JPH0119256B2 - - Google Patents
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- JPH0119256B2 JPH0119256B2 JP56155466A JP15546681A JPH0119256B2 JP H0119256 B2 JPH0119256 B2 JP H0119256B2 JP 56155466 A JP56155466 A JP 56155466A JP 15546681 A JP15546681 A JP 15546681A JP H0119256 B2 JPH0119256 B2 JP H0119256B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- stencil layer
- stencil
- substrate
- frequency
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/14—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using spraying techniques to apply the conductive material, e.g. vapour evaporation
- H05K3/143—Masks therefor
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Weting (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、所要の基板上に導電性材、絶縁性材
等でなる層による所望のパターンを形成するパタ
ーン形成法の改良に関し、特に半導体集積回路装
置、ジヨセフソン集積回路装置等の導体層、絶縁
層等を所望のパターンに形成する場合に適用して
好適なものである。
等でなる層による所望のパターンを形成するパタ
ーン形成法の改良に関し、特に半導体集積回路装
置、ジヨセフソン集積回路装置等の導体層、絶縁
層等を所望のパターンに形成する場合に適用して
好適なものである。
斯種パターン形成法として従来、原理的に、第
１図を伴なつて以下述べる方法が提案されてい
る。
１図を伴なつて以下述べる方法が提案されてい
る。
即ち所要の基板１を予め用意し（第１図Ａ）、
而してその基板１上に、フオトレジスト、電子ビ
ームレジスト等でなるステンシル層２（実際上上
端縁より外側方に延長せる鍔５を形成している）
を所望のパターンに形成し（第１図Ｂ）、次にそ
の基板１上のステンシル層２の形成されていない
領域上に、導電性材、絶縁性材等でなるステンシ
ル層２に比し薄い厚さの層３を、ステンシル層２
上に、層３と同じ導電性材、絶縁性材等でなり且
層３と同じ厚さでなる層４の形成を同時に伴なつ
て、基板１の上方側よりの導電性材、絶縁性材の
蒸着、スパツタリング等によつて形成し（第１図
Ｃ）、次にステンシル層２を、その溶媒を用いて
溶去することによつて、そのステンシル層２を基
板１上より除去すると共に、これに伴ないステン
シル層２上の層４を除去し（第１図Ｄ）、斯くて
基板１上に層３による所望のパターン（ステンシ
ル層２とは反転せるパターン）を形成するという
方法が提案されている。
而してその基板１上に、フオトレジスト、電子ビ
ームレジスト等でなるステンシル層２（実際上上
端縁より外側方に延長せる鍔５を形成している）
を所望のパターンに形成し（第１図Ｂ）、次にそ
の基板１上のステンシル層２の形成されていない
領域上に、導電性材、絶縁性材等でなるステンシ
ル層２に比し薄い厚さの層３を、ステンシル層２
上に、層３と同じ導電性材、絶縁性材等でなり且
層３と同じ厚さでなる層４の形成を同時に伴なつ
て、基板１の上方側よりの導電性材、絶縁性材の
蒸着、スパツタリング等によつて形成し（第１図
Ｃ）、次にステンシル層２を、その溶媒を用いて
溶去することによつて、そのステンシル層２を基
板１上より除去すると共に、これに伴ないステン
シル層２上の層４を除去し（第１図Ｄ）、斯くて
基板１上に層３による所望のパターン（ステンシ
ル層２とは反転せるパターン）を形成するという
方法が提案されている。
所で斯るパターン形成法の場合、原理的には、
基板１上のステンシル層２の形成されていない領
域上に、層３をステンシル層２上の層４の形成を
伴なつて形成する工程（以下簡単の為第２の工程
と称す）に於て、その層３及び４は、それ等がス
テンシル層２に比し薄い厚さを有するので、互に
分離して形成されるものである。然し乍ら実際上
は、それ等層３及び４の形成する第２の工程に於
て、層３及び４を構成する材料の微粒子が散乱、
拡散等をなすことにより、第２図に示す如く、層
３及び４を構成せる材料と同じ材料の薄い層６
が、ステンシル層２の側面上に層３及び４と連接
せる態様を以つて付着形成されるを余儀なくされ
るものである。
基板１上のステンシル層２の形成されていない領
域上に、層３をステンシル層２上の層４の形成を
伴なつて形成する工程（以下簡単の為第２の工程
と称す）に於て、その層３及び４は、それ等がス
テンシル層２に比し薄い厚さを有するので、互に
分離して形成されるものである。然し乍ら実際上
は、それ等層３及び４の形成する第２の工程に於
て、層３及び４を構成する材料の微粒子が散乱、
拡散等をなすことにより、第２図に示す如く、層
３及び４を構成せる材料と同じ材料の薄い層６
が、ステンシル層２の側面上に層３及び４と連接
せる態様を以つて付着形成されるを余儀なくされ
るものである。
この為、ステンシル層２を溶去することによつ
て、そのステンシル層２を基板１上より除去する
と共に、これに伴なつてステンシル層２上の層４
を除去する工程（以下簡単の為第３の工程と称
す）に於て、従来、ステンシル層２をその溶媒中
に浸漬せる状態（実際上ステンシル層２、層３及
び４を形成せる基板１をステンシル層２の溶媒中
に浸漬せる状態）で、発振周波数25〜50KHz帯の
超音波発振器を用いて、ステンシル層２に25〜
50KHzの周波数を有する超音波の振動を与え、こ
れにより層６を破壊しながらステンシル層２を溶
解せしめるという処理をとることがなされてい
る。
て、そのステンシル層２を基板１上より除去する
と共に、これに伴なつてステンシル層２上の層４
を除去する工程（以下簡単の為第３の工程と称
す）に於て、従来、ステンシル層２をその溶媒中
に浸漬せる状態（実際上ステンシル層２、層３及
び４を形成せる基板１をステンシル層２の溶媒中
に浸漬せる状態）で、発振周波数25〜50KHz帯の
超音波発振器を用いて、ステンシル層２に25〜
50KHzの周波数を有する超音波の振動を与え、こ
れにより層６を破壊しながらステンシル層２を溶
解せしめるという処理をとることがなされてい
る。
然し乍ら、第３の工程に於て、斯る処理をとる
場合、超音波の振動出力を大とすれば、層３が基
板１上より剥離したり欠損したりする欠陥が生ず
る不都合を有していた。又斯る不都合を回避すべ
く、超音波の振動出力を小とすれば、ステンシル
層２の側面に付着せる層６の破壊が効果的になさ
れない理由で、ステンシル層２を基板１上より除
去するに長時間を要すると共に、第３図に示す如
くステンシル層２上の層４が基板１上に不要層
４′として残留したり、層６の一部が基板１上に
直立せる残査物６′として残留したり、層３上に
付着した残査物６″として残留したり、基板１の
層３の形成されていない領域上に付着した残査物
６として残留したりし、依つて層３による所望
のパターンを得るに長時間を要すると共に、その
層３による所望パターンが、不要層４′、残査物
６′，６″，６等を残留せるものとして得られる
という不都合を有していた。
場合、超音波の振動出力を大とすれば、層３が基
板１上より剥離したり欠損したりする欠陥が生ず
る不都合を有していた。又斯る不都合を回避すべ
く、超音波の振動出力を小とすれば、ステンシル
層２の側面に付着せる層６の破壊が効果的になさ
れない理由で、ステンシル層２を基板１上より除
去するに長時間を要すると共に、第３図に示す如
くステンシル層２上の層４が基板１上に不要層
４′として残留したり、層６の一部が基板１上に
直立せる残査物６′として残留したり、層３上に
付着した残査物６″として残留したり、基板１の
層３の形成されていない領域上に付着した残査物
６として残留したりし、依つて層３による所望
のパターンを得るに長時間を要すると共に、その
層３による所望パターンが、不要層４′、残査物
６′，６″，６等を残留せるものとして得られる
という不都合を有していた。
叙上に鑑み、本発明者等は、第１図にて上述せ
るパターン形成法に於て種々の実験の結果、上述
せる第３の工程に於て、上述せる、ステンシル層
２をその溶媒中に浸漬せる状態で、ステンシル層
２に25〜50KHzの周波数を有する超音波の振動を
与える処理をとる場合に於て、その超音波の振動
出力を小とするときの不都合が、超音波の振動出
力が小であることにより、ステンシル層２の側面
に付着形成せる層６の破壊が効果的になされない
から生ずるというばかりでなく、超音波の周波数
が25〜50KHzであることにより、層６の破壊が効
果的になされないから生ずるものでもあることを
確認するに到つた。
るパターン形成法に於て種々の実験の結果、上述
せる第３の工程に於て、上述せる、ステンシル層
２をその溶媒中に浸漬せる状態で、ステンシル層
２に25〜50KHzの周波数を有する超音波の振動を
与える処理をとる場合に於て、その超音波の振動
出力を小とするときの不都合が、超音波の振動出
力が小であることにより、ステンシル層２の側面
に付着形成せる層６の破壊が効果的になされない
から生ずるというばかりでなく、超音波の周波数
が25〜50KHzであることにより、層６の破壊が効
果的になされないから生ずるものでもあることを
確認するに到つた。
又本発明者等は、上述せる第３の工程に於て、
上述せる如くに、ステンシル層２をその溶媒中に
浸漬せる状態で、ステンシル層２に25〜50KHzの
周波数を有する超音波の振動を与える処理をとる
に代え、ステンシル層２をその溶媒中に浸漬せる
状態でステンシル層に80〜200KHzの周波数を有
する超音波の振動を与える処理をとる場合、その
超音波の振動出力が小であつても、その超音波の
周波数が80〜200KHzであることにより、ステン
シル層２の側面に付着形成せる層６の破壊が効果
的になされ、従つて前述せる不都合を有効に回避
し得ることを確認するに到つた。
上述せる如くに、ステンシル層２をその溶媒中に
浸漬せる状態で、ステンシル層２に25〜50KHzの
周波数を有する超音波の振動を与える処理をとる
に代え、ステンシル層２をその溶媒中に浸漬せる
状態でステンシル層に80〜200KHzの周波数を有
する超音波の振動を与える処理をとる場合、その
超音波の振動出力が小であつても、その超音波の
周波数が80〜200KHzであることにより、ステン
シル層２の側面に付着形成せる層６の破壊が効果
的になされ、従つて前述せる不都合を有効に回避
し得ることを確認するに到つた。
更に本発明者等は、上述せる第３の工程に於
て、上述せる如くに、ステンシル層２をその溶媒
中に浸漬せる状態でステンシル層２に80〜200K
Hzの周波数を有する超音波の振動を与える処理
（これを以下簡単の為第３の処理と称す）をとる
場合、その第３の処理の前に、ステンシル層２
を、その良溶媒と貧溶媒との混液を用いて膨潤せ
しめる処理（これを以下簡単の為第１の処理とす
る）をとれば（尚斯る膨潤は、仮えステンシル層
２の側面の全域に前述せる層６が附着形成されて
いても、それが薄いので、それを通じて上述せる
混液がステンシル層２内に浸入することにより、
得られるものである）、そのステンシル層２の膨
潤によつて層６に機械的ストレスが与えられる
為、上述せる第３の工程に於て、上述せる第３の
処理をとる場合の、ステンシル層２の側面に付着
形成せる層６の破壊がより容易になり、従つて前
述せる不都合を有効に回避し得る効果が、更に向
上することを確認するに到つた。
て、上述せる如くに、ステンシル層２をその溶媒
中に浸漬せる状態でステンシル層２に80〜200K
Hzの周波数を有する超音波の振動を与える処理
（これを以下簡単の為第３の処理と称す）をとる
場合、その第３の処理の前に、ステンシル層２
を、その良溶媒と貧溶媒との混液を用いて膨潤せ
しめる処理（これを以下簡単の為第１の処理とす
る）をとれば（尚斯る膨潤は、仮えステンシル層
２の側面の全域に前述せる層６が附着形成されて
いても、それが薄いので、それを通じて上述せる
混液がステンシル層２内に浸入することにより、
得られるものである）、そのステンシル層２の膨
潤によつて層６に機械的ストレスが与えられる
為、上述せる第３の工程に於て、上述せる第３の
処理をとる場合の、ステンシル層２の側面に付着
形成せる層６の破壊がより容易になり、従つて前
述せる不都合を有効に回避し得る効果が、更に向
上することを確認するに到つた。
尚更に本発明者等は、上述せる第３の工程に於
て、上述せる如くに、上述せる第３の処理をとる
場合、その第３の処理の前に、ステンシル層２を
その良溶媒中に浸漬せしめている状態で、ステン
シル層２に20〜50kHzの周波数を有する超音波の
振動を与える処理（これを以下簡単の為第２の処
理と称す）をとれば、ステンシル層２に20〜50k
Hzの周波数を有する超音波の振動がステンシル層
２の良溶媒中で与えられることにより、ステンシ
ル層２内に内部歪が生じ、この為上述せる第２の
処理をとつて后に上述せる第３の処理をとつた場
合に於て、その第３の処理時に於けるステンシル
層２の良溶媒がステンシル層２に急速に浸透し、
依つて第３の処理をとる場合の、ステンシル層２
の側面には付着せる層６の破壊がより容易にな
り、従つて前述せる不都合を有効に回避し得る効
果が、更に向上することを確認するに到つた。
て、上述せる如くに、上述せる第３の処理をとる
場合、その第３の処理の前に、ステンシル層２を
その良溶媒中に浸漬せしめている状態で、ステン
シル層２に20〜50kHzの周波数を有する超音波の
振動を与える処理（これを以下簡単の為第２の処
理と称す）をとれば、ステンシル層２に20〜50k
Hzの周波数を有する超音波の振動がステンシル層
２の良溶媒中で与えられることにより、ステンシ
ル層２内に内部歪が生じ、この為上述せる第２の
処理をとつて后に上述せる第３の処理をとつた場
合に於て、その第３の処理時に於けるステンシル
層２の良溶媒がステンシル層２に急速に浸透し、
依つて第３の処理をとる場合の、ステンシル層２
の側面には付着せる層６の破壊がより容易にな
り、従つて前述せる不都合を有効に回避し得る効
果が、更に向上することを確認するに到つた。
又上述せる確認事項は、上述せる第３の工程に
於て、上述せる第１の処理と上述せる第３の処理
とを順次とる第１の場合と、上述せる第２の処理
と上述せる第３の処理とを順次とる第２の場合と
をパラメータとして、第３の処理に於ける超音波
の周波数ｆ（ｋHz）に対しステンシル層２及びそ
の上の層４が第３図にて上述せる不要層４′、残
査物６′，６″，６等を残留せしめることなしに
基板１上より除去される率（％）を測定した結
果、第４図に示す結果が得られたことによりして
も、確かであることが裏付けられた。尚第４図に
於て●及び〇印は上述せる第１の場合、■及び□
印は上述せる第２の場合を示し、又それ等印中白
抜きの印は不要層、残査物等が除去されたこと
を、又黒ぬりの印は不要層、残査物等が除去され
なかつたことを示している。又、上述せる第３の
工程に於て、上述せる第１及び第２の場合の何れ
であつても、層３による所望パターンが、第５図
に示す如く、不要層４′、残査物６′，６″，６
等を残留せざる、鮮明なものとして、短時間で得
られたことよりしても、確かであることが裏付け
された。但し第４図及び第５図に示す結果は、ス
テンシル層２が厚さ約1μｍを有して、AZ−1470
（シツプレイ社製商品名）ポジ型フオトレジスト
でなり、又層３及び４が厚さ0.4μｍを有して鉛合
金でなり、更に上述せる第３の工程に於ける第１
の処理に於けるステンシル層２の良溶媒がモノク
ロルベンゼンでなり、貧溶媒がこの場合の良溶媒
の３容量％のエタノールでなり、又上述せる第３
の工程に於ける第２の処理に於けるステンシル層
２の良溶媒がアセトンでなり、更に第２の処理に
於ける超音波の振動出力が超音波発振器の電気入
力でみて10Wであり、尚更に上述せる第３の工程
に於ける第３の処理に於けるステンシル層２の溶
媒がアセトンでなり、又第３の処理に於ける超音
波の振動出力が超音波発振器の電気入力でみて
200Wである場合の結果である。然し乍ら、ステ
ンシル層２がAZ−1470ポジ型フオトレジストで
なる外、AZ−1350J、AZ−1450J、AZ−2400（何
れもシツプレイ社製商品名）ポジ型フオトレジス
ト、OFPRシリーズ（東京応用化学社製商品名）
等の他のポジ型フオトレジストでなる場合であつ
ても、又層３及び４が鉛合金でなる外、他の導電
性材、SiO2等の絶縁性材でなる場合であつても、
更に上述せる第１の処理に於ける良溶媒及び貧溶
媒も夫々モノクロルベンゼン及びエタノールであ
る外、他の所要の良溶媒及び貧溶媒であつても、
尚更に上述せる第２及び第３の処理に於けるステ
ンシル層２の溶媒がアセトンでなる外、ステンシ
ル層２を構成せる材料に応じたその良溶媒である
場合であつても、即ち例えばステンシル層２がフ
オトレジスト又は電子ビームレジストである場
合、メチルイソブチルケトン等のケトン類、２−
エトキシルアセテート等の酢酸エステル類等であ
つても、第４図に示すと同様の結果が得られた。
於て、上述せる第１の処理と上述せる第３の処理
とを順次とる第１の場合と、上述せる第２の処理
と上述せる第３の処理とを順次とる第２の場合と
をパラメータとして、第３の処理に於ける超音波
の周波数ｆ（ｋHz）に対しステンシル層２及びそ
の上の層４が第３図にて上述せる不要層４′、残
査物６′，６″，６等を残留せしめることなしに
基板１上より除去される率（％）を測定した結
果、第４図に示す結果が得られたことによりして
も、確かであることが裏付けられた。尚第４図に
於て●及び〇印は上述せる第１の場合、■及び□
印は上述せる第２の場合を示し、又それ等印中白
抜きの印は不要層、残査物等が除去されたこと
を、又黒ぬりの印は不要層、残査物等が除去され
なかつたことを示している。又、上述せる第３の
工程に於て、上述せる第１及び第２の場合の何れ
であつても、層３による所望パターンが、第５図
に示す如く、不要層４′、残査物６′，６″，６
等を残留せざる、鮮明なものとして、短時間で得
られたことよりしても、確かであることが裏付け
された。但し第４図及び第５図に示す結果は、ス
テンシル層２が厚さ約1μｍを有して、AZ−1470
（シツプレイ社製商品名）ポジ型フオトレジスト
でなり、又層３及び４が厚さ0.4μｍを有して鉛合
金でなり、更に上述せる第３の工程に於ける第１
の処理に於けるステンシル層２の良溶媒がモノク
ロルベンゼンでなり、貧溶媒がこの場合の良溶媒
の３容量％のエタノールでなり、又上述せる第３
の工程に於ける第２の処理に於けるステンシル層
２の良溶媒がアセトンでなり、更に第２の処理に
於ける超音波の振動出力が超音波発振器の電気入
力でみて10Wであり、尚更に上述せる第３の工程
に於ける第３の処理に於けるステンシル層２の溶
媒がアセトンでなり、又第３の処理に於ける超音
波の振動出力が超音波発振器の電気入力でみて
200Wである場合の結果である。然し乍ら、ステ
ンシル層２がAZ−1470ポジ型フオトレジストで
なる外、AZ−1350J、AZ−1450J、AZ−2400（何
れもシツプレイ社製商品名）ポジ型フオトレジス
ト、OFPRシリーズ（東京応用化学社製商品名）
等の他のポジ型フオトレジストでなる場合であつ
ても、又層３及び４が鉛合金でなる外、他の導電
性材、SiO2等の絶縁性材でなる場合であつても、
更に上述せる第１の処理に於ける良溶媒及び貧溶
媒も夫々モノクロルベンゼン及びエタノールであ
る外、他の所要の良溶媒及び貧溶媒であつても、
尚更に上述せる第２及び第３の処理に於けるステ
ンシル層２の溶媒がアセトンでなる外、ステンシ
ル層２を構成せる材料に応じたその良溶媒である
場合であつても、即ち例えばステンシル層２がフ
オトレジスト又は電子ビームレジストである場
合、メチルイソブチルケトン等のケトン類、２−
エトキシルアセテート等の酢酸エステル類等であ
つても、第４図に示すと同様の結果が得られた。
尚上述せる確認事項に於て、上述せる第３の工
程に於ける第３の処理に於て、超音波の周波数が
80〜200kHzであるとする、その下限周波数80kHz
は、超音波の周波数がその下限周波数80kHzより
低くなれば、その下限周波数を堺としてステンシ
ル層２に超音波の振動を与える処理時間が急激に
長くなることよりしても決められているものであ
る。又上限周波数200kHzは、超音波の周波数が
その上限周波数200kHzより高くなれば、その上
限周波数を堺として、ステンシル層２の溶媒中で
の超音波の振動出力の損失が急激に大になり、こ
の為ステンシル層２に効果的に超音波の振動出力
を与えることが出来なくなることによりしても決
められているものである。
程に於ける第３の処理に於て、超音波の周波数が
80〜200kHzであるとする、その下限周波数80kHz
は、超音波の周波数がその下限周波数80kHzより
低くなれば、その下限周波数を堺としてステンシ
ル層２に超音波の振動を与える処理時間が急激に
長くなることよりしても決められているものであ
る。又上限周波数200kHzは、超音波の周波数が
その上限周波数200kHzより高くなれば、その上
限周波数を堺として、ステンシル層２の溶媒中で
の超音波の振動出力の損失が急激に大になり、こ
の為ステンシル層２に効果的に超音波の振動出力
を与えることが出来なくなることによりしても決
められているものである。
以上よりして、此処に特許請求の範囲第１項及
び第２項所載のパターン形成法を、本発明による
パターン形成法として提案するに到つたものであ
る。
び第２項所載のパターン形成法を、本発明による
パターン形成法として提案するに到つたものであ
る。
斯る本発明によるパターン形成法によれば、前
述せる所より明らかであるので、詳細説明はこれ
を省略するも、前述せる不都合を伴うことなし
に、所要の基板１上に導電性材、絶縁性材等でな
る層３による所望のパターンを形成することが出
来るという大なる特徴を有するものである。因み
にステンシル層２が、前述せる如く厚さ1μｍを
有して、AZ−1470フオトレジストでなり、又層
３及び４が厚さ0.4μｍを有して、鉛合金でなり、
更に上述せる第３の工程に於て第１及び第３の処
理をとる場合に於てその第１の処理に於けるステ
ンシル層２に対する良溶媒及び貧溶媒が夫々前述
せる如くモトクロルベンゼン及びそれに対して３
容量％のエタノールでなり、又第１の処理に於け
る超音波の周波数が45kHz、振動出力が超音波発
振器の電気入力でみて10Wであり、更に上述せる
第３の工程に於ける第２及び第３の処理をとる場
合に於てその第２の処理に於けるステンシル層２
に対する良溶媒がアセトンでなり、更に上述せる
第３の工程に於ける第３の処理に於けるステンシ
ル層２に対する溶媒がアセトンでなり、尚更に上
述せる第３の工程に於ける第３の処理に於ける超
音波の振動出力が超音波発振器の電気入力でみて
200Wである場合に於て、上述せる第３の工程に
於ける超音波の振動を与える処理を３〜30分と
し、又超音波の周波数を100kHz、150kHzとした
所、何れの場合でも、第５図に示す如く、基板１
上に層３による所望のパターンを、基板１上に第
３図に前述せる不要層４′、残査物６′，６″，６
等を残留せしめることなしに得ることが出来
た。尚本例の場合、上述の第３の工程后、全体を
アセトン液中でリンスした后、乾燥した。
述せる所より明らかであるので、詳細説明はこれ
を省略するも、前述せる不都合を伴うことなし
に、所要の基板１上に導電性材、絶縁性材等でな
る層３による所望のパターンを形成することが出
来るという大なる特徴を有するものである。因み
にステンシル層２が、前述せる如く厚さ1μｍを
有して、AZ−1470フオトレジストでなり、又層
３及び４が厚さ0.4μｍを有して、鉛合金でなり、
更に上述せる第３の工程に於て第１及び第３の処
理をとる場合に於てその第１の処理に於けるステ
ンシル層２に対する良溶媒及び貧溶媒が夫々前述
せる如くモトクロルベンゼン及びそれに対して３
容量％のエタノールでなり、又第１の処理に於け
る超音波の周波数が45kHz、振動出力が超音波発
振器の電気入力でみて10Wであり、更に上述せる
第３の工程に於ける第２及び第３の処理をとる場
合に於てその第２の処理に於けるステンシル層２
に対する良溶媒がアセトンでなり、更に上述せる
第３の工程に於ける第３の処理に於けるステンシ
ル層２に対する溶媒がアセトンでなり、尚更に上
述せる第３の工程に於ける第３の処理に於ける超
音波の振動出力が超音波発振器の電気入力でみて
200Wである場合に於て、上述せる第３の工程に
於ける超音波の振動を与える処理を３〜30分と
し、又超音波の周波数を100kHz、150kHzとした
所、何れの場合でも、第５図に示す如く、基板１
上に層３による所望のパターンを、基板１上に第
３図に前述せる不要層４′、残査物６′，６″，６
等を残留せしめることなしに得ることが出来
た。尚本例の場合、上述の第３の工程后、全体を
アセトン液中でリンスした后、乾燥した。
第１図Ａ〜Ｄは、本発明によるパターン形成法
の基礎となる原理的なパターン形成法の順次の工
程に於ける略線的断面図、第２図は、第１図Ｃの
工程に対応する実際の工程に於ける略線的断面
図、第３図は従来のパターン形成法による場合
の、第１図Ｄの工程に対応する実際の工程に於け
る略線的断面図、第４図は本発明によるパターン
形成法の説明に供する曲線図、第５図は本発明に
よるパターン形成法による場合の第１図Ｄに示す
工程に於ける略線的断面図である。 図中、１は基板、２はステンシル層、３，４及
び６は層、４′は不要層、６′，６″，６は残査
物である。
の基礎となる原理的なパターン形成法の順次の工
程に於ける略線的断面図、第２図は、第１図Ｃの
工程に対応する実際の工程に於ける略線的断面
図、第３図は従来のパターン形成法による場合
の、第１図Ｄの工程に対応する実際の工程に於け
る略線的断面図、第４図は本発明によるパターン
形成法の説明に供する曲線図、第５図は本発明に
よるパターン形成法による場合の第１図Ｄに示す
工程に於ける略線的断面図である。 図中、１は基板、２はステンシル層、３，４及
び６は層、４′は不要層、６′，６″，６は残査
物である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 所要の基板上に所望のパターンを有するステ
ンシル層を形成する第１の工程と、上記基板上の
上記ステンシル層の形成されていない領域上に所
要の第１の層を、上記ステンシル層上の第２の層
の形成を伴なつて形成する第２の工程と、上記ス
テンシル層を溶去することによつて、当該ステン
シル層を上記基板上より除去すると共にこれに伴
い上記第２の層を除去する第３の工程とを含ん
で、上記第１の層による所望のパターンを形成す
るパターン形成法に於て、 上記第２の工程が、上記ステンシル層を、その
良溶媒と貧溶媒との混液を用いて膨潤せしめる処
理と、該処理に続いて上記ステンシル層をその良
溶媒中に浸漬せしめている状態で、上記ステンシ
ル層に80〜200kHzの周波数を有する超音波の振
動を与える処理とを含む事を特徴とするパターン
形成法。 ２ 所要の基板上に所望のパターンを有するステ
ンシル層を形成する第１の工程と、上記基板上の
上記ステンシル層の形成されていない領域上に所
要の第１の層を、上記ステンシル層上の第２の層
の形成を伴なつて形成する第２の工程と、上記ス
テンシル層を溶去することによつて、当該ステン
シル層を上記基板上より除去すると共にこれに伴
い上記第２の層を除去する第３の工程とを含ん
で、上記第１の層による所望のパターンを形成す
るパターン形成法に於て、 上記第２の工程が、上記ステンシル層をその良
溶媒中に浸漬せしめている状態で、上記ステンシ
ル層に20〜50kHzの周波数を有する超音波振動を
与える処理と、該処理に続いて上記ステンシル層
をその良溶媒中に浸漬せしめている状態で、上記
ステンシル層に80〜200kHzの周波数を有する超
音波の振動を与える処理とを含む事を特徴とする
パターン形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56155466A JPS5856423A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | パタ−ン形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56155466A JPS5856423A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | パタ−ン形成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5856423A JPS5856423A (ja) | 1983-04-04 |
| JPH0119256B2 true JPH0119256B2 (ja) | 1989-04-11 |
Family
ID=15606662
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56155466A Granted JPS5856423A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | パタ−ン形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5856423A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2690975B2 (ja) * | 1988-11-11 | 1997-12-17 | 株式会社日立製作所 | フォトレジストの除去方法および装置 |
| US6634235B2 (en) | 2000-11-30 | 2003-10-21 | Alps Electric Co., Ltd. | Load sensor with strain-sensing elements |
| JP2017098304A (ja) * | 2015-11-18 | 2017-06-01 | 京セラ株式会社 | 圧電デバイス、センサ装置および発電装置 |
-
1981
- 1981-09-30 JP JP56155466A patent/JPS5856423A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5856423A (ja) | 1983-04-04 |
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