JPH01199438A - ハイブリッドｉｃの樹脂コーティング方法 - Google Patents
ハイブリッドｉｃの樹脂コーティング方法Info
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- JPH01199438A JPH01199438A JP2484188A JP2484188A JPH01199438A JP H01199438 A JPH01199438 A JP H01199438A JP 2484188 A JP2484188 A JP 2484188A JP 2484188 A JP2484188 A JP 2484188A JP H01199438 A JPH01199438 A JP H01199438A
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0091—Apparatus for coating printed circuits using liquid non-metallic coating compositions
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
- H05K3/284—Applying non-metallic protective coatings for encapsulating mounted components
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- Coating Apparatus (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、基板上に集積回路（ＩＣという。）やチップ
コンデンサ等の電子回路部品を実装してなるハイブリッ
ドＩＣに樹脂コーティングを施す方法に関するものであ
る。
コンデンサ等の電子回路部品を実装してなるハイブリッ
ドＩＣに樹脂コーティングを施す方法に関するものであ
る。
〈従来の技術〉
ハイブリッドＩＣは、周知のように、アルミナやＳｉＣ
あるいはホーロー等からなる基板上に厚膜導体回路を形
成し、さらにＩＣやチップコンデンサ等の電子回路部品
を実装したもので、前記基板及び電子回路部品は、シリ
コーン系、エポキシ系、ウレタン系等の各種樹脂でコー
ティング、いわゆるパッケージ化され、耐湿性及び耐ｍ
ｓ性等の信頼性が高められている。
あるいはホーロー等からなる基板上に厚膜導体回路を形
成し、さらにＩＣやチップコンデンサ等の電子回路部品
を実装したもので、前記基板及び電子回路部品は、シリ
コーン系、エポキシ系、ウレタン系等の各種樹脂でコー
ティング、いわゆるパッケージ化され、耐湿性及び耐ｍ
ｓ性等の信頼性が高められている。
前記樹脂のコーティングには、デイツプコーティング法
が採用される。すなわち、第１０図に示すように、ハイ
ブリッドＩＣ１のリード端子２を上向きにしてハンガー
等（図星省略）に吊下げた状ＶＢ＜同図ａ状態参照）で
、同ＩＣＩのチップ部品やＩＣ等の電子回路部品３を実
装した基板４を、樹脂槽５内の液状樹ｌ１ｌｔ６に浸漬
して（同図す状態参照）引上げた後（同図Ｃ状態参照）
、そのＩＣ１を加熱することにより、樹脂ｍ７が乾燥硬
化される（同図ｄ状態参照）。なお、ハイブリッド１Ｃ
１（７）デイツプコーティングについては、例えば、実
開昭５７−９４９０３号公報、特開昭５７−１３３６０
３号公報に開示されている。
が採用される。すなわち、第１０図に示すように、ハイ
ブリッドＩＣ１のリード端子２を上向きにしてハンガー
等（図星省略）に吊下げた状ＶＢ＜同図ａ状態参照）で
、同ＩＣＩのチップ部品やＩＣ等の電子回路部品３を実
装した基板４を、樹脂槽５内の液状樹ｌ１ｌｔ６に浸漬
して（同図す状態参照）引上げた後（同図Ｃ状態参照）
、そのＩＣ１を加熱することにより、樹脂ｍ７が乾燥硬
化される（同図ｄ状態参照）。なお、ハイブリッド１Ｃ
１（７）デイツプコーティングについては、例えば、実
開昭５７−９４９０３号公報、特開昭５７−１３３６０
３号公報に開示されている。
しかし、前記樹脂層７の硬化にあたり、ハイブリッドＩ
ＣＩは、樹脂Ｍ７が硬化するまでにり一ド端子２に垂れ
て付着することのないように、リード端子２を上側にし
た状態に保持されたまま、加熱されることによって、樹
脂層７が乾燥硬化される。
ＣＩは、樹脂Ｍ７が硬化するまでにり一ド端子２に垂れ
て付着することのないように、リード端子２を上側にし
た状態に保持されたまま、加熱されることによって、樹
脂層７が乾燥硬化される。
このとき、樹脂層７が硬化完了するまでに、樹脂層７が
唄力の作用によって下方へ垂れ（いわゆる液だれ）し、
その樹脂がリード端Ｉ２とは反対方向、すなわち基板４
の先端部に多く付着することになる（第１０図ｄ参照）
。
唄力の作用によって下方へ垂れ（いわゆる液だれ）し、
その樹脂がリード端Ｉ２とは反対方向、すなわち基板４
の先端部に多く付着することになる（第１０図ｄ参照）
。
このため、第１１図に示すように、回路基板８上に上記
ハイブリッドＩＣＩが実装された場合、ハイブリッドＩ
Ｃ１の重心が高い位置にくることになり、耐振動性に不
利となる。特に、シングルインラインパッケージ型（Ｓ
ＩＰ型）ハイブリッドＩＣでは、その形態からして耐振
動性に関し非常に不利であり、その対策が切望されてい
る。
ハイブリッドＩＣＩが実装された場合、ハイブリッドＩ
Ｃ１の重心が高い位置にくることになり、耐振動性に不
利となる。特に、シングルインラインパッケージ型（Ｓ
ＩＰ型）ハイブリッドＩＣでは、その形態からして耐振
動性に関し非常に不利であり、その対策が切望されてい
る。
さらに、車両、航空機等の移動体に搭載されるハイブリ
ッドＩＣには、より高い耐振動性が求められる。
ッドＩＣには、より高い耐振動性が求められる。
また、ハイブリッドＩＣの耐振動性を向上する従来技術
としては、例えば、特開昭５７−９４９０３号公報、特
開昭６１−２７５６７０号公報がある。
としては、例えば、特開昭５７−９４９０３号公報、特
開昭６１−２７５６７０号公報がある。
前者のものは、電子部品に樹脂を被覆する際に、振動を
加えることにより、被覆される樹脂被覆を均一な厚さに
するものである。
加えることにより、被覆される樹脂被覆を均一な厚さに
するものである。
また、後者のものは、ＳＩＰ型ハイブリッドＩＣの表面
にダミー素子をわざと実装して、見かけのＩＣの重心位
置を低くするものである。
にダミー素子をわざと実装して、見かけのＩＣの重心位
置を低くするものである。
〈発明が解決しようとする課題〉
上記した前者の電子部品に振動を加えるものでは、樹脂
が完全に硬化するまでに、少なからず液だれが生じ、耐
振動性を向上するに充分とは言えない。また、電子部品
に振動を加えるために複雑な機ＭＡ装置が必要であり、
コストも高くつくことになる。
が完全に硬化するまでに、少なからず液だれが生じ、耐
振動性を向上するに充分とは言えない。また、電子部品
に振動を加えるために複雑な機ＭＡ装置が必要であり、
コストも高くつくことになる。
また、後者のダミー素子を設けるものでは、部品点数、
及び重鎖の増加を招くことになり、これまた好ましい対
策とは言えない。
及び重鎖の増加を招くことになり、これまた好ましい対
策とは言えない。
なお、コーティングした直後にリード端子を下向きにし
て樹脂層を乾燥硬化させることが安易に考えられるが、
これでは、流動した樹脂でリード端子が覆われてしまい
、ハイブリッドＩＣを回路基板上へ実装するとき、すな
わちはんだ付けする場合に、はんだが前記樹脂ではじか
れてしまって、そのはんだ付けが困難となり、実用に供
することはできない。
て樹脂層を乾燥硬化させることが安易に考えられるが、
これでは、流動した樹脂でリード端子が覆われてしまい
、ハイブリッドＩＣを回路基板上へ実装するとき、すな
わちはんだ付けする場合に、はんだが前記樹脂ではじか
れてしまって、そのはんだ付けが困難となり、実用に供
することはできない。
そこで、本発明の目的は、上記した従来の技術における
問題点を解決することを課題としている。
問題点を解決することを課題としている。
く課題を解決するための手段〉
上記した課題を解決するための本発明の構成を実施例に
対応する図を用いて説明する。
対応する図を用いて説明する。
ハイブリッドＩＣ１１に液状樹脂をコーティングする。
そのハイブリッドＩＣ１１を所定温度以下ではリード端
子１２が上向きとなるように支持しかつ所定温度以上で
はリード端子１２が下向きとなるように変形しうる形状
記憶合金製治具２０に支持した状態で、ハイブリッドＩ
Ｃ１１を前記所定温度以下の雰囲気中で乾燥させること
により前記液状樹脂の樹脂層１７の表面を乾燥させる。
子１２が上向きとなるように支持しかつ所定温度以上で
はリード端子１２が下向きとなるように変形しうる形状
記憶合金製治具２０に支持した状態で、ハイブリッドＩ
Ｃ１１を前記所定温度以下の雰囲気中で乾燥させること
により前記液状樹脂の樹脂層１７の表面を乾燥させる。
その後、そのハイブリッドＩＣ１１をｍ ｒｌ所定温度
以上の雰囲気中で乾燥することにより前記樹脂層１７の
内部を硬化させる。
以上の雰囲気中で乾燥することにより前記樹脂層１７の
内部を硬化させる。
〈作用〉
上記した手段によれば、液状樹脂がコーティングされた
ハイブリッドＩＣ１１は、所定温度以下の雰囲気中で乾
燥させることにより樹脂層１７の表面が乾燥されるとき
には、樹脂層１７が基板１４の先端部へと少なからず流
動するが、その後、前記所定温度以上の雰囲気中で乾燥
されるときに、形状記憶合金製治具２０がその熱によっ
て変形して、リード端子１２が下向きとなるようにハイ
ブリッドＩＣＩＩが反転されることにより、樹脂層１７
内部は基板１４の基部側へと流動していき、前記乾燥さ
れた表面によってリード端子１２への流動が防止された
状態で、基板１４の基部側により多くの樹脂が付着し、
その状態で乾燥硬化される。
ハイブリッドＩＣ１１は、所定温度以下の雰囲気中で乾
燥させることにより樹脂層１７の表面が乾燥されるとき
には、樹脂層１７が基板１４の先端部へと少なからず流
動するが、その後、前記所定温度以上の雰囲気中で乾燥
されるときに、形状記憶合金製治具２０がその熱によっ
て変形して、リード端子１２が下向きとなるようにハイ
ブリッドＩＣＩＩが反転されることにより、樹脂層１７
内部は基板１４の基部側へと流動していき、前記乾燥さ
れた表面によってリード端子１２への流動が防止された
状態で、基板１４の基部側により多くの樹脂が付着し、
その状態で乾燥硬化される。
〈実施例〉
以下、本発明の一実施例を図面にしたがって説明する。
なお、樹脂コーディング前のハイブリッドＩＣ１１は、
第５図ａに示すように、リード端子１２を有する基板１
４に、チップ部品やＩＣ等の電子回路部品１３を実装し
てなる。
第５図ａに示すように、リード端子１２を有する基板１
４に、チップ部品やＩＣ等の電子回路部品１３を実装し
てなる。
ハイブリッドＩＣ１１のコーティング方法を説明するに
あたり、まず、ハイブリッドＩＣ１１を支持する形状記
憶合金製治具２０について、第２〜４図を参照して説明
する。治具２０は、一端部に基部２１を有し他端部にク
リップ部２２を有する四角形平板状をなしている。基部
２１は、支持台２５の上端に設けた取付溝２６に着ｆｌ
１２Ｊ能に嵌合される。また、クリップ部２２には、ハ
イブリッドＩＣ１１のリード端子１２の端部がその弾性
を利用して着脱可能に差込まれる。
あたり、まず、ハイブリッドＩＣ１１を支持する形状記
憶合金製治具２０について、第２〜４図を参照して説明
する。治具２０は、一端部に基部２１を有し他端部にク
リップ部２２を有する四角形平板状をなしている。基部
２１は、支持台２５の上端に設けた取付溝２６に着ｆｌ
１２Ｊ能に嵌合される。また、クリップ部２２には、ハ
イブリッドＩＣ１１のリード端子１２の端部がその弾性
を利用して着脱可能に差込まれる。
しかして、治具２０は、所定の変形温度、本例では条件
温度ＴＡにおいて、それ以下の低温状態と、それ以上の
高温状態とに変形する。この治具２０は、低温状態にお
いては、第２図に示すように、基部２１から先端に向け
て逆Ｕ字状に折曲し、先端部のクリップ部２２を下方へ
指向させた状態（この状態を形状ＰＢという。）に変形
し、また、高温状態においては、第３図に示すように、
基部２１から先端に向けて垂立状となり、先端部のクリ
ップ部２２が上方へ指向させた状ｆｆ！（この状態を形
状ＰＡという。）に変形しうる形状記憶合金によって形
成される。すなわち、形状記憶合金は、その特性として
、最初の条件温度丁Ａで形状ＰＡを記憶し、異なる条件
温度ＴＢ（温度ＴＡ以下）で別の形状ＰＢにした場合、
条件温度ｒＢ下では形状ＰＢに変形し、条件温度ＴＡに
すると、形状ＰＢから形状ＰＡに戻り変形する。しかし
て、条件温度ＴＡは、ハイブリッドＩＣ１１にコーティ
ングされる樹脂層１７の指触乾燥温度′［Ｃ１すなわち
樹脂層１７の表面に指先を触れても指紋が付かない程度
の乾燥状態でかつ内部がまだ未硬化の状態（これを表面
乾燥状態ともいう。）の温度よりもいくらか高い温度に
設定される。
温度ＴＡにおいて、それ以下の低温状態と、それ以上の
高温状態とに変形する。この治具２０は、低温状態にお
いては、第２図に示すように、基部２１から先端に向け
て逆Ｕ字状に折曲し、先端部のクリップ部２２を下方へ
指向させた状態（この状態を形状ＰＢという。）に変形
し、また、高温状態においては、第３図に示すように、
基部２１から先端に向けて垂立状となり、先端部のクリ
ップ部２２が上方へ指向させた状ｆｆ！（この状態を形
状ＰＡという。）に変形しうる形状記憶合金によって形
成される。すなわち、形状記憶合金は、その特性として
、最初の条件温度丁Ａで形状ＰＡを記憶し、異なる条件
温度ＴＢ（温度ＴＡ以下）で別の形状ＰＢにした場合、
条件温度ｒＢ下では形状ＰＢに変形し、条件温度ＴＡに
すると、形状ＰＢから形状ＰＡに戻り変形する。しかし
て、条件温度ＴＡは、ハイブリッドＩＣ１１にコーティ
ングされる樹脂層１７の指触乾燥温度′［Ｃ１すなわち
樹脂層１７の表面に指先を触れても指紋が付かない程度
の乾燥状態でかつ内部がまだ未硬化の状態（これを表面
乾燥状態ともいう。）の温度よりもいくらか高い温度に
設定される。
次に、ハイブリッドＩＣ１１を加熱するためのバッチ型
硬化炉３０を、第１図に基づいて説明する。
硬化炉３０を、第１図に基づいて説明する。
加熱エリア３２を備えた外郭ケース３１内には、ヒータ
ー３３及びファン３４が組込まれる。外郭ケース３１の
加熱エリア３２には、前記治具２０を備えた支持台２５
を載置可能な棚板３５が設けられる。なお、加熱エリア
３２への支持台２５の出入れは、図示しない開閉扉を介
して行われる。
ー３３及びファン３４が組込まれる。外郭ケース３１の
加熱エリア３２には、前記治具２０を備えた支持台２５
を載置可能な棚板３５が設けられる。なお、加熱エリア
３２への支持台２５の出入れは、図示しない開閉扉を介
して行われる。
前記ファン３４の回転によって、ヒーター３３の熱が加
熱エリア３２内に送気されると共に、加熱エリア３２内
の雰囲気が撹拌される。ヒーター３３は、加熱温度を切
換え調節可能である。しかして、ヒーター３３の出力は
、加熱エリア３２の雰囲気温度が第８図に示す加熱プロ
ファイルに沿うように調節される。加熱プロファイルは
、加熱開始温度ＴＢから前記指触乾燥温度ＴＣに加熱さ
れた後、その温度ＴＣが所定時間ｔａ保持された後、硬
化温度ＴＤに加熱され、その温度ＦＤを所定時間ｔｂ保
持された後、その加熱が停止される。
熱エリア３２内に送気されると共に、加熱エリア３２内
の雰囲気が撹拌される。ヒーター３３は、加熱温度を切
換え調節可能である。しかして、ヒーター３３の出力は
、加熱エリア３２の雰囲気温度が第８図に示す加熱プロ
ファイルに沿うように調節される。加熱プロファイルは
、加熱開始温度ＴＢから前記指触乾燥温度ＴＣに加熱さ
れた後、その温度ＴＣが所定時間ｔａ保持された後、硬
化温度ＴＤに加熱され、その温度ＦＤを所定時間ｔｂ保
持された後、その加熱が停止される。
なお、例えば、樹脂層１７が熱硬化性シリコーン樹脂の
場合、温度ＴＡは約８０℃、指触乾燥温度ＴＣは約７０
℃、硬化温度ＴＯは約１２０℃、時間ｔａは約３０分、
時間ｔｂは約６０分に設定される。
場合、温度ＴＡは約８０℃、指触乾燥温度ＴＣは約７０
℃、硬化温度ＴＯは約１２０℃、時間ｔａは約３０分、
時間ｔｂは約６０分に設定される。
次に、上記した治具２０及びバッチ型硬化炉３０を使用
して、ハイブリッドＩＣ１１に樹脂、本例では熱硬化性
シリコーン樹脂を」−ティングする方法について説明す
る。
して、ハイブリッドＩＣ１１に樹脂、本例では熱硬化性
シリコーン樹脂を」−ティングする方法について説明す
る。
まず、ハイブリッドＩＣ１１は、従来と同様にして、デ
イツプコーティング法によって液状樹脂に浸漬される。
イツプコーティング法によって液状樹脂に浸漬される。
すなわち、第５図に示すように、リード端子１２を上向
きにしてハンガー等（図示省略）に吊下げた状態（同図
ａ状態参照）で、同１０１１のチップ部品やＩＣ等の電
子回路部品１３を実装した基板１４を、樹脂Ｗ１１５内
の液状樹脂（熱硬化性シリコーン樹脂）１６に浸漬しく
同図す状態参照）で゛引上げられる（同図Ｃ状態参照）
。浸漬処理されたハイブリッドＩＣ１１は、リード端子
１２が上向き状態のまま、室温でしばらく放置される（
第５図ｄ状態参照）。なお、このデイツブコーティング
工程以前において、ハイブリッドＩＣ１１のリード端子
１２に予め治具２０が取付けられる。
きにしてハンガー等（図示省略）に吊下げた状態（同図
ａ状態参照）で、同１０１１のチップ部品やＩＣ等の電
子回路部品１３を実装した基板１４を、樹脂Ｗ１１５内
の液状樹脂（熱硬化性シリコーン樹脂）１６に浸漬しく
同図す状態参照）で゛引上げられる（同図Ｃ状態参照）
。浸漬処理されたハイブリッドＩＣ１１は、リード端子
１２が上向き状態のまま、室温でしばらく放置される（
第５図ｄ状態参照）。なお、このデイツブコーティング
工程以前において、ハイブリッドＩＣ１１のリード端子
１２に予め治具２０が取付けられる。
そして、ハイブリッドＩＣ１１に取付けた治具２０の基
部２１が第２図及び第４図に示すように支持台２５の取
付溝２６に嵌合され、かつ、硬化炉３０の棚板３５上に
載置される（第１図の実線状態参照）。
部２１が第２図及び第４図に示すように支持台２５の取
付溝２６に嵌合され、かつ、硬化炉３０の棚板３５上に
載置される（第１図の実線状態参照）。
硬化炉３０の開閏扉が間圧された後、ヒーター３３及び
ファン３４が運転され、加熱エリア３２内の雰囲気が第
８図に示す加熱プロファイルに沿って昇温される。
ファン３４が運転され、加熱エリア３２内の雰囲気が第
８図に示す加熱プロファイルに沿って昇温される。
そして、加熱エリア３２内の雰囲気温度が、指触乾燥温
度ＴＣである７０℃で、時間ｔａ（約３０分）保持され
ることで、ハイブリッドＩＣ１１の樹脂層１７は、指触
乾燥状態、すなわち表面乾燥状態となり、その樹脂の表
面が乾燥した状態であるが、一方、樹脂の内部には、ま
だ流動性が残っている状態とされる。
度ＴＣである７０℃で、時間ｔａ（約３０分）保持され
ることで、ハイブリッドＩＣ１１の樹脂層１７は、指触
乾燥状態、すなわち表面乾燥状態となり、その樹脂の表
面が乾燥した状態であるが、一方、樹脂の内部には、ま
だ流動性が残っている状態とされる。
その後、加熱エリア３２内の雰囲気温度が徐々に上がり
、条件温度ＴＡである８０℃になると、治具２０は、形
状ＰＢから第３図に示す形状゛［Ａに変形し、ハイブリ
ッドＩＣ１１をそのリード端子１２が下向きとなる状態
に支持する（第１図二点鎖線参照）。
、条件温度ＴＡである８０℃になると、治具２０は、形
状ＰＢから第３図に示す形状゛［Ａに変形し、ハイブリ
ッドＩＣ１１をそのリード端子１２が下向きとなる状態
に支持する（第１図二点鎖線参照）。
このようにしてハイブリッドＩＣ１２が反転されると、
今まで、基板１４の先端方向へ流動しようとしていた樹
脂が、こんどは基板１４のＭ端方向へ流動を始める。た
だし、樹脂は、その表面がすてに指触乾燥状態になって
いるので、リード端子１２に流動を起すことはない、即
ち、リード端子１２がコーティング樹脂により、覆われ
てしまうことはない。この樹脂層１７の基板１４の基部
方向への流動により、第３図に示すようにハイブリッド
ＩＣ１１の重心点が低く位置におかれ、耐振動性が良好
になる。
今まで、基板１４の先端方向へ流動しようとしていた樹
脂が、こんどは基板１４のＭ端方向へ流動を始める。た
だし、樹脂は、その表面がすてに指触乾燥状態になって
いるので、リード端子１２に流動を起すことはない、即
ち、リード端子１２がコーティング樹脂により、覆われ
てしまうことはない。この樹脂層１７の基板１４の基部
方向への流動により、第３図に示すようにハイブリッド
ＩＣ１１の重心点が低く位置におかれ、耐振動性が良好
になる。
さらに、雰囲気温度が上がり、硬化温度゛「Ｄである約
１２０℃で、時間ｔｂ（６０分）保持されることにより
、樹脂層１７が完全に乾燥硬化される。すなわち、前記
したようにハイブリッドＩＣ１１の重心点が低い位置で
樹脂層１７が硬化されるわけである。その後、硬化炉３
０から適宜ハイブリッドＩＣ１１を取出すと共に治具２
０を取外せばよい。
１２０℃で、時間ｔｂ（６０分）保持されることにより
、樹脂層１７が完全に乾燥硬化される。すなわち、前記
したようにハイブリッドＩＣ１１の重心点が低い位置で
樹脂層１７が硬化されるわけである。その後、硬化炉３
０から適宜ハイブリッドＩＣ１１を取出すと共に治具２
０を取外せばよい。
以上のようにして、樹脂層１７でコーティングされたハ
イブリッド■Ｃ１１が製造される（第６図参照）。
イブリッド■Ｃ１１が製造される（第６図参照）。
このハイブリッドＩＣ１１を第７図に示すように回路基
板１８上に実装した場合、重心点が低い位置にあるため
、良好な耐振動性が得られる。
板１８上に実装した場合、重心点が低い位置にあるため
、良好な耐振動性が得られる。
なお、本例におけるバッチ型硬化炉３０によれば、棚板
３５や治具２０の数を増減することにより、任意の個数
のハイブリッドＩＣ１１の加熱が行なえると共に、ひと
たび加熱エリア３２内にハイブリッドＩＣ１１をセット
すれば、所定の加熱プロファイルに沿って加熱されるこ
とにより、加熱途中に何ら作業を加えることなく、ハイ
ブリッドＩＣＩＩの樹脂層１７を乾燥硬化させることが
できる。
３５や治具２０の数を増減することにより、任意の個数
のハイブリッドＩＣ１１の加熱が行なえると共に、ひと
たび加熱エリア３２内にハイブリッドＩＣ１１をセット
すれば、所定の加熱プロファイルに沿って加熱されるこ
とにより、加熱途中に何ら作業を加えることなく、ハイ
ブリッドＩＣＩＩの樹脂層１７を乾燥硬化させることが
できる。
また、上記実施例のバッチ型硬化炉３０に代えて、第９
図に示す連続型硬化炉４０も考えられる。
図に示す連続型硬化炉４０も考えられる。
この硬化炉４０は、外郭ケース４１内の加熱エリア４２
が指触乾燥ゾーン４２ａと硬化ゾーン４２ｂとに区・画
されており、各ゾーン４２ａ、４２ｂの上部及び下部に
（れぞれヒーター４３が組込まれる。なお、ヒーター４
３は、上部あるいは下部の一方に設けるのみでも良い。
が指触乾燥ゾーン４２ａと硬化ゾーン４２ｂとに区・画
されており、各ゾーン４２ａ、４２ｂの上部及び下部に
（れぞれヒーター４３が組込まれる。なお、ヒーター４
３は、上部あるいは下部の一方に設けるのみでも良い。
さらに、外郭ケース４１内の下部には、ベルトコンベヤ
４４が設置される。ベルトコンベヤ４４は、ベルト４５
の回転によって、支持台２５を図示左方から右方へと搬
送、すなわち入口４１ａから加熱エリア４２の指触乾燥
ゾーン４２ａ及び硬化ゾーン４２ｂを通して出口４１ｂ
へと搬送する。
４４が設置される。ベルトコンベヤ４４は、ベルト４５
の回転によって、支持台２５を図示左方から右方へと搬
送、すなわち入口４１ａから加熱エリア４２の指触乾燥
ゾーン４２ａ及び硬化ゾーン４２ｂを通して出口４１ｂ
へと搬送する。
そして、上記加熱エリア４２の各ゾーン４２ａ。
４２ｂの各ヒーター４３の出力を、ベルトコンベヤ４４
の搬送速度に合わせて、所定の加熱プロフアイル（例え
ば、第８図参照）を実現できるように設定しておけば、
外郭ケース４１の入口４１ａから投入されるハイブリッ
ドＩＣ１１は、前記バッチ式硬化炉３０の場合と同様に
して加熱がなされることにより、重心点の低いハイブリ
ッドＩＣ１１として出口４１ｂから搬出される。
の搬送速度に合わせて、所定の加熱プロフアイル（例え
ば、第８図参照）を実現できるように設定しておけば、
外郭ケース４１の入口４１ａから投入されるハイブリッ
ドＩＣ１１は、前記バッチ式硬化炉３０の場合と同様に
して加熱がなされることにより、重心点の低いハイブリ
ッドＩＣ１１として出口４１ｂから搬出される。
この連続型硬化か４０によっても、加熱途中に何ら作業
を加えることなく、ハイブリッドＩＣ１１を乾燥硬化さ
せることができる。
を加えることなく、ハイブリッドＩＣ１１を乾燥硬化さ
せることができる。
なお、コーティングする液状樹脂としては、上記実施例
のシリコーン系樹脂の他、エポキシ系、ウレタン系、ア
クリル系、ポリブタジェン系、フェノール系、ポリイミ
ド系等の樹脂を使うことができる。
のシリコーン系樹脂の他、エポキシ系、ウレタン系、ア
クリル系、ポリブタジェン系、フェノール系、ポリイミ
ド系等の樹脂を使うことができる。
また、上記実施例では、治具２０の形状を四角形平板状
としたが、当該ハイブリッドＩＣを保持し、上記実施例
で述べた温度変化に伴う形状変化を行なえるものであれ
ば、その形状は四角形平板状の以外の形状であってもか
まわない。
としたが、当該ハイブリッドＩＣを保持し、上記実施例
で述べた温度変化に伴う形状変化を行なえるものであれ
ば、その形状は四角形平板状の以外の形状であってもか
まわない。
〈発明の効果〉
すなわら、本発明によれば、液状樹脂をコーティングし
たハイブリッドＩＣをその加熱途中（樹脂の指触乾燥状
態）で反転させることにより、樹脂を重力の作用を利用
して流動させ、ハイブリッドＩＣの重心点を可及的に低
い位置にすることから、耐振動性に有利なハイブリッド
ＩＣが部品点数の増加及び重量増加を招くことなく得ら
れる。
たハイブリッドＩＣをその加熱途中（樹脂の指触乾燥状
態）で反転させることにより、樹脂を重力の作用を利用
して流動させ、ハイブリッドＩＣの重心点を可及的に低
い位置にすることから、耐振動性に有利なハイブリッド
ＩＣが部品点数の増加及び重量増加を招くことなく得ら
れる。
また、加熱温度により変形する形状記憶合金製治具を使
用することから、特別な機構装置や作業等を必要とせず
、安価なコストで、かつ高い信頼性をもってハイブリッ
ドＩＣを反転させることができる。また、形状配憶合金
製治具は繰返し使用することができるため、ランニング
コストも少なくて済む。
用することから、特別な機構装置や作業等を必要とせず
、安価なコストで、かつ高い信頼性をもってハイブリッ
ドＩＣを反転させることができる。また、形状配憶合金
製治具は繰返し使用することができるため、ランニング
コストも少なくて済む。
第１〜９図は本発明の一実施例を示すもので、第１図は
パッチ型硬化炉の路体断面図、第２図は支持台に取付け
た治具の所定温度以下の状態の一部破断側面図、第３図
は同治具の所定温度以上の状態の側面図、第４図は同治
具の斜視図、第５図はデイツプコーティング法を示す説
明図、第６図は硬化後のハイブリッドＩＣの斜視図、第
７図はハイブリッドＩＣの実装状態の断面図、第８図は
加熱プロファイルを示す絵図、第９図は連続型硬化炉の
路体断面図である。第１０図及び第１１図は従来例を示
すもので、第１０図はデイツプコーティング法を示す説
明図、第１１図はハイブリッドＩＣの実装状態の断面図
である。 １１・・・ハイブリッドＩＣ １２・・・リード端子 １７・・・樹＠層 ２０・・・形状記憶合金製治具 出 願 人 トヨタ自動車株式会社 代 理 人 弁理士 岡田英彦（外３名）第４図 第５図
パッチ型硬化炉の路体断面図、第２図は支持台に取付け
た治具の所定温度以下の状態の一部破断側面図、第３図
は同治具の所定温度以上の状態の側面図、第４図は同治
具の斜視図、第５図はデイツプコーティング法を示す説
明図、第６図は硬化後のハイブリッドＩＣの斜視図、第
７図はハイブリッドＩＣの実装状態の断面図、第８図は
加熱プロファイルを示す絵図、第９図は連続型硬化炉の
路体断面図である。第１０図及び第１１図は従来例を示
すもので、第１０図はデイツプコーティング法を示す説
明図、第１１図はハイブリッドＩＣの実装状態の断面図
である。 １１・・・ハイブリッドＩＣ １２・・・リード端子 １７・・・樹＠層 ２０・・・形状記憶合金製治具 出 願 人 トヨタ自動車株式会社 代 理 人 弁理士 岡田英彦（外３名）第４図 第５図
Claims (1)
- ハイブリッドＩＣに液状樹脂をコーティングし、その
ハイブリッドＩＣを所定温度以下ではリード端子が上向
きとなるように支持しかつ所定温度以上ではリード端子
が下向きとなるように変形しうる形状記憶合金製治具に
支持した状態で、ハイブリッドＩＣを前記所定温度以下
の雰囲気中で乾燥させることにより前記液状樹脂の樹脂
層の表面を乾燥させた後、そのハイブリッドＩＣを前記
所定温度以上の雰囲気中で乾燥することにより前記樹脂
層の内部を硬化させるハイブリッドＩＣの樹脂コーティ
ング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63024841A JP2536574B2 (ja) | 1988-02-03 | 1988-02-03 | ハイブリッドｉｃの樹脂コ―ティング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63024841A JP2536574B2 (ja) | 1988-02-03 | 1988-02-03 | ハイブリッドｉｃの樹脂コ―ティング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01199438A true JPH01199438A (ja) | 1989-08-10 |
| JP2536574B2 JP2536574B2 (ja) | 1996-09-18 |
Family
ID=12149438
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63024841A Expired - Lifetime JP2536574B2 (ja) | 1988-02-03 | 1988-02-03 | ハイブリッドｉｃの樹脂コ―ティング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2536574B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06326447A (ja) * | 1993-05-10 | 1994-11-25 | Tokyo Kakoki Kk | 乾燥装置 |
| CN115957944A (zh) * | 2022-12-20 | 2023-04-14 | 重庆太蓝新能源有限公司 | 一种形成涂布留白区的方法、装置及其应用 |
-
1988
- 1988-02-03 JP JP63024841A patent/JP2536574B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06326447A (ja) * | 1993-05-10 | 1994-11-25 | Tokyo Kakoki Kk | 乾燥装置 |
| CN115957944A (zh) * | 2022-12-20 | 2023-04-14 | 重庆太蓝新能源有限公司 | 一种形成涂布留白区的方法、装置及其应用 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2536574B2 (ja) | 1996-09-18 |
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Legal Events
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