JPH01189206A - ストリップライン共振器 - Google Patents
ストリップライン共振器Info
- Publication number
- JPH01189206A JPH01189206A JP63012953A JP1295388A JPH01189206A JP H01189206 A JPH01189206 A JP H01189206A JP 63012953 A JP63012953 A JP 63012953A JP 1295388 A JP1295388 A JP 1295388A JP H01189206 A JPH01189206 A JP H01189206A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic field
- resonator
- dielectric substrate
- stripline resonator
- stripline
- Prior art date
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- Granted
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- Waveguides (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はマイクロ波通信機に使用するストリップライン
共振器に関するものである。
共振器に関するものである。
従来の技術
近年のマイクロ波通信機の高周波回路部には、誘電体基
板上にマイクロストリップラインを構成したM[C(マ
イクロ波IC)が−船釣に用いられている。そして、こ
のMICにはストリップライン共振器がさまざまな形で
使用されている。
板上にマイクロストリップラインを構成したM[C(マ
イクロ波IC)が−船釣に用いられている。そして、こ
のMICにはストリップライン共振器がさまざまな形で
使用されている。
以下図面を参照しながら従来例について説明する。第2
図(al、 (blはそれぞれ従来のストリップライン
共振器を使用したフィルタの斜視図、及びその伝送特性
を示すものである。11は接地導体、12は誘電体基板
、13はストリップライン共振器、14.15は入出力
のストリップラインである。
図(al、 (blはそれぞれ従来のストリップライン
共振器を使用したフィルタの斜視図、及びその伝送特性
を示すものである。11は接地導体、12は誘電体基板
、13はストリップライン共振器、14.15は入出力
のストリップラインである。
以上のように構成されたストリップライン共振器フィル
タの動作は、ストリップライン共振器13の幅と長さ、
及び誘電体基板12の厚さと比誘電率によって定まる中
心周波数foを有する第2図(blのような帯域通過フ
ィルタとなる。
タの動作は、ストリップライン共振器13の幅と長さ、
及び誘電体基板12の厚さと比誘電率によって定まる中
心周波数foを有する第2図(blのような帯域通過フ
ィルタとなる。
発明が解決しようとする課題
しかしながら上記のような構成では、中心周波数がスト
リップライン共振器の幅と長さ、及び誘電体基板の厚さ
と比誘電率によって1つのfoに定まり、可変すること
ができなかった。
リップライン共振器の幅と長さ、及び誘電体基板の厚さ
と比誘電率によって1つのfoに定まり、可変すること
ができなかった。
本発明は上記課題に鑑み、外部から直流磁界を加えこの
強度を変化させることにより、中心周波数を可変するこ
とができるというストリップライン共振器を提供するも
のである。
強度を変化させることにより、中心周波数を可変するこ
とができるというストリップライン共振器を提供するも
のである。
課題を解決するための手段
上記課題を解決するために本発明のストリップライン共
振器は、2つ以上の誘電体基板と1つ以上の超電導体膜
を交互に重ね合せ、最下段の誘電体基板の裏面には接地
導体を形成し、最上段の誘電体基板の表面にはマイクロ
ストリップライン共振器を形成し、かつ前記超電導体膜
は前記ストリップライン共振器に近い方がその臨界磁界
強度が小さいもので形成し、これに直流磁界を加え、前
記直流磁界の強度を変えるという構成を備えたものであ
る。
振器は、2つ以上の誘電体基板と1つ以上の超電導体膜
を交互に重ね合せ、最下段の誘電体基板の裏面には接地
導体を形成し、最上段の誘電体基板の表面にはマイクロ
ストリップライン共振器を形成し、かつ前記超電導体膜
は前記ストリップライン共振器に近い方がその臨界磁界
強度が小さいもので形成し、これに直流磁界を加え、前
記直流磁界の強度を変えるという構成を備えたものであ
る。
作用
本発明は上記した構成によって、外部から加える直流磁
界の強度を変化させて順次強くすることにより、誘電体
基板にはさまれた超電導体膜を超電導状態から非超電導
状態にし、誘電体基板の厚さを等価的に変化させて、ス
トリップライン共振器の中心周波数を変化させることが
できる。
界の強度を変化させて順次強くすることにより、誘電体
基板にはさまれた超電導体膜を超電導状態から非超電導
状態にし、誘電体基板の厚さを等価的に変化させて、ス
トリップライン共振器の中心周波数を変化させることが
できる。
実施例
以下本発明の一実施例のストリップライン共振器フィル
タについて、図面を参照しながら説明する。
タについて、図面を参照しながら説明する。
第1図(δ)は本発明の一実施例のストリップライン共
振器フィルタの斜視図、同図fblはその伝送特性図で
ある。第1図において、lは接地導体、2゜3.4は誘
電体基板、5.6はセラミックスの超電導体膜でその臨
界磁界強度は6の方が小さいもの、7はマイクロストリ
ップライン共振器、8゜9は入出力のマイクロストリッ
プライン、10は外部から加える直流磁界である。
振器フィルタの斜視図、同図fblはその伝送特性図で
ある。第1図において、lは接地導体、2゜3.4は誘
電体基板、5.6はセラミックスの超電導体膜でその臨
界磁界強度は6の方が小さいもの、7はマイクロストリ
ップライン共振器、8゜9は入出力のマイクロストリッ
プライン、10は外部から加える直流磁界である。
上記のように構成されたストリップライン共振器フィル
タについて、以下その動作を説明する。
タについて、以下その動作を説明する。
まず、直2i!L磁界10は加えないときは、第1図f
atで超電導体膜5,6はともに超電導状態であるから
マイクロストリップライン共振器7に対しては実効的な
接地面が超電導体膜6となり誘電体部の厚さは誘電体基
板4の厚さtlで、伝送特性は第1回出)のように中心
の共振周波数f1のフィルタとなる。
atで超電導体膜5,6はともに超電導状態であるから
マイクロストリップライン共振器7に対しては実効的な
接地面が超電導体膜6となり誘電体部の厚さは誘電体基
板4の厚さtlで、伝送特性は第1回出)のように中心
の共振周波数f1のフィルタとなる。
次に、直′fL磁界10を超電導体膜6の臨界磁界強度
よりも大きく超電導体膜5のそれよりも小さい磁界強度
で加えると、超電導体膜6が非超電導状態となり、実効
的な接地導体は超電導体膜5となる。このとき、実効的
な誘電体基板の厚さは誘電体基板4と3の和のt2とな
り、上記の直流磁界を加えない場合より誘電体基板3の
分だけ厚くなる。従って、ストリップライン共振器7の
共振周波数は上記の場合よりも低いf2となる。この様
子を第1図(blに示す。
よりも大きく超電導体膜5のそれよりも小さい磁界強度
で加えると、超電導体膜6が非超電導状態となり、実効
的な接地導体は超電導体膜5となる。このとき、実効的
な誘電体基板の厚さは誘電体基板4と3の和のt2とな
り、上記の直流磁界を加えない場合より誘電体基板3の
分だけ厚くなる。従って、ストリップライン共振器7の
共振周波数は上記の場合よりも低いf2となる。この様
子を第1図(blに示す。
さらに、直流磁界10を超電導体膜5の臨界磁界強度よ
りも大きくした場合、超電導体膜6と5がともに非超電
導状態となり実効的な接地導体は接地導体lとなる。こ
のとき、実効的な誘電体基板の厚さは誘電体基板4.3
.及び2の和のt3となり、前記の場合に比べてさらに
厚くなる。従って、ストリップライン共振器7の共振周
波数は前記の場合に比べてさらに低いf3となる。この
様子を第1図Q)lに示す。
りも大きくした場合、超電導体膜6と5がともに非超電
導状態となり実効的な接地導体は接地導体lとなる。こ
のとき、実効的な誘電体基板の厚さは誘電体基板4.3
.及び2の和のt3となり、前記の場合に比べてさらに
厚くなる。従って、ストリップライン共振器7の共振周
波数は前記の場合に比べてさらに低いf3となる。この
様子を第1図Q)lに示す。
以上のように本実施例によれば、3枚の誘電体基板と2
枚の超電導体膜を交互に重ね合せ、最下段の誘電体基板
の裏面には接地導体を形成し、最上段の誘電体基板の表
面にはマイクロストリップライン共振器を形成し、かつ
前記超電導体膜は前記ストリップライン共振器に近い方
がその臨界磁界強度が小さいもので形成し、これに直流
磁界を加え、この直@磁界の強度を変えることにより、
ストリップライン共振器の共振周波数を可変することが
できる。
枚の超電導体膜を交互に重ね合せ、最下段の誘電体基板
の裏面には接地導体を形成し、最上段の誘電体基板の表
面にはマイクロストリップライン共振器を形成し、かつ
前記超電導体膜は前記ストリップライン共振器に近い方
がその臨界磁界強度が小さいもので形成し、これに直流
磁界を加え、この直@磁界の強度を変えることにより、
ストリップライン共振器の共振周波数を可変することが
できる。
なお、本実施例では、ストリップライン共振器を帯域通
過フィルタとして応用した例についてのべたが、これを
ストリップライン主伝送線路に並列に結合した帯域阻止
フィルタやトランジスタ発振器の共振器として利用して
も、同様の効果が得られる。
過フィルタとして応用した例についてのべたが、これを
ストリップライン主伝送線路に並列に結合した帯域阻止
フィルタやトランジスタ発振器の共振器として利用して
も、同様の効果が得られる。
発明の効果
以上のように本発明は、2つ以上の誘電体基板と1つ以
上の超電導体膜を交互に重ね合せ、最下段の誘電体基板
の裏面には接地導体を形成し、最上段の誘電体基板の表
面にはマイクロストリップライン共振器を形成し、かつ
前記超電導体膜は前記ストリップライン共振器に近い方
がその臨界磁界強度が小さいもので形成し、これに直流
磁界を加えるという構成により、前記直流磁界の強度を
変化させることにより、誘電体基板の厚さを等価的に変
化させ、複数の共振周波数を有することができるという
優れた効果を有する。
上の超電導体膜を交互に重ね合せ、最下段の誘電体基板
の裏面には接地導体を形成し、最上段の誘電体基板の表
面にはマイクロストリップライン共振器を形成し、かつ
前記超電導体膜は前記ストリップライン共振器に近い方
がその臨界磁界強度が小さいもので形成し、これに直流
磁界を加えるという構成により、前記直流磁界の強度を
変化させることにより、誘電体基板の厚さを等価的に変
化させ、複数の共振周波数を有することができるという
優れた効果を有する。
第1図ta+は本発明の一実施例のストリップライン共
振器フィルタの斜視図、同図(b)はその伝送特性図、
第211a(a+は従来のストリップライン共振器フィ
ルタの斜視図、同図(blはその伝送特性図である。 ■、11・・・・・・接地導体、2,3.4.12・・
・・・・誘電体基板、5.6・・・・・・超電導体膜、
7,13・・・・・・ストリップライン共振器、8,9
,14.15・・・・・・人出力のストリップライン、
10・・・・・・直流磁界。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか1名第1図 旧 ↓支 款、 第2図 i¥I S&朕
振器フィルタの斜視図、同図(b)はその伝送特性図、
第211a(a+は従来のストリップライン共振器フィ
ルタの斜視図、同図(blはその伝送特性図である。 ■、11・・・・・・接地導体、2,3.4.12・・
・・・・誘電体基板、5.6・・・・・・超電導体膜、
7,13・・・・・・ストリップライン共振器、8,9
,14.15・・・・・・人出力のストリップライン、
10・・・・・・直流磁界。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか1名第1図 旧 ↓支 款、 第2図 i¥I S&朕
Claims (1)
- 2つ以上の誘電体基板と1つ以上の超電導体膜を交互に
重ね合せ、最下段の誘電体基板の裏面には接地導体を形
成し、最上段の誘電体基板の表面にはマイクロストリッ
プライン共振器を形成し、かつ前記超電導体膜は前記ス
トリップライン共振器に近い方がその臨界磁界強度が小
さいもので形成し、これに直流磁界を加え、前記直流磁
界の強度を変えることにより、複数の共振周波数を有す
るストリップライン共振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63012953A JPH0812962B2 (ja) | 1988-01-22 | 1988-01-22 | ストリップライン共振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63012953A JPH0812962B2 (ja) | 1988-01-22 | 1988-01-22 | ストリップライン共振器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01189206A true JPH01189206A (ja) | 1989-07-28 |
| JPH0812962B2 JPH0812962B2 (ja) | 1996-02-07 |
Family
ID=11819638
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63012953A Expired - Fee Related JPH0812962B2 (ja) | 1988-01-22 | 1988-01-22 | ストリップライン共振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0812962B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6623797B2 (en) | 1997-05-30 | 2003-09-23 | Alcoa Inc. | Method for coating metal strip |
| WO2005091316A1 (fr) * | 2004-02-27 | 2005-09-29 | Centre National De La Recherche Scientifique (Cnrs) | Composants supraconducteurs en couches minces a inductance accordable procede de realisation et dispositifs incluant de tels composants |
| JP2008527732A (ja) * | 2005-01-17 | 2008-07-24 | セントレ ナショナル デ ラ レチャーチェ シャーティフィック | 積み重ねられた薄層状の超伝導素子を可変インダクタンスとして使用する方法,同素子を含んだデバイス及び同素子のコントロール方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3839002A1 (en) | 2019-12-20 | 2021-06-23 | Bostik Sa | Hot-melt adhesive composition |
-
1988
- 1988-01-22 JP JP63012953A patent/JPH0812962B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6623797B2 (en) | 1997-05-30 | 2003-09-23 | Alcoa Inc. | Method for coating metal strip |
| WO2005091316A1 (fr) * | 2004-02-27 | 2005-09-29 | Centre National De La Recherche Scientifique (Cnrs) | Composants supraconducteurs en couches minces a inductance accordable procede de realisation et dispositifs incluant de tels composants |
| JP2007525032A (ja) * | 2004-02-27 | 2007-08-30 | セントレ ナショナル デ ラ レチャーチェ シャーティフィック | 同調可能なインダクタンス特性を有する薄層型超伝導体部品、同超伝導体部品の製造方法及び同超伝導体部品を含んだデバイス |
| US7633356B2 (en) | 2004-02-27 | 2009-12-15 | Centre National De La Recherche Scientifique | Tunable-inductance thin-layered superconductor components, method for the production thereof and devices including said components |
| JP2008527732A (ja) * | 2005-01-17 | 2008-07-24 | セントレ ナショナル デ ラ レチャーチェ シャーティフィック | 積み重ねられた薄層状の超伝導素子を可変インダクタンスとして使用する方法,同素子を含んだデバイス及び同素子のコントロール方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0812962B2 (ja) | 1996-02-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |