JPH0119234B2 - - Google Patents
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- JPH0119234B2 JPH0119234B2 JP55152832A JP15283280A JPH0119234B2 JP H0119234 B2 JPH0119234 B2 JP H0119234B2 JP 55152832 A JP55152832 A JP 55152832A JP 15283280 A JP15283280 A JP 15283280A JP H0119234 B2 JPH0119234 B2 JP H0119234B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- surge
- discharge
- voltage
- parallel
- surge absorbing
- Prior art date
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は誘導雷等により生じる高電圧のサージ
を速やかに吸収するサージ耐量の大なるサージ吸
収装置に関する。
を速やかに吸収するサージ耐量の大なるサージ吸
収装置に関する。
放電管型サージ吸収素子はサージ電圧が電極間
に印加されて放電を開始すると、電極間が電気的
に短絡されてサージを吸収する。従来の放電管型
サージ吸収素子は電極を対向させたものをガス封
入しただけの構成である。そのため、製作時にお
ける電極間の距離を決定する操作、またガスを所
定の組成、圧力で封入する操作等におけるバラツ
キによつて、その特性にバラツキが生じやすいと
いう欠点があつた。また、従来の放電管型サージ
吸収素子は第８図の放電電圧−放電時間特性（Ｖ
−ｔ特性）図において示すように、いずれのサー
ジ電圧の急峻さにおいても、放電応答性において
本発明に使用されるギヤツプタイプのサージ吸収
素子に劣つている。たとえば、100V／μsのサー
ジ電圧の立上りでは約5μsの応答性の差があるこ
とがわかる。
に印加されて放電を開始すると、電極間が電気的
に短絡されてサージを吸収する。従来の放電管型
サージ吸収素子は電極を対向させたものをガス封
入しただけの構成である。そのため、製作時にお
ける電極間の距離を決定する操作、またガスを所
定の組成、圧力で封入する操作等におけるバラツ
キによつて、その特性にバラツキが生じやすいと
いう欠点があつた。また、従来の放電管型サージ
吸収素子は第８図の放電電圧−放電時間特性（Ｖ
−ｔ特性）図において示すように、いずれのサー
ジ電圧の急峻さにおいても、放電応答性において
本発明に使用されるギヤツプタイプのサージ吸収
素子に劣つている。たとえば、100V／μsのサー
ジ電圧の立上りでは約5μsの応答性の差があるこ
とがわかる。
サージ吸収素子に印加されるサージ電圧がサー
ジ吸収素子１個のサージ耐量を越えることが予想
される場合にはサージ吸収素子を複数個並列に電
気的に接続してサージ耐量を増加させることにな
るが、第１図に示すように、上記の放電応答性の
劣る電極対向タイプの放電管型サージ吸収素子１
ａを複数個（図では２個）電気的に接続し、Ａ−
A′間、Ａ−A″間に上記のごときサージ電圧が印
加された場合、それらサージ吸収素子１ａ，１ａ
の放電応答性が劣つているために、印加されたサ
ージを同時に吸収できず、一方のサージ吸収素子
にのみサージ電流が流れ、そのためサージ電流の
流れるサージ吸収素子は破壊されて導通状態とな
り、もはやサージ吸収素子としての機能を果たす
ことはできなくなる。従つて、もちろんサージ耐
量を増加させることはできない。
ジ吸収素子１個のサージ耐量を越えることが予想
される場合にはサージ吸収素子を複数個並列に電
気的に接続してサージ耐量を増加させることにな
るが、第１図に示すように、上記の放電応答性の
劣る電極対向タイプの放電管型サージ吸収素子１
ａを複数個（図では２個）電気的に接続し、Ａ−
A′間、Ａ−A″間に上記のごときサージ電圧が印
加された場合、それらサージ吸収素子１ａ，１ａ
の放電応答性が劣つているために、印加されたサ
ージを同時に吸収できず、一方のサージ吸収素子
にのみサージ電流が流れ、そのためサージ電流の
流れるサージ吸収素子は破壊されて導通状態とな
り、もはやサージ吸収素子としての機能を果たす
ことはできなくなる。従つて、もちろんサージ耐
量を増加させることはできない。
本出願人はすでに実願昭55−099449号明細書に
上記の電極対向タイプの放電管型サージ吸収素子
の欠点を改善したサージ吸収素子（以下、先願考
案という）を開示している。このサージ吸収素子
は絶縁体表面に導電性薄膜を付着させ、該導電性
薄膜を線条を介して複数個に分割し、該分割され
た両端の導電性薄膜にそれぞれ電極を固着し、該
電極にそれぞれ電線を電気的に接続させたサージ
吸収体を複数個絶縁性被覆材で囲み、その中にガ
スを封入するという構成をとるものであり、構成
ユニツトであるギヤツプタイプのサージ吸収体は
放電応答性の速いものである。この構成によつ
て、サージ電圧が印加された場合、上記複数個の
サージ吸収体は同時に放電を行なうことが可能と
なつた。しかしながら、このサージ吸収素子では
サージ電圧によつて流れる放電電流のすべてが絶
縁性被覆材の内部を流れるため、そのサージ耐量
に問題が生じた。
上記の電極対向タイプの放電管型サージ吸収素子
の欠点を改善したサージ吸収素子（以下、先願考
案という）を開示している。このサージ吸収素子
は絶縁体表面に導電性薄膜を付着させ、該導電性
薄膜を線条を介して複数個に分割し、該分割され
た両端の導電性薄膜にそれぞれ電極を固着し、該
電極にそれぞれ電線を電気的に接続させたサージ
吸収体を複数個絶縁性被覆材で囲み、その中にガ
スを封入するという構成をとるものであり、構成
ユニツトであるギヤツプタイプのサージ吸収体は
放電応答性の速いものである。この構成によつ
て、サージ電圧が印加された場合、上記複数個の
サージ吸収体は同時に放電を行なうことが可能と
なつた。しかしながら、このサージ吸収素子では
サージ電圧によつて流れる放電電流のすべてが絶
縁性被覆材の内部を流れるため、そのサージ耐量
に問題が生じた。
本発明は上記先願考案の問題点を解決し、誘導
電等により生ずる高電圧のサージを速やかに吸収
することのできるサージ耐量のきわめて大なるサ
ージ吸収装置を提供するもので、その要旨とする
ところは、絶縁体表面に導電性薄膜を付着させ、
該導電性薄膜を線条を介して複数個に分割し、該
分割された両端の導電性薄膜にそれぞれ電極を固
着し、該電極にそれぞれ導線を電気的に接続させ
かつ該電極間にガスを絶縁性被覆材料を介して封
入してなるサージ吸収素子を複数個電気的に並列
に接続したことを特徴とするサージ吸収装置、に
ある。
電等により生ずる高電圧のサージを速やかに吸収
することのできるサージ耐量のきわめて大なるサ
ージ吸収装置を提供するもので、その要旨とする
ところは、絶縁体表面に導電性薄膜を付着させ、
該導電性薄膜を線条を介して複数個に分割し、該
分割された両端の導電性薄膜にそれぞれ電極を固
着し、該電極にそれぞれ導線を電気的に接続させ
かつ該電極間にガスを絶縁性被覆材料を介して封
入してなるサージ吸収素子を複数個電気的に並列
に接続したことを特徴とするサージ吸収装置、に
ある。
次に、本発明を図面を参照して説明する。
第２図はギヤツプタイプの放電管型サージ吸収
素子における電圧−電流特性図、第３図はギヤツ
プタイプのサージ吸収素子を２個並列に電気的に
接続した場合の本発明の一実施例の概念図、第４
図は第３図の実施例の断面図でかつ第５図のＣ−
C′断面図、第５図は第４図のＢ−B′断面図、第６
図は本発明のサージ吸収素子の並列個数とサージ
耐量との関係を示すグラフ図、第７図は第４図の
実施例を絶縁性ケースに収納した場合の一例を示
す断面図、第８図は従来の電極対向タイプの放電
管型サージ吸収素子と本発明に使用されるギヤツ
プタイプのサージ吸収素子の放電時間と放電電圧
との関係を示すグラフ図である。
素子における電圧−電流特性図、第３図はギヤツ
プタイプのサージ吸収素子を２個並列に電気的に
接続した場合の本発明の一実施例の概念図、第４
図は第３図の実施例の断面図でかつ第５図のＣ−
C′断面図、第５図は第４図のＢ−B′断面図、第６
図は本発明のサージ吸収素子の並列個数とサージ
耐量との関係を示すグラフ図、第７図は第４図の
実施例を絶縁性ケースに収納した場合の一例を示
す断面図、第８図は従来の電極対向タイプの放電
管型サージ吸収素子と本発明に使用されるギヤツ
プタイプのサージ吸収素子の放電時間と放電電圧
との関係を示すグラフ図である。
第２図はギヤツプタイプの放電管型サージ吸収
素子が放電を行なう場合の端子電圧と電流との関
係を示す一般的なグラフ図である。すなわち、図
において、ギヤツプタイプの放電管型サージ吸収
素子が放電を開始すると、電流の増加とともに端
子電圧は図に示すように変化し、正規グロー放電
領域ではほぼ定電圧特性を保ち、電流値がさらに
大きくなり異常グロー放電になると、電圧値が短
時間で急激に増加し、次いで遷移領域で電圧値は
急激に小さくなり、アーク放電に移る。
素子が放電を行なう場合の端子電圧と電流との関
係を示す一般的なグラフ図である。すなわち、図
において、ギヤツプタイプの放電管型サージ吸収
素子が放電を開始すると、電流の増加とともに端
子電圧は図に示すように変化し、正規グロー放電
領域ではほぼ定電圧特性を保ち、電流値がさらに
大きくなり異常グロー放電になると、電圧値が短
時間で急激に増加し、次いで遷移領域で電圧値は
急激に小さくなり、アーク放電に移る。
本発明のサージ吸収装置にサージ電圧が印加さ
れた場合を第３図を用いて説明する。すなわち、
並列に電気的に接続された２個のガス封入のギヤ
ツプタイプのサージ吸収素子３ａ，３ａの端子間
のＤ−D′にサージ電圧が印加されると、これら
２個のサージ吸収素子３ａ，３ａのうち、放電応
答性の良好な一方のサージ吸収素子が放電し、Ｄ
−D′間の端子電圧は一旦正規グロー電圧まで降
下し、その後異常グロー放電に伴う端子電圧の上
昇期間があり、この短期間の端子電圧上昇の期間
にもう一つのサージ吸収素子も放電応答性が良好
なために放電を開始するので、かくて該サージの
電流は２つのサージ吸収素子３ａ，３ａに分流さ
れて流れる。
れた場合を第３図を用いて説明する。すなわち、
並列に電気的に接続された２個のガス封入のギヤ
ツプタイプのサージ吸収素子３ａ，３ａの端子間
のＤ−D′にサージ電圧が印加されると、これら
２個のサージ吸収素子３ａ，３ａのうち、放電応
答性の良好な一方のサージ吸収素子が放電し、Ｄ
−D′間の端子電圧は一旦正規グロー電圧まで降
下し、その後異常グロー放電に伴う端子電圧の上
昇期間があり、この短期間の端子電圧上昇の期間
にもう一つのサージ吸収素子も放電応答性が良好
なために放電を開始するので、かくて該サージの
電流は２つのサージ吸収素子３ａ，３ａに分流さ
れて流れる。
この放電機構は上記サージ吸収素子が３個以上
並列にした場合でも同様である。この機構によ
り、サージ電流は分流され、複数個の並列に配置
されたいずれのサージ吸収素子もサージを吸収し
て、サージ耐量が向上する。
並列にした場合でも同様である。この機構によ
り、サージ電流は分流され、複数個の並列に配置
されたいずれのサージ吸収素子もサージを吸収し
て、サージ耐量が向上する。
この機構は本発明で構成ユニツトとして使用さ
れるギヤツプタイプのサージ吸収素子のきわめて
良好な放電応答性によつてのみ可能となるもので
あり、他の放電管型サージ吸収素子では放電応答
性が劣るので異常グロー放電に移る短かい期間で
は放電が起こらず、並列使用には適さない。
れるギヤツプタイプのサージ吸収素子のきわめて
良好な放電応答性によつてのみ可能となるもので
あり、他の放電管型サージ吸収素子では放電応答
性が劣るので異常グロー放電に移る短かい期間で
は放電が起こらず、並列使用には適さない。
本発明において構成ユニツトとして使用される
ギヤツプタイプのサージ吸収素子は上述したよう
に、絶縁体表面に導電性薄膜を付着させ、該導電
性薄膜を線条を介して複数個に分割し、該分割さ
れた両端の導電性薄膜にそれぞれ電極を固着し、
該電極にそれぞれ導線を電気的に接続させかつ該
電極間にガスを絶縁性被覆材料を介して封入する
という構成であり、絶縁体としてはムライト磁
器、アルミナ磁器等が好ましく、導電性薄膜とし
ては炭素薄膜、窒化チタン薄膜等が好適であり、
またこれらの導電性薄膜を分割する線条の幅はき
わめて狭小で20〜100μｍの範囲である。電極の
材質としては黄銅、鉄等を使用し、電線としては
銅線、ニツケル線等を使用する。封入ガスはアル
ゴンガス、ネオンガス等が好適で、これらのガス
封入用の絶縁性被覆材はガラス、硬質樹脂等を使
用する。
ギヤツプタイプのサージ吸収素子は上述したよう
に、絶縁体表面に導電性薄膜を付着させ、該導電
性薄膜を線条を介して複数個に分割し、該分割さ
れた両端の導電性薄膜にそれぞれ電極を固着し、
該電極にそれぞれ導線を電気的に接続させかつ該
電極間にガスを絶縁性被覆材料を介して封入する
という構成であり、絶縁体としてはムライト磁
器、アルミナ磁器等が好ましく、導電性薄膜とし
ては炭素薄膜、窒化チタン薄膜等が好適であり、
またこれらの導電性薄膜を分割する線条の幅はき
わめて狭小で20〜100μｍの範囲である。電極の
材質としては黄銅、鉄等を使用し、電線としては
銅線、ニツケル線等を使用する。封入ガスはアル
ゴンガス、ネオンガス等が好適で、これらのガス
封入用の絶縁性被覆材はガラス、硬質樹脂等を使
用する。
以上の構成により、誘導雷等により生ずる急峻
な高電圧のサージに対する上記サージ吸収素子の
放電応答性はきわめて良好となるので、該サージ
吸収素子を並列に配置した本発明のサージ吸収装
置では上記のごとき高電圧のサージ電圧が印加さ
れた場合に流れるサージ電流は並列のサージ吸収
素子に均一に分流されるので、個々の該サージ吸
収素子の負坦は軽減され、本発明のサージ吸収装
置のサージ耐量は増加する。また並列に使用され
るサージ吸収素子の個数を選択することにより、
第６図に示すように、任意のサージ耐量のサージ
吸収装置を得ることができる。たとえば、本発明
に使用されるサージ吸収素子のサージ耐量は、後
述するように、（８×20）μsecの波形で1500Aで
あるので、該サージ吸収素子を100個程度並列に
配置すると、本発明のサージ吸収装置のサージ耐
量は約15万Ａが可能となる。従来のサージ吸収装
置のサージ耐量は１〜２万Ａが限度であるので、
本発明は上記サージ吸収素子の並列配置によつて
この技術限界を越えることができる。また、本発
明のサージ吸収素子の複数個の並列配置におい
て、たとえばその中の１個のサージ吸収素子が電
気的に破壊された場合でも、該破壊されたサージ
吸収素子は開放状態となり、もはや電流が流れる
ことがないので、全体としてのサージ耐量は低下
するが、残りのサージ吸収素子はその本来の機能
を発揮することができる。
な高電圧のサージに対する上記サージ吸収素子の
放電応答性はきわめて良好となるので、該サージ
吸収素子を並列に配置した本発明のサージ吸収装
置では上記のごとき高電圧のサージ電圧が印加さ
れた場合に流れるサージ電流は並列のサージ吸収
素子に均一に分流されるので、個々の該サージ吸
収素子の負坦は軽減され、本発明のサージ吸収装
置のサージ耐量は増加する。また並列に使用され
るサージ吸収素子の個数を選択することにより、
第６図に示すように、任意のサージ耐量のサージ
吸収装置を得ることができる。たとえば、本発明
に使用されるサージ吸収素子のサージ耐量は、後
述するように、（８×20）μsecの波形で1500Aで
あるので、該サージ吸収素子を100個程度並列に
配置すると、本発明のサージ吸収装置のサージ耐
量は約15万Ａが可能となる。従来のサージ吸収装
置のサージ耐量は１〜２万Ａが限度であるので、
本発明は上記サージ吸収素子の並列配置によつて
この技術限界を越えることができる。また、本発
明のサージ吸収素子の複数個の並列配置におい
て、たとえばその中の１個のサージ吸収素子が電
気的に破壊された場合でも、該破壊されたサージ
吸収素子は開放状態となり、もはや電流が流れる
ことがないので、全体としてのサージ耐量は低下
するが、残りのサージ吸収素子はその本来の機能
を発揮することができる。
本発明は以上のように、放電応答性のきわめて
良好なギヤツプタイプのサージ吸収素子を複数個
並列に配置することにより、サージ電圧で放電し
た電流の分流を可能とし、それによつてサージ耐
量の増加を可能ならしめるサージ吸収装置を提供
するもので、その工業的価値はきわめて大きい。
良好なギヤツプタイプのサージ吸収素子を複数個
並列に配置することにより、サージ電圧で放電し
た電流の分流を可能とし、それによつてサージ耐
量の増加を可能ならしめるサージ吸収装置を提供
するもので、その工業的価値はきわめて大きい。
次に、本発明を実施例によつてさらに具体的に
説明する。
説明する。
第４図および第５図において、本実施例は円柱
状ムライト磁器絶縁体１の外周部に炭素薄膜２を
付着させ、この炭素薄膜２を幅約50μｍの線条３
により２分割し、分割された２個の炭素薄膜２，
２の端部にそれぞれ黄銅製電極４，４を固着せし
め、黄銅製電極４，４にそれぞれニツケル線５，
５を電気的に接続し、これら電極４，４間をガラ
ス被覆材６で囲み、その中にアルゴンガス７を圧
力100mmHgで封入したギヤツプタイプのサージ吸
収素子８を２個電気的に並列に接続した構成であ
る。このサージ吸収素子８は上記構成により放電
開始電圧は300Vに設定されており、線条３の幅
が約50μｍで十分狭いので、放電応答性もきわめ
て良好である。そのサージ耐量は上述したよう
に、（８×20）μsecの電流波形で1500Aであるが、
本サージ吸収装置はこのサージ吸収素子８の２個
並列配置よりなるもので、印加されたサージ電圧
の放電によるサージ電流はこれら２個のサージ吸
収素子８，８に分流されるので、同波形で3000A
のサージ耐量となる。
状ムライト磁器絶縁体１の外周部に炭素薄膜２を
付着させ、この炭素薄膜２を幅約50μｍの線条３
により２分割し、分割された２個の炭素薄膜２，
２の端部にそれぞれ黄銅製電極４，４を固着せし
め、黄銅製電極４，４にそれぞれニツケル線５，
５を電気的に接続し、これら電極４，４間をガラ
ス被覆材６で囲み、その中にアルゴンガス７を圧
力100mmHgで封入したギヤツプタイプのサージ吸
収素子８を２個電気的に並列に接続した構成であ
る。このサージ吸収素子８は上記構成により放電
開始電圧は300Vに設定されており、線条３の幅
が約50μｍで十分狭いので、放電応答性もきわめ
て良好である。そのサージ耐量は上述したよう
に、（８×20）μsecの電流波形で1500Aであるが、
本サージ吸収装置はこのサージ吸収素子８の２個
並列配置よりなるもので、印加されたサージ電圧
の放電によるサージ電流はこれら２個のサージ吸
収素子８，８に分流されるので、同波形で3000A
のサージ耐量となる。
このように、上記ギヤツプタイプのサージ吸収
素子の並列使用により、サージ耐量が増加する効
果は第６図に示す通りである。第６図は横軸に並
列個数、縦軸にサージ耐量を示す。これによる
と、本発明のサージ吸収装置のサージ耐量は構成
ユニツトである上記サージ吸収素子の並列個数に
比例して増加することがわかる。
素子の並列使用により、サージ耐量が増加する効
果は第６図に示す通りである。第６図は横軸に並
列個数、縦軸にサージ耐量を示す。これによる
と、本発明のサージ吸収装置のサージ耐量は構成
ユニツトである上記サージ吸収素子の並列個数に
比例して増加することがわかる。
さらに、本実施例において電線を固定する必要
がある場合、またはサージ吸収素子の並列個数に
かかわりなく、形状を一定にする必要がある場合
には、第７図に示すように、並列使用の２個のサ
ージ吸収素子８，８を絶縁性ケ−ス９に内蔵する
こともできる。絶縁性ケ−スの代りに絶縁性被覆
材や熱収縮チユーブでこれら２個の並列のサージ
吸収素子８，８を被覆してもよい。
がある場合、またはサージ吸収素子の並列個数に
かかわりなく、形状を一定にする必要がある場合
には、第７図に示すように、並列使用の２個のサ
ージ吸収素子８，８を絶縁性ケ−ス９に内蔵する
こともできる。絶縁性ケ−スの代りに絶縁性被覆
材や熱収縮チユーブでこれら２個の並列のサージ
吸収素子８，８を被覆してもよい。
第１図は電極対向タイプの放電管型サージ吸収
素子の並例使用の一例の概念図、第２図はギヤツ
プタイプの放電管型サージ吸収素子における電圧
−電流特性図、第３図はギヤツプタイプのサージ
吸収素子を２個並列に電気的に接続した場合の本
発明の一実施例の概念図、第４図は第３図の実施
例の断面図でかつかつ第５図のＣ−C′断面図、第
５図は第４図のＢ−B′断面図、第６図は本発明
のサージ吸収素子の並列個数とサージ耐量との関
係を示すグラフ図、第７図は第４図の実施例を絶
縁性ケースに収納した場合の一例を示す断面図、
第８図は従来の電極対向タイプの放電管型サージ
吸収素子と本発明に使用されるギヤツプタイプの
サージ吸収素子の放電時間と放電電圧との関係を
示すグラフ図である。 図において、１……ムライト磁器絶縁体、１ａ
……電極対向タイプの放電管型サージ吸収素子、
２……炭素薄膜、３……線条、３ａ，８……本発
明で使用するギヤツプタイプのサージ吸収素子、
４……黄銅製電極、５……電線（ニツケル線）、
６……ガラス被覆材、７……アルゴンガス、９…
…絶縁性ケ−ス。
素子の並例使用の一例の概念図、第２図はギヤツ
プタイプの放電管型サージ吸収素子における電圧
−電流特性図、第３図はギヤツプタイプのサージ
吸収素子を２個並列に電気的に接続した場合の本
発明の一実施例の概念図、第４図は第３図の実施
例の断面図でかつかつ第５図のＣ−C′断面図、第
５図は第４図のＢ−B′断面図、第６図は本発明
のサージ吸収素子の並列個数とサージ耐量との関
係を示すグラフ図、第７図は第４図の実施例を絶
縁性ケースに収納した場合の一例を示す断面図、
第８図は従来の電極対向タイプの放電管型サージ
吸収素子と本発明に使用されるギヤツプタイプの
サージ吸収素子の放電時間と放電電圧との関係を
示すグラフ図である。 図において、１……ムライト磁器絶縁体、１ａ
……電極対向タイプの放電管型サージ吸収素子、
２……炭素薄膜、３……線条、３ａ，８……本発
明で使用するギヤツプタイプのサージ吸収素子、
４……黄銅製電極、５……電線（ニツケル線）、
６……ガラス被覆材、７……アルゴンガス、９…
…絶縁性ケ−ス。
Claims (1)
- １ 絶縁体表面に導電性薄膜を付着させ、該導電
性薄膜を線条を介して複数個に分割し、該分割さ
れた両端の導電性薄膜にそれぞれ電極を固着し、
該電極にそれぞれ導線を電気的に接続させかつ該
電極間にガスを絶縁性被覆材料を介して封入して
なるサージ吸収素子を複数個電気的に並列に接続
したことを特徴とするサージ吸収装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15283280A JPS5776777A (en) | 1980-10-30 | 1980-10-30 | Surge absorbing device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15283280A JPS5776777A (en) | 1980-10-30 | 1980-10-30 | Surge absorbing device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5776777A JPS5776777A (en) | 1982-05-13 |
| JPH0119234B2 true JPH0119234B2 (ja) | 1989-04-11 |
Family
ID=15549103
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15283280A Granted JPS5776777A (en) | 1980-10-30 | 1980-10-30 | Surge absorbing device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5776777A (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55128283A (en) * | 1979-03-27 | 1980-10-03 | Mitsubishi Mining & Cement Co | Surge absorbing element |
-
1980
- 1980-10-30 JP JP15283280A patent/JPS5776777A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5776777A (en) | 1982-05-13 |
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