JPH01193237A - 側鎖にアルキル基を有する液晶性化合物 - Google Patents
側鎖にアルキル基を有する液晶性化合物Info
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- JPH01193237A JPH01193237A JP63016737A JP1673788A JPH01193237A JP H01193237 A JPH01193237 A JP H01193237A JP 63016737 A JP63016737 A JP 63016737A JP 1673788 A JP1673788 A JP 1673788A JP H01193237 A JPH01193237 A JP H01193237A
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- Liquid Crystal (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、新規なアルコキシ１０ピルベンゼン類および
該化合物を有効成分とする液晶組成物に関する。
該化合物を有効成分とする液晶組成物に関する。
（従来の技術）
液晶を利用した表示素子は時計、電卓等に広く使用され
ている。これらの液晶表示素子は液晶物質の光学異方性
および誘電異方性を利用したものである。液晶相にはネ
マチック液晶相、スメクチック液晶相、コレステリック
液晶相があり、そのうちネマチック液晶を利用したもの
が最も広く実用化され、スメクチック液晶の応用開発が
さかんに行なわれている。
ている。これらの液晶表示素子は液晶物質の光学異方性
および誘電異方性を利用したものである。液晶相にはネ
マチック液晶相、スメクチック液晶相、コレステリック
液晶相があり、そのうちネマチック液晶を利用したもの
が最も広く実用化され、スメクチック液晶の応用開発が
さかんに行なわれている。
それらには液晶表示に応用されている電気光学効果に対
応して、ＴＮ（ねじれネマチック）型、ＤＳ（動的散乱
）型、ゲスト・ホスト型、ＤＡＰ型等の表示素子があり
、それぞれ、に使用される液晶物質は自然界のなるべく
広い温度範囲で液晶相を示すものが望ましい。
応して、ＴＮ（ねじれネマチック）型、ＤＳ（動的散乱
）型、ゲスト・ホスト型、ＤＡＰ型等の表示素子があり
、それぞれ、に使用される液晶物質は自然界のなるべく
広い温度範囲で液晶相を示すものが望ましい。
現在のところ単一の液晶物質でそのような条件をみたす
物質はなく、数種の液晶物質またはさらに非液晶物質を
混合して実用に供している。これらの物質は水分、光、
熱、空気等に対しても安定であることを要求されている
。
物質はなく、数種の液晶物質またはさらに非液晶物質を
混合して実用に供している。これらの物質は水分、光、
熱、空気等に対しても安定であることを要求されている
。
近年表示素子の大型化が望まれ、スメクチック液晶を用
いたレーザー光書き込み型大画面デスプレイをＦ、Ｊ、
カーノ（Ｆ、コ、Ｋａｈｎ、Ａｐｐｌ Ｐｈｙｓ、Ｌｅ
ｔｔ、。
いたレーザー光書き込み型大画面デスプレイをＦ、Ｊ、
カーノ（Ｆ、コ、Ｋａｈｎ、Ａｐｐｌ Ｐｈｙｓ、Ｌｅ
ｔｔ、。
２２、 １１１−１１３ （１９７３））が提案した。
これに用いられる液晶化合物は、スメクチック相 ネマ
チック相 等方性液体のような順で相転移しなければな
らない。
チック相 等方性液体のような順で相転移しなければな
らない。
又一方では従来のＴＮ型方式では表示品位が劣るため、
新たに一連のＳＴＮ （スーパーツイスト）型表示素子
が間、シャット、Ｆ６リーンフーツ（Ａｐｐｌ。
新たに一連のＳＴＮ （スーパーツイスト）型表示素子
が間、シャット、Ｆ６リーンフーツ（Ａｐｐｌ。
Ｐｈｙｓ Ｌｅｔｔ、 ５０．２３６ （１９８７））
により開発され、大型化しても表示品位が劣らないので
すむものであ る。
により開発され、大型化しても表示品位が劣らないので
すむものであ る。
この方式に望まれる液晶の性買はに３／Ｋｌが大きく、
Ｋ２／Ｋｌ は小さい、 Δε／ε上は小さい値が望ま
れている （Ｍ、 ５ｃｈａｄｔ、 Ｆ、 Ｌｅｅｎｈ
ｏｕｔｓＳｏｃｉｅｔｙ ｆｏｒ ｉｎｆｏｒｍａｔｉ
ｏｎ ＤｉｓｐｌａｙＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｓ
ｙｍｐｏｓｉｕ＠Ｄｉｇｅｓｔ ｏｆ Ｔｅｃｈｎｉｃ
ａｌＰａｐａｒｓ ｖｏｌ、 １０８ Ｎｅｗ ０ｒ
ｌｅａｎｓ、 Ｌｏｕｉｓｉａｎａ Ｍａｙ１２−１４
． ＜１９８７） ３７２−３７５）。
Ｋ２／Ｋｌ は小さい、 Δε／ε上は小さい値が望ま
れている （Ｍ、 ５ｃｈａｄｔ、 Ｆ、 Ｌｅｅｎｈ
ｏｕｔｓＳｏｃｉｅｔｙ ｆｏｒ ｉｎｆｏｒｍａｔｉ
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ｌｅａｎｓ、 Ｌｏｕｉｓｉａｎａ Ｍａｙ１２−１４
． ＜１９８７） ３７２−３７５）。
本発明の目的はＫ ３ ／ Ｋ Ｉが比較的大きく、又
、Δｎが小さく相溶性に優れており、上述のＳＴＮ型表
示素子に使用できる化合物であって液晶組成物として有
用な新規化合物を提供することである。
、Δｎが小さく相溶性に優れており、上述のＳＴＮ型表
示素子に使用できる化合物であって液晶組成物として有
用な新規化合物を提供することである。
他の目的は、該化合物を含有することを特徴とする液晶
組成物を提供することである。
組成物を提供することである。
（問題点を解決するための手段）
本発明（二発明）は一般式
（上式中Ｒ１，Ｒ２はそれぞれ直鎖又は枝分れした炭素
数１〜１５のアルキル基であり、Ｊ は１又は２を示す
）で表わされるアルコキシプロピルベンゼン類および該
化合物を有効成分とする液晶組成物である。
数１〜１５のアルキル基であり、Ｊ は１又は２を示す
）で表わされるアルコキシプロピルベンゼン類および該
化合物を有効成分とする液晶組成物である。
本発明の液晶組成物の成分にできる本発明の化合物以外
の他の成分としては、例えばエステル系、シッフ塩基系
、ビフェニル系、フェニルシクロヘキサン系、複素環系
等の液晶化合物をあげることができる。
の他の成分としては、例えばエステル系、シッフ塩基系
、ビフェニル系、フェニルシクロヘキサン系、複素環系
等の液晶化合物をあげることができる。
本発明の化合物の製造法は、例えば次式（ＩＩ）の反応
によって示される。
によって示される。
（上式中Ｒ＋、Ｒｚ、、Ｊ、は前記に同じである）すな
わち、臭化アリルと４−アルキルシクロヘキシルフェノ
ール（、ｅ＝１）又は４−アルキルビシクロヘキシルフ
ェノール（、！ ＝ ２ ）をアセトン中炭酸カリウム
と反応を行い、フェニルアリルエーテル体とし、ついで
ジメチルアニリン中環流し、クライゼン転位して２−ア
リル−４−アルキルシクロヘキシルフェノール類を得た
。
わち、臭化アリルと４−アルキルシクロヘキシルフェノ
ール（、ｅ＝１）又は４−アルキルビシクロヘキシルフ
ェノール（、！ ＝ ２ ）をアセトン中炭酸カリウム
と反応を行い、フェニルアリルエーテル体とし、ついで
ジメチルアニリン中環流し、クライゼン転位して２−ア
リル−４−アルキルシクロヘキシルフェノール類を得た
。
このフェノールと臭化アルキルをアセトン中炭酸カリウ
ムと反応を行い１−アルコキシ−２−アリ−４−アルキ
ルシクロヘキシルベンゼン類を得た。これ゛をパラジウ
ム−炭素触媒を用いて接触還元を行い、目的とするアル
コキシプロピルベンゼン類を製造するか、もしくは２−
アリル−４−アルキルシクロヘキシルフェノール類をパ
ラジウム−炭素触媒を用いて接触還元を行い、２−プロ
ピル−４−シクロヘキシルフェノール類とし、これと臭
化アルキルとアセトン中、炭酸カリウムと反応を行い目
的とする化合物を得ることができる。
ムと反応を行い１−アルコキシ−２−アリ−４−アルキ
ルシクロヘキシルベンゼン類を得た。これ゛をパラジウ
ム−炭素触媒を用いて接触還元を行い、目的とするアル
コキシプロピルベンゼン類を製造するか、もしくは２−
アリル−４−アルキルシクロヘキシルフェノール類をパ
ラジウム−炭素触媒を用いて接触還元を行い、２−プロ
ピル−４−シクロヘキシルフェノール類とし、これと臭
化アルキルとアセトン中、炭酸カリウムと反応を行い目
的とする化合物を得ることができる。
（発明の効果）
本発明の化合物は他の多くの液晶化合物、すなわちエス
テル系、シッフ塩基系、ビフェニル系、フェニルシクロ
ヘキサン系、複素環系等の液晶化合物との相溶性がよく
、本発明の化合物を液晶組成物に加え、Δｎが小さく、
スしきい値電圧を低くすることができる。
テル系、シッフ塩基系、ビフェニル系、フェニルシクロ
ヘキサン系、複素環系等の液晶化合物との相溶性がよく
、本発明の化合物を液晶組成物に加え、Δｎが小さく、
スしきい値電圧を低くすることができる。
又Ｋ ｚ ／ Ｋ ＋の値を比較的大きくできるためＳ
ＴＮ型表示素子用の液晶組成物に好適な化合物であり、
又、ここで製造した１−アルキル−２−プロピル−４−
トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）シクロヘキシルベンゼンでアルキル基がメチル基の
ものは、スメクチック相を示し、プロピル基のものは、
スメクチックＡ相←ネマチック相→液体と相転位するの
でスメクチックＡ相を用いたレーザー書き込み型表示装
置に好適である。
ＴＮ型表示素子用の液晶組成物に好適な化合物であり、
又、ここで製造した１−アルキル−２−プロピル−４−
トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）シクロヘキシルベンゼンでアルキル基がメチル基の
ものは、スメクチック相を示し、プロピル基のものは、
スメクチックＡ相←ネマチック相→液体と相転位するの
でスメクチックＡ相を用いたレーザー書き込み型表示装
置に好適である。
以下に述べる実施例により本発明の化合物につきさらに
詳細に説明する。
詳細に説明する。
実施例１
１−ヒドロキシ−２−アリル−４−（トランス−４−プ
ロピルシクロへキシル−トランス−４−シクロヘキシル
）ベンゼンの製造 １） １−アリルオキシ−４−（トランス−４−プロピ
ルシクロへキシル−トランス−４−シクロヘキシル）ベ
ンゼンの製造 １−ヒドロキシ−４−（トランス−４−プロピルシクロ
へキシル−トランス−４−シクロヘキシル）ベンゼン３
ｇ（０，０１モル）に３００ｍスのアセトンに溶解し、
これに炭酸カリウム２０ｇを加えた。
ロピルシクロへキシル−トランス−４−シクロヘキシル
）ベンゼンの製造 １） １−アリルオキシ−４−（トランス−４−プロピ
ルシクロへキシル−トランス−４−シクロヘキシル）ベ
ンゼンの製造 １−ヒドロキシ−４−（トランス−４−プロピルシクロ
へキシル−トランス−４−シクロヘキシル）ベンゼン３
ｇ（０，０１モル）に３００ｍスのアセトンに溶解し、
これに炭酸カリウム２０ｇを加えた。
反応液を５０℃にし、撹拌しながら具化アリル３．６
ｇ （０，０３ｇ）を１０分で加えた。更に２時間反応
し、ついで、８０℃にて５時間反応した。
ｇ （０，０３ｇ）を１０分で加えた。更に２時間反応
し、ついで、８０℃にて５時間反応した。
放冷後析出した無機物と未反応物を一過した後、減圧に
てアセトンを留去した。これに水１００ ｍＪ−を加え
、析出した沈殿物をトルエン１００ｍＪ’で２回抽出し
た。 トルエン層を２Ｎ水酸化ナトリウムで洗い、つい
で中性になるまで水でトルエン層を洗った。
てアセトンを留去した。これに水１００ ｍＪ−を加え
、析出した沈殿物をトルエン１００ｍＪ’で２回抽出し
た。 トルエン層を２Ｎ水酸化ナトリウムで洗い、つい
で中性になるまで水でトルエン層を洗った。
無水酸化ナトリウムでトルエン層を乾燥後、トルエンを
減圧にして留去した。残った結晶をエタノールで再結晶
を行った。融点６２℃、スメクチック−ネマチック １
５５．８℃、ネマチック−透明点 ２Ｇ２．９°Ｃ１収
量２．５ｇ （収率７３％）２）１−ヒドロキシ−２−
アリル−４−（トランス−４−プロピルシクロへキシル
−トランス−４−シクロヘキシル）ベンゼンの製造 １）で製造した１−アリルオキシ−４−（トランス−４
−プロピルシクロへキシル−トランス−４−シクロヘキ
シル）ベンゼン３．４ ｇ （０，Ｑ１モル）をＮ、
Ｎ−ジメチルアニリン１０ｍ１に溶かし、８時間窒素
雰囲気下に還流した。
減圧にして留去した。残った結晶をエタノールで再結晶
を行った。融点６２℃、スメクチック−ネマチック １
５５．８℃、ネマチック−透明点 ２Ｇ２．９°Ｃ１収
量２．５ｇ （収率７３％）２）１−ヒドロキシ−２−
アリル−４−（トランス−４−プロピルシクロへキシル
−トランス−４−シクロヘキシル）ベンゼンの製造 １）で製造した１−アリルオキシ−４−（トランス−４
−プロピルシクロへキシル−トランス−４−シクロヘキ
シル）ベンゼン３．４ ｇ （０，Ｑ１モル）をＮ、
Ｎ−ジメチルアニリン１０ｍ１に溶かし、８時間窒素
雰囲気下に還流した。
放冷後トルエン１００ｍノ を加え、分液ロートに移し
た。６Ｎ塩酸５０ ｍＪで３回トルエン層を抽出した後
、洗液が中性になるまでトルエン層を洗った。
た。６Ｎ塩酸５０ ｍＪで３回トルエン層を抽出した後
、洗液が中性になるまでトルエン層を洗った。
トルエン層を無水硫酸ナトリウムで乾燥後Ｐ過して、減
圧でトルエン層を留去した。残った油状物をｎ−へブタ
ンで再結晶した０Ｍ点１１４〜１１６℃、収量２．５ｇ
（収率８３％）同様な°製造方法により４−（トラン
ス−４−ペンチルシクロヘキシル）フェノールから２−
アリル−４−（トランス−４−へブチルシクロヘキシル
）フェノール沸点２００℃１５−量Ｈｇを製造した。
圧でトルエン層を留去した。残った油状物をｎ−へブタ
ンで再結晶した０Ｍ点１１４〜１１６℃、収量２．５ｇ
（収率８３％）同様な°製造方法により４−（トラン
ス−４−ペンチルシクロヘキシル）フェノールから２−
アリル−４−（トランス−４−へブチルシクロヘキシル
）フェノール沸点２００℃１５−量Ｈｇを製造した。
実施例２
１−メトキシ−２−プロピル−４−〈トランス−４−プ
ロピルシクロへキシル−トランス−４−シクロヘキシル
）ベンゼンの製造 実施例１で製造した１−ヒドロキシ−２−アリル−４−
（トランス−４−プロピルシクロへキシル−トランス−
４−シクロヘキシル）ベンゼン３．４ ｇ （０，０１
モル）を３００ｍ１のアセトンに溶解し、これに炭酸カ
リウム２０ｇ加えた。
ロピルシクロへキシル−トランス−４−シクロヘキシル
）ベンゼンの製造 実施例１で製造した１−ヒドロキシ−２−アリル−４−
（トランス−４−プロピルシクロへキシル−トランス−
４−シクロヘキシル）ベンゼン３．４ ｇ （０，０１
モル）を３００ｍ１のアセトンに溶解し、これに炭酸カ
リウム２０ｇ加えた。
反応液を５０℃にし、撹拌しながらヨウ化メチル７ｇ（
０，０５モル）を１０分で加え、７時間反応を行った。
０，０５モル）を１０分で加え、７時間反応を行った。
放冷後析出した無機物を一過した後、減圧にてアセトン
を留去した。
を留去した。
これに水を加え、析出した油状物をトルエンで（２００
ｍ 芝）抽出した。 トルエン層を２Ｎ水酸化ナトリウ
ムで洗い、ついで中性になるまで水でトルエン層を洗っ
た。
ｍ 芝）抽出した。 トルエン層を２Ｎ水酸化ナトリウ
ムで洗い、ついで中性になるまで水でトルエン層を洗っ
た。
無水硫酸ナトリウムでトルエン層を乾燥後、トルエンを
減圧にして留去した。残った結晶をエタノールで溶かし
、強く冷却した再結晶を行った。
減圧にして留去した。残った結晶をエタノールで溶かし
、強く冷却した再結晶を行った。
室温にてスメクチックＡ、スメクチックＡ−透明点６７
．５℃。
．５℃。
このもの１ｇを酢酸エチル５０ｍノに溶解し、パラジウ
ム−炭素触媒を加え常温常圧で接触還元を行った。水素
の吸収が止まったならば触媒を日別し、酢酸エチルを減
圧にて留去し、残った油状物をｎ−ヘプタンで再結晶を
行った。Ｃ−Ｓ点５９℃、Ｓ−１点７９．８℃収量０．
７ｇであった。
ム−炭素触媒を加え常温常圧で接触還元を行った。水素
の吸収が止まったならば触媒を日別し、酢酸エチルを減
圧にて留去し、残った油状物をｎ−ヘプタンで再結晶を
行った。Ｃ−Ｓ点５９℃、Ｓ−１点７９．８℃収量０．
７ｇであった。
実施例３〜５
実施例２においてヨウ化メチルの代りに各種の臭化アル
キルを用いて１−アルキルオキシ−２−プロピル−４−
（トランス−４−プロピルシクロへキシル−トランス−
４−シクロヘキシル）ベンゼンを又、２−プロピル−４
−（トランス−４−ヘプチルシクロヘキシル）フェノー
ルから１−アルキル−２−プロピル−４−（トランス−
４−へブチルシクロヘキシル）ベンゼンを製造した。こ
れらの結果を実施例１と共に表に示した。
キルを用いて１−アルキルオキシ−２−プロピル−４−
（トランス−４−プロピルシクロへキシル−トランス−
４−シクロヘキシル）ベンゼンを又、２−プロピル−４
−（トランス−４−ヘプチルシクロヘキシル）フェノー
ルから１−アルキル−２−プロピル−４−（トランス−
４−へブチルシクロヘキシル）ベンゼンを製造した。こ
れらの結果を実施例１と共に表に示した。
応用例１
トランス−４−プロピル−（４−シアノフェニル）シク
ロヘキサン ３０重量％トランス−４−ペンチルー（
４−シアノフェニル）シクロヘキサン ４０重量％ト
ランス−４−へ１チル−（４−シアノフェニル）シクロ
ヘキサン ３０重量％なる組成の液晶混合物（Ａ）の
Ｎ−１点は５２．１℃Δεは１１．２．２０℃における
粘度は２３．４、Δｎは０．１１９ 、Ｋｓ ／に＋は
１．８２である。液晶セルとして、酸化ケイ素をコーテ
ィングし、ラビング処理した酸化スズ透明電極を有する
基板を対向させて組立てた、電極間距離が１０μｍのら
のを用意し、上記の液晶組成物（Ａ）を封入して２０℃
でその特性を測定したところ、しきい電圧（以下ｖｔｈ
と略記する）は１．５５Ｖであった。
ロヘキサン ３０重量％トランス−４−ペンチルー（
４−シアノフェニル）シクロヘキサン ４０重量％ト
ランス−４−へ１チル−（４−シアノフェニル）シクロ
ヘキサン ３０重量％なる組成の液晶混合物（Ａ）の
Ｎ−１点は５２．１℃Δεは１１．２．２０℃における
粘度は２３．４、Δｎは０．１１９ 、Ｋｓ ／に＋は
１．８２である。液晶セルとして、酸化ケイ素をコーテ
ィングし、ラビング処理した酸化スズ透明電極を有する
基板を対向させて組立てた、電極間距離が１０μｍのら
のを用意し、上記の液晶組成物（Ａ）を封入して２０℃
でその特性を測定したところ、しきい電圧（以下ｖｔｈ
と略記する）は１．５５Ｖであった。
この液晶組成物（Ａ）８５重量％に本発明の実施例３で
製造した１−プロポキシ−２−プロピル−４−（）ラン
ス−４−プロピルシクロへキシル−トランス−４−シク
ロヘキシル）ベンゼン１５重量％を溶解した組成物のＮ
−１点は５３．５℃、Δεは９．５．Δｎは０．１２０
、Ｖｔｈは１．６０Ｖであった。
製造した１−プロポキシ−２−プロピル−４−（）ラン
ス−４−プロピルシクロへキシル−トランス−４−シク
ロヘキシル）ベンゼン１５重量％を溶解した組成物のＮ
−１点は５３．５℃、Δεは９．５．Δｎは０．１２０
、Ｖｔｈは１．６０Ｖであった。
又に３／Ｋｌは１．８４と大きくなり又Ｎ−Ｉ点も高め
る事ができ、ＳＴＮ用としても好適である。
る事ができ、ＳＴＮ用としても好適である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（ I ） （上式中Ｒ＾１、Ｒ＾２はそれぞれ直鎖又は枝分れした
炭素数１〜１５のアルキル基であり、ｌは１又は２を示
す）で表わされるアルコキシプロピルベンゼン類。 ２）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（ I ） （上式中Ｒ＾１、Ｒ＾２はそれぞれ直鎖又は枝分れした
炭素数１〜１５のアルキル基であり、ｌは１又は２を示
す）で表わされるアルコキシプロピルベンゼン類を少な
くとも一種類含有する液晶組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63016737A JP2514395B2 (ja) | 1988-01-27 | 1988-01-27 | 側鎖にアルキル基を有する液晶性化合物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63016737A JP2514395B2 (ja) | 1988-01-27 | 1988-01-27 | 側鎖にアルキル基を有する液晶性化合物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01193237A true JPH01193237A (ja) | 1989-08-03 |
| JP2514395B2 JP2514395B2 (ja) | 1996-07-10 |
Family
ID=11924582
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63016737A Expired - Lifetime JP2514395B2 (ja) | 1988-01-27 | 1988-01-27 | 側鎖にアルキル基を有する液晶性化合物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2514395B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018090569A (ja) * | 2016-11-21 | 2018-06-14 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＭｅｒｃｋ Ｐａｔｅｎｔ Ｇｅｓｅｌｌｓｃｈａｆｔ ｍｉｔ ｂｅｓｃｈｒａｅｎｋｔｅｒ Ｈａｆｔｕｎｇ | 液晶媒体のホメオトロピック配向のための化合物 |
-
1988
- 1988-01-27 JP JP63016737A patent/JP2514395B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018090569A (ja) * | 2016-11-21 | 2018-06-14 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＭｅｒｃｋ Ｐａｔｅｎｔ Ｇｅｓｅｌｌｓｃｈａｆｔ ｍｉｔ ｂｅｓｃｈｒａｅｎｋｔｅｒ Ｈａｆｔｕｎｇ | 液晶媒体のホメオトロピック配向のための化合物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2514395B2 (ja) | 1996-07-10 |
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