JPH01195093A - 光情報記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は特定のフタロシアニン組成物を光吸収剤として
記録層中に含有する光ディスク等の光情報記録媒体に関
する。

〔従来の技術〕

近年、半導体レーザの実用化に伴い、高密度記録を特徴
とする光ディスク等の光情報記録媒体の開発が盛んに行
われている。光ディスクはその用途によって再生専用型
、追記型及び書換型に分類され、このうち追記型は、レ
ーザビーム照射により記録層にピットを形成して情報を
書き込み、比較的低出力のレーザビームで記録層からの
反射光を再生信号として読み取る方式を採用している。

このような追記型記録媒体の記録層には、Ｔｅ合金等の
金属膜、色素、あるいはそれらの複合膜等が使用されて
いる。このうち色素は、これまでに多くのものが提案さ
れており、例えば、ンアニン系（ポリメチン系）、アゾ
系、アントラキノン系、インダンスレン系、トリアリー
ルメタン系、ナフトキノン系、フタロシアニン系、ポル
フィリン系、ジチオラート錯体系、クロコニックメチン
系、スクアリリウム系、インドアニリン系等の化合物が
研究されている。

〔発明が解決しようする課題〕

ところで、上記のような色素を記録媒体の記録層として
使用するには、情報の記録再生に使用される所定のレー
ザ光源に適合する光学的要求を満たす必要があること、
化学的に安定であること、さらに記録媒体としての製造
が容易であること等が要求される。特にレーザ光源に対
する光学的要求としては、記録感度を向上するためにレ
ーザ発振波長に対して優れた吸収特性が必要とされると
ともに、再生に必要な一定の反射率が必要とされる。さ
らに、再生用レーザ光に対する耐劣化性が要求される。

一方、レーザ光源としては、ＡｌＧａ１ｎＰ系半導体レ
ーザ（Ａ−６５０〜６９０　ｎｍ）及びＡｌＧａＡｓ系
半導体レーサ（λ−７８０〜８３０ｎｍ　）は光源の安
定性に優れ、小型軽量且つ安価であるため、光ディスク
等の記録・再生に好適である。従って、色素の吸収特性
等はこのような光源の発振波長、即ち６７０ｎｍ近傍の
可視領域又はｌｌ１００ｎ近傍の近赤外領域において上
記の要求を満たす必要がある。

しかしながら、上記例示した色素はこのような要求を全
て十分に満足していない。

前記に例示した色素のうちフタロシアニン系色素は可視
領域に吸収帯を有し化学的に安定であるが、吸収帯域が
６００〜７００ｎｍであり上記の近赤外領域では吸収特
性は十分ではない。このため特開昭６０−２０９５８３
号公報記載の如くフタロシアニン骨格にフェニルチオ基
等を多数置換させるフタロシアニン系色素の吸収帯域を
長波長化する方法が考えられる。しかしながら、この方
法で得られたフタロンアニン系色素の吸収極大波長は長
波長化しているが上記レーザの発振波長において、好適
な吸収特性及び反射特性を同時に満足していない。この
ため、上記方法で得られたフタロシアニン系色素を記録
媒体の記録層に使用しても、記録感度および再生信号強
度という点で十分ではない。

本発明は、フタロシアニン系色素を使用して、ＡｌＧａ
Ａｓ系等の半導体レーザ発振波長において、好適な記録
・再生を可能とし且つ耐劣化性に優れた光記録媒体を提
供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討・研究を
重ねた結果、ある種の方法で合成したフタロンアニン組
成物を記録層に使用することによってへ］ＧａＡｓ系半
導体レーザの発振波長８゜Ｑｎｍ付近において記録層の
吸収帯域の調整が可能で、特定波長に帯する吸収率およ
び反射率の調整が可能な記録媒体を開発することに成功
した。

即ち、本発明は、支持体と、この支持体上に形成された
記録層とを含む光情報記録媒体において、下記一般式（
Ｉ） 〔式中、Ｍは金属、金属の酸化物、金属のハロゲン化物
又は独立した２個の水素原子を表す。

また、Ｌ、、　Ｌ、　Ｌ３．　Ｌ、はそれぞれ独立に、
Ａ。

素ＢＭを表し、ＢＡ中のＡ１．八２＋　Ａ３．　Ａ４は
それぞれ独立に水素原子又はアルキル基を表し、ＢＡ１
個−７〜 あたりにアルキル基を少なくとも１個以上有し、Ｂ、中
のＸ、、　Ｘ２．　Ｘ３．　Ｘ４はそれぞれ独立に水素
原子、ハロゲン原子、アルキル基または−Ｙ−Ｒ基（Ｙ
は酸素原子またはイオウ原子を表し、Ｒはアルキル基、
フェニル基または置換フェニル基を表す。）であり、８
．１個あたりに−Ｙ−Ｒ基を少なくとも１個以上有する
。〕 で示される一連のフタロシアニン化合物Ｐ。、　Ｐ、。

Ｐ２．　Ｐ３．　Ｐ。

〔但し、上記Ｐ。は上記Ｌ１〜Ｌ４がすべてＢＡから構
成されるフタロシアニン化合物を表し、上記Ｐ。

は上記し、〜Ｌ４のうち３個がＢＡから残りの１個が８
９から構成されるフタロンアニン化合物を表し、上記Ｐ
２は上記り、−Ｌ、のうち２個がＢＡから残りの２個が
Ｂ、、から構成されるフタロシアニン化合物を表し、上
記Ｐ３は上記し１〜Ｌ、のうち１個がＢＡから残りの３
個が８．から構成されるフタロシアニン化合物を表し、
上記Ｐ、は上記し１〜Ｌ４がすべてＢＸから構成される
フタロシアニン化合物を表す。〕 のうち、Ｐ、、　Ｐ２．　Ｐ３のいずれかを必須とした
Ｐ。

〜Ｐ４の２種類以上からなるフタロシアニン組成物を、
上記記録層中に含むことを特徴とする光情報記録媒体を
提供するものである。

上記フタロシアニン組成物中の各成分化合物Ｐ、−Ｐ、
のうち例えばＰ３は具体的には下記式（Ｕ）Ｘ２　　　
　　　Ｘ３ のように表されるものであり、他の成分もこれと同様に
して表される。

上記ＢＡ中のＡ、、　Ａ２．　八。、八、はそれぞれ独
立に水素原子又はアルキル基の中から選択されるが、こ
のアルキル基としては炭素原子数２０個以下のものが望
ましく、具体的にはメチル基、エチル基、ｎ−プロピル
基、ｎ−ブチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ノニル基、ｎ
−ドデシル基、η−オクタデシル基等で代表される直鎮
アルキル基の他に１ｓｏ−プロピル基、１ｓｏ−ブチル
基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、ｎｅ
ｏ−ペンチル基等で代表される分岐アルキル基も選択で
きる。なお、上記ＢＡにはＢＡ　１個あたりにアルキル
基を少なくとも１個有していることが必要である。

また、上記Ｂ８中ノｘ、、　ｘ２．　ｘ、、　ｘ４ハソ
レぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、アルキル基また
は−Ｙ−Ｒ基の中から選択される。ハロゲン原子として
は塩素原子を代表として、フッ素原子、臭素原子等が選
択できる。アルキル基としてはメチル基、エチル基、ｎ
−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−オクチル基等で
代表される炭素原子数１２個以下の直鎮または分岐アル
キル基が選択できる。また、上記Ｂ８には８Ｍ１個あた
りに−Ｙ−Ｒ基を少なくとも１個有していることが必要
である。ここに−Ｙ−Ｒ基中のＲはメチル基、エチル基
、叶ブチル基、ｎ−オクチル基、ｎｅｏ−ペンチル基等
の直鎖または分岐のアルキル基、あるいはフェニル基ま
たは置換フェニル基の中から構成される装置換フェニル
基としては４−メチルフェニル基、２−メチルフェニル
基、２．４−ジメチルフェニルＬ　４−エチルフェニル
基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基等のアルキル置換
フェニル基、または４−メトキシフェニル基、２゜４−
ジメトキシフェニル基、４−ｎｅＯ−ペンチルオキンフ
ェニル基等のアルコキシ置換フェニル基で代表されるＲ
中の炭素原子数が１２個以下であるアルキル置換および
／またはアルコキシ置換フェニル基が望ましい。−Ｙ−
Ｒ基中のＹは酸素原子またはイオウ原子であり、上記Ｒ
とフタロシアニン骨格とを結合させる。

また、（Ｉ）式中のＭはフタロシアニン錯体を構成し得
る金属、金属の酸化物、金属のハロゲン化物又は独立し
た２個の水素原子を表すが、具体的にはＰｂ、　Ｃｕ、
　Ｃｏ、　Ｎｉ、　Ｍｎ、　Ｆｅ、　Ｓｎ、　Ｍｇ等＝
１１＝ の金属、ｖＯ等の金属酸化物またはＡｌＣｌ等の金属ハ
ロゲン化物が比較的安定なフタロシアニン錯体を形成す
るため好ましい。

上記フタロシアニン組成物の各成分化合物Ｐ。

〜Ｐ４の望ましい構成比は、記録再生に用いるレーザ光
の波長、Ｘ、〜Ｘ、及びＡ１−Ａ４の置換基の種類と置
換度、中心金属の種類等によって異なり、Ｐ２を主成分
とし、Ｐ、、　Ｐ３を副成分（Ｐｏ、　Ｐ４は微量また
は不含成分）とするケースや、Ｐ３を主成分とし、Ｐ、
　Ｐ、を副成分（Ｐｏ、Ｐ＋は微量または不含成分）と
するケース、更にはＰ２及びＰ３を主成分としてＰ、、
　Ｐ４を副成分または微量成分とするケースが考えられ
る。場合によってはＰ４を主成分としＰ３を副成分とす
るケース、或いはＰｌを主成分としＰ。、Ｐ２を副成分
とするケースもあり得る。いずれの場合においても、Ｐ
、、　Ｐ２．　Ｐ、のいずれかを必須としたＰ。−Ｐ、
の２種類以上からなるフタロンアニン組成物であって、
上記フタロシアニン組成物を含む薄膜、即ち記録層の光
吸収率及び光反射率が使用するレーザ光の波長に対して
バランス良く大きくなるような構成比を選択すればよい
。そのような構成比を選択することによって、上記フタ
ロシアニン組成物を含んだ記録層は記録感度が高くしか
も大きな再生信号強度を与えるためＣ／Ｎを大きくする
ことが可能となる。

本発明で使用するフタロシアニン組成物は、インオーガ
ニック・ケミストリー（２３巻、　１０６５〜１０７１
頁、　１９８４年）等に記載されている方法に準じて容
易に合成が可能である。例えば、テトラクロロフタル酸
無水物と４−ｔｅｒｔ−ブチルフタル酸無水物と三塩化
バナジウムと尿素とを加熱し、得られる生成物とｐ−ト
ルエンチオールとをキノリン中アルカリ存在下に加熱す
ると、ＭがｖＯであって、ｔｅｒｔ−ブチル基がＢＡ中
に導入され、４−メチルフェニルチオ基がＢつ中に導入
されたフタロシアニン組成物を合成することができる。

本発明の光情報記録媒体の支持体は、ディスク、カード
、テープシート状等の任意の形状でよく、その素材はプ
ラスチック、金属、ガラス、セラミックス等種々のもの
が使用できるが、特に光ディスクとして使用するために
プリグルーブが形成できるプラスチック基板が好適であ
る。

そのようなプラスチックとしては、例えば、ポリメチル
メタクリレートで代表されるアクリル樹脂、ポリカーボ
ネート樹脂、エポキシ樹脂、ポリメチルペンテン樹脂等
が挙げられ、このうち背面記録方式（いわゆるＰｈ１ｌ
ｉｐｓ方式）との関係上、透明プラスチック基板を用い
るのが好ましい。特に、射出成型時にプリグルーブを転
写した射出成型ポリメチルメタクリレート樹脂基板およ
び射出成型ポリカーボネート樹脂基板が比較的安価に入
手できるため好ましい。

本発明の光情報記録媒体を製造するには、上記の合成法
により得られた色素組成物をドライプロセス、またはウ
ェットプロセスによって基板上に記録層として形成させ
ることができる。

本発明においては、いずれの方法も使用できるが、コス
ト的な点からウェットプロセスが有利である。ウェット
プロセスによって、記録媒体を製造するには、まず、上
記の合成例で得られたフタロンアニン組成物を適当な溶
媒に溶かして支持体上に直接塗布する。このような溶媒
としては、アセトン等のケトン類、メチルセロソルブ等
のセロソルブ類の他に、ジメチルホルムアミド等のアミ
ド類、ジエチルエーテル等のエーテル類、酢酸メチル等
のエステル類、クロロホルム等のハロゲン化炭化水素、
ベンゼン等の芳香族類が挙げられ、これらの溶媒を単独
または組み合わせて用いることもできる。また、フタロ
シアニン組成物を適当なバインダーと同時に用いること
もできる。このようなバインダーとしては、例えば、ポ
リビニルブチラール、ポリビニルホルマール等のポリビ
ニルアセクール樹脂、硝化綿、酢酸綿等のセルロース誘
導体樹脂、ポリスチレン樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビ
ニル樹脂、ポリエステル樹脂および各種のアクリル樹脂
等の高分子が挙げられ、また、これらの高分子材料の分
子量が数百から致方程度のオリゴマー、および各成分モ
ノマーから合成される共重合体高分子等を含んでも、よ
い。この他、上記溶液中に一重項酸素クエンチャー等の
安定剤、さらには滑剤、帯電防止剤、界面活性剤、可塑
剤等の添加剤を必要に応じて添加することができる。

上記のフタロシアニン組成物の溶液を支持体上に塗布あ
るいは付着するには、スピンコーチインク、ティップコ
ーチインク、ローラーコーティング等の種々の手段が使
用でき、特に限定されない。

本発明の光情報記録媒体の記録層の膜厚はバインダーの
使用の有無にもよるが、−船釣には１００人から５μｍ
１好ましくは２００人から１μｍであり、バインダーを
使用しない場合には２００人から５．００ＯＡの範囲が
好ましい。さらに、上記の記録層を他の記録層、保護層
、または下地層と自由に組み合わせて積層膜として用い
ることもできる。

上記のようにして得られる本発明の光情報記録媒体は追
記型のメモリー、例えば光ディスク、光カード、光テー
プ、光ドラム等として使用されるが、その他パ多−ン記
録材料等にも使用することができる。

〔実　施　例〕

以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発
明はこれらに何等制限されない。

フタロシアニン組成物の合成例１ フタロシアニン骨格中の前記ベンゼン環構成要素ＢＡを
作るための前駆体として４−メチルフタル酸無水物０．
４１ｇ　（２，５ｍｍｏｌ）を、ベンゼン環構成要素Ｂ
ｘを作るための前駆体としてテトラクロロフタル酸無水
物２．１４ｇ　（７，５ｍｍｏｌ）をそれぞれ用い〔モ
ル比１：３）、これらと三塩化バナジウム０．６３ｇ　
（４，０ｍｍｏ１）とを尿素１０ｇ中１８０℃で２時間
反応させた。反応終了後、室温まで冷却し、メタノール
５０ｍ１を加えて固体生成物を十分分散させた後、濾過
し、固体はメタノール５０ｍ１で３回洗浄した。こうし
て、メチル及びり四口置換混合縮台型（バナジル）フタ
ロシアニンの粗生放物を得た。

次に水酸化カリウム１．８０ｇ（３２，０ｍｍｏｌ）　
、ｐ　−トルエンチオール３．９７ｇ　（３２，０ｍｍ
ｏｌ）　　をキノリン２０ｍ１中、１４０℃で２時間反
応させた後、上記メチル及びクロロ置換混合縮合型フタ
ロシアニンの粗生成物を加え、１８０℃で２時間反応さ
せた。

反応スラリーは、室温まで冷却後、エタノール３００ｍ
１で希釈し濾過した。濾別した黒色固体をエタノール５
０ｍ１で３回洗浄し、メチル及びチオール置換混合縮合
型フクロシアニンの粗生成物１．８２ｇを得た。この粗
生成物をシリカゲルカラムでクロロホルムを溶離液とし
て精製し、λｍａＸ＞７３Ｑｎｍのフラクションを集め
、Ｐ３を主成分とするメチル及びチオール置換混合縮合
型フタロンアニン組成物（以下、Ｓ−１と呼ぶ）１．３
２ｇを得た。第１図に、得られたＳｉのトルエン溶液中
における吸収スペクトルを示す。吸収ピークλｍａｙ　
は７７８ｎｍであった。

上記の合成における原料モル比、ＢＡ及びＢｘ中の置換
基並びにλ。８．、を第１表に示す。

フタロシアニン組成物の合成例２ ４−メチルフタル酸無水物とテトラクロロフタル酸無水
物との使用比率をモル比１．２：２．８と変更した以外
は、合成例１と同様に合成を行い、Ｐ３を主成分とする
メチル及びチオール置換混合網台型フタロシアニン組成
物（以下、Ｓ−２と呼ぶ）を得た。上記の合成における
原料モル比、ＢＡ及びＢｘ中の置換基並びに２□８８を
第１表に示す。

フタロシアニン組成物の合成例３ ４−メチルフタル酸無水物の代わりに３−メチルフタル
酸無水物０．８１ｇ　（５，０ｍｍｏｌ）を用い、テト
ラクロロフタル酸無水物の量を１．４３ｇ　（５，０ｍ
ｍｏｌ）〔モル比２：２〕とした以外は、合成例１と同
様にして、Ｐ２を主成分とするメチル及びチオール置換
混合網台型フタロシアニン組成物（以下、Ｓ−３と呼ぶ
）０．５６ｇを得た。第２図に得られたＳ−３のトルエ
ン溶液中の吸収スペクトルを示す。上記の合成における
原料モル比、ＢＡ及びＢｘ中の置換基並びにλ。ａイを
第１表に示す。

フタロシアニン組成物の合成例４ ３−メチルフタル酸無水物とテトラクロロフタル酸無水
物との使用比率をモル比１．５：２．５に変更した以外
は、合成例３と同様に合成を行い、Ｐ２及びＰ３を主成
分とするメチル及びチオール置換混合網台型フタロシア
ニン組成物（以下、Ｓ−４と呼ぶ）を得た。上記の合成
における原料モル比、し及びＢＸ中の置換基並びにλ□
ａ８を第１表に示す。

本発明で使用しないフタロシアニン化合物の合成例５ 特開昭６０−２０９５８３号公報に開示されている方法
に従って、以下のようにＰ４のみからなるフタロシアニ
ン化合物を合成した。

テトラクロロフタル酸無水物２．８８ｇ　（１０，０ｍ
ｍｏｌ）、三塩化バナジウム０．６３ｇ（４，ＯＯｍｍ
ｏｌ）　、尿素１０ｇを用い、合成例１と同様にして、
λ、、、＝８０８ｎｍのポリチオール置換フタロシアニ
ン化合物（以下、フタロシアニン化合物Ｃ−１と呼ぶ＞
０．４９ｇを得た。第３図にフタロシアニン化合物Ｃ−
１のトルエン溶液中の吸収スペクトルを示す。上記の合
成における原料モル比、ＢＡ及びＢｘ中の置換基並びに
λ□ａｌｌを第１表に示す。

−２３＝ 実施例１ 合成例１で得られたフタロシアニン組成物Ｓ−１の３重
量部をジイソブチルケトン１００重量部に溶解し、テフ
ロン製フィルター（ポアサイズ０．２ミクロン）を用い
て濾過し塗布液を調製した。

次いで、射出成型によりスタンパの１．６ミクロンピッ
チの案内溝を転写した直径１３０ｍｍのポリカーボネー
ト基板上に、上記塗布液をスピンコード法によって塗布
して記録層を形成した。

こうして得られた光記録媒体の光透過スペクトルを第４
図に示した。λ−８３０ｎｍでの透過率は４４％であり
、また基板側から測定した同波長での反射率は１６％で
あった。

さらに、この記録媒体にλ−８３０ｎｍの半導体レーザ
光を集光して基板の側から照射して信号を記録した。こ
の際、線速を４．０ｍ／ｓｅｃとし照射面パワー３ｍＷ
、記録周波数Ｉ　ＭＨｚのパルス光を照射して行った。

次いで、この記録部に照射面パワー１．　Ｑｎ＋Ｗの半
導体レーザの連続光を集光して照射して、反射光により
信号を再生したところＣ／Ｎ比は５２ｄＢであった。こ
の再生操作を３０分間連続して行ったが、Ｃ／Ｎ比の低
下は全く観測されなかった。さらに、記録光のパワーを
低下した以外は上記と同様にして記録・再生を行ったが
、記録光パワーが５ｍ１ｌｌでも５２ｄＢのＣ／Ｎ比が
得られた。

実施例２ 合成例２で得られたフタロシアニン組成物Ｓ−２を用い
た以外は、実施例１と同様にして記録層を基板上に形成
した。

得られた光情報記録媒体のλ＝８３０ｎｍでの透過率は
４６％であり、同波長での反射率は１７％であった。

この媒体に信号の記録再生を実施例１と同様に行った結
果、５３ｄＢのＣ／Ｎ比が得られ、また３０分間連続再
生によるＣ／Ｎ比の低下もなかった。

実施例３ 合成例３で得られたフタロシアニン組成物Ｓ−３の０．
７重量部を四塩化エチレン１００重量部に溶解し、実施
例１と同様にして塗布液を調製した。

これを射出成型によりスクンパの１．６ミクロンピッチ
の案内溝を転写した直径１３０ｍｍのアクリル基板にス
ピンコード法によって塗布して記録層を形成した。

こうして得られた光記録媒体の光透過スペクトルを第５
図に示す。λ−８３０ｎｍでの透過率は５０％であり、
同波長での反射率は１８％であった。

この媒体に信号の記録再生を実施例１と同様に行った結
果、Ｃ／Ｎ比は５１（ＩＢであった。

実施例４ 合成例４で得られたフタロシアニン組成物Ｓ−４を用い
た以外は、実施例３と同様にして光記録媒体を製造した
。

得られた光情報記録媒体の２２−８３０ｎでの透過率は
４５％であり、同波長での反射率は１７％であった。

この媒体に信号の記録再生を実施例１と同様に行った結
果、Ｃハ比は５２ｄＢであった。

比較例１ 合成例５で得られたフタロシアニン化合物Ｃ−１を用い
た以外は、実施例１と同様にして光記録媒体を製造した
。

得られた光情報記録媒体の光透過率スペクトルを第６図
に示す。λ−８３０ｎｍでの透過率は４４％であり、同
波長での反射率は１２％であった。

この媒体に信号の記録再生を実施例１と同様に行った結
果、記録光パワーが３ｍＷではＣ／Ｎ比は４７ｄＢであ
ったが、パワーを６ｍＷに低下させるとＣ／Ｎ比は４３
ｄＢと著しく低い値になった。

以上の実施例及び比較例からすれば、へＩＧａへｓ系半
導体レーザの発振波長に対して、本発明の光記録媒体は
、色素組成物の組成を適宜選択することにより好適な吸
収特性及び反射特性を具備することができる。従って、
高い記録感度及び大きな再生信号強度という要求を同時
に満足できる光記録媒体を提供することが可能となる。

〔発明の効果〕

以上説明してきたように、本発明の光情報記録媒体は、
記録層に含まれる色素の組成比を適宜調製することによ
りＡｌＧａＡｓ系等の半導体レーザの発振波長に対して
レーザ光の吸収及び反射を調整でき、使用するレーザ光
に対して適宜フタロシアニン組成物の組成を選択するこ
とで、高い記録感度を有し且つ大きな再生信号を得るこ
とが可能となり、Ｃ／Ｎを向上できる。また、本発明の
光情報記録媒体は再生光としての近赤外領域のレーザ光
に対して全く劣化しない。

さらに、本発明の記録媒体の記録層に含まれるフタロシ
アニン組成物は化学的に安定でありしかも種々の溶媒に
溶解し、使用する溶媒の基板への影響が殆どないためウ
ェットプロセスによる製造が容易である。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は、それぞれ合成例１及び合成例３
で得られたフタロシアニン組成物Ｓ−１及びＳ−３のト
ルエン溶液中の吸収スペクトルである。 第３図は、合成例５で得られた従来のフタロシアニン化
合物Ｃ−１のトルエン溶液中の吸収スペクトルである。 第４図及び第５図は、それぞれ上記フタロシアニン組成
物Ｓ−１およびＳ−３を用いて作成した本発明の光情報
記録媒体の光透過率スペクトルである。 第６図は、フタロンアニン化合物Ｃ−１を用いて作成し
た従来の光情報記録媒体の光透過率スペクトルである。 出願人代理人　　古　谷　　　馨 第１図 ／）ＣＩｏ　　　　　　　７００　　　　　　８００　
　　　　　９００波　長（ｎｍ）→ 第２図 第３図 波　長（ｎｍ）−〉 波　長（ｎｍ）−〉

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、支持体と、この支持体上に形成された記録層とを含
   む光情報記録媒体において、下記一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） 〔式中、Ｍは金属、金属の酸化物、金属のハロゲン化物
   又は互いに独立の２個の水素原子を表す。 また、Ｌ＿１、Ｌ＿２、Ｌ＿３、Ｌ＿４はそれぞれ独立
   に、▲数式、化学式、表等があります▼で表されるベン
   ゼン環構成要素Ｂ＿Ａ、又は▲数式、化学式、表等があ
   ります▼で表されるベンゼン環構成要 素Ｂ＿Ｘを表し、Ｂ＿Ａ中のＡ＿１、Ａ＿２、Ａ＿３、
   Ａ＿４はそれぞれ独立に水素原子又はアルキル基を表し
   、Ｂ＿Ａ１個あたりにアルキル基を少なくとも１個以上
   有し、Ｂ＿Ｘ中のＸ＿１、Ｘ＿２、Ｘ＿３、Ｘ＿４はそ
   れぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、アルキル基また
   は−Ｙ−Ｒ基（Ｙは酸素原子またはイオウ原子を表し、
   Ｒはアルキル基、フェニル基または置換フェニル基を表
   す。）であり、Ｂ＿Ｘ１個あたりに−Ｙ−Ｒ基を少なく
   とも１個以上有する。〕で示される一連のフタロシアニ
   ン化合物Ｐ＿０、Ｐ＿１、Ｐ＿２、Ｐ＿３、Ｐ＿４ 〔但し、上記Ｐ＿０は上記Ｌ＿１〜Ｌ＿４がすべてＢ＿
   Ａから構成されるフタロシアニン化合物を表し、上記Ｐ
   ＿１は上記Ｌ＿１〜Ｌ＿４のうち３個がＢ＿Ａから残り
   の１個がＢ＿Ｘから構成されるフタロシアニン化合物を
   表し、上記Ｐ＿２は上記Ｌ＿１〜Ｌ＿４のうち２個がＢ
   ＿Ａから残りの２個がＢ＿Ｘから構成されるフタロシア
   ニン化合物を表し、上記Ｐ＿３は上記Ｌ＿１〜Ｌ＿４の
   うち１個がＢ＿Ａから残りの３個がＢ＿Ｘから構成され
   るフタロシアニン化合物を表し、上記Ｐ＿０は上記Ｌ＿
   １〜Ｌ＿４がすべてＢ＿Ｘから構成されるフタロシアニ
   ン化合物を表す。〕 のうち、Ｐ＿１、Ｐ＿２、Ｐ＿３のいずれかを必須とし
   たＰ＿０〜Ｐ＿４の２種類以上からなるフタロシアニン
   組成物を、上記記録層中に含むことを特徴とする光情報
   記録媒体。２、上記Ｒがアルキル置換および／またはア
   ルコキシ置換フェニル基であり、Ｒ中の合計炭素原子数
   が１２個以下である特許請求の範囲第１項記載の光情報
   記録媒体。 ３、上記記録層が、上記フタロシアニン組成物を含む溶
   液を上記支持体上に塗布して形成されたものである特許
   請求の範囲第１項又は第２項に記載の光情報記録媒体。 ４、上記支持体がプラスチックス成形品である特許請求
   の範囲第１〜３項のうちいずれか一項に記載の光情報記
   録媒体。 ５、上記支持体がプリグルーブを有する又は有しないア
   クリル樹脂又はポリカーボネート樹脂の射出成形ディス
   クである特許請求の範囲第４項記載の光情報記録媒体。