高性能の多層化磁性膜に
よる磁気ヘツド、および、その製造方法を提供す
ることにある。
し、薄膜プロセスによる高性能の多層化磁性膜に
よる磁気ヘツド、および、その製造方法を提供す
ることにある。
本発明の要点は多層化の際に生じる副次的ギヤ
ツプを実効的に消失せしめるために、主たるギヤ
ツプのギヤツプ長での記録再生効率よりも副次的
ギヤツプのギヤツプ長での記録再生効率が小さく
なるように、ギヤツプ形成用の非磁性層の厚さに
比し、ギヤツプ部近傍での層間絶縁層の厚さを小
さくしたことである。
ツプを実効的に消失せしめるために、主たるギヤ
ツプのギヤツプ長での記録再生効率よりも副次的
ギヤツプのギヤツプ長での記録再生効率が小さく
なるように、ギヤツプ形成用の非磁性層の厚さに
比し、ギヤツプ部近傍での層間絶縁層の厚さを小
さくしたことである。
これは、ギヤツプ長と層間絶縁層の厚さを検討
した結果、層間絶縁層の厚さはギヤツプ長の略1/
２以下であれば、副次ギヤツプの下部が連続膜に
なつていることもあつて問題にはならないことが
わかつたことに基づいてなされたものである。
した結果、層間絶縁層の厚さはギヤツプ長の略1/
２以下であれば、副次ギヤツプの下部が連続膜に
なつていることもあつて問題にはならないことが
わかつたことに基づいてなされたものである。
以下図面を用いて本発明の実施例を説明する。
第５図に示すように非磁性基板１上に6μｍの
センダスト膜２を0.5μｍのSiO2の層間絶縁膜７を
介して３層積層し、19μｍの多層磁性膜をスパツ
タ技術により被着させる。次に略半分の多層磁性
膜をエツチングにより除去し、残された多層磁性
膜の側面をギヤツプ面に使用出来る平面度を得る
ために、ダイヤバイトにより切削し、第６図に示
す磁性ヘツドの第１のコア半体部８を形成する。
次にこのコア半体部８の側面にギヤツプ形成用の
0.5μｍのSiO2膜３を被着させる。これを第７図に
示す。次に6μｍのセンダスト膜４を0.2μｍのSiO2
の層間絶縁層７を介して３層被着させ、第２のコ
ア半体となる多層磁性膜を形成し、第８図に示す
ギヤツプを形成するステツプカバーを行なう。し
かる後、段差部をラップにより落し、巻線窓５を
施こして第９図に示す磁気ヘツド形状を得る。巻
線窓５は第１の工程で行なわれてもよい。第１の
多層磁性膜によるコア半体８と、第２の多層磁性
膜によるコア半体９とにはさまれた0.5μｍの厚さ
のSiO2膜３がギヤツプとして機能し、第２の多
層化に用いられた0.2μｍの厚さのSiO2膜７は実用
上のギヤツプとはならない。
センダスト膜２を0.5μｍのSiO2の層間絶縁膜７を
介して３層積層し、19μｍの多層磁性膜をスパツ
タ技術により被着させる。次に略半分の多層磁性
膜をエツチングにより除去し、残された多層磁性
膜の側面をギヤツプ面に使用出来る平面度を得る
ために、ダイヤバイトにより切削し、第６図に示
す磁性ヘツドの第１のコア半体部８を形成する。
次にこのコア半体部８の側面にギヤツプ形成用の
0.5μｍのSiO2膜３を被着させる。これを第７図に
示す。次に6μｍのセンダスト膜４を0.2μｍのSiO2
の層間絶縁層７を介して３層被着させ、第２のコ
ア半体となる多層磁性膜を形成し、第８図に示す
ギヤツプを形成するステツプカバーを行なう。し
かる後、段差部をラップにより落し、巻線窓５を
施こして第９図に示す磁気ヘツド形状を得る。巻
線窓５は第１の工程で行なわれてもよい。第１の
多層磁性膜によるコア半体８と、第２の多層磁性
膜によるコア半体９とにはさまれた0.5μｍの厚さ
のSiO2膜３がギヤツプとして機能し、第２の多
層化に用いられた0.2μｍの厚さのSiO2膜７は実用
上のギヤツプとはならない。
第１０図ａ，ｂは本発明の他の実施例の磁気ヘ
ツドのテープ摺動面を示す図である。第２のコア
半体となる多層磁性膜９の層間絶縁層７の厚さが
ギヤツプ近傍部で他の部位７′よりも薄く、ある
いは消失するようになつており、先に述べた多層
化による副次的ギヤツプ幣害をより改善してい
る。
ツドのテープ摺動面を示す図である。第２のコア
半体となる多層磁性膜９の層間絶縁層７の厚さが
ギヤツプ近傍部で他の部位７′よりも薄く、ある
いは消失するようになつており、先に述べた多層
化による副次的ギヤツプ幣害をより改善してい
る。
これは第２の多層膜を形成するさいに第１１図
に示すように絶縁層となるSiO2を矢印Ａの方向
から被着させ、磁性膜となるセンダストを矢印Ｂ
の方向から被着させ、第１のコア半体の段差部を
SiO2を被着させるときの遮幣に利用することに
よりできる。
に示すように絶縁層となるSiO2を矢印Ａの方向
から被着させ、磁性膜となるセンダストを矢印Ｂ
の方向から被着させ、第１のコア半体の段差部を
SiO2を被着させるときの遮幣に利用することに
よりできる。
また、第１２図に示すように、第１のコア半体
部のギヤツプ面となる側面部をSiO2を被着させ
るときのみマスク６をすることによりできる。
部のギヤツプ面となる側面部をSiO2を被着させ
るときのみマスク６をすることによりできる。
以上の実施例は磁気ヘツドの１チツプについて
説明したが薄膜技術を用いていることからウエハ
ープロセス的に一基板上に多チツプを同時に形成
する場合にも適用できることは言うまでもない。
説明したが薄膜技術を用いていることからウエハ
ープロセス的に一基板上に多チツプを同時に形成
する場合にも適用できることは言うまでもない。
以上述べたように本発明によれば高性能な磁気
ヘツドを薄膜プロセス用いて提供することができ
る。
ヘツドを薄膜プロセス用いて提供することができ
る。
第１図ａ〜ｃ、および第２図は従来の磁気ヘツ
ドの製造方法を説明するための斜視図、第３図ａ
〜ｅ、および第４図ａ，ｂは従来の磁気ヘツドの
製造方法を説明するための正面図、第５図〜第９
図は本発明の一実施例の工程説明のための斜視
図、第１０図ａ，ｂは本発明の他の実施例の磁気
ヘツドのテープ摺動面から見た正面図第１１図、
および第１２図はその製造工程の例を説明するた
めの正面図である。 １；非磁性基板、２，４；磁性膜、３；非磁性
膜、５；巻線窓、６；マスク、７；層間絶縁膜、
８，９；多層化磁性膜による磁気ヘツドのコア半
体。
ドの製造方法を説明するための斜視図、第３図ａ
〜ｅ、および第４図ａ，ｂは従来の磁気ヘツドの
製造方法を説明するための正面図、第５図〜第９
図は本発明の一実施例の工程説明のための斜視
図、第１０図ａ，ｂは本発明の他の実施例の磁気
ヘツドのテープ摺動面から見た正面図第１１図、
および第１２図はその製造工程の例を説明するた
めの正面図である。 １；非磁性基板、２，４；磁性膜、３；非磁性
膜、５；巻線窓、６；マスク、７；層間絶縁膜、
８，９；多層化磁性膜による磁気ヘツドのコア半
体。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 非磁性基板上に第１の絶縁層をはさんだ第１
の多層磁性膜をスパツタ等により被着させ、該多
層磁性膜の一部位をエツチングまたは切削等によ
り除去することによつて得られた第１の磁性膜の
側面にギヤツプ長に相当する厚さの非磁性膜を被
着させ、しかるのち第２の絶縁層をはさんだ第２
の多層磁性膜を被着させ、前記側面に被着させた
非磁性膜を磁気ヘツドギヤツプとした薄膜磁気ヘ
ツドにおいて、前記第２の多層磁性膜を多層なら
しむる前記第２の絶縁層を前記ギヤツプより離し
て設けると共に該第２の絶縁層の少なくともギヤ
ツプに略平行をなす部分の厚さが、前記第２の多
層磁性層の厚さ相当の範囲内で前記ギヤツプ長に
相当する厚さの非磁性膜厚さより薄く形成したこ
とを特徴とする薄膜磁気ヘツド。 ２ 前記第２の絶縁層の厚さが、前記非磁性膜の
略1/2以下であることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の薄膜磁気ヘツド。 ３ 非磁性基板上に第１の絶縁層をはさんだ第１
の多層磁性膜をスパツタ等により被着させ、該磁
性膜の一部位をエツチングまたは切削等により除
去することによつて得られた第１の磁性膜の側面
にギヤツプ長に相当する長さの非磁性膜を被着さ
せ、しかるのち第２の絶縁層をはさんだ第２の多
層磁性膜を被着させ、前記側面に被着させた非磁
性膜を磁気ヘツドギヤツプとし、前記第２の多層
磁性膜を多層ならしむる前記第２の絶縁層を前記
ギヤツプより離して設けると共に該第２の絶縁層
の厚さを、前記多層磁性層の厚さ相当の範囲内で
前記第１の絶縁層厚さより薄く形成した薄膜磁気
ヘツドの製造方法において、ギヤツプをなす非磁
性膜の被着方向とは異なる方向から前記第２の多
層磁性膜を多層ならしむる前記第２の絶縁層を被
着形成することを特徴とした薄膜磁気ヘツドの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2429681A JPS57141009A (en) | 1981-02-23 | 1981-02-23 | Thin film magnetic head and its production |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2429681A JPS57141009A (en) | 1981-02-23 | 1981-02-23 | Thin film magnetic head and its production |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57141009A JPS57141009A (en) | 1982-09-01 |
| JPH0118495B2 true JPH0118495B2 (ja) | 1989-04-06 |
Family
ID=12134196
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2429681A Granted JPS57141009A (en) | 1981-02-23 | 1981-02-23 | Thin film magnetic head and its production |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57141009A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5952421A (ja) * | 1982-09-17 | 1984-03-27 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘッドとその製造方法 |
| JPS5996519A (ja) * | 1982-11-24 | 1984-06-04 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘツド |
| JPS60254408A (ja) * | 1984-05-31 | 1985-12-16 | Sankyo Seiki Mfg Co Ltd | 多層膜磁気ヘツド |
| JPS61113113A (ja) * | 1984-11-07 | 1986-05-31 | Victor Co Of Japan Ltd | 薄膜磁気ヘツド |
| FR2605783B1 (fr) * | 1986-10-28 | 1992-05-15 | Thomson Csf | T ete magnetique d'enregistrement/lecture en couches minces et son procede de realisation |
| FR2640070A1 (fr) * | 1988-12-06 | 1990-06-08 | Thomson Csf | Tete magnetique planaire d'enregistrement ´ lecture et procede de realisation |
| FR2806826B1 (fr) | 2000-03-22 | 2002-11-29 | Commissariat Energie Atomique | Tete magnetique integree pour l'enregistrement magnetique helicoidal sur bande et son procede de fabrication |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5325491B2 (ja) * | 1973-05-23 | 1978-07-27 |
-
1981
- 1981-02-23 JP JP2429681A patent/JPS57141009A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57141009A (en) | 1982-09-01 |
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