JPH01200656A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH01200656A JPH01200656A JP63025270A JP2527088A JPH01200656A JP H01200656 A JPH01200656 A JP H01200656A JP 63025270 A JP63025270 A JP 63025270A JP 2527088 A JP2527088 A JP 2527088A JP H01200656 A JPH01200656 A JP H01200656A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に金属突起電
極を有する半導体装置の製造方法に関する。
極を有する半導体装置の製造方法に関する。
従来、この種の半導体装置の金属突起電極の形成方法は
、下地配線形成終了後、めっきを行なう際の電流路を形
成するために金属膜を半導体基板表面全体に被着してめ
っき用配線等を形成し、その後レジスト膜を使用したり
フトオフ法により、金属膜上の金属突起電極形成領域内
にのみめっき成長部となるバリア膜を形成し、その後再
度パターニングを行ったフォトレジスト膜をマスクとし
てめっきを行ない、バリア膜上にのみ金属突起電極を形
成し、レジスト膜を剥離した後不要となっためっき用配
線・を金属突起電極をマスクとして全面除去し、その後
最終保護膜としてポリイミド樹脂膜を半導体基板表面全
体に塗布し、フォトレジスト膜パターンをマスクとして
、金属突起電極上のボンディング領域部のみのポリイミ
ド樹脂膜をエツチング法にて除去するというものであっ
た。
、下地配線形成終了後、めっきを行なう際の電流路を形
成するために金属膜を半導体基板表面全体に被着してめ
っき用配線等を形成し、その後レジスト膜を使用したり
フトオフ法により、金属膜上の金属突起電極形成領域内
にのみめっき成長部となるバリア膜を形成し、その後再
度パターニングを行ったフォトレジスト膜をマスクとし
てめっきを行ない、バリア膜上にのみ金属突起電極を形
成し、レジスト膜を剥離した後不要となっためっき用配
線・を金属突起電極をマスクとして全面除去し、その後
最終保護膜としてポリイミド樹脂膜を半導体基板表面全
体に塗布し、フォトレジスト膜パターンをマスクとして
、金属突起電極上のボンディング領域部のみのポリイミ
ド樹脂膜をエツチング法にて除去するというものであっ
た。
上述した従来の金属突起電極を有する半導体装置の製造
方法は、リフトオフ工程、めっき工程及び最終保護膜の
エツチング工程と、多数回のフォトレジストの塗布・パ
ターニング工程があるため、多大な製造工数・工期を要
する欠点を有していた。また、金属突起電極形成後に最
終保護膜としてポリイミド樹脂を塗布し、キャリアテー
プに圧着する際の接触部をエツチング法により金属突起
電極上に開孔するため、めっきによりポーラス状に成長
した金属突起電極の表層部にエツチング残渣が付着し、
キャリアテープと半導体装置の密着強度を著しく低下さ
せる要因ともなる欠点があった。
方法は、リフトオフ工程、めっき工程及び最終保護膜の
エツチング工程と、多数回のフォトレジストの塗布・パ
ターニング工程があるため、多大な製造工数・工期を要
する欠点を有していた。また、金属突起電極形成後に最
終保護膜としてポリイミド樹脂を塗布し、キャリアテー
プに圧着する際の接触部をエツチング法により金属突起
電極上に開孔するため、めっきによりポーラス状に成長
した金属突起電極の表層部にエツチング残渣が付着し、
キャリアテープと半導体装置の密着強度を著しく低下さ
せる要因ともなる欠点があった。
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上に絶縁
膜を介して第１金属膜を形成しパターニングして金属突
起電極形成領域と該領域間を接続するめっき用配線を形
成する工程と、全面にポリイミド樹脂膜を形成したのち
フォトレジスト膜をマスクとし前記金属突起電極形成領
域上の該ポリイミド樹脂膜をエツチングし除去する工程
と、前記フォトレジスト膜を含む全面に第２金属膜を被
着したのちフォトレジスト膜を除去し前記金属突起電極
形成領域にのみ第２金属膜からなるバリア膜を形成する
工程と、前記ポリイミド樹脂膜をマスクとして金属をめ
っきし前記バリア膜上に金属突起電極を形成する工程と
を含んで構成される。
膜を介して第１金属膜を形成しパターニングして金属突
起電極形成領域と該領域間を接続するめっき用配線を形
成する工程と、全面にポリイミド樹脂膜を形成したのち
フォトレジスト膜をマスクとし前記金属突起電極形成領
域上の該ポリイミド樹脂膜をエツチングし除去する工程
と、前記フォトレジスト膜を含む全面に第２金属膜を被
着したのちフォトレジスト膜を除去し前記金属突起電極
形成領域にのみ第２金属膜からなるバリア膜を形成する
工程と、前記ポリイミド樹脂膜をマスクとして金属をめ
っきし前記バリア膜上に金属突起電極を形成する工程と
を含んで構成される。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図（ａ）〜（ｈ）は本発明の一実施例を説明するた
めの工程順に示した半導体チップの断面図であり、特に
本発明をテープキャリア式半導体装置の金属突起電極形
成に適用した場合である。
めの工程順に示した半導体チップの断面図であり、特に
本発明をテープキャリア式半導体装置の金属突起電極形
成に適用した場合である。
まず第１図（ａ）に示すように、素子が形成された半導
体基板１上に二酸化シリコン膜２を形成したのち、フォ
トリングラフィによりダイシング領域３上の二酸化シリ
コン膜２を除去する。
体基板１上に二酸化シリコン膜２を形成したのち、フォ
トリングラフィによりダイシング領域３上の二酸化シリ
コン膜２を除去する。
次に第１図（ｂ）及び第２図に示すように、スパッタ法
により全面に第１金属膜としてのアルミニウム［４を形
成しなのちその上にフォトレジスト膜５を形成する。次
でこのフォトレジスト膜５をパターニングしたのち、こ
のパターニングされたフォトレジスト膜５をマスクとし
てアルミニウム膜４をエツチングし、金突起電極形成領
域４Ａとこれらの領域を接続するめっき用配線４Ｂを形
成する。このめっき用配線４Ｂにより金突起電極形成領
域４Ａは、ダイシング領域３を通してシリコン基板１に
電気的に接続される。
により全面に第１金属膜としてのアルミニウム［４を形
成しなのちその上にフォトレジスト膜５を形成する。次
でこのフォトレジスト膜５をパターニングしたのち、こ
のパターニングされたフォトレジスト膜５をマスクとし
てアルミニウム膜４をエツチングし、金突起電極形成領
域４Ａとこれらの領域を接続するめっき用配線４Ｂを形
成する。このめっき用配線４Ｂにより金突起電極形成領
域４Ａは、ダイシング領域３を通してシリコン基板１に
電気的に接続される。
次に第１図（ｃ）及び第２図に示すように、フォトレジ
ストＭ５を除去したのち全面にポリイミド樹脂膜６を回
転塗布法により形成する。次でパターニングされたフォ
トレジスト膜５Ａを用いて全突起電極形成領域４Ａ上の
ポリイミド樹脂膜６を除去する。
ストＭ５を除去したのち全面にポリイミド樹脂膜６を回
転塗布法により形成する。次でパターニングされたフォ
トレジスト膜５Ａを用いて全突起電極形成領域４Ａ上の
ポリイミド樹脂膜６を除去する。
次に第１図（ｄ）に示すように、フォトレジスト膜５Ａ
を含む全面にチタン及び白金を連続的に被着し、チタン
・白金膜８を形成する。
を含む全面にチタン及び白金を連続的に被着し、チタン
・白金膜８を形成する。
次に第１図（ｅ）及び第２図に示すように、リフトオフ
法によりフォトレジスト膜５Ａ及びその上に形成された
チタン・白金膜８を除去する。この工程によりバリア膜
としてのチタン・白金膜８は金属起電極形成後領域にの
み形成される。
法によりフォトレジスト膜５Ａ及びその上に形成された
チタン・白金膜８を除去する。この工程によりバリア膜
としてのチタン・白金膜８は金属起電極形成後領域にの
み形成される。
次に第１図（ｆ）に示すように、シリコン基板１の表面
のみを金めつき液に浸し金めつきを行ない、チタン・白
金Ｈ８上に全突起電極９を形成する。
のみを金めつき液に浸し金めつきを行ない、チタン・白
金Ｈ８上に全突起電極９を形成する。
次に第１図（ｇ）に示すように、全面にフォトレジスト
膜５Ｂを形成したのちパターニングし、ダイシング領域
３上のみを開孔し、ポリイミド樹脂膜６をエツチング除
去する。
膜５Ｂを形成したのちパターニングし、ダイシング領域
３上のみを開孔し、ポリイミド樹脂膜６をエツチング除
去する。
続いて第１図（ｈ）に示すように、ダイシング領域３上
のめっき用配線４Ｂをエツチングにより除去して全突起
電極９とシリコン基板１とを電気的に絶縁する。次でフ
ォトレジスト膜５Ｂを除去し半導体装置を完成させる。
のめっき用配線４Ｂをエツチングにより除去して全突起
電極９とシリコン基板１とを電気的に絶縁する。次でフ
ォトレジスト膜５Ｂを除去し半導体装置を完成させる。
このように本実施例によれば、全突起電極９を形成する
前に最終保護膜であるポリイミド樹脂膜６を形成し、リ
フトオフ時の間隙膜及び金めつき時のマスクとして使用
するので、製造時間を大幅に短縮できる。更に従来のよ
うに、ポーラスな表面を有する金突起電極９上にポリイ
ミド樹脂膜を形成することがないので、キャリアテープ
と半導体装置の密着強度も低下することはなくなる。
前に最終保護膜であるポリイミド樹脂膜６を形成し、リ
フトオフ時の間隙膜及び金めつき時のマスクとして使用
するので、製造時間を大幅に短縮できる。更に従来のよ
うに、ポーラスな表面を有する金突起電極９上にポリイ
ミド樹脂膜を形成することがないので、キャリアテープ
と半導体装置の密着強度も低下することはなくなる。
尚、上記実施例においては、金属突起電極を形成するた
めに金めつきを行う場合について説明したが銅めっきを
用いることもできる。この場合はバリア膜とてクロム・
銅膜を用いる必要がある。
めに金めつきを行う場合について説明したが銅めっきを
用いることもできる。この場合はバリア膜とてクロム・
銅膜を用いる必要がある。
更に第１図（ｄ）でダイシング領域３上のアルミニウム
からなるめっき用配線４Ｂを除去したが、この部分のア
ルミニウムを陽極酸化して酸化アルミニウム、とし、シ
リコン基板１と全突起電極９とを絶縁分離してもよい。
からなるめっき用配線４Ｂを除去したが、この部分のア
ルミニウムを陽極酸化して酸化アルミニウム、とし、シ
リコン基板１と全突起電極９とを絶縁分離してもよい。
この場合、ダイシング領域３におけるアルミニウム膜の
露出がなくなるなめ、耐湿性が向上する。
露出がなくなるなめ、耐湿性が向上する。
以上説明したように、本発明は金属突起電極形成前の工
程で最終保護膜であるポリイミド樹脂膜を形成し、第２
金属欣のリフトオフ時の間隙膜及び金属めっき時のマス
クとして使用するとにより、製造工数・工期を大幅に短
縮できる効果がある。さらに、従来のように金属突起電
極のポーラス状の表層部にポリイミド樹脂膜の残渣が発
生することもなくなるため、キャリアテープと半導体装
置の密着強度を確保することができる。
程で最終保護膜であるポリイミド樹脂膜を形成し、第２
金属欣のリフトオフ時の間隙膜及び金属めっき時のマス
クとして使用するとにより、製造工数・工期を大幅に短
縮できる効果がある。さらに、従来のように金属突起電
極のポーラス状の表層部にポリイミド樹脂膜の残渣が発
生することもなくなるため、キャリアテープと半導体装
置の密着強度を確保することができる。
第１図（ａ）〜（ｈ）は本発明の一実施例を説明するた
めの工程順に示した半導体チップの断面図、第２図は第
１図（ｅ）で説明した工程における半導体チップの平面
図である。 １・・・シリコン基板、２・・・二酸化シリコン膜、３
・・・ダイシング領域、４・・・アルミニウム膜、４Ａ
・・・全突起電極形成領域、４Ｂ・・・めっき用配線、
５Ａ、５Ｂ・・・フォトレジスト膜、６・・・ポリイミ
ド樹脂膜、８・・・チタン・白金膜、９・・・全突起電
極。
めの工程順に示した半導体チップの断面図、第２図は第
１図（ｅ）で説明した工程における半導体チップの平面
図である。 １・・・シリコン基板、２・・・二酸化シリコン膜、３
・・・ダイシング領域、４・・・アルミニウム膜、４Ａ
・・・全突起電極形成領域、４Ｂ・・・めっき用配線、
５Ａ、５Ｂ・・・フォトレジスト膜、６・・・ポリイミ
ド樹脂膜、８・・・チタン・白金膜、９・・・全突起電
極。
Claims (1)
- 半導体基板上に絶縁膜を介して第１金属膜を形成しパ
ターニングして金属突起電極形成領域と該領域間を接続
するめっき用配線を形成する工程と、全面にポリイミド
樹脂膜を形成したのちフォトレジスト膜をマスクとし前
記金属突起電極形成領域上の該ポリイミド樹脂膜をエッ
チングし除去する工程と、前記フォトレジスト膜を含む
全面に第２金属膜を被着したのちフォトレジスト膜を除
去し前記金属突起電極形成領域にのみ第２金属膜からな
るバリア膜を形成する工程と、前記ポリイミド樹脂膜を
マスクとして金属をめっきし前記バリア膜上に金属突起
電極を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63025270A JPH01200656A (ja) | 1988-02-04 | 1988-02-04 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63025270A JPH01200656A (ja) | 1988-02-04 | 1988-02-04 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01200656A true JPH01200656A (ja) | 1989-08-11 |
Family
ID=12161336
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63025270A Pending JPH01200656A (ja) | 1988-02-04 | 1988-02-04 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01200656A (ja) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS513379U (ja) * | 1974-06-25 | 1976-01-12 | ||
| JPS5127175U (ja) * | 1974-08-19 | 1976-02-27 | ||
| JPS5145506U (ja) * | 1974-10-01 | 1976-04-03 | ||
| JPS5170575U (ja) * | 1974-11-29 | 1976-06-03 | ||
| JPS5935834U (ja) * | 1982-08-31 | 1984-03-06 | 株式会社テイエルブイ | 振動計 |
| JPS5968231U (ja) * | 1982-10-28 | 1984-05-09 | 三菱油化株式会社 | 可撓性トランスジユ−サ |
-
1988
- 1988-02-04 JP JP63025270A patent/JPH01200656A/ja active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS513379U (ja) * | 1974-06-25 | 1976-01-12 | ||
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| JPS5968231U (ja) * | 1982-10-28 | 1984-05-09 | 三菱油化株式会社 | 可撓性トランスジユ−サ |
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