JPH0119209B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0119209B2 JPH0119209B2 JP17037380A JP17037380A JPH0119209B2 JP H0119209 B2 JPH0119209 B2 JP H0119209B2 JP 17037380 A JP17037380 A JP 17037380A JP 17037380 A JP17037380 A JP 17037380A JP H0119209 B2 JPH0119209 B2 JP H0119209B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass tube
- insulation resistance
- reed switch
- manufacturing
- conduction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Manufacture Of Switches (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高絶縁抵抗を必要とするリードスイツ
チの製造方法に関する。
チの製造方法に関する。
例えば絶縁抵抗が1014Ω（オーム）程度を必要
とするリードスイツチの場合、従来の製造方法で
は109〜1012Ω程度に分布し、この要求を満足さ
せることが困難であつた。
とするリードスイツチの場合、従来の製造方法で
は109〜1012Ω程度に分布し、この要求を満足さ
せることが困難であつた。
即ち、リード片が封着するガラス管はそれ単体
の絶縁抵抗は通常1015Ω以上あるが、次の理由に
より109〜1012Ω程度になる。
の絶縁抵抗は通常1015Ω以上あるが、次の理由に
より109〜1012Ω程度になる。
１ 外壁伝導
ガラス成分にはアルカリ（Na2O、K2O）が
含まれており、このアルカリが空気中の水分を
吸収し溶解する。そして電圧印加によつてアル
カリがイオン化するためアルカリイオンによる
伝導が起る。
含まれており、このアルカリが空気中の水分を
吸収し溶解する。そして電圧印加によつてアル
カリがイオン化するためアルカリイオンによる
伝導が起る。
２ 内壁伝導
外壁伝導と同じ現象でガラス管内に含まれる
水分を吸収しアルカリ伝導が起る。
水分を吸収しアルカリ伝導が起る。
その他汚れなどによつても絶縁抵抗が下る。
本発明は以上の絶縁抵抗低下を防ぎ、1014Ω
以上の高絶縁抵抗リードスイツチが得られる製
造方法を提供するものである。
以上の高絶縁抵抗リードスイツチが得られる製
造方法を提供するものである。
この目的はガラス管表面のアルカリイオンを
塩酸により除去した後、該ガラス管にリード片
を封着し、しかる後該ガラス管外表面に絶縁性
樹脂を被覆硬化させてなる高絶縁抵抗リードス
イツチの製造方法によつて達成できる。
塩酸により除去した後、該ガラス管にリード片
を封着し、しかる後該ガラス管外表面に絶縁性
樹脂を被覆硬化させてなる高絶縁抵抗リードス
イツチの製造方法によつて達成できる。
すなわち、本発明では外壁伝導に関してはア
ルカリイオンの塩酸による除去およびシリコン
樹脂等の絶縁性樹脂をガラス管外表面に被覆硬
化させることによりアルカリイオンあるいは周
囲ふん囲気の汚れ等により起る伝導を防止し、
安定な絶縁抵抗を得る。又、内壁伝導に関して
は内壁表面のアルカリイオンを塩酸によつて除
去し、該内壁表面のシリコン濃度を高めること
でアルカリ伝導を防止するものである。
ルカリイオンの塩酸による除去およびシリコン
樹脂等の絶縁性樹脂をガラス管外表面に被覆硬
化させることによりアルカリイオンあるいは周
囲ふん囲気の汚れ等により起る伝導を防止し、
安定な絶縁抵抗を得る。又、内壁伝導に関して
は内壁表面のアルカリイオンを塩酸によつて除
去し、該内壁表面のシリコン濃度を高めること
でアルカリ伝導を防止するものである。
以下、本発明の実施例を図面により説明する。
第１図は本発明に係る製造方法を順に示すブロ
ツク図であり、１はガラス管のアルカリイオン除
去工程、２はガラス管洗浄工程、３は封止工程、
４は端子処理工程、５はガラス管外表面処理工程
を示し、該処硫理工程５の後第２図の如き本発明
に係る高絶縁抵抗リードスイツチが得られる。
ツク図であり、１はガラス管のアルカリイオン除
去工程、２はガラス管洗浄工程、３は封止工程、
４は端子処理工程、５はガラス管外表面処理工程
を示し、該処硫理工程５の後第２図の如き本発明
に係る高絶縁抵抗リードスイツチが得られる。
アルカリイオン除去工程１は封止前のガラス管
を塩酸中に24時間程度浸漬させる工程である。ガ
ラス管の成分にはNa2O、K2O（アルカリ）が含
まれており、ガラス管を塩酸中に浸漬すると、こ
のNa2O、K2Oが溶解して、第２図に示す如くガ
ラス管６の内表面に高絶縁抵抗を示す高濃度シリ
コン層７が形成される。
を塩酸中に24時間程度浸漬させる工程である。ガ
ラス管の成分にはNa2O、K2O（アルカリ）が含
まれており、ガラス管を塩酸中に浸漬すると、こ
のNa2O、K2Oが溶解して、第２図に示す如くガ
ラス管６の内表面に高絶縁抵抗を示す高濃度シリ
コン層７が形成される。
次にこのように処理されたガラス管６を洗浄工
程２により塩酸の除去を行ない、しかる後通常の
封止工程３で一対のリード片８を封着させる。
程２により塩酸の除去を行ない、しかる後通常の
封止工程３で一対のリード片８を封着させる。
続いて、該リード片８の外表面に端子処理工程
４でニツケル等の金属をめつきして端子処理した
後、処理工程５によりガラス管６表面にシリコン
樹脂被膜９を形成する。
４でニツケル等の金属をめつきして端子処理した
後、処理工程５によりガラス管６表面にシリコン
樹脂被膜９を形成する。
該被膜９は液状のシリコン樹脂中に第２図の状
態のガラス管６を浸漬して、表面にシリコン樹脂
をコーテイングし、しかる後乾燥炉中に通して、
それを乾燥硬化させることにより形成する。尚、
リード片８に被着したシリコン樹脂は乾燥後除去
する。
態のガラス管６を浸漬して、表面にシリコン樹脂
をコーテイングし、しかる後乾燥炉中に通して、
それを乾燥硬化させることにより形成する。尚、
リード片８に被着したシリコン樹脂は乾燥後除去
する。
以上の本発明によればガラス管のアルカリ伝導
および汚れによる絶縁抵抗低下を防ぐことがで
き、1014Ω程度の高絶縁抵抗リードスイツチを製
造することが可能であるなど、その効果は著しい
ものである。
および汚れによる絶縁抵抗低下を防ぐことがで
き、1014Ω程度の高絶縁抵抗リードスイツチを製
造することが可能であるなど、その効果は著しい
ものである。
第１図は本発明に係る製造工程を順に示すブロ
ツク図、第２図は製造された本発明に係るリード
スイツチを示す図である。 〔符号の説明〕、１……アルカリイオン除去工
程、５……ガラス管外表面処理工程、６……ガラ
ス管、７……高濃度シリコン層、８……リード
片、９……シリコン樹脂被膜。
ツク図、第２図は製造された本発明に係るリード
スイツチを示す図である。 〔符号の説明〕、１……アルカリイオン除去工
程、５……ガラス管外表面処理工程、６……ガラ
ス管、７……高濃度シリコン層、８……リード
片、９……シリコン樹脂被膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ガラス管内外表面のアルカリイオンを塩酸に
より除去した後、該ガラス管にリード片を封着
し、しかる後、該ガラス管外表面に絶縁性樹脂を
被覆硬化させてなることを特徴とした高絶縁抵抗
リードスイツチの製造方法。 ２ 前記ガラス管外表面に被覆硬化される絶縁性
樹脂はシリコン樹脂であることを特徴とした特許
請求の範囲第１項記載の高絶縁抵抗リードスイツ
チの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17037380A JPS5795023A (en) | 1980-12-03 | 1980-12-03 | Method of producing high insulating resistance reed switch |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17037380A JPS5795023A (en) | 1980-12-03 | 1980-12-03 | Method of producing high insulating resistance reed switch |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5795023A JPS5795023A (en) | 1982-06-12 |
| JPH0119209B2 true JPH0119209B2 (ja) | 1989-04-11 |
Family
ID=15903726
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17037380A Granted JPS5795023A (en) | 1980-12-03 | 1980-12-03 | Method of producing high insulating resistance reed switch |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5795023A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102019100261B4 (de) | 2019-01-08 | 2020-10-01 | Schott Ag | Element aus Glas mit verminderter elektrostatischer Aufladung |
-
1980
- 1980-12-03 JP JP17037380A patent/JPS5795023A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5795023A (en) | 1982-06-12 |
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