JPS603769B2 - 電解コンデンサの製造方法 - Google Patents
電解コンデンサの製造方法Info
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- JPS603769B2 JPS603769B2 JP4253178A JP4253178A JPS603769B2 JP S603769 B2 JPS603769 B2 JP S603769B2 JP 4253178 A JP4253178 A JP 4253178A JP 4253178 A JP4253178 A JP 4253178A JP S603769 B2 JPS603769 B2 JP S603769B2
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Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電解コンデンサの製造方法に関し、特に弁作用
を有する金属粉末を所望形状に加圧成形してなるコンデ
ンサェレメントの頂面部より導出された陽極リードへの
半導体層形成部材の這い上り現象を軽減させることを目
的とするものである。
を有する金属粉末を所望形状に加圧成形してなるコンデ
ンサェレメントの頂面部より導出された陽極リードへの
半導体層形成部材の這い上り現象を軽減させることを目
的とするものである。
一般にこの種のコンデンサは例えば第1図に示すように
、タンタル、ニオブ、アルミニウムなどのように弁作用
を有する金属粉末を円柱状に加圧成形し焼結してなるコ
ンデンサェレメントAに予め弁作用を有する金属部材を
陽極リードBとして楯立し、この陽極リードBの突出部
分にL形に屈曲された第1の外部リード部材Cを溶接す
ると共に、第2の外部リード部材Dをコンデンサェレメ
ントAの周面に酸化層、半導体層を介して形成された電
極引出し層Eに半田付けし、然る後、コンデソサヱレメ
ントAを含む主要部分を樹脂材Fにて被覆して構成され
ている。
、タンタル、ニオブ、アルミニウムなどのように弁作用
を有する金属粉末を円柱状に加圧成形し焼結してなるコ
ンデンサェレメントAに予め弁作用を有する金属部材を
陽極リードBとして楯立し、この陽極リードBの突出部
分にL形に屈曲された第1の外部リード部材Cを溶接す
ると共に、第2の外部リード部材Dをコンデンサェレメ
ントAの周面に酸化層、半導体層を介して形成された電
極引出し層Eに半田付けし、然る後、コンデソサヱレメ
ントAを含む主要部分を樹脂材Fにて被覆して構成され
ている。
ところで、コンデンサェレメントAは陽極り−ドBの突
出部分に第1の外部リード部材Cを溶接するに先立って
、陽極リードBと共に化成処理され、その表面に酸化層
が形成されており、さらにコンデンサェレメントAのみ
を半導体母液に一定時間浸潰した後、200qo以上の
高温雰囲気中において熱分解反応を起させてコンデンサ
ヱレメントAの酸化層上に半導体層が形成されている。
出部分に第1の外部リード部材Cを溶接するに先立って
、陽極リードBと共に化成処理され、その表面に酸化層
が形成されており、さらにコンデンサェレメントAのみ
を半導体母液に一定時間浸潰した後、200qo以上の
高温雰囲気中において熱分解反応を起させてコンデンサ
ヱレメントAの酸化層上に半導体層が形成されている。
しかし乍ら、この熱分解工程において、高温雰囲気中に
挿入されたコンデンサェレメントAはそれ自身の温度が
急激に上昇し、内部に含浸された半導体母液が熱分解反
応を起し内部より水蒸気、窒素酸化物などの分解ガスが
表面層に吹き出してくるために、表面層における熱分解
途中の半導体母液層に気泡が生じ、これが陽極リードB
の突出部分に付着していわゆる半導体層形成部材の這い
上りを構成する。通常、半導体母液の含浸被着−熱分解
操作はコンデンサェレメントAが多孔質であることに鑑
み数回以上繰り返される関係で、熱分解回数の増加によ
って半導体層形成部材の這い上りもさらに進行する煩向
にある。従って、陽極リードBの突出部分に第1の外部
リード部材Cを港懐する際に、第1の外部リード部材C
と這い上った半導体層とが接触して陰極と陽極とが短絡
されてしまい、コンデンサとしての機能を奏しえなくな
るという問題がある。
挿入されたコンデンサェレメントAはそれ自身の温度が
急激に上昇し、内部に含浸された半導体母液が熱分解反
応を起し内部より水蒸気、窒素酸化物などの分解ガスが
表面層に吹き出してくるために、表面層における熱分解
途中の半導体母液層に気泡が生じ、これが陽極リードB
の突出部分に付着していわゆる半導体層形成部材の這い
上りを構成する。通常、半導体母液の含浸被着−熱分解
操作はコンデンサェレメントAが多孔質であることに鑑
み数回以上繰り返される関係で、熱分解回数の増加によ
って半導体層形成部材の這い上りもさらに進行する煩向
にある。従って、陽極リードBの突出部分に第1の外部
リード部材Cを港懐する際に、第1の外部リード部材C
と這い上った半導体層とが接触して陰極と陽極とが短絡
されてしまい、コンデンサとしての機能を奏しえなくな
るという問題がある。
それ故に、従来にあっては第2図〜第3図に示すように
、コンデンサェレメントAの頂面部にテフロン(商標名
)ワッシャGを、それの中心孔に陽極リードBを挿適す
るようにして装着した構成が採用されている。
、コンデンサェレメントAの頂面部にテフロン(商標名
)ワッシャGを、それの中心孔に陽極リードBを挿適す
るようにして装着した構成が採用されている。
この方法によれば、陽極リードBの突出部分における半
導体層の這い上り現象を効果的に抑制できる反面、作業
性が悪い上、極めて多大の工数を要するために量産性に
乏しいという欠点がある。本発明はこのような点に鑑み
、半導体層の陽極リードへの這い上り防止効果を何ら顔
なうことなく、作業性を著しく改善しうる電解コンデン
サの製造方法を提供するもので、以下具体的実施例につ
いて第4図を参照して説明する。
導体層の這い上り現象を効果的に抑制できる反面、作業
性が悪い上、極めて多大の工数を要するために量産性に
乏しいという欠点がある。本発明はこのような点に鑑み
、半導体層の陽極リードへの這い上り防止効果を何ら顔
なうことなく、作業性を著しく改善しうる電解コンデン
サの製造方法を提供するもので、以下具体的実施例につ
いて第4図を参照して説明する。
まず、同図aに示すように、弁作用を有する金属粉末を
円柱状に加圧成形し競結してなるコンヂンサェレメント
ーに予め弁作用を有する金属部村を陽極リード2として
楯立する。
円柱状に加圧成形し競結してなるコンヂンサェレメント
ーに予め弁作用を有する金属部村を陽極リード2として
楯立する。
そしてこのコンデンサェレメントーを液体3例えば水に
浸潰し、内部に水を含浸させる。尚、液体3は水の他、
アルコール・ァセトンなどの有機溶剤も使用できるが、
経済性の点では水が好適する。次に同図bに示すように
、絶縁性粉末例えば三井フロロケミカル株式会社製の商
品名テフロンFEP(T−120)なる熱可塑性のテフ
ロン樹脂粉末を水に表面活性剤を用いて分散させた液4
′に、コンデンサェレメントーをそれの頂面部laが完
全に浸潰されるように浸債する。この分散液4′の液体
は水の他、有機溶剤なども使用できるが、経済性の点で
は水が好適する。そして一定時間経過後、コンデンサェ
レメント1を引き上げると、同図cに示すようにそれの
頂面部laにはテフロン樹脂粉末液4′が被着される。
尚、この際、コンデンサェレメントーの頂面部laを除
く周面にも液4′が若干被着されるが、コンデンサェレ
メント1に水が含浸されているので、液4′のコンデン
サェレメント内への侵入を防止できる。次に同図dに示
すように、コンデンサェレメント1を洗浄液5例えば水
に、頂面部laが浸潰されないように浸簿し、周面部に
被着されている液4′を除去する。次に同図eに示すよ
うに、コンデンサヱレメント1を例えばヒータ6を用い
た加熱炉内に挿入すると「頂両部laに被着されている
液4′におけるテフロン樹脂粉末は溶融し繊密化される
。次に同図fに示すように、コンデンサェレメントーの
周面に通常の方法によって酸化層、半導体層を介して電
極引出し層7を形成する。そして陽極リード2の突出部
分に第1の外部リード部村8を溶接すると共に、第2の
外部リード部材9を電極引出し層7に半田付けする。然
る後、コンデンサヱレメント1を含む主要部分を樹脂材
10にて被覆して電解コンデンサを得る。このようにコ
ンデンサヱレメント1の頂薗部laへのテフロン樹脂4
の被着はテフロン樹脂粉末を水に分散させてなる液4′
にコンデンサェレメント1を単に浸潰し引き上げること
によって確実に行われているので、従来のテフロンワッ
シャを装着する方法に比し、作業性を著しく改善できる
。
浸潰し、内部に水を含浸させる。尚、液体3は水の他、
アルコール・ァセトンなどの有機溶剤も使用できるが、
経済性の点では水が好適する。次に同図bに示すように
、絶縁性粉末例えば三井フロロケミカル株式会社製の商
品名テフロンFEP(T−120)なる熱可塑性のテフ
ロン樹脂粉末を水に表面活性剤を用いて分散させた液4
′に、コンデンサェレメントーをそれの頂面部laが完
全に浸潰されるように浸債する。この分散液4′の液体
は水の他、有機溶剤なども使用できるが、経済性の点で
は水が好適する。そして一定時間経過後、コンデンサェ
レメント1を引き上げると、同図cに示すようにそれの
頂面部laにはテフロン樹脂粉末液4′が被着される。
尚、この際、コンデンサェレメントーの頂面部laを除
く周面にも液4′が若干被着されるが、コンデンサェレ
メント1に水が含浸されているので、液4′のコンデン
サェレメント内への侵入を防止できる。次に同図dに示
すように、コンデンサェレメント1を洗浄液5例えば水
に、頂面部laが浸潰されないように浸簿し、周面部に
被着されている液4′を除去する。次に同図eに示すよ
うに、コンデンサヱレメント1を例えばヒータ6を用い
た加熱炉内に挿入すると「頂両部laに被着されている
液4′におけるテフロン樹脂粉末は溶融し繊密化される
。次に同図fに示すように、コンデンサェレメントーの
周面に通常の方法によって酸化層、半導体層を介して電
極引出し層7を形成する。そして陽極リード2の突出部
分に第1の外部リード部村8を溶接すると共に、第2の
外部リード部材9を電極引出し層7に半田付けする。然
る後、コンデンサヱレメント1を含む主要部分を樹脂材
10にて被覆して電解コンデンサを得る。このようにコ
ンデンサヱレメント1の頂薗部laへのテフロン樹脂4
の被着はテフロン樹脂粉末を水に分散させてなる液4′
にコンデンサェレメント1を単に浸潰し引き上げること
によって確実に行われているので、従来のテフロンワッ
シャを装着する方法に比し、作業性を著しく改善できる
。
しかも、コンデンサェレメント1への液4′の被着に先
立って、コンデンサェレメント1には液体3が含浸され
ているので、液4′の被着時にそれの頂面部laにはよ
く被着されるものの、頂面部laを除く周面には余り被
着されない。
立って、コンデンサェレメント1には液体3が含浸され
ているので、液4′の被着時にそれの頂面部laにはよ
く被着されるものの、頂面部laを除く周面には余り被
着されない。
これがために、周囲に被着した不所望の液4′の洗浄除
去を簡単に行うことができる。尚、コンデンサェレメン
ト1に液体3を含浸しない場合にはコンデンサェレメン
ト1のテフロン樹脂粉末液4′への浸債時に、液4′が
コンデンサェレメント1の多孔都内に浸入被着される。
一旦、孔内に入った液4′のうち、テフロン樹脂粉末は
除去に多大の工数と時間を要するし、充分に除去しない
と所望の静電容量が得られなくなる。又、コンデンサェ
レメントーの頂面部laにおける液4′は加熱操作によ
ってテフロン樹脂粉末が溶融され繊密化されるので、半
導体母液の含浸一熱分解工程における半導体層形成部材
の陽極リード2への這い上りを確実に防止できる。
去を簡単に行うことができる。尚、コンデンサェレメン
ト1に液体3を含浸しない場合にはコンデンサェレメン
ト1のテフロン樹脂粉末液4′への浸債時に、液4′が
コンデンサェレメント1の多孔都内に浸入被着される。
一旦、孔内に入った液4′のうち、テフロン樹脂粉末は
除去に多大の工数と時間を要するし、充分に除去しない
と所望の静電容量が得られなくなる。又、コンデンサェ
レメントーの頂面部laにおける液4′は加熱操作によ
ってテフロン樹脂粉末が溶融され繊密化されるので、半
導体母液の含浸一熱分解工程における半導体層形成部材
の陽極リード2への這い上りを確実に防止できる。
従って、第1の外部リード部材8の陽極IJ−ド2への
溶接時における陽極と陰極との短絡を皆無にでき、品質
を向上できる。さらには第1の外部リード部材8の陽極
リード2への溶接時における溶接火花によって、頂面部
laにおける半導体層、酸化層が損なわれる傾向にある
が、この実施例によれば、テフロン樹脂4が繊密に被着
されているのでかかるトラブルを完全に防止できる。
溶接時における陽極と陰極との短絡を皆無にでき、品質
を向上できる。さらには第1の外部リード部材8の陽極
リード2への溶接時における溶接火花によって、頂面部
laにおける半導体層、酸化層が損なわれる傾向にある
が、この実施例によれば、テフロン樹脂4が繊密に被着
されているのでかかるトラブルを完全に防止できる。
コンデンサヱレメントlの頂面部laへのテフロン樹脂
層4の形成は上述のように酸化層の形成前に行う他、例
えば形成後に行うこともできる。
層4の形成は上述のように酸化層の形成前に行う他、例
えば形成後に行うこともできる。
即ち、コンデンサェレメント1に化成処理によって酸化
層を形成した後、コンデンサェレメント1を洗浄液にて
洗浄し乾燥する。そして、コンデンサェレメント1を液
体に浸潰して内部に液体を含浸させる。尚、洗浄液とし
て水を用いる場合には乾燥並びに次工程の含浸操作を省
略できる。そして上記実施例と同様の方法にてコンデン
サェレメント1の頂両部laにテフロン樹脂粉末を主体
とする液4′を被着する。そして、このコンデソサェレ
メント1を加熱炉に入れ、テフロン樹脂粉末を繊密化す
る。この際、加熱温度を半導体母液の熱分解温度以上例
えば具体的には250qo以上に設定し、40分程度加
熱することによってアニール効果が得られる。そして再
化成処理する。この実施例によれば、酸化層の形成後に
テフロン樹脂4が被着されるために、酸化層の形成面積
を増加できる。
層を形成した後、コンデンサェレメント1を洗浄液にて
洗浄し乾燥する。そして、コンデンサェレメント1を液
体に浸潰して内部に液体を含浸させる。尚、洗浄液とし
て水を用いる場合には乾燥並びに次工程の含浸操作を省
略できる。そして上記実施例と同様の方法にてコンデン
サェレメント1の頂両部laにテフロン樹脂粉末を主体
とする液4′を被着する。そして、このコンデソサェレ
メント1を加熱炉に入れ、テフロン樹脂粉末を繊密化す
る。この際、加熱温度を半導体母液の熱分解温度以上例
えば具体的には250qo以上に設定し、40分程度加
熱することによってアニール効果が得られる。そして再
化成処理する。この実施例によれば、酸化層の形成後に
テフロン樹脂4が被着されるために、酸化層の形成面積
を増加できる。
特にテフロン樹脂粉末の溶融とアニールとを兼ねさせれ
ば一回の加熱処理によってアニール効果を期待できる。
尚、本発明は何ら上記実施例にのみ制約されることなく
、例えば陽極リードはコンデンサェレメントに植立する
他、その表面に溶接することもできるし、その材質も弁
作用を有する金属部材のみに制約されない。又、絶縁性
粉末はテフロンの他、ェポキシ樹脂なども使用しうる。
さらには含浸液体は水の他、有機溶剤なども利用できる
。以上のように本発明によれば、半導体層の陽極リード
への這い上りを確実に防止できる上、作業性をも著しく
改善できる。
ば一回の加熱処理によってアニール効果を期待できる。
尚、本発明は何ら上記実施例にのみ制約されることなく
、例えば陽極リードはコンデンサェレメントに植立する
他、その表面に溶接することもできるし、その材質も弁
作用を有する金属部材のみに制約されない。又、絶縁性
粉末はテフロンの他、ェポキシ樹脂なども使用しうる。
さらには含浸液体は水の他、有機溶剤なども利用できる
。以上のように本発明によれば、半導体層の陽極リード
への這い上りを確実に防止できる上、作業性をも著しく
改善できる。
第1図〜第2図は従来例のそれぞれ異つた実施例を示す
正断面図、第3図は第2図の要部分解斜視図、第4図は
本発明方法を説明するための正断面図である。 矛ナ図 才2図 才3図 才4図
正断面図、第3図は第2図の要部分解斜視図、第4図は
本発明方法を説明するための正断面図である。 矛ナ図 才2図 才3図 才4図
Claims (1)
- 1 弁作用を有する金属粉末にて構成し、かつそれの頂
面部より金属部材よりなる陽極リードを導出してなるコ
ンデンサエレメントに、半導体母液の含浸被着−熱分解
工程に先立って、液体を含浸する工程と、コンデンサエ
レメントを絶縁性粉末の分散された絶縁性粉末液に浸漬
し引上げる工程と、コンデンサエレメントの頂面部を除
く周面部に被着された絶縁性粉末液を除去する工程と、
コンデンサエレメントの頂面部上の絶縁性粉末液を加熱
することによって絶縁性粉末を緻密化する工程とを具備
したことを特徴とする電解コンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4253178A JPS603769B2 (ja) | 1978-04-10 | 1978-04-10 | 電解コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4253178A JPS603769B2 (ja) | 1978-04-10 | 1978-04-10 | 電解コンデンサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54134355A JPS54134355A (en) | 1979-10-18 |
| JPS603769B2 true JPS603769B2 (ja) | 1985-01-30 |
Family
ID=12638653
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4253178A Expired JPS603769B2 (ja) | 1978-04-10 | 1978-04-10 | 電解コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS603769B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58120641U (ja) * | 1982-02-12 | 1983-08-17 | エルナ−株式会社 | 固体電解コンデンサ |
| JPS59135715A (ja) * | 1983-01-24 | 1984-08-04 | 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
| JP2711564B2 (ja) * | 1989-04-26 | 1998-02-10 | エルナー 株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
| JPH02309618A (ja) * | 1989-05-24 | 1990-12-25 | Elna Co Ltd | 固体電解コンデンサの製造方法 |
-
1978
- 1978-04-10 JP JP4253178A patent/JPS603769B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54134355A (en) | 1979-10-18 |
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