JPS60254408A - 多層膜磁気ヘツド - Google Patents
多層膜磁気ヘツドInfo
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- JPS60254408A JPS60254408A JP11198184A JP11198184A JPS60254408A JP S60254408 A JPS60254408 A JP S60254408A JP 11198184 A JP11198184 A JP 11198184A JP 11198184 A JP11198184 A JP 11198184A JP S60254408 A JPS60254408 A JP S60254408A
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- Japan
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- magnetic
- substrate
- film
- resist
- films
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、磁性膜と被磁性膜とを交互に積層しそなる多
層膜磁気ヘッドに関するものであって、例えばビデオテ
ープレコーダ等に使用可能な磁気ヘッドに関するもので
ある。
層膜磁気ヘッドに関するものであって、例えばビデオテ
ープレコーダ等に使用可能な磁気ヘッドに関するもので
ある。
従来の技術
磁気テープ、磁気シート、磁気ディスク等の記録媒体に
信号を記録するに当たり、記録密度を高めるには、狭ト
ランク、狭ギヤツブの磁気ヘッドが必要となる。そこで
、結晶化ガラス、非磁性フェライト等の基板上に、蒸着
、スパッタリング、メッキ法等の薄膜形成法により、ア
モルファス、センダスト等の磁性膜と酸化珪素等の非磁
性膜を交互に成長させて多層膜とし、この多層膜の厚さ
をトラック幅とすることにより容易に狭トラツクの磁気
ヘッドを得るようにした技術が提案されている。特公昭
５３−２５４９１号公報記載のものはその一つである。
信号を記録するに当たり、記録密度を高めるには、狭ト
ランク、狭ギヤツブの磁気ヘッドが必要となる。そこで
、結晶化ガラス、非磁性フェライト等の基板上に、蒸着
、スパッタリング、メッキ法等の薄膜形成法により、ア
モルファス、センダスト等の磁性膜と酸化珪素等の非磁
性膜を交互に成長させて多層膜とし、この多層膜の厚さ
をトラック幅とすることにより容易に狭トラツクの磁気
ヘッドを得るようにした技術が提案されている。特公昭
５３−２５４９１号公報記載のものはその一つである。
周知のように、高密度記録ヘッド材料としては、飽和磁
束密度Ｂｓが充分大きく、かつ、高周波での実効透磁率
μｅが充分大きいことが要求され、アモルファス合金、
センダスト合金等による多層膜ヘッドが注目されている
。
束密度Ｂｓが充分大きく、かつ、高周波での実効透磁率
μｅが充分大きいことが要求され、アモルファス合金、
センダスト合金等による多層膜ヘッドが注目されている
。
しかるに、従来の多層膜磁気ヘッドは、二つの磁性基板
上にそれぞれ多層膜を形成し、この基板及び多層膜の側
面を鏡面研磨したのち研磨面に非磁性のギャップ部材を
形成し、互いに突き合わせて一体化してなるものである
。そのため、多層膜を構成する磁性材料及び非磁性材料
、さらに基板材料の三つの異種材料を研磨工程において
同時に研磨することになり、各材料の強度、耐摩耗性等
の各種の特性の違いがあることから研磨される度合が各
材料ごとに異なって、所謂「面だれ」が生じ、直線性の
よいギャップ面を得ることが困難であり、ギャップが波
打ち状にくずれたり、基板材との間に空隙を生じたりし
ていた。また、二つの面を研磨して突き合わせ一体化す
ることは、仕上がりの精度を高め難く、かつ、量産性に
も劣っていた。
上にそれぞれ多層膜を形成し、この基板及び多層膜の側
面を鏡面研磨したのち研磨面に非磁性のギャップ部材を
形成し、互いに突き合わせて一体化してなるものである
。そのため、多層膜を構成する磁性材料及び非磁性材料
、さらに基板材料の三つの異種材料を研磨工程において
同時に研磨することになり、各材料の強度、耐摩耗性等
の各種の特性の違いがあることから研磨される度合が各
材料ごとに異なって、所謂「面だれ」が生じ、直線性の
よいギャップ面を得ることが困難であり、ギャップが波
打ち状にくずれたり、基板材との間に空隙を生じたりし
ていた。また、二つの面を研磨して突き合わせ一体化す
ることは、仕上がりの精度を高め難く、かつ、量産性に
も劣っていた。
発明が解決しようとする問題点
本発明は、ギャップの直線性が良好であり、かつ、仕上
がり精度が良好で量産性に優れた多層膜磁気ヘッドを提
供することを目的とする。
がり精度が良好で量産性に優れた多層膜磁気ヘッドを提
供することを目的とする。
問題点を解決するための手段
本発明の多層膜磁気ヘッドは、１枚の共通基板上に巻線
溝を穿設し、少な（とも上記巻線溝から記録媒体摺接面
に至る磁気ギャップ部に非磁性材を被着介在させてなる
磁気ギャップ層を設けると共に、上記基板上に磁性膜と
被磁性膜とを交互に被着形成してなるものである。
溝を穿設し、少な（とも上記巻線溝から記録媒体摺接面
に至る磁気ギャップ部に非磁性材を被着介在させてなる
磁気ギャップ層を設けると共に、上記基板上に磁性膜と
被磁性膜とを交互に被着形成してなるものである。
作用
本発明によれば、１枚の共通基板上にまずレジストパタ
ーンを形成して、該パターン面に非磁性材でなる磁気ギ
ャップ層を形成し、しかるのち上記基板上に磁性膜と非
磁性膜を交互に被着形成して磁気ヘッドを形成すること
ができ、従来のように、二つのものを突き合わせて一体
化する必要はない。
ーンを形成して、該パターン面に非磁性材でなる磁気ギ
ャップ層を形成し、しかるのち上記基板上に磁性膜と非
磁性膜を交互に被着形成して磁気ヘッドを形成すること
ができ、従来のように、二つのものを突き合わせて一体
化する必要はない。
実施例
以下、図面に示された製造工程の例を参照しながら本発
明の詳細な説明する。
明の詳細な説明する。
第１図において、まず、（１）に示されているように、
ガラス、セラミックス、非磁性フェライト等の非磁性基
板１上に耐熱レジスト２をスピンコータ等を用いて塗布
する。レジスト２の厚さはトランク幅となるべき後述の
多層膜の厚さと同等又はそれ以上（２０乃至５０μｍ）
となるように１回又は数回塗布する。次に（２）に示さ
れているように、エツチング法等によってレジスト２の
一部を所定のパターンを残して他の部分を除去する。
ガラス、セラミックス、非磁性フェライト等の非磁性基
板１上に耐熱レジスト２をスピンコータ等を用いて塗布
する。レジスト２の厚さはトランク幅となるべき後述の
多層膜の厚さと同等又はそれ以上（２０乃至５０μｍ）
となるように１回又は数回塗布する。次に（２）に示さ
れているように、エツチング法等によってレジスト２の
一部を所定のパターンを残して他の部分を除去する。
次に（３）に示されているように、ギャップスペーサと
なる酸化珪素等の非磁性の膜３をレジスト２の表面及び
レジストが除去されて露出した基板１の表面全体を覆う
ようにスパッタリング等によって被着させる。次に（４
）に示されているように、第１多層膜４ａをスパッタリ
ング等によって被着形成する。第１多層膜４ａは、例え
ばコバルト系アモルファス、センダストやパーマロイの
合金等の磁性材と、例えば酸化珪素等の非磁性材を交互
に積層することによって形成する。第１多層膜４ａは、
隣り合うレジスト２相互間の谷間にも形成されるし、レ
ジスト２の上にも形成される。センダストやパーマロイ
の合金等をスパッタリングする場合、磁気特性を向上さ
せるために、３００乃至３５０°Ｃに強制加熱すること
が望ましい。しかし、レジスト２は熱的に不安定なため
、スパッタによる第１多層膜４ａの形成中に加熱される
と有害なガスを放出する危険性がある。しかし、上記の
製造工程では非磁性膜３でレジスト２の全面が被覆され
た状態でスパッタが行われるから、有害ガスが放出され
ることはない。ただし、耐熱レジスト２の安定温度は１
００乃至１５０°Ｃであるから、スパッタリングの際は
基板温度に充分注意し、冷却水を通すなどして基板温度
が１００°Ｃ以下になるようにすることが望ましい。次
に第１図（４）に示されている線Ａに沿い面一となるよ
うにレジスト２上に被着形成された第１多層膜４ａ、非
磁性材の膜３を除去する。その結果、第１図（５）に示
されているように、レジスト２と、レジスト２相互間に
被着形成された第１多層膜４ａと、これらレジスト２と
第１多層膜４ａとの間に介在する非磁性材の膜３が残る
。次に、（６）に示されているように、残されているレ
ジスト２を総て除去する。次に、（７）に示されている
ように、第２多層膜４ｂを前記第１多層膜４ａの材料と
同じ材料で、かつ、同じ方法で被着形成する。第２多層
膜４ｂは、レジスト２を除去したあとの谷間に被着形成
されると共に第１多層膜４ａの上にも被着形成される。
なる酸化珪素等の非磁性の膜３をレジスト２の表面及び
レジストが除去されて露出した基板１の表面全体を覆う
ようにスパッタリング等によって被着させる。次に（４
）に示されているように、第１多層膜４ａをスパッタリ
ング等によって被着形成する。第１多層膜４ａは、例え
ばコバルト系アモルファス、センダストやパーマロイの
合金等の磁性材と、例えば酸化珪素等の非磁性材を交互
に積層することによって形成する。第１多層膜４ａは、
隣り合うレジスト２相互間の谷間にも形成されるし、レ
ジスト２の上にも形成される。センダストやパーマロイ
の合金等をスパッタリングする場合、磁気特性を向上さ
せるために、３００乃至３５０°Ｃに強制加熱すること
が望ましい。しかし、レジスト２は熱的に不安定なため
、スパッタによる第１多層膜４ａの形成中に加熱される
と有害なガスを放出する危険性がある。しかし、上記の
製造工程では非磁性膜３でレジスト２の全面が被覆され
た状態でスパッタが行われるから、有害ガスが放出され
ることはない。ただし、耐熱レジスト２の安定温度は１
００乃至１５０°Ｃであるから、スパッタリングの際は
基板温度に充分注意し、冷却水を通すなどして基板温度
が１００°Ｃ以下になるようにすることが望ましい。次
に第１図（４）に示されている線Ａに沿い面一となるよ
うにレジスト２上に被着形成された第１多層膜４ａ、非
磁性材の膜３を除去する。その結果、第１図（５）に示
されているように、レジスト２と、レジスト２相互間に
被着形成された第１多層膜４ａと、これらレジスト２と
第１多層膜４ａとの間に介在する非磁性材の膜３が残る
。次に、（６）に示されているように、残されているレ
ジスト２を総て除去する。次に、（７）に示されている
ように、第２多層膜４ｂを前記第１多層膜４ａの材料と
同じ材料で、かつ、同じ方法で被着形成する。第２多層
膜４ｂは、レジスト２を除去したあとの谷間に被着形成
されると共に第１多層膜４ａの上にも被着形成される。
次に、第１図（７）の線Ｂに沿い平削り及びランプ加工
を行い、第１多層膜４ａ上の第２多層膜４ｂを除去して
面一にする。その結果、（８）に示されているように、
基板１上には第１多層膜４ａと第２多層膜４ｂとが交互
に並べられた状態で形成されると共に、各多層膜４ａ、
４ｂ相互間に磁気ギャップとなるべき非磁性材の膜３が
形成され、これら各膜の上面が平坦に形成されることに
なる。次に（９）に示されているように、上記各膜の上
面に、これらの膜を基板１との間に挟み込むようにして
基板１と同様の非磁性材でなる対向板５を固着して多層
膜を保護する。次に、（１０）に示されているように、
個々に分離すべき部分ごとに、巻線用の溝孔６をプレス
加工等によって上下に貫いて形成する。ただし、巻線用
の溝孔６は、予め基板１と対向板５に形成していてもよ
い。その場合、基板１例の溝孔の周囲には、スパッタリ
ング等による非磁性材の膜３や第１多層膜４ａ及び第２
多層膜４ｂの形成の際にこれらの各膜と同様の膜が形成
されるから、事後処理として上記基板１例の溝孔の周囲
に形成された膜を機械加工又は光学的、化学的処理等に
よって取り除き、しかるのち対向板５を固着する。
を行い、第１多層膜４ａ上の第２多層膜４ｂを除去して
面一にする。その結果、（８）に示されているように、
基板１上には第１多層膜４ａと第２多層膜４ｂとが交互
に並べられた状態で形成されると共に、各多層膜４ａ、
４ｂ相互間に磁気ギャップとなるべき非磁性材の膜３が
形成され、これら各膜の上面が平坦に形成されることに
なる。次に（９）に示されているように、上記各膜の上
面に、これらの膜を基板１との間に挟み込むようにして
基板１と同様の非磁性材でなる対向板５を固着して多層
膜を保護する。次に、（１０）に示されているように、
個々に分離すべき部分ごとに、巻線用の溝孔６をプレス
加工等によって上下に貫いて形成する。ただし、巻線用
の溝孔６は、予め基板１と対向板５に形成していてもよ
い。その場合、基板１例の溝孔の周囲には、スパッタリ
ング等による非磁性材の膜３や第１多層膜４ａ及び第２
多層膜４ｂの形成の際にこれらの各膜と同様の膜が形成
されるから、事後処理として上記基板１例の溝孔の周囲
に形成された膜を機械加工又は光学的、化学的処理等に
よって取り除き、しかるのち対向板５を固着する。
次に、第１図（１０）に示されている鎖線に沿って切り
離し、一つの基板１と、一つの第１多層膜４ａと、一つ
の第２多層膜４ｂと、一つの非磁性材の膜３と、一つの
対向板５からなる一つ一つの磁気ヘッドに分離する。非
磁性材の膜３の部分は前にも述べた通り磁気ギャップと
なる。対向板５は、基板１と同様に耐摩耗材料をはり合
わせ、あるいは、５ｉ０２、Ｓｉ３Ｎ４ 、Ａｌ２Ｏ３
等の耐摩擦性のある磁気的絶縁材料を、スパッタリング
、蒸着、イオンブレーティング等によって形成してもよ
い。
離し、一つの基板１と、一つの第１多層膜４ａと、一つ
の第２多層膜４ｂと、一つの非磁性材の膜３と、一つの
対向板５からなる一つ一つの磁気ヘッドに分離する。非
磁性材の膜３の部分は前にも述べた通り磁気ギャップと
なる。対向板５は、基板１と同様に耐摩耗材料をはり合
わせ、あるいは、５ｉ０２、Ｓｉ３Ｎ４ 、Ａｌ２Ｏ３
等の耐摩擦性のある磁気的絶縁材料を、スパッタリング
、蒸着、イオンブレーティング等によって形成してもよ
い。
次に、第２図及び第３図に示された別の実施例について
説明する。この実施例は、磁気ギャップにアジマス角を
もたせるようにしたものである。
説明する。この実施例は、磁気ギャップにアジマス角を
もたせるようにしたものである。
第２図において、（１）、（２）に示されているように
、非磁性基板１上に耐熱レジスト２を塗布し、エツチン
グ等によってレジスト２を所定のパターンに形成する点
は前述の実施例と同様である。
、非磁性基板１上に耐熱レジスト２を塗布し、エツチン
グ等によってレジスト２を所定のパターンに形成する点
は前述の実施例と同様である。
次に、第２図（３）に示されているように、残されたレ
ジスト２の両側面のうち、少なくとも磁気ギャップ形成
面となるべき面をアジマス角に相当する角度をもった斜
面２ａとする。この斜面２ａを形成するには、機械的な
切削加工によってもよいが、レジスト２のエツチング時
に起きるテーバエツチング特性を利用してもよい。こう
して、斜面２ａを有してなる所定のパターンのレジスト
２が形成されると、次に第２図（４）に示されているよ
うにギャップスペーサとなる非磁性材の膜３を形成し。
ジスト２の両側面のうち、少なくとも磁気ギャップ形成
面となるべき面をアジマス角に相当する角度をもった斜
面２ａとする。この斜面２ａを形成するには、機械的な
切削加工によってもよいが、レジスト２のエツチング時
に起きるテーバエツチング特性を利用してもよい。こう
して、斜面２ａを有してなる所定のパターンのレジスト
２が形成されると、次に第２図（４）に示されているよ
うにギャップスペーサとなる非磁性材の膜３を形成し。
さらに（５）に示されているように、第１多層膜４ａを
スパッタリング等によって被着形成する。第２図（４）
（５）は第１図の（３）（４）の工程に相当し、以下、
第１図の例と同様の工程を経る。
スパッタリング等によって被着形成する。第２図（４）
（５）は第１図の（３）（４）の工程に相当し、以下、
第１図の例と同様の工程を経る。
第３図は、こうして基板１上に第１多層膜４ａと第２多
層膜４ｂが交互に並んで形成され、かつ、各多層膜４ａ
、 ４ｂ間に非磁性材のＩｌｌ！３によってギャップが
形成された状態を示しており、第１図の（８）に対応す
るものである。第３図から明らがなように、ギャップス
ペーサとなるべき非磁性材の膜３はレジスト２に被着形
成されることがら、レジスト２の斜面２ａに沿って形成
された非磁性材のＩＩ！ｉ３の部分は上記斜面２ａと同
じ角度をもった傾斜面となり、これによってアジマス角
が形成されることになる。
層膜４ｂが交互に並んで形成され、かつ、各多層膜４ａ
、 ４ｂ間に非磁性材のＩｌｌ！３によってギャップが
形成された状態を示しており、第１図の（８）に対応す
るものである。第３図から明らがなように、ギャップス
ペーサとなるべき非磁性材の膜３はレジスト２に被着形
成されることがら、レジスト２の斜面２ａに沿って形成
された非磁性材のＩＩ！ｉ３の部分は上記斜面２ａと同
じ角度をもった傾斜面となり、これによってアジマス角
が形成されることになる。
ギャップスペーサとなるべき非磁性材の膜３をスパッタ
リングにより形成するに際して、第４図に示されている
ように、基板１及びその上に形成された所定のパターン
のレジスト２の一部にマスク７をかけてスパッタリング
を行い、少なくとも巻線溝から記録媒体摺接部に至る部
分のみに非磁性材の膜３を被着形成させるようにしても
よい。
リングにより形成するに際して、第４図に示されている
ように、基板１及びその上に形成された所定のパターン
のレジスト２の一部にマスク７をかけてスパッタリング
を行い、少なくとも巻線溝から記録媒体摺接部に至る部
分のみに非磁性材の膜３を被着形成させるようにしても
よい。
このようにして膜３を形成したのちは、前述の工程と同
様の工程を経て磁気ヘッドが形成されるのであるが、完
成した磁気ヘッドの基板１とギャップスペーサとしての
非磁性材のＩＩＩ＋３と巻線溝６の部分のみを仮想的に
示したのが第５図であり、完成した磁気ヘッドの磁気回
路を示したのが第６図である。第６図に示されているよ
うに、非磁性材の膜３で形成されるギャップの部分の漏
洩磁束によって記録再生が行われるので、ギャップを形
成する非磁性材の膜３を形成することは必須であるが、
磁気回路の磁気抵抗はなるべく低い方が効率はよくなる
ため、ギャップを形成する非磁性材の１１＊３は必須の
部分以外はなるべく占有面積が小さい方がよく、その意
味からも、非磁性材の膜３を形成するに当たって第４図
の例のようにマスク７をかけてスパッタリング等によっ
て被着形成を行うことは有効である。
様の工程を経て磁気ヘッドが形成されるのであるが、完
成した磁気ヘッドの基板１とギャップスペーサとしての
非磁性材のＩＩＩ＋３と巻線溝６の部分のみを仮想的に
示したのが第５図であり、完成した磁気ヘッドの磁気回
路を示したのが第６図である。第６図に示されているよ
うに、非磁性材の膜３で形成されるギャップの部分の漏
洩磁束によって記録再生が行われるので、ギャップを形
成する非磁性材の膜３を形成することは必須であるが、
磁気回路の磁気抵抗はなるべく低い方が効率はよくなる
ため、ギャップを形成する非磁性材の１１＊３は必須の
部分以外はなるべく占有面積が小さい方がよく、その意
味からも、非磁性材の膜３を形成するに当たって第４図
の例のようにマスク７をかけてスパッタリング等によっ
て被着形成を行うことは有効である。
発明の効果
本発明の多層膜磁気ヘッドは、共通基板上に磁気ギャッ
プ層を設けると共に上記基板上に磁性膜と非磁性膜とを
交互に被着形成してなるものであり、従来の多層膜磁気
ヘッドのように個々の基板上に多層膜を形成したものを
研磨しかつ突き合わせて一体化したものではないから、
直線性のよいギャップを得ることができるし、ギャップ
部を研磨しかつ突き合わせる必要はないから、仕上がり
精度が良好で量産性に優れた多層膜磁気ヘッドを提供す
ることができる。
プ層を設けると共に上記基板上に磁性膜と非磁性膜とを
交互に被着形成してなるものであり、従来の多層膜磁気
ヘッドのように個々の基板上に多層膜を形成したものを
研磨しかつ突き合わせて一体化したものではないから、
直線性のよいギャップを得ることができるし、ギャップ
部を研磨しかつ突き合わせる必要はないから、仕上がり
精度が良好で量産性に優れた多層膜磁気ヘッドを提供す
ることができる。
第１図は本発明の多層膜磁気ヘッドを得るための製造工
程の一例を対象物の変化で示す断面図、第２図は同じく
製造工程の別の例を対象物の変化で示す断面図、第３図
は第２図の製造工程の最終段階の対象物を示す断面図、
第４図は上記各製造工程中の磁気ギャップ形成部材の被
着工程の一例を示す斜面図、第５図は本発明の多層膜磁
気ヘッドの一例を部分的に仮想的に示す斜面図、第６図
は本発明の多層膜磁気ヘッドの磁気回路の例を示す平面
図である。 ■一基板、 ３−・−非磁性材の膜でなる磁気ギャップ
層、 ４ａ−・−雨１多層膜、 ４ｂ・−第２多層膜、
６・・・−巻線溝。
程の一例を対象物の変化で示す断面図、第２図は同じく
製造工程の別の例を対象物の変化で示す断面図、第３図
は第２図の製造工程の最終段階の対象物を示す断面図、
第４図は上記各製造工程中の磁気ギャップ形成部材の被
着工程の一例を示す斜面図、第５図は本発明の多層膜磁
気ヘッドの一例を部分的に仮想的に示す斜面図、第６図
は本発明の多層膜磁気ヘッドの磁気回路の例を示す平面
図である。 ■一基板、 ３−・−非磁性材の膜でなる磁気ギャップ
層、 ４ａ−・−雨１多層膜、 ４ｂ・−第２多層膜、
６・・・−巻線溝。
Claims (1)
- １枚の共通基板上に巻線溝を穿設し、少なくとも上記巻
線溝から記録媒体摺接面に至る磁気ギャップ部に非磁性
材を被着介在させてなる磁気ギャップ層を設けると共に
、上記基板上に磁性膜と被磁性膜とを交互に被着形成し
てなる多層膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11198184A JPS60254408A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | 多層膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11198184A JPS60254408A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | 多層膜磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60254408A true JPS60254408A (ja) | 1985-12-16 |
Family
ID=14574958
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11198184A Pending JPS60254408A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | 多層膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60254408A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57141009A (en) * | 1981-02-23 | 1982-09-01 | Hitachi Ltd | Thin film magnetic head and its production |
-
1984
- 1984-05-31 JP JP11198184A patent/JPS60254408A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57141009A (en) * | 1981-02-23 | 1982-09-01 | Hitachi Ltd | Thin film magnetic head and its production |
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