JPH01204307A - 透明導電膜 - Google Patents
透明導電膜Info
- Publication number
- JPH01204307A JPH01204307A JP2792988A JP2792988A JPH01204307A JP H01204307 A JPH01204307 A JP H01204307A JP 2792988 A JP2792988 A JP 2792988A JP 2792988 A JP2792988 A JP 2792988A JP H01204307 A JPH01204307 A JP H01204307A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transparent conductive
- conductive film
- film
- fluorine
- resistance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、透明導電膜に関する。
従来より液晶表示体、エレクトロルミネッセンス、太陽
電池などの電極材料として透明導電膜が利用されており
、この透明導電膜には金、銀、@、白金、パラジウム、
アルミニウムなどの金属薄膜あるいは酸化第二スズ、酸
化インジウムなどの酸化物半導体がある。
電池などの電極材料として透明導電膜が利用されており
、この透明導電膜には金、銀、@、白金、パラジウム、
アルミニウムなどの金属薄膜あるいは酸化第二スズ、酸
化インジウムなどの酸化物半導体がある。
金属薄膜は低い基板温度で容易に低抵抗のものを作製で
きるが、透光性を出すためには膜厚をかなり薄くしなけ
ればならず膜−度も弱いことから機械的強度に欠点があ
る。一方酸化物半導体は抵抗という点では金属薄膜に劣
るものの優れた透光性を有し、膜強度も強いことから実
用的であり現在最も広く利用されている。
きるが、透光性を出すためには膜厚をかなり薄くしなけ
ればならず膜−度も弱いことから機械的強度に欠点があ
る。一方酸化物半導体は抵抗という点では金属薄膜に劣
るものの優れた透光性を有し、膜強度も強いことから実
用的であり現在最も広く利用されている。
しかしながら、上述のように酸化物半導体膜の抵抗は金
属薄膜に比べてやや高く、配線した場合に電圧降下が大
きく液晶デイスプレーの大型化など応用面で実用化がな
されていない。そこで本発明の目的とするところは酸化
物半導体膜の抵抗を下ケ、液晶ディスブー、フラットデ
イスプレーなどのパネルの大型化及び透明電極のパター
ンの微細化を可能にする優れた特性をもつ透明導電膜を
提供することにある。
属薄膜に比べてやや高く、配線した場合に電圧降下が大
きく液晶デイスプレーの大型化など応用面で実用化がな
されていない。そこで本発明の目的とするところは酸化
物半導体膜の抵抗を下ケ、液晶ディスブー、フラットデ
イスプレーなどのパネルの大型化及び透明電極のパター
ンの微細化を可能にする優れた特性をもつ透明導電膜を
提供することにある。
本発明の透明導電膜は、基板上に形成されたスズとフッ
素がドーピングされた酸化インジウム膜から成ることを
特徴としている。
素がドーピングされた酸化インジウム膜から成ることを
特徴としている。
スズ及びフッ素は膜の電気伝導に関係するパラメータに
変化を与え電気抵抗を下げる目的でドーピングされた。
変化を与え電気抵抗を下げる目的でドーピングされた。
ドーピング量としてはスズは特に限定する必要はないが
、フッ素は2’wt%以下が良い。あまり多量にフッ素
をドーピングすると抵抗が上昇し目的のものが得られな
い。
、フッ素は2’wt%以下が良い。あまり多量にフッ素
をドーピングすると抵抗が上昇し目的のものが得られな
い。
実施例1゜
真空チャンバー内に7Vオンガス(OF4)、酸素ガス
およびアルゴンガスを導入し、またターゲットとしてI
n、O,−5wt%SnO,を用いてDOマグネトロン
スパッタによりスズとフッ素がドーピングされた酸化イ
ンジウム膜を作製した。
およびアルゴンガスを導入し、またターゲットとしてI
n、O,−5wt%SnO,を用いてDOマグネトロン
スパッタによりスズとフッ素がドーピングされた酸化イ
ンジウム膜を作製した。
各試料のフッ素濃度および比抵抗を第1表に示す第
1 表 実施例Z 真空チャンバー内にフレオンガス(OF4)。
1 表 実施例Z 真空チャンバー内にフレオンガス(OF4)。
酸素ガス、アルゴンガスを導入し、またターゲットとし
てIn、O,−10wt%5n02を用いてR7マグネ
トロンスパッタによりスズとフッ素がドーピングされた
酸化インジウム膜を作製した。各試料のフッ素濃度およ
び比抵抗を第2表に示す。
てIn、O,−10wt%5n02を用いてR7マグネ
トロンスパッタによりスズとフッ素がドーピングされた
酸化インジウム膜を作製した。各試料のフッ素濃度およ
び比抵抗を第2表に示す。
第 2 表
第1図は実施例1および実施例2の7ツ、素濃度と比抵
抗の関係を表わしたグラフである。
抗の関係を表わしたグラフである。
真空チャンバー内に酸素ガスとアルゴンガスを導入し、
またターゲットとして工n、 o、を用いてRFマグネ
トロンスパッタにより酸化インジウム膜を作成した。こ
のサンプルの比抵抗は1.6×1O−30(7)であっ
た。
またターゲットとして工n、 o、を用いてRFマグネ
トロンスパッタにより酸化インジウム膜を作成した。こ
のサンプルの比抵抗は1.6×1O−30(7)であっ
た。
このようにスズとフッ素を適量ドーピングすることによ
り従来得ることのできなかった低抵抗の透明導電膜を作
製することができた。
り従来得ることのできなかった低抵抗の透明導電膜を作
製することができた。
以゛上述べたように本発明の透明導電膜は、酸化インジ
ウム膜にスズとフッ素をドーピングすることにより膜の
抵抗を下げたのでデイスプレィ、デバイスの大型化・大
容量化に大きな効果を有し表示品質を大きく向上させた
。
ウム膜にスズとフッ素をドーピングすることにより膜の
抵抗を下げたのでデイスプレィ、デバイスの大型化・大
容量化に大きな効果を有し表示品質を大きく向上させた
。
なお、本発明の透明導電膜は透明電極を必要とするデバ
イスにおいて広く応用可能であり消費電力が小さいなど
の効果がある。
イスにおいて広く応用可能であり消費電力が小さいなど
の効果がある。
第1図は実施例1および実施例2のフッ素濃度と比抵抗
の関係を表わしたグラフである。 1・・・・・・・・・実施例1 2・・・・・・・・・実施例2 6・・・・・・・・・比較例
の関係を表わしたグラフである。 1・・・・・・・・・実施例1 2・・・・・・・・・実施例2 6・・・・・・・・・比較例
Claims (1)
- (1)基板上に形成されたスズとフッ素がドーピングさ
れた酸化インジウム膜から成ることを特徴とする透明導
電膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2792988A JPH01204307A (ja) | 1988-02-09 | 1988-02-09 | 透明導電膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2792988A JPH01204307A (ja) | 1988-02-09 | 1988-02-09 | 透明導電膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01204307A true JPH01204307A (ja) | 1989-08-16 |
Family
ID=12234580
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2792988A Pending JPH01204307A (ja) | 1988-02-09 | 1988-02-09 | 透明導電膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01204307A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6552765B2 (en) * | 1998-03-24 | 2003-04-22 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Color filter for reflection liquid crystal display and reflection liquid crystal display comprising the same |
-
1988
- 1988-02-09 JP JP2792988A patent/JPH01204307A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6552765B2 (en) * | 1998-03-24 | 2003-04-22 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Color filter for reflection liquid crystal display and reflection liquid crystal display comprising the same |
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