JPH01190119A - 波形変換回路 - Google Patents

波形変換回路

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JPH01190119A
JPH01190119A JP63015450A JP1545088A JPH01190119A JP H01190119 A JPH01190119 A JP H01190119A JP 63015450 A JP63015450 A JP 63015450A JP 1545088 A JP1545088 A JP 1545088A JP H01190119 A JPH01190119 A JP H01190119A
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emitter
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    • G05F3/16Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
    • G05F3/20Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
    • G05F3/26Current mirrors
    • G05F3/265Current mirrors using bipolar transistors only
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    • H03K5/08Shaping pulses by limiting; by thresholding; by slicing, i.e. combined limiting and thresholding
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、例えば赤外線リモコンの受光回路においてキ
ャリア信号の除去等を行う波形変換回路に関するもので
ある。
〔従来の技術〕
従来の波形変換回路を第3図及び第4図に基づいて説明
する。
第3図に示す波形変換回路は、赤外線リモコンの受光回
路において、100%AM変調されたパルス位置変調信
号からキャリア信号を除去するための回路である。
第4図に示すような1000”のデータを送る場合、図
示しない赤外線リモコンでは、このデータを示すパルス
位置変調信号が38k)lzのキャリア信号により10
0%のAM変調を行われて発信される。受光回路では、
これを受光して入力信号電圧y inとする。この入力
信号電圧V i Rは、第1エミッタフォロワ回路11
と第2エミッタフォロワ回路12とにそれぞれ入力され
る。第1エミ7タフオロワ回路11は、エミッタフォロ
ワのトランジスタQ2□からなり、エミッタ側に第1定
電)ζ− 流回路13を接続して定電流I11を供給することによ
り、入力信号電圧V i nのインピーダンス変換を行
う。第2エミッタフォロワ回路12は、エミッタフォロ
ワのトランジスタQ0からなり、エミッタ側に抵抗R1
1を介して第2定電流回路14を接続し定電流11□を
供給することにより、人力信号電圧■、のインピーダン
ス変換を行う。また、これらの定電流回路13・14が
供給する定電流Ill・■1□は、レベルを揃えるため
に、同じ電流値になるように設定されている。このため
、第2エミッタフォロワ回路12では、入力信号電圧■
1の波形が抵抗R0における電圧降下分だけレベルシフ
トされて出力されることになる。なお、この抵抗Rl 
1での電圧降下は、出力側に流れる電流を無視すれば一
定と考えることができる。
第1エミ7タフオロワ回路11の出力は、第1積分回路
15を介して比較回路16のマイナス入力に送られる。
第1積分回路15は、抵抗RI!及びコンデンサCI+
からなり、入力信号電圧viRの波形を積分するもので
ある。そして、この第1積分回路15は、時定数が長い
ので、入力レベルを示すほぼ一定の信号を出力する。第
2エミッタフォロワ回路12の出力は、抵抗R13を介
して比較回路16のプラス入力に送られる。比較回路1
6では、第4図に示すこれらの入力■■を比較して、レ
ベルシフトされた入力信号電圧v0が第1積分回路15
の出力信号レベルを超えた場合に高レベルとなる2植体
号を出力する。この比較回路16の出力は、第2積分回
路17を介して送り出され、波形変換回路の出力信号電
圧■。□となる。
第2積分回路17は、コンデンサC+zからなり、比較
回路16の出力を積分する。このため、出力信号電圧■
。、は、第4図に示すように、もとのパルス位置度1M
体号となり、キャリア信号を除去することができる。
(発明が解決しようとする問題点) ところが、このような従来の波形変換回路では、第1積
分回路15の時定数を長くとるために、例えば10μF
程度の容量の大きなコンデンサC1が必要となる。そし
て、このように容量の大きなコンデンサC11を得るに
は、電解コンデンサが必要となる。このため、波形変換
回路を集積化した場合にも、外付けされたこの電解コン
デンサが受光回路の小型化を困難にし、しかも、この電
解コンデンサの価格及び接続工数が受光回路のコストダ
ウンの障害になるという問題点を有していた。
また、第1積分回路15における抵抗R12の抵抗値を
大きくすれば、コンデンサC11の容量を小さ(しても
、同じ時定数を得ることができる。しかしながら、抵抗
値を太き(して容量を小さくすれば、第1積分回路15
のインピーダンスが上昇する。そこで、第1定電流回路
13が供給する定電流I11を少なくすると、これに従
って第2定電流回路14が供給する定電流1.□も少な
(しなければならない。このため、第2エミッタフォロ
ワ回路12において所定のレベルシフト電圧を得るには
、抵抗R0の抵抗値を大きくする必要が生じる。従って
、波形変換回路を集積化する場合、抵抗R11が大きい
抵抗値を得るためにチップ上の広い面積を占有すること
になるので、集積化が困難になるという問題点も生じて
いた。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明に係る波形変換回路は、上記問題点を解決するた
めに、エミッタ側にそれぞれ第1定電流手段及び第2定
電流手段を設け、入力信号電圧をそれぞれ独立にインピ
ーダンス変換する第1エミッタフォロワ回路及び第2エ
ミッタフォロワ回路と、第1エミッタフォロワ回路の出
力電圧を積分する第1積分回路と、この第1積分回路の
出力と第2エミッタフォロワ回路の出力とを比較する比
較回路と、この比較回路の出力電圧を積分する第2積分
回路とからなる波形変換回路において、第1定電流手段
によって第1エミッタフォロワ回路に流れる電流が、第
2定電流手段によって第2エミッタフォロワ回路に流れ
る電流よりも少ない値に設定されたことを特徴としてい
る。
〔作 用〕
上記構成により第1エミッタフォロワ回路に流れる定電
流が第2エミ7タフオロワ回路に流れる定電流よりも少
ない値になると、これらの定電流の比に基づいて、各エ
ミッタフォロワ回路を構成するトランジスタにおけるベ
ース−エミッタ間電圧に差が生じる。そこで、第1定電
流手段と第2定電流手段とによって供給される定電流の
比を適当に設定すれば、このベース−エミッタ間電圧の
差によってレベルシフト電圧を作り出すことができる。
このため、従来の波形変換回路における第2エミッタフ
ォロワ回路12の抵抗R11が必要な(なる。
また、このように定電流の比を設定すれば、第2定電流
手段が供給する定電流を従来の第2定電流回路14が供
給する定電流と同じ値にしても、第1定電流手段が供給
する定電流をこれより小さくすることができる。このた
め、第1積分回路のインピーダンスを高くすることがで
きるので、時定数を維持したままでコンデンサの容量を
小さ(することができる。従って、この第1積分回路の
コンデンサを例えば比較的小型安価なセラミックチップ
コンデンサ等で構成することができるようになる。
〔実施例〕
本発明の一実施例を第1図及び第2図に基づいて説明す
れば、以下の通りである。
本実施例の波形変換回路は、集積回路によって構成され
る。
波形変換回路は、第1図に示すように、入力信号電圧V
 (、を第1エミッタフォロワ回路1と第2エミッタフ
ォロワ回路2とにおけるnpn)ランジスタQ、・Q2
のベースにそれぞれ入力するようになっている。これら
のnpn)ランジスタQ。
・Qtは、コレクタを共に電源VCCに接続され、エミ
ダタにそれぞれ第1定電流回路3と第2定電流回路4と
を接続して、それぞれエミッタフォロワ回路を構成して
いる。第1定電流回路3と第2定電流回路4とは、それ
ぞれ定電流■1 ・■2を供給する回路である。ただし
、第1定電流回路3が供給する定電流1.は、第2定電
流回路4が供給する定電流I2よりも少ない値に設定さ
れている。
これらの第1定電流回路3及び第2定電流回路4の一例
を第2図に基づいて簡単に説明する。
トランジスタQ3 ・Q4のカレントミラー回路は、こ
れらの定電流回路3・4の起動回路を構成する。即ち、
電源VCCが印加されると、抵抗R4を介してトランジ
スタQ3に電流が流れる。すると、カレントミラー回路
によりトランジスタQ4にも同じ大きさの電流が流れる
。しかしながら、−旦電流が流れると、エミッタ側の抵
抗R3で電圧降下が発生し、トランジスタQ、がこの電
流を流せなくなり停止する。この動作により、回路が起
動する。
トランジスタQ s −Q 9の各カレントミラー回路
は、これらの定電流回路3・40本体をなす。
前記起動回路により電流が流れると、トランジスタQ5
〜Q7のカレントミラー回路により、同じ大きさの電流
がトランジスタQ、・Q、にそれぞれ流れる。しかしな
がら、トランジスタQ、におけるエミッタ面積は、トラ
ンジスタQ、におけるエミッタ面積の10倍となるよう
に設定されているので、このトランジスタQ、における
ベース−エミッタ間電圧は、トランジスタQ、における
ベース−エミッタ間電圧よりも小さくなる。ここで、こ
れらのトランジスタQ、・Q、を流れる電流は、このベ
ース−エミッタ間電圧の差を抵抗R6の抵抗値で除した
値となる。従って、この電流は、電源■。、に依存せず
、抵抗R6の抵抗値によって定まることになる。
従って、トランジスタQIOを介して同じ大きさの定電
流Iが流れると、トランジスタQllとのカレントミラ
ー回路により、トランジスタQ12にもこれと同じ大き
さの定電流■2が流れる。そして、この定電流Izを供
給する回路が第2定電流回路4を構成することになる。
また、トランジスタQ、3にも定電流■1が流れるが、
この定電流I。
は、定電流I!より小さ(、これらの比が抵抗R1での
電圧降下によって定まる一定値となる。そして、この定
電流■1を供給する回路が第1定電流回路3を構成する
ことになる。
第1図に示すように、第1エミッタフォロワ回路1の出
力は、第1積分回路5を介して比較回路6のマイナス入
力に接続している。第1積分回路5は、抵抗R2及びコ
ンデンサC1からなり、波形を積分する回路である。第
3図に示した従来の第1積分回路15では、コンデンサ
C11として、10μF程度の電解コンデンサを用いて
いた。しかしながら、本実施例の第1積分回路5におけ
るコンデンサCIは、0.1μF程度の小型のセラミッ
クチップコンデンサを用いている。ただし、第1積分回
路5の時定数は従来と同様の長さが必要なので、コンデ
ンサCIの容量を小さくする代わりに抵抗R2の抵抗値
を大きくしている。このため、第1積分回路5は、イン
ピーダンスが上昇するが、前述のようにその分だけ第1
定電流回路3が供給する定電流11を少なくしている。
第2エミッタフォロワ回路2の出力は、抵抗R1を介し
て比較回路6のプラス入力に接続している、比較回路6
の入力は、高インピーダンスではあるが、有限の値を持
つ。このため、マイナス入力側の第1積分回路15とバ
ランスをとるために抵抗R1が挿入されている。
比較回路6は、再入力を比較して、プラス入力がマイナ
ス入力を超えた場合に高レベルとなる2植体号を出力す
る回路である。この比較回路6の出力は、第2積分回路
7に接続されている。第2積分回路7は、コンデンサC
tからなり、比較回路6の出力を積分する回路である。
そして、この第2積分回路7の出力が波形変換回路の出
力となり、ここから出力信号電圧■。□が出力されるこ
とになる。
上記構成の波形変換回路の動作を説明する。
入力信号電圧V inは、各エミッタフォロワ回路1・
2において、エミッタフォロワを構成するnpn)ラン
ジスタQl ’ Qzのベースに入力され、インピーダ
ンス変換される。ただし、この際、第1定電流回路3が
供給する定電流11は、第2定電流回路4が供給する定
電流12よりも少ない値に設定されている。このため、
各npnトランジスタQ1 ・Q2のベース−エミッタ
間電圧に差が生じる舎即ち、npnトランジスタQ1 
・Q。
のベース−エミッタ逆方向飽和電流をそれぞれIEOI
  −1zozとし、サーマルボルテージVTとすると
、各ベース−エミッタ間電圧VIEI 、Vvtzは、
次式■・■のように表される。
Vmt+ =Vt In (1+ / Izo+ ) 
 −■Vmzz −Vt In (It / Itoz
 )  −■なお、サーマルボルテージ7丁は、電子′
g1荷をq、ポルツマン定数をk、絶対温度をTとする
と、次式で示されるものである。
Vt−に−T/q そして、各npn)ランジスタQ1 ・Q、は、集積回
路に組み込まれるので、■ア。+”ttozの関係を容
易に得ることができる。従って、式■と弐〇との差をと
ると、次式〇のようになる。
Vmtz −Vvz+ =Vt In (It / l
 I)・・・■つまり、定電流It と定電流1つとが
異なると、これらの比に基づいて各npn )ランジス
タQl・Qtのベース−エミッタ間電圧に差が生じるこ
とになる。そして、このベース−エミッタ間電圧の差は
、第1エミッタフォロワ回路lに対する第2エミッタフ
ォロワ回路2のレベルシフト電圧とすることができる。
従って、この弐〇から、定電流Itの値を定電流I2よ
り少ない適当な値に設定することにより、所定のレベル
シフト電圧を得ている。なお、これにより、従来の第2
エミッタフォロワ回路12に設けたレベルシフトのため
の抵抗R0が必要なくなる。
第1エミッタフォロワ回路lの出力は、第1積分回路5
を介して比較回路6のマイナス入力に送られる。第1積
分回路5は、コンデンサCIの容量が小さくなっている
が、時定数は従来と同様に長く設定されているので、入
力レベルを示すほぼ一定の信号を出力する。また、第2
エミッタフォロワ回路2は、前述のように入力信号電圧
V iaをレベルシフトして、抵抗R1を介し比較回路
6のプラス入力に送る。このため、比較回路6の再入力
は、第4図に示したものと同様の信号となる。
従って、以下は従来と同様に、比較回路6の出力が第2
積分回路7に送られ、出力信号電圧■。。
とじて波形変換回路から出力されることになる。
そして、この出力信号電圧■。□は、もとのパルス位置
変調信号となり、キャリア信号を除去することができる
以上の構成により、第1積分回路5におけるコンデンサ
C1を小型かつ安価で組付は容易なセラミックチップコ
ンデンサで構成することができる。また、レベルシフト
のために従来用いた抵抗R0が不要になるので、波形変
換回路の集積化の障害となることもない。
〔発明の効果〕
本発明に係る波形変換回路は、以上のように、エミッタ
側にそれぞれ第1定電流手段及び第2定電流手段を設け
、入力信号電圧をそれぞれ独立にインピーダンス変換す
る第1エミッタフォロワ回路及び第2エミッタフォロワ
回路と、第1エミッタフォロワ回路の出力電圧を積分す
る第1積分回路と、この第1積分回路の出力と第2エミ
ッタフォロワ回路の出力とを比較する比較回路と、この
比較回路の出力電圧を積分する第2積分回路とからなる
波形変換回路において、第1定電流手段によって第1エ
ミッタフォロワ回路に流れる電流が、第2定電流手段に
よって第2エミッタフォロワ回路に流れる電流よりも少
ない値に設定された構成をなしている。
これにより、第1定電流手段が供給する定電流を少なく
することができるので、第1積分回路におけるコンデン
サの容量を小さくすることができる。また、各定電流手
段が供給する定電流の比に基づいてレベルシフト電圧を
作り出すことができるので、従来第2エミッタフォロワ
回路に設けていたレベルシフト用の抵抗が必要なくなる
従って、本発明の波形変換回路は、第1積分回路におけ
るコンデンサに小型で安価かつ組付は容易なのものとす
ることができるので、装置を小型化し製造コストを低減
することができるという効果を奏する。なお、第2エミ
ッタフォロワ回路におけるレベルシフト用の抵抗も不要
になるので、このように第1積分回路のコンデンサに小
容量のものを用いても、回路を集積化する際の障害にな
るようなことがない。
【図面の簡単な説明】
第1図乃至第2図は本発明の一実施例を示すものであっ
て、第1図は波形変換回路の回路図、第2図は定電流回
路の回路図である。第3図は従来例を示すものであって
、波形変換回路の回路図である。第4図は波形変換回路
の動作を示すためのタイムチャートである。 1は第1エミッタフォロワ回路、2は第2エミッタフォ
ロワ回路、3は第1定電流回路(第1定電流手段)、4
は第2定電流回路(第2定電流手段)、5は第1積分回
路、6は比較回路、7は第2積分回路である。 X 1 図 X 2 図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、エミッタ側にそれぞれ第1定電流手段及び第2定電
    流手段を設け、入力信号電圧をそれぞれ独立にインピー
    ダンス変換する第1エミッタフォロワ回路及び第2エミ
    ッタフォロワ回路と、第1エミッタフォロワ回路の出力
    電圧を積分する第1積分回路と、この第1積分回路の出
    力と第2エミッタフォロワ回路の出力とを比較する比較
    回路と、この比較回路の出力電圧を積分する第2積分回
    路とからなる波形変換回路において、第1定電流手段に
    よって第1エミッタフォロワ回路に流れる電流が、第2
    定電流手段によって第2エミッタフォロワ回路に流れる
    電流よりも少ない値に設定されたことを特徴とする波形
    変換回路。
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