JPH01200583A - 相互接続装置及びその製造方法 - Google Patents
相互接続装置及びその製造方法Info
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- JPH01200583A JPH01200583A JP63305853A JP30585388A JPH01200583A JP H01200583 A JPH01200583 A JP H01200583A JP 63305853 A JP63305853 A JP 63305853A JP 30585388 A JP30585388 A JP 30585388A JP H01200583 A JPH01200583 A JP H01200583A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、接触隆起を有する接続装置及びその製造方法
に関する。
に関する。
〈従来の技術及び発明が解決しようとする課題〉例えば
、回路基板の接触パッドとノλイブリッド基板の接触パ
ッドとを、電気的に良好に接続するためには、接続パッ
ドの一方を隆起形状に形成してしまうことが通常行われ
ている。隆起の効果は、所定の接触力で接触圧を高める
ことであり、これによってハイブリッド基板の接続パッ
ドと回路基板の接続パッドとの間の接触電気抵抗を減ら
すことができる。
、回路基板の接触パッドとノλイブリッド基板の接触パ
ッドとを、電気的に良好に接続するためには、接続パッ
ドの一方を隆起形状に形成してしまうことが通常行われ
ている。隆起の効果は、所定の接触力で接触圧を高める
ことであり、これによってハイブリッド基板の接続パッ
ドと回路基板の接続パッドとの間の接触電気抵抗を減ら
すことができる。
接続パッド上に金属メツキをし、回路基板のパッド上に
隆起を形成することが通常行われている。
隆起を形成することが通常行われている。
一般的にいって、隆起の金属としては、金が選ばれてお
り、これは、金が腐食しないため、接触抵抗に経年変化
がないためである。しかしながら、所定の接触領域を形
成するために、ある程度の金が必要であり、金メツキの
接触隆起は高価である。
り、これは、金が腐食しないため、接触抵抗に経年変化
がないためである。しかしながら、所定の接触領域を形
成するために、ある程度の金が必要であり、金メツキの
接触隆起は高価である。
さらに、例えば、球面の一部をなすような所望の形状に
仕上げるのに、工程を管理することは大変に困難である
。
仕上げるのに、工程を管理することは大変に困難である
。
そこで本発明の目的は、安価で接触抵抗が少なく、しか
も接触の安定していて、素子を破損から保護することの
できる新規な相互接続装置、及びその製造方法を提供す
ることにある。
も接触の安定していて、素子を破損から保護することの
できる新規な相互接続装置、及びその製造方法を提供す
ることにある。
〈課題を解決するための手段及び作用〉本発明の好適な
実施例においては、導電材料である薄膜部材の一方にへ
こみを形成し、これによってその反対側に隆起を形成す
べく薄膜部材を塑性変形することによって、接触隆起を
もうける。へこみの中には個体材料を入れる。導電材料
である薄膜部材は、支持部材の一方側に固定する。
実施例においては、導電材料である薄膜部材の一方にへ
こみを形成し、これによってその反対側に隆起を形成す
べく薄膜部材を塑性変形することによって、接触隆起を
もうける。へこみの中には個体材料を入れる。導電材料
である薄膜部材は、支持部材の一方側に固定する。
〈実施例〉
第1図は、本発明の方法による接触隆起を含む、回路基
板と、これに接続するセラミック基板との相互接続装置
の断面図である。第1図には、終端手段である接続パッ
ド6にて終端する導電路4を有する回路基板2が描かれ
ている。この回路基板には開口10があって、これにね
じ付スタ1.ド12が通っている。スタッドの上端には
、放熱板14が取り付けられており、スタッドの下端に
は、ナツト16が取り付けられている。伝熱性接着剤の
層20により、放熱板14の上に第1基板であるセラミ
ック基板18が固定されている。集積回路ダイ22は、
セラミック基板18の上面に取り付けられ、ダイの接続
パッドは、セラミック基板の上面に形成された第1導電
路24とワイヤによって接続している。セラミック基板
18の周辺部は、放熱板14の周辺部よりも突出してお
り、導電路24も基板のこの領域に及び、放熱板14の
外側に突出している。基板のこの領域には、導体ビア2
6が形成されていて、導電路24と電気的に接続し、基
板の下面にて露出している。
板と、これに接続するセラミック基板との相互接続装置
の断面図である。第1図には、終端手段である接続パッ
ド6にて終端する導電路4を有する回路基板2が描かれ
ている。この回路基板には開口10があって、これにね
じ付スタ1.ド12が通っている。スタッドの上端には
、放熱板14が取り付けられており、スタッドの下端に
は、ナツト16が取り付けられている。伝熱性接着剤の
層20により、放熱板14の上に第1基板であるセラミ
ック基板18が固定されている。集積回路ダイ22は、
セラミック基板18の上面に取り付けられ、ダイの接続
パッドは、セラミック基板の上面に形成された第1導電
路24とワイヤによって接続している。セラミック基板
18の周辺部は、放熱板14の周辺部よりも突出してお
り、導電路24も基板のこの領域に及び、放熱板14の
外側に突出している。基板のこの領域には、導体ビア2
6が形成されていて、導電路24と電気的に接続し、基
板の下面にて露出している。
相互接続装置40は、回路基板の接続パッド6とビア2
6とを電気的に接続することに用いられて・いる。セラ
ミック基板18と第1回路基板2とを接続している相互
接続装置には、仲介体42が含まれる。仲介体42には
、位置決め孔43を設けてもよく、その1つは第2図に
示している。なお、第2図は、第1図のセラミック基板
を除去した斜視図である。この位置決め孔43に、回路
基板2及び/又はセラミック基板18に設けられた位置
決めポストを係合、させる。仲介体42には、その上面
にストリップ44が設けられている。この導電路の各一
端には、隆起46が形成され、反対側の各一端には孔4
8が設けられている。これらの孔に対応して、仲介体4
2と回路基板2にも孔が設けられている。回路基板の孔
は、それぞれ接続パッド6も通過している。ストリップ
44の孔48に接続手段である金属ピン60が挿入され
、これが対応する仲介体42と回路基板2の孔を通過す
る。ピンは回路基板の孔にきっちりとはまるため、回路
基板にハンダ付けしなくても所定の位置にとどまる。ピ
ンの上端は、ハンダ62によってストリップ44と電気
的に接続する。この構成によみで、回路基板の導電路4
とストリ・ツブ44との良好な電気的接続が行われる。
6とを電気的に接続することに用いられて・いる。セラ
ミック基板18と第1回路基板2とを接続している相互
接続装置には、仲介体42が含まれる。仲介体42には
、位置決め孔43を設けてもよく、その1つは第2図に
示している。なお、第2図は、第1図のセラミック基板
を除去した斜視図である。この位置決め孔43に、回路
基板2及び/又はセラミック基板18に設けられた位置
決めポストを係合、させる。仲介体42には、その上面
にストリップ44が設けられている。この導電路の各一
端には、隆起46が形成され、反対側の各一端には孔4
8が設けられている。これらの孔に対応して、仲介体4
2と回路基板2にも孔が設けられている。回路基板の孔
は、それぞれ接続パッド6も通過している。ストリップ
44の孔48に接続手段である金属ピン60が挿入され
、これが対応する仲介体42と回路基板2の孔を通過す
る。ピンは回路基板の孔にきっちりとはまるため、回路
基板にハンダ付けしなくても所定の位置にとどまる。ピ
ンの上端は、ハンダ62によってストリップ44と電気
的に接続する。この構成によみで、回路基板の導電路4
とストリ・ツブ44との良好な電気的接続が行われる。
ナツト16を適度に締め付けることによって、露出して
いるビア26の一端は、隆起46に強く押しつけられ、
隆起の真下にある領域47で仲介体42が圧縮され、隆
起とビアの露出端とのあいだで接触圧が発生する。もし
ナツト16を締め過ぎると、ビア26の露出端は回路基
板に接近しすぎることになる。
いるビア26の一端は、隆起46に強く押しつけられ、
隆起の真下にある領域47で仲介体42が圧縮され、隆
起とビアの露出端とのあいだで接触圧が発生する。もし
ナツト16を締め過ぎると、ビア26の露出端は回路基
板に接近しすぎることになる。
もし仲介体42に圧縮性材料を用いていないと、隆起4
6が変形したり、セラミック基板18が破損したりする
。すなわち、仲介体42に弾力のある圧縮性材料を用い
ることで、ストリップ44と導電路24とのあいだの導
電性を良くするだけでなく、隆起46をおこりうる変形
から守っている。
6が変形したり、セラミック基板18が破損したりする
。すなわち、仲介体42に弾力のある圧縮性材料を用い
ることで、ストリップ44と導電路24とのあいだの導
電性を良くするだけでなく、隆起46をおこりうる変形
から守っている。
第3図は、第1図の相互接続装置における隆起を形成す
るための工程を示したものである。相互接続装置40は
、例えば銅のような薄板70によって加圧治具(図示せ
ず)を用いてつくる。この治具はパンチとダイからなる
。ダイには、隆起46の外面の所望の大きさ、形状に対
応した大きさ、形状のくぼみを設け、隆起46の配置パ
ターンと同様に配置する。治具を動作させるとパンチの
突起が夫々のくぼみに入るようにパンチを形成する。
るための工程を示したものである。相互接続装置40は
、例えば銅のような薄板70によって加圧治具(図示せ
ず)を用いてつくる。この治具はパンチとダイからなる
。ダイには、隆起46の外面の所望の大きさ、形状に対
応した大きさ、形状のくぼみを設け、隆起46の配置パ
ターンと同様に配置する。治具を動作させるとパンチの
突起が夫々のくぼみに入るようにパンチを形成する。
薄板70を治具にセットする。治具を動作させると、突
起が金属薄板を圧し、所定の位置の各突起と、これに対
応した深さと大きさに設定されたくぼみとが薄板の一面
74にくぼみ72を形成し、薄板の対向する面78には
突起76を形成する(第3(b)図)。このくぼみには
、この金属に被着し、実質的にたわむことのない材料8
0を満たす(第3(c)図)。好適な充填材料はハンダ
やエポキシである。くぼみに充填してから金属薄板の一
面をもう一度実質的に平らにする。このように処理した
薄板を、側面74の形状になぞって形成された空洞を有
するインジェクションモールド用のダイの中に入れる。
起が金属薄板を圧し、所定の位置の各突起と、これに対
応した深さと大きさに設定されたくぼみとが薄板の一面
74にくぼみ72を形成し、薄板の対向する面78には
突起76を形成する(第3(b)図)。このくぼみには
、この金属に被着し、実質的にたわむことのない材料8
0を満たす(第3(c)図)。好適な充填材料はハンダ
やエポキシである。くぼみに充填してから金属薄板の一
面をもう一度実質的に平らにする。このように処理した
薄板を、側面74の形状になぞって形成された空洞を有
するインジェクションモールド用のダイの中に入れる。
このダイ空洞は、エラストマ等の弾性部材である仲介体
42を所望の形状に形成するように形成されており、こ
のダイには位置決め孔43とピン60とを所望の位置に
並べるためのポストも含まれる。硬化していないエラス
トマ材料をダイの空洞の中に満たし、硬化させる。エラ
ストマ材料は金属薄板の側面74と充填剤80とにしっ
かりと被着する。エラストマ材料の仲介体42が被着し
た薄板70を、ダイから取り外す。銅の薄板に、従来の
光学的処理を施し、導電路44に該当する部分を残して
他を除去する。
42を所望の形状に形成するように形成されており、こ
のダイには位置決め孔43とピン60とを所望の位置に
並べるためのポストも含まれる。硬化していないエラス
トマ材料をダイの空洞の中に満たし、硬化させる。エラ
ストマ材料は金属薄板の側面74と充填剤80とにしっ
かりと被着する。エラストマ材料の仲介体42が被着し
た薄板70を、ダイから取り外す。銅の薄板に、従来の
光学的処理を施し、導電路44に該当する部分を残して
他を除去する。
孔48は、適当な腐食処理によって形成する。これで相
互接続装置の完成である。
互接続装置の完成である。
相互接続装置を取り付け、ナツトを適当な強さに締め付
けると、ビア26の露出端が隆起46と圧接する。充填
剤80は隆起の破損を防止する。
けると、ビア26の露出端が隆起46と圧接する。充填
剤80は隆起の破損を防止する。
第4図は、本発明の第2の実施例の断面図であるが、こ
こでは金属薄板70′はポリイミドの可撓性薄板82に
被着している。このポリイミドの薄板を所望の大きさに
切断し、金属薄板を選択的に腐食させ、導電路の所望の
パターンを形成し、ポリイミド薄板上にて接触隆起にて
終端させる。
こでは金属薄板70′はポリイミドの可撓性薄板82に
被着している。このポリイミドの薄板を所望の大きさに
切断し、金属薄板を選択的に腐食させ、導電路の所望の
パターンを形成し、ポリイミド薄板上にて接触隆起にて
終端させる。
エラストマ材料による仲介体42′ は、ポリイミド薄
板の導電路が設けられている面と反対側の面に、たとえ
ば第3図と共に説明したインジェクションモールドによ
って被着させる。
板の導電路が設けられている面と反対側の面に、たとえ
ば第3図と共に説明したインジェクションモールドによ
って被着させる。
第5図は、本発明の第3の実施例の斜視図であるが、本
図の相互接続装置は、減衰器ハイブリッド(図示せず)
の接続パッドを、回路基板(図示せず)の導電路と前置
増幅器ハイブリッド(図示せず)の接続パッドとに接続
するのに用いられる。
図の相互接続装置は、減衰器ハイブリッド(図示せず)
の接続パッドを、回路基板(図示せず)の導電路と前置
増幅器ハイブリッド(図示せず)の接続パッドとに接続
するのに用いられる。
相互接続装置90は、第3図、第4図を用いて説明した
のと同様の方法によって製作され、ポリイミドの薄板9
4が被着したエラストマ材料の仲介体92を具えている
。このポリイミドの薄板は、仲介体92よりも大きく、
舌片94A、94Bが仲介体92の上から延びている。
のと同様の方法によって製作され、ポリイミドの薄板9
4が被着したエラストマ材料の仲介体92を具えている
。このポリイミドの薄板は、仲介体92よりも大きく、
舌片94A、94Bが仲介体92の上から延びている。
薄板94の上面には、ストリップ96A、96Bがあっ
て、仲介体92の上から舌片94A、94Bにそって延
びている。ストリップ96のおのおのは、仲介体92の
上方にあたる位置に接触隆起を有し、減衰器ハイブリッ
ドのビアと係合する。ストリップ96Bは、第1図に示
すピン60の場合と同様に、その反対側の端部において
回路基板の導電路と接続手段であるピン100を介して
接続し、ストリップ96Aは、その反対側の端部におい
て前置増幅器とピン(図示せず)を介して接続する。ポ
リイミドの薄板94及び仲介体92には、孔102が設
けられ、相互接続装置を減衰器ハイブリッド及び/又は
回路基板に対して間違いなく位置決めする。
て、仲介体92の上から舌片94A、94Bにそって延
びている。ストリップ96のおのおのは、仲介体92の
上方にあたる位置に接触隆起を有し、減衰器ハイブリッ
ドのビアと係合する。ストリップ96Bは、第1図に示
すピン60の場合と同様に、その反対側の端部において
回路基板の導電路と接続手段であるピン100を介して
接続し、ストリップ96Aは、その反対側の端部におい
て前置増幅器とピン(図示せず)を介して接続する。ポ
リイミドの薄板94及び仲介体92には、孔102が設
けられ、相互接続装置を減衰器ハイブリッド及び/又は
回路基板に対して間違いなく位置決めする。
本発明は、説明し、図示した特定の実施例にとどまるも
のではなく、本発明の要旨から逸脱せずに様々な変形が
可能である。たとえば、腐食を回避し、これに起因する
接触隆起の接触条件の悪化も回避するために、接触隆起
に、たとえば電気メツキなどによって薄い金の皮膜を設
けても良い。あらかじめ設けである隆起に皮膜を被せる
のに必要な金の量は、通常のメツキ処理を用いて、隆起
を形成するのに必要な量よりもはるかに少ない。
のではなく、本発明の要旨から逸脱せずに様々な変形が
可能である。たとえば、腐食を回避し、これに起因する
接触隆起の接触条件の悪化も回避するために、接触隆起
に、たとえば電気メツキなどによって薄い金の皮膜を設
けても良い。あらかじめ設けである隆起に皮膜を被せる
のに必要な金の量は、通常のメツキ処理を用いて、隆起
を形成するのに必要な量よりもはるかに少ない。
〈発明の効果〉
本発明により、製造工程が安価に構成でき、しかも接触
が確実で素子を破損から保護することのできる相互接続
装置を製造することができる。4
が確実で素子を破損から保護することのできる相互接続
装置を製造することができる。4
第1図は、本発明の方法による接触隆起を含む、回路基
板と、これに接続するセラミック基板との相互接続装置
の断面図、第2図は、第1図の相互接続装置からセラミ
ック基板を除去した斜視図、第3図は、第1図の相互接
続装置における隆起を形成するための工程を示した図、
第4図は、本発明の第2の実施例の断面図、第5図は、
本発明の第3の実施例の斜視図である。 これらの図において、40.90が相互接続装置、42
.92が板状仲介体、46.76.98が隆起、44.
96A、96Bがストリップ、70.94が薄板、72
がくぼみ、80が個体充填材料である。
板と、これに接続するセラミック基板との相互接続装置
の断面図、第2図は、第1図の相互接続装置からセラミ
ック基板を除去した斜視図、第3図は、第1図の相互接
続装置における隆起を形成するための工程を示した図、
第4図は、本発明の第2の実施例の断面図、第5図は、
本発明の第3の実施例の斜視図である。 これらの図において、40.90が相互接続装置、42
.92が板状仲介体、46.76.98が隆起、44.
96A、96Bがストリップ、70.94が薄板、72
がくぼみ、80が個体充填材料である。
Claims (2)
- (1)弾性材料による略板状の仲介体と、 一主面には隆起を、上記一主面と対向する主面の上記隆
起に対応する場所にはくぼみを有し、該くぼみには個体
充填材料が充填された導電性のストリップとを具え、 該ストリップは、隆起のある主面が外側になるように上
記仲介体の一主面上に設けられ、上記隆起が接触領域と
なることを特徴とする相互接続装置。 - (2)導電性の薄板の一主面には隆起を、上記一主面と
対向する主面の上記隆起に対応する場所にはくぼみを塑
性変形的に形成し、 該くぼみに個体充填材料を充填し、 該個体充填材料を充填した薄板を、隆起のある主面が外
側になるように、弾性材料材料による略板状仲介体の一
主面に被着させることよりなる相互接続装置の製造方法
。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/128,366 US4835859A (en) | 1987-12-03 | 1987-12-03 | Method of forming a contact bump |
| US128366 | 1987-12-03 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01200583A true JPH01200583A (ja) | 1989-08-11 |
| JPH0665103B2 JPH0665103B2 (ja) | 1994-08-22 |
Family
ID=22435000
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63305853A Expired - Lifetime JPH0665103B2 (ja) | 1987-12-03 | 1988-12-02 | 相互接続装置及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4835859A (ja) |
| JP (1) | JPH0665103B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4891014A (en) * | 1989-03-03 | 1990-01-02 | Rogers Corporation | Method of forming contact bumps in contact pads |
| US5147519A (en) * | 1990-07-27 | 1992-09-15 | Motorola, Inc. | Method of manufacturing elastomers containing fine line conductors |
| US5097101A (en) * | 1991-02-05 | 1992-03-17 | Tektronix, Inc. | Method of forming a conductive contact bump on a flexible substrate and a flexible substrate |
| US5306872A (en) * | 1991-03-06 | 1994-04-26 | International Business Machines Corporation | Structures for electrically conductive decals filled with organic insulator material |
| US5338900A (en) * | 1991-03-06 | 1994-08-16 | International Business Machines Corporation | Structures for electrically conductive decals filled with inorganic insulator material |
| US5161403A (en) * | 1991-06-25 | 1992-11-10 | Digital Equipment Corporation | Method and apparatus for forming coplanar contact projections on flexible circuits |
| US5245750A (en) * | 1992-02-28 | 1993-09-21 | Hughes Aircraft Company | Method of connecting a spaced ic chip to a conductor and the article thereby obtained |
| US6528890B1 (en) | 1998-12-01 | 2003-03-04 | Micron Technology, Inc. | Circuit, method of adhering an integrated circuit device to a substrate, and method of forming a circuit |
| GB0024294D0 (en) * | 2000-10-04 | 2000-11-15 | Univ Cambridge Tech | Solid state embossing of polymer devices |
| DE102009026873A1 (de) * | 2009-06-10 | 2010-12-16 | Robert Bosch Gmbh | Leitungssatz aus Kunststoffmaterial |
| JP2019060817A (ja) * | 2017-09-28 | 2019-04-18 | 日本特殊陶業株式会社 | 電子部品検査装置用配線基板 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5712506A (en) * | 1980-06-27 | 1982-01-22 | Tokyo Shibaura Electric Co | Method of metal oxide non-linear resistor |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3374400A (en) * | 1964-09-02 | 1968-03-19 | Fujitsu Ltd | Compound electronic unit |
| US4000054A (en) * | 1970-11-06 | 1976-12-28 | Microsystems International Limited | Method of making thin film crossover structure |
| US4420767A (en) * | 1978-11-09 | 1983-12-13 | Zilog, Inc. | Thermally balanced leadless microelectronic circuit chip carrier |
| US4421944A (en) * | 1979-12-13 | 1983-12-20 | Desmarais Jr Raymond C | Printed circuits |
-
1987
- 1987-12-03 US US07/128,366 patent/US4835859A/en not_active Expired - Fee Related
-
1988
- 1988-12-02 JP JP63305853A patent/JPH0665103B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5712506A (en) * | 1980-06-27 | 1982-01-22 | Tokyo Shibaura Electric Co | Method of metal oxide non-linear resistor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0665103B2 (ja) | 1994-08-22 |
| US4835859A (en) | 1989-06-06 |
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