JPS5856423A - パタ−ン形成法 - Google Patents
パタ−ン形成法Info
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- JPS5856423A JPS5856423A JP56155466A JP15546681A JPS5856423A JP S5856423 A JPS5856423 A JP S5856423A JP 56155466 A JP56155466 A JP 56155466A JP 15546681 A JP15546681 A JP 15546681A JP S5856423 A JPS5856423 A JP S5856423A
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- JP
- Japan
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- layer
- stencil layer
- stencil
- substrate
- frequency
- Prior art date
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- Granted
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/14—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using spraying techniques to apply the conductive material, e.g. vapour evaporation
- H05K3/143—Masks therefor
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Weting (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、所要の基板上に導電性材、絶縁性材等でなる
層による所望のバターｙを形成するパターン形成法の改
良に関し、Ｉ！＃に半導体集積回路装置、ジョセフソン
集積回路装置等の導体層、絶縁層等を所望のバターｙに
形成する場合に適用して好適なものである。
層による所望のバターｙを形成するパターン形成法の改
良に関し、Ｉ！＃に半導体集積回路装置、ジョセフソン
集積回路装置等の導体層、絶縁層等を所望のバターｙに
形成する場合に適用して好適なものである。
斯種パターン形成法として従来、原理的に。
第１図を伴なって以下述べる方法が提案されている。
即ち所要の基板１を予め用意しく第１図人）。
より外側方に延長せる鍔５を形成している）を所望のパ
ターンに形成しく第１図Ｂ）１次にその基板１上のステ
ンシル層２の形成されていない領域上に、導電性材、絶
縁性材等でなるステンシル層２に比し薄い厚さの層３を
、ステンシル層２上の１層３と同じ導電性材、絶縁性材
等でなり互層５と同じ厚さでなる層４の形成を同時に伴
なって、基板１の上方側よりの導電性材。
ターンに形成しく第１図Ｂ）１次にその基板１上のステ
ンシル層２の形成されていない領域上に、導電性材、絶
縁性材等でなるステンシル層２に比し薄い厚さの層３を
、ステンシル層２上の１層３と同じ導電性材、絶縁性材
等でなり互層５と同じ厚さでなる層４の形成を同時に伴
なって、基板１の上方側よりの導電性材。
絶縁性材の蒸着、スパッタリング等によって形成しく第
１図Ｃ）１次にステンシル層２を、その溶媒を用いて溶
去することによって、そのステンシル層２を基板１上よ
り除去すると共に。
１図Ｃ）１次にステンシル層２を、その溶媒を用いて溶
去することによって、そのステンシル層２を基板１上よ
り除去すると共に。
これに伴ないステンシル層２上の層４を除去しくＩＥＩ
図Ｄ）、斯くて基板１上に層５による所望のパターン（
ステンシル層２とは反転せるパターン）を形成するとい
う方法が提案されているＯ 所で斯るパターン形成法の場合、原理的には。
図Ｄ）、斯くて基板１上に層５による所望のパターン（
ステンシル層２とは反転せるパターン）を形成するとい
う方法が提案されているＯ 所で斯るパターン形成法の場合、原理的には。
基板１上のステンシル層２の形成されていない領域上に
１層５をステンシル層２上の層４の形成を伴なって形成
する工程（以下簡単の為第２の工程と称す）に於て、そ
の層５及び４は、それ等がステンシル層２に比し薄い厚
さを有するので、互に分離して形成されるものである。
１層５をステンシル層２上の層４の形成を伴なって形成
する工程（以下簡単の為第２の工程と称す）に於て、そ
の層５及び４は、それ等がステンシル層２に比し薄い厚
さを有するので、互に分離して形成されるものである。
然し乍ら実際上は、それ尋層５及び４の形成する第２の
工程に於て１層５及び４を構成する材料の微粒子が散乱
、拡散等をなすことにより、嬉２図に示す如く％ａＳ及
び４を嘴成せる材料と同じ材料の薄い層６が、ステ７７
２層２の側面上に層５及び４と連接せる態様を以って付
着形成されるを余儀なくされるものである。
工程に於て１層５及び４を構成する材料の微粒子が散乱
、拡散等をなすことにより、嬉２図に示す如く％ａＳ及
び４を嘴成せる材料と同じ材料の薄い層６が、ステ７７
２層２の側面上に層５及び４と連接せる態様を以って付
着形成されるを余儀なくされるものである。
この為、ステンシル層２を溶去することによって、その
ステンシル層２を基板１上より除去すると共に、これに
伴なってステンシル層２上の層４を除去する工程（以下
簡単の為第５の工程と称す）に於て、従来、ステンシル
層２をその溶媒中に浸漬せる状態（実際上ステンシル層
２、層５及び４を形成せる基板１をステンシル層２の溶
媒中に浸漬せる状態に１発振周波数２５〜５０ Ｋ）（
ｚ帯の超音波発振器を用いて、ステンシル層２に２５〜
５０ ＫＨｚの周波数を有する超音波の振動を与え、こ
れにより層６を破壊しながらステンシル層２を溶解せし
めるという処理をとることがなされている。
ステンシル層２を基板１上より除去すると共に、これに
伴なってステンシル層２上の層４を除去する工程（以下
簡単の為第５の工程と称す）に於て、従来、ステンシル
層２をその溶媒中に浸漬せる状態（実際上ステンシル層
２、層５及び４を形成せる基板１をステンシル層２の溶
媒中に浸漬せる状態に１発振周波数２５〜５０ Ｋ）（
ｚ帯の超音波発振器を用いて、ステンシル層２に２５〜
５０ ＫＨｚの周波数を有する超音波の振動を与え、こ
れにより層６を破壊しながらステンシル層２を溶解せし
めるという処理をとることがなされている。
然し乍ら、第５の工程に於て、斯る処理をとる場合、超
音波の振動出力を大とすれば１層５が基板１上より剥離
したり欠損したりする欠陥が生ずる不都合を有していた
。又斯る不都合を回避すべく、超音波の振動出方を小と
すれば。
音波の振動出力を大とすれば１層５が基板１上より剥離
したり欠損したりする欠陥が生ずる不都合を有していた
。又斯る不都合を回避すべく、超音波の振動出方を小と
すれば。
Ｘ ｆ 、：／ シル層２の側面に付着せる層６°の破
壊力効果的になされない理由で、ステンシル層２を基板
１上より除去するに長時間を要すると共に。
壊力効果的になされない理由で、ステンシル層２を基板
１上より除去するに長時間を要すると共に。
第５図に示す如くステンシル層２上の層４が基板１上に
不要層４′として残留したり１層６の一部が基板１上に
直立せる残査物６′として残留したり１層５上に付着し
た残査物６′として残留したり、基板１の層３の形成さ
れていない領域上に付着した残査物ｉ １ｇ として残
留したりし。
不要層４′として残留したり１層６の一部が基板１上に
直立せる残査物６′として残留したり１層５上に付着し
た残査物６′として残留したり、基板１の層３の形成さ
れていない領域上に付着した残査物ｉ １ｇ として残
留したりし。
依って層５による所望のパターンを得るに長時間を要す
ると共Ｆｒ−，その層３による所望パターンが、不要層
４′、残査物６′、θ１．６（ＩＩ等を残留せるものと
して得られるという不都合を有していた。
ると共Ｆｒ−，その層３による所望パターンが、不要層
４′、残査物６′、θ１．６（ＩＩ等を残留せるものと
して得られるという不都合を有していた。
叙上に鑑み１本発明者等は、８１図にて上述せるパター
ン形成法に於て株々の実験の結果。
ン形成法に於て株々の実験の結果。
上述せる［３の工程に於て、上述せる。ステンシル層２
をその溶媒中に浸漬せる状態で、ステンシル層２に２５
〜５０ ＫＨｚの周波数を有する超音波の振動を与える
処理をとる場合に於て。
をその溶媒中に浸漬せる状態で、ステンシル層２に２５
〜５０ ＫＨｚの周波数を有する超音波の振動を与える
処理をとる場合に於て。
その超音波の振動出力を小とするときの不都合が、超音
波の振動出力が小であることにより。
波の振動出力が小であることにより。
ステンシル層２の側面に付着形成せる層６の破壊が効果
的になさｎないから生ずるというばかりでなく、超音波
の周波数が２５〜５０ ＫＨｚであることにより１層６
の破壊が効果的になされないから生ずるものでもあるこ
とを確認するに到った。
的になさｎないから生ずるというばかりでなく、超音波
の周波数が２５〜５０ ＫＨｚであることにより１層６
の破壊が効果的になされないから生ずるものでもあるこ
とを確認するに到った。
又本発明者等は、上述せる第５の工程に於て。
上述せる如くに、ステンシルｊ１２をその溶媒中に浸漬
せる状態で、ステンシル層２に２５〜５０舶の周波数を
有する超音波の振動を与える処理をとるに代え、ステン
シル層２をその溶媒中に浸漬せる状態でステンシル層に
８０〜２００曲の周波数を有する超音波の振動を与える
処理をとる場合、その超音波の振動出力が小であっても
、その超音波の周波数が８０〜２００ＫＨｚであること
により、ステンシル層２の側面に付着形成せる層６の破
壊が効果的になされ、従って前述せる不都合を有効に回
避し得ることを確認するに到った。
せる状態で、ステンシル層２に２５〜５０舶の周波数を
有する超音波の振動を与える処理をとるに代え、ステン
シル層２をその溶媒中に浸漬せる状態でステンシル層に
８０〜２００曲の周波数を有する超音波の振動を与える
処理をとる場合、その超音波の振動出力が小であっても
、その超音波の周波数が８０〜２００ＫＨｚであること
により、ステンシル層２の側面に付着形成せる層６の破
壊が効果的になされ、従って前述せる不都合を有効に回
避し得ることを確認するに到った。
更に本発明者等は、上述せる第３の工程に於て、上述せ
る如くに、ステンシル層２をその溶媒中に、浸漬せる状
態でステンシル層２に８０〜２００ ｋＨｚの周波数を
有する超音波の振動を与える処理（これを以下簡単の為
第３の処理と称す）をとる場合、その第３の処理の前に
、ステンシル層２を、そ゛の良溶媒と貧溶媒との混液を
用いて膨潤せしめる処理（これを以下簡単の為第１の処
理とする）をとれば（同期る膨潤は、仮えステンシル層
２の側面の全域に前述せる層６が耐着形成されていても
、それが薄いので、それを通じて上述せる混液がステン
シル層２内ｌこ浸入することにより、得られるものであ
る）、そのステンシル層２の膨潤によって層６に機械的
ストレスが与えられる為、上述せる第３の工程に於て、
上述せる＠３の処理をとる場合の、ステンシル層２の側
面に付着形成せる層６の破壊がより容易になり、従って
前述せる不都合を有効に回避し得る効果が、更に向上す
ることを確認するに到った。
る如くに、ステンシル層２をその溶媒中に、浸漬せる状
態でステンシル層２に８０〜２００ ｋＨｚの周波数を
有する超音波の振動を与える処理（これを以下簡単の為
第３の処理と称す）をとる場合、その第３の処理の前に
、ステンシル層２を、そ゛の良溶媒と貧溶媒との混液を
用いて膨潤せしめる処理（これを以下簡単の為第１の処
理とする）をとれば（同期る膨潤は、仮えステンシル層
２の側面の全域に前述せる層６が耐着形成されていても
、それが薄いので、それを通じて上述せる混液がステン
シル層２内ｌこ浸入することにより、得られるものであ
る）、そのステンシル層２の膨潤によって層６に機械的
ストレスが与えられる為、上述せる第３の工程に於て、
上述せる＠３の処理をとる場合の、ステンシル層２の側
面に付着形成せる層６の破壊がより容易になり、従って
前述せる不都合を有効に回避し得る効果が、更に向上す
ることを確認するに到った。
同頁に本発明者等は、上述せるｌｆ！３の工程に於て、
上述せる如くに、上述せる第５の処理をとる場合、その
第３の処理の前に、ステンシル層２をその良溶媒中に浸
漬せしめている状態で、ステンシル層２に２０〜５０
ｋＨｚの周波数を有する超音波の振動を与える処理（こ
れを以下簡単の為Ｗ４２の処理と称す）をとれば、ステ
ンシル層２ ｆｃ ２０〜５０ｋＨｚの周波数を有する
超音波の振動がステンシル層２の良溶媒中で与えられる
ことにより、ステンシル層２内に内部歪が生じ、この為
上述せるｊＲ２の処理をとって后に上述せるｗＪ５の処
理をとった場合に於て、その第３の処理時に於けるステ
ンシル層２の良溶媒がステンシル層２に急速に浸透し、
依って第３の処理をとる場合の、ステンシル層２の側面
には付着せる層６の破壊がより容易になり、従つて前述
せる不都合を有効に回避し得る効果が、を順次とる第１
の場合と、上述せる第２の処理と上述せる第３の処理と
を順次とる第２の場合とをパラメータとして、第３の処
理に於ける超音波の周波数ｆ （ｋＨｚ）に対しステン
シル層２及びその上の層４が第５図１こて上述せる不要
層４′、残青物６′、６１１６Ｉ″等を残留せしめるこ
となしに基板１上より除去される率（Ｘ）を測定した結
果、第４図に示す結果が得られたこと番こよりしても、
確かであることが裏付けられた。尚第４図に於て・及び
Ｏ印は上述せる第１の場合、■及び０印は上述せる第２
の場合を示し、又それ等印中白抜きの印は不要層、残青
物等が除去されたことを、又黒ぬりの印は不要層、残査
物等が除去されなかったことを示している。又、上述せ
る第３の工程に於て、上述せるＷＪｌ及び第２の場合の
何れであっても、層５による所望パターンが・第５図に
示す如く、不要層４′、残査物６’、６’、 ６”等を
残留せざる、鮮明なものとして、蚊時間で得られたこと
よりしても、確かであることが裏付けされた。但し第４
図及び第５図に示す結果は、ステンシル層２が厚さ約１
１ｔｒｎを有して、ＡＺ−１４７０（シップレイ社製商
品名）ポジ型フォトレジストでなり、又層３及び４が厚
さα４μｍを有して鉛合金でなり、更に上述せる第３の
工程に於けるｆＩ！４１の処理に於けるステンシル層２
の良溶媒がモノクロルベンゼンでなり、貧溶媒がこの場
合の良溶媒の３容量％のエタノールでなり、又上述せる
第３の工程に於ける第２の処理に於けるステンシル層２
の良溶媒がアセトンでなり、更に第２の処理に於ける超
音波の振動出力が超音波発振器の電気入力でみて１０Ｗ
であり、同頁に上述せる第５の工程に於ける第６の処理
に於けるステンシル層２の溶媒がアセトンでなり、又第
３の処理に於ける超音波の振動出力が超音波発振器の電
気入力でみて２００Ｗである場合の結果である。然し乍
ら、ステンシル層２がＡＺ−１４７０ポジ型７オトレジ
ストでなる外、ＡＺ−１３５０Ｊ。
上述せる如くに、上述せる第５の処理をとる場合、その
第３の処理の前に、ステンシル層２をその良溶媒中に浸
漬せしめている状態で、ステンシル層２に２０〜５０
ｋＨｚの周波数を有する超音波の振動を与える処理（こ
れを以下簡単の為Ｗ４２の処理と称す）をとれば、ステ
ンシル層２ ｆｃ ２０〜５０ｋＨｚの周波数を有する
超音波の振動がステンシル層２の良溶媒中で与えられる
ことにより、ステンシル層２内に内部歪が生じ、この為
上述せるｊＲ２の処理をとって后に上述せるｗＪ５の処
理をとった場合に於て、その第３の処理時に於けるステ
ンシル層２の良溶媒がステンシル層２に急速に浸透し、
依って第３の処理をとる場合の、ステンシル層２の側面
には付着せる層６の破壊がより容易になり、従つて前述
せる不都合を有効に回避し得る効果が、を順次とる第１
の場合と、上述せる第２の処理と上述せる第３の処理と
を順次とる第２の場合とをパラメータとして、第３の処
理に於ける超音波の周波数ｆ （ｋＨｚ）に対しステン
シル層２及びその上の層４が第５図１こて上述せる不要
層４′、残青物６′、６１１６Ｉ″等を残留せしめるこ
となしに基板１上より除去される率（Ｘ）を測定した結
果、第４図に示す結果が得られたこと番こよりしても、
確かであることが裏付けられた。尚第４図に於て・及び
Ｏ印は上述せる第１の場合、■及び０印は上述せる第２
の場合を示し、又それ等印中白抜きの印は不要層、残青
物等が除去されたことを、又黒ぬりの印は不要層、残査
物等が除去されなかったことを示している。又、上述せ
る第３の工程に於て、上述せるＷＪｌ及び第２の場合の
何れであっても、層５による所望パターンが・第５図に
示す如く、不要層４′、残査物６’、６’、 ６”等を
残留せざる、鮮明なものとして、蚊時間で得られたこと
よりしても、確かであることが裏付けされた。但し第４
図及び第５図に示す結果は、ステンシル層２が厚さ約１
１ｔｒｎを有して、ＡＺ−１４７０（シップレイ社製商
品名）ポジ型フォトレジストでなり、又層３及び４が厚
さα４μｍを有して鉛合金でなり、更に上述せる第３の
工程に於けるｆＩ！４１の処理に於けるステンシル層２
の良溶媒がモノクロルベンゼンでなり、貧溶媒がこの場
合の良溶媒の３容量％のエタノールでなり、又上述せる
第３の工程に於ける第２の処理に於けるステンシル層２
の良溶媒がアセトンでなり、更に第２の処理に於ける超
音波の振動出力が超音波発振器の電気入力でみて１０Ｗ
であり、同頁に上述せる第５の工程に於ける第６の処理
に於けるステンシル層２の溶媒がアセトンでなり、又第
３の処理に於ける超音波の振動出力が超音波発振器の電
気入力でみて２００Ｗである場合の結果である。然し乍
ら、ステンシル層２がＡＺ−１４７０ポジ型７オトレジ
ストでなる外、ＡＺ−１３５０Ｊ。
ＡＺ−１４５０ＪＳＡＺ−２４００（何れもシップレイ
社製商品名）ポジ型フォトレジスト、０ＦＰＲシリーズ
（東京応用化学社製商品名）等′の他のポジ型フォトレ
ジストでなる場合であっても、又層３及び４が鉛合金で
なる外、他の導電性材、８１０２ 等の絶縁性材でなる
場合であっても、更に上述せる第１の処理に於ける良溶
媒及び貧溶媒モ夫々モノクロルベンゼン及びエタノール
である外、他の所要の良溶媒及び貧溶媒であっても、同
頁に上述せる第２及び第３の処理に於けるステンシル層
２の溶媒がアセトンでなる外、ステンシルＮ２を構成せ
る材料に応じたその良溶媒である場合であっても、即ち
例えばステンシル層２が７オトレジスト又は電子ビーム
レジストである場合、メチルイソブチルケトン等のケト
ン類、２−エトキシルアセテート等の酢酸エステル類等
であっても、第４図に示すと同様の結果が得られた。
社製商品名）ポジ型フォトレジスト、０ＦＰＲシリーズ
（東京応用化学社製商品名）等′の他のポジ型フォトレ
ジストでなる場合であっても、又層３及び４が鉛合金で
なる外、他の導電性材、８１０２ 等の絶縁性材でなる
場合であっても、更に上述せる第１の処理に於ける良溶
媒及び貧溶媒モ夫々モノクロルベンゼン及びエタノール
である外、他の所要の良溶媒及び貧溶媒であっても、同
頁に上述せる第２及び第３の処理に於けるステンシル層
２の溶媒がアセトンでなる外、ステンシルＮ２を構成せ
る材料に応じたその良溶媒である場合であっても、即ち
例えばステンシル層２が７オトレジスト又は電子ビーム
レジストである場合、メチルイソブチルケトン等のケト
ン類、２−エトキシルアセテート等の酢酸エステル類等
であっても、第４図に示すと同様の結果が得られた。
尚上述せる確聞事項に於て、上述せる第３の工程に於け
る第３の処理に於て、超音波の周波数が８０〜２００ｋ
Ｈｚであるとする、その下限周波数８０ｋｌｌｚは、超
音波の周波数がその下限周波数８０ ｋＨｚより低くな
れば、その下限周波数を堺としてステンシル層２に超音
波の振動を与える処理時間が急激に長くなることよりし
ても決められているものである。又上限周波数２００
ｋＨｚは、超音波の周波数がその上限周波数２００に七
より高くなれば、その上限周波数を堺として、ステンシ
ル層２の溶媒中での超音波の振動出力の損失が急激に大
になり、この為ステンシル層２に効果的に超音波の振動
出力を与えることが出来なくなることによりしても決め
られているものである。
る第３の処理に於て、超音波の周波数が８０〜２００ｋ
Ｈｚであるとする、その下限周波数８０ｋｌｌｚは、超
音波の周波数がその下限周波数８０ ｋＨｚより低くな
れば、その下限周波数を堺としてステンシル層２に超音
波の振動を与える処理時間が急激に長くなることよりし
ても決められているものである。又上限周波数２００
ｋＨｚは、超音波の周波数がその上限周波数２００に七
より高くなれば、その上限周波数を堺として、ステンシ
ル層２の溶媒中での超音波の振動出力の損失が急激に大
になり、この為ステンシル層２に効果的に超音波の振動
出力を与えることが出来なくなることによりしても決め
られているものである。
以上よりして、此処に特許請求の範囲第１項及び第２項
所載のパターン形成法を、本発明によるパターン形成法
として提案するに到ったものである。
所載のパターン形成法を、本発明によるパターン形成法
として提案するに到ったものである。
斯る本発明によるパターン形成法によれば、前述せる所
より明らかであるので、詳細説明はこれを省略するも、
前述せる不都合を伴うことなしに、所要の基板１上に導
電性材、絶縁性材等でなる層３による所望のパターンを
形成することが出来るという大なる特徴を有す゛るもの
である。因みにステンシル層２が、前述せる如く厚さ１
μｍを有して、人Ｚ−１４７０７オトレジストでなり、
又層３及び４が厚さ０．４μｍを有して、鉛合金でなり
、更に上述せる第３の工程に於て第１及び第３の処理を
とる場合に於てその第１の処理に於けるステンシル層２
に対する良溶媒及び貧溶媒が夫々前述せる如くモノクロ
ルベンセン及びそれに対して３容量％のエタノールでな
り、又第１の処理に於ける超音波の周波数が４５ ｋＨ
ｚ、振動出力が超音波発振器の電気入力でみて１０Ｗで
あり、更に上述せる第３の工程に於ける第２及び第３の
処理をとる場合に於てその＃！２の処理に於けるステン
シル層２に対する良溶媒がアセトンでなり、更に上述せ
るｔＪ４３の工程に於ける第３の処理に於けるステンシ
ルＰ＃１２に対する溶媒がアセトンでなり、同頁に上述
せる第３の工程に於ける第３の処理に於ｉ″７１超音波
の振動出力が超音波発振器の電気入力でみて２００Ｗで
ある場合に於て、上述せる第３の工程に於ける超音波の
振動を与える処理Ｔｅ５〜５０分とし、又超音波の周波
数を１００ ｋＨｚ 。
より明らかであるので、詳細説明はこれを省略するも、
前述せる不都合を伴うことなしに、所要の基板１上に導
電性材、絶縁性材等でなる層３による所望のパターンを
形成することが出来るという大なる特徴を有す゛るもの
である。因みにステンシル層２が、前述せる如く厚さ１
μｍを有して、人Ｚ−１４７０７オトレジストでなり、
又層３及び４が厚さ０．４μｍを有して、鉛合金でなり
、更に上述せる第３の工程に於て第１及び第３の処理を
とる場合に於てその第１の処理に於けるステンシル層２
に対する良溶媒及び貧溶媒が夫々前述せる如くモノクロ
ルベンセン及びそれに対して３容量％のエタノールでな
り、又第１の処理に於ける超音波の周波数が４５ ｋＨ
ｚ、振動出力が超音波発振器の電気入力でみて１０Ｗで
あり、更に上述せる第３の工程に於ける第２及び第３の
処理をとる場合に於てその＃！２の処理に於けるステン
シル層２に対する良溶媒がアセトンでなり、更に上述せ
るｔＪ４３の工程に於ける第３の処理に於けるステンシ
ルＰ＃１２に対する溶媒がアセトンでなり、同頁に上述
せる第３の工程に於ける第３の処理に於ｉ″７１超音波
の振動出力が超音波発振器の電気入力でみて２００Ｗで
ある場合に於て、上述せる第３の工程に於ける超音波の
振動を与える処理Ｔｅ５〜５０分とし、又超音波の周波
数を１００ ｋＨｚ 。
１５０ ｋＨｚとした所、何れの場合でも、第５図に示
す如く、基板１上屹層３による所望のパターンを、基板
１上−こ第３図に前述せる不要層４′、残査瞼６’、６
’、 ６”等を残留せしめることなしに得ることが出来
た。尚本例の場合、上述の第３の工程后、全体をア七ト
ン液中でリンスした后、乾燥した。
す如く、基板１上屹層３による所望のパターンを、基板
１上−こ第３図に前述せる不要層４′、残査瞼６’、６
’、 ６”等を残留せしめることなしに得ることが出来
た。尚本例の場合、上述の第３の工程后、全体をア七ト
ン液中でリンスした后、乾燥した。
第１図Ａ−Ｄは、本発明によるパターン形成法の基礎と
なる原理的なパターン形成法の順次の工程に於ける路線
的断面図、第２図は、第１図０の工程に対応する実際の
工程に於ける路線的断面内、第５図は従来のパターン形
成法による場合の、第１図りの工程に対広する実際の工
程に於ける路線的断面図、第４図は本発明によるパター
ン形成法の説明に供する曲線図、第５図は本発明による
パターン形成法による場合の第１図りに示す工程に於け
る路線的断面図である。 図中、１は基板、２はステンシル層、６．４及び６は層
、４′は不要層、６′、６１１６−は残査物である。 出願人 日本電信電話公社 第１図 第２図 第３図
なる原理的なパターン形成法の順次の工程に於ける路線
的断面図、第２図は、第１図０の工程に対応する実際の
工程に於ける路線的断面内、第５図は従来のパターン形
成法による場合の、第１図りの工程に対広する実際の工
程に於ける路線的断面図、第４図は本発明によるパター
ン形成法の説明に供する曲線図、第５図は本発明による
パターン形成法による場合の第１図りに示す工程に於け
る路線的断面図である。 図中、１は基板、２はステンシル層、６．４及び６は層
、４′は不要層、６′、６１１６−は残査物である。 出願人 日本電信電話公社 第１図 第２図 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 所要の基板上に所望のパターンを有するステンシ
ル層を形成する第１の工程と、上記基板上の上記ステン
シル層の形成されていない領域上に所要の第１の層を、
上記ステンシル層上の第２の層の形成を伴なって形成す
る第２の工程と、上記ステンシル層を溶去することによ
って、当蚊ステンシル層を上記基板上より除去すると共
にこれに伴い上記第２の層を除去する第６の工程とを含
んで、上記第１の層による所望のパターンを形成するパ
ターン形成法に於て、 上記第２の工程が、上記ステンシル層を、その良溶媒と
貧溶媒との混液を用いてＩｌ＠せしめる処理と、該処理
に続いて上記ステンシル層をその良溶媒中に浸漬せしめ
ている状態で、上記ステンシル層に８０〜２００１の周
波数を有する超音波の振動を与える処理とを含む事を特
徴とするパターン形成法。 λ 所要の基板上に所望のパターンを有するステンシル
層を形成する第１の工程と、上記基板上の上記ステンシ
ル層の形成されていない領域上に所要の第１の層を、上
記ステンシル層上の第２の層の形成を伴なって形成する
第２の工程と、上記ステンシル層を溶去することによっ
て、当該ステンシル層を上記基板上より除去すると共に
これに伴い上記Ｗ、２の１−を除去する第３の工程とを
含んで、上記第１の鳩による所望のパターンを形成する
パターン形成法に於て、 上記第２の工程が、上記ステンシル層をその良溶媒中に
浸漬せしめている状態で、上記ステンシル層に２０〜５
０此の周波数を有する超音波振動を与える処理と、該処
理に続いて上記ステンシル層をその良溶媒中に浸漬せし
めている状態で、上記ステンシル層に８０〜２００ ｋ
Ｈｚの周波数を有する超音波の振動を与える処理とを含
む事を特徴とする特ターン形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56155466A JPS5856423A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | パタ−ン形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56155466A JPS5856423A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | パタ−ン形成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5856423A true JPS5856423A (ja) | 1983-04-04 |
| JPH0119256B2 JPH0119256B2 (ja) | 1989-04-11 |
Family
ID=15606662
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56155466A Granted JPS5856423A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | パタ−ン形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5856423A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02130553A (ja) * | 1988-11-11 | 1990-05-18 | Hitachi Ltd | フォトレジストの除去方法および装置 |
| US6634235B2 (en) | 2000-11-30 | 2003-10-21 | Alps Electric Co., Ltd. | Load sensor with strain-sensing elements |
| JP2017098304A (ja) * | 2015-11-18 | 2017-06-01 | 京セラ株式会社 | 圧電デバイス、センサ装置および発電装置 |
-
1981
- 1981-09-30 JP JP56155466A patent/JPS5856423A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02130553A (ja) * | 1988-11-11 | 1990-05-18 | Hitachi Ltd | フォトレジストの除去方法および装置 |
| US6634235B2 (en) | 2000-11-30 | 2003-10-21 | Alps Electric Co., Ltd. | Load sensor with strain-sensing elements |
| JP2017098304A (ja) * | 2015-11-18 | 2017-06-01 | 京セラ株式会社 | 圧電デバイス、センサ装置および発電装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0119256B2 (ja) | 1989-04-11 |
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