JPH01204308A - 透明導電膜 - Google Patents
透明導電膜Info
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- JPH01204308A JPH01204308A JP63027930A JP2793088A JPH01204308A JP H01204308 A JPH01204308 A JP H01204308A JP 63027930 A JP63027930 A JP 63027930A JP 2793088 A JP2793088 A JP 2793088A JP H01204308 A JPH01204308 A JP H01204308A
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Links
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、透明導電膜に関する。
従来より液晶表示体、エレクトロルミネッセンス、太陽
電池などの電極材料として透明導電膜が利用されており
、この透明導電膜には金、銀、銅、白金、パラジウム、
アルミニウムなどの金属薄膜あるいは酸化第二スズ、酸
化インジウムなどの酸化物半導体がある。
電池などの電極材料として透明導電膜が利用されており
、この透明導電膜には金、銀、銅、白金、パラジウム、
アルミニウムなどの金属薄膜あるいは酸化第二スズ、酸
化インジウムなどの酸化物半導体がある。
金属薄膜は低に１基板温度で容易に低抵抗のものを作製
できるが、透光性を出すためには膜厚をかなり薄くしな
ければならず膜強度も弱いことから機械的強度に欠点が
ある。一方酸化物半導体は抵抗という点では金属薄膜に
劣るものの優れた透光性を有し、膜強度も強いことから
実用的であり現在最も広く利用されている。
できるが、透光性を出すためには膜厚をかなり薄くしな
ければならず膜強度も弱いことから機械的強度に欠点が
ある。一方酸化物半導体は抵抗という点では金属薄膜に
劣るものの優れた透光性を有し、膜強度も強いことから
実用的であり現在最も広く利用されている。
しかしながら、上述のように酸化物半導体膜の抵抗は金
属薄膜に比べてやや高く、配線した場合に電圧降下が大
きく液晶デイスプレーの大型化など応用面で実用化がな
されていない。そこで本発明の目的とするところは酸化
物半導体膜の抵抗を下げ、液晶ディスプンー、フラット
デイスプレーなどのパネルの大型化及び透明電極のパタ
ーンの微細化を可能にする優れた特性をもつ透明導電膜
を提供することにある。
属薄膜に比べてやや高く、配線した場合に電圧降下が大
きく液晶デイスプレーの大型化など応用面で実用化がな
されていない。そこで本発明の目的とするところは酸化
物半導体膜の抵抗を下げ、液晶ディスプンー、フラット
デイスプレーなどのパネルの大型化及び透明電極のパタ
ーンの微細化を可能にする優れた特性をもつ透明導電膜
を提供することにある。
本発明の透明導電膜は、基板上に形成されたタングステ
ンとフッ素がドーピングされた酸化インジウム膜から成
ることを特徴としている。
ンとフッ素がドーピングされた酸化インジウム膜から成
ることを特徴としている。
タングステン及びフッ素は膜の電気伝導に関係するパラ
メータに変化を与え電気抵抗を下げる目的でドーピング
された。ドーピング量としてはタングステンは１５ｗｔ
％以下、フッ素は２ｗｔ％以下が良い。タングステン、
フッ素を必要以上にドーピングすると抵抗が上昇し実用
的でない。
メータに変化を与え電気抵抗を下げる目的でドーピング
された。ドーピング量としてはタングステンは１５ｗｔ
％以下、フッ素は２ｗｔ％以下が良い。タングステン、
フッ素を必要以上にドーピングすると抵抗が上昇し実用
的でない。
実施例１゜
真空チャンバー内に７Ｖオンガス（ａｙ４）。
酸素ガスおよびアルゴンガスを導入し、またターゲット
として工ｎ、０３−１５ｖｒｔ％ＷＯ８を用いてＤＣマ
グネトロンスパッタによりタングステンとフッ素がドー
ピングされた酸化インジウム膜を作製した。各試料のフ
゛ツ素濃度および比抵抗を第１表に示す。
として工ｎ、０３−１５ｖｒｔ％ＷＯ８を用いてＤＣマ
グネトロンスパッタによりタングステンとフッ素がドー
ピングされた酸化インジウム膜を作製した。各試料のフ
゛ツ素濃度および比抵抗を第１表に示す。
第 １ 表
実施例Ｚ
真空チャンバー内に７レオンガス（０１’、）１酸素ガ
ス、アルゴンガスを導入し、またターゲットとしてＩｎ
、Ｏ８−８ｖｔ％ｗｏ、を用いてＲＩＦＴダネトロンス
パッタによりタングステンとフッ素がドーピングされた
酸化インジウム膜を作製した。各試料のフッ素濃度およ
び比抵抗を第２表に示す。
ス、アルゴンガスを導入し、またターゲットとしてＩｎ
、Ｏ８−８ｖｔ％ｗｏ、を用いてＲＩＦＴダネトロンス
パッタによりタングステンとフッ素がドーピングされた
酸化インジウム膜を作製した。各試料のフッ素濃度およ
び比抵抗を第２表に示す。
第 ２ 表
第１図は実施例１および実施例２のフッ素濃度と比抵抗
の関係を表わしたグラフである。
の関係を表わしたグラフである。
真空チャンバー内に酸素ガスとアルゴンガスを導入し、
またターゲットとして工ｎ、Ｏ，を用いてＲ７マグネト
ロンスパッタにより酸化インジウム膜を作成した。この
サンプルの比抵抗は１．６×１０−３Ωσであった。
またターゲットとして工ｎ、Ｏ，を用いてＲ７マグネト
ロンスパッタにより酸化インジウム膜を作成した。この
サンプルの比抵抗は１．６×１０−３Ωσであった。
このようにタングステンとフッ素を適量ドーピングする
ことにより従来得ることのできなかった低抵抗の透明導
電膜を作製することができた。
ことにより従来得ることのできなかった低抵抗の透明導
電膜を作製することができた。
以上述べたように本発明の透明導電膜は、酸化インジウ
ム膜にタングステンとフッ素をドーピングすることによ
り膜の抵抗を下げたのでデイスプレィ・デバイスの大型
化・大容量化に大きな効果を有し表示品質を大きく向上
させた。
ム膜にタングステンとフッ素をドーピングすることによ
り膜の抵抗を下げたのでデイスプレィ・デバイスの大型
化・大容量化に大きな効果を有し表示品質を大きく向上
させた。
なお、本発明の透明導電膜は透明電極を必要とするデバ
イスにおいて広く応用可能であり消費電力が小さいなど
の効果がある。
イスにおいて広く応用可能であり消費電力が小さいなど
の効果がある。
第１図は実施例１および実施例２のフッ素濃度と比抵抗
の関係を表わしたグラフである。 １・・・・・・・・・実施例１ ２・・・・・・・・・実施例２ ３・・・・・・・・・比較例
の関係を表わしたグラフである。 １・・・・・・・・・実施例１ ２・・・・・・・・・実施例２ ３・・・・・・・・・比較例
Claims (1)
- （１）基板上に形成されたタングステンとフッ素がドー
ピングされた酸化インジウム膜から成る透明導電膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63027930A JPH01204308A (ja) | 1988-02-09 | 1988-02-09 | 透明導電膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63027930A JPH01204308A (ja) | 1988-02-09 | 1988-02-09 | 透明導電膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01204308A true JPH01204308A (ja) | 1989-08-16 |
Family
ID=12234610
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63027930A Pending JPH01204308A (ja) | 1988-02-09 | 1988-02-09 | 透明導電膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01204308A (ja) |
-
1988
- 1988-02-09 JP JP63027930A patent/JPH01204308A/ja active Pending
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