JPH01204484A - 超電導体電子装置 - Google Patents
超電導体電子装置Info
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- JPH01204484A JPH01204484A JP63029439A JP2943988A JPH01204484A JP H01204484 A JPH01204484 A JP H01204484A JP 63029439 A JP63029439 A JP 63029439A JP 2943988 A JP2943988 A JP 2943988A JP H01204484 A JPH01204484 A JP H01204484A
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Landscapes
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
、〔産業上の利用分野〕
本発明は超電導体電子装置に関し、特に圧力ゲート形ト
ランジスタに関する。
ランジスタに関する。
従来のトランジスタのうちショットキー障壁形電界効果
トランジスタは、第７図に示すように、たとえばｎ型Ｇ
ａ Ａ ｓ導電層１０１表面にＧ ａ Ａ ｓとショ
ットキー接触するゲート電極１０２を設け、このゲート
金属全快むように設は定ソース電極２１゜ドレイ／電極
２２間に流れるドレイン電流を、ゲート電極直下のｎ型
Ｇ ａ Ａ ｓ表面に形成する空乏層１０５の厚みによ
って制御する。ま念、♂界結合形ジョセフソン（Ｊｏｓ
ｅｐｈｓｏｎ）３端子素子は配線に流πる電流が作る磁
界をジョセフソン素子に結合することによ少入力を与え
るものであシ、さらにジョセフソン形電界効果トランジ
スタは、第８図に示すように弱結合形のジョセフソン素
子の超電導体−半導体接合部間に形成される縮退領域の
弱結合部１０９に電圧を加えて空乏層を形成して超電導
体のソース電極１０６とドレイン電極１０８間を流れる
超電導電子の数を制御するものである。
トランジスタは、第７図に示すように、たとえばｎ型Ｇ
ａ Ａ ｓ導電層１０１表面にＧ ａ Ａ ｓとショ
ットキー接触するゲート電極１０２を設け、このゲート
金属全快むように設は定ソース電極２１゜ドレイ／電極
２２間に流れるドレイン電流を、ゲート電極直下のｎ型
Ｇ ａ Ａ ｓ表面に形成する空乏層１０５の厚みによ
って制御する。ま念、♂界結合形ジョセフソン（Ｊｏｓ
ｅｐｈｓｏｎ）３端子素子は配線に流πる電流が作る磁
界をジョセフソン素子に結合することによ少入力を与え
るものであシ、さらにジョセフソン形電界効果トランジ
スタは、第８図に示すように弱結合形のジョセフソン素
子の超電導体−半導体接合部間に形成される縮退領域の
弱結合部１０９に電圧を加えて空乏層を形成して超電導
体のソース電極１０６とドレイン電極１０８間を流れる
超電導電子の数を制御するものである。
上述しｆｃ袋米のトランジスタにおいて、ショツトキー
障壁形電界効果トランジスタはチャンネル抵抗が大きい
之めに相互コンダクタンスｇｍは１００ｍ５程度しか得
られない問題がある。また磁界結合形ジョセフソン３端
子素子は磁束量Φｏ（＝′２．．０７ＸＩＯ”５Ｗｂ）
２確保するために大面積を必要とするので、この様な素
子では高集積化が難しい問題がちシ、嘔らにジョセフソ
ン形電界効果トランジスタは半導体結合の接合のために
素子抵抗が高く、まｆｉＩ−Ｖ特性にヒステリシスを生
じる問題がある。
障壁形電界効果トランジスタはチャンネル抵抗が大きい
之めに相互コンダクタンスｇｍは１００ｍ５程度しか得
られない問題がある。また磁界結合形ジョセフソン３端
子素子は磁束量Φｏ（＝′２．．０７ＸＩＯ”５Ｗｂ）
２確保するために大面積を必要とするので、この様な素
子では高集積化が難しい問題がちシ、嘔らにジョセフソ
ン形電界効果トランジスタは半導体結合の接合のために
素子抵抗が高く、まｆｉＩ−Ｖ特性にヒステリシスを生
じる問題がある。
本発明の目的は、相互コンダクタンスが大キく高集積化
可能な新しい超電導体電子装置を提供することにある。
可能な新しい超電導体電子装置を提供することにある。
本発明の超電導体電子装置は、絶縁性基板表面に被着さ
れ前記表面と平行方向に二次元的に超電導性を示す結晶
面をもつ所定形状の超電導体結晶層と、前記超電導体結
晶層上にこれを横断して設けられ友圧電素子を含む圧力
ゲートと、前記圧力ゲートを挾んで前記超電導体結晶層
に被着嘔れ之一対の導電膜よりなるソース電極及びドレ
イ／電極とを含むというものである。
れ前記表面と平行方向に二次元的に超電導性を示す結晶
面をもつ所定形状の超電導体結晶層と、前記超電導体結
晶層上にこれを横断して設けられ友圧電素子を含む圧力
ゲートと、前記圧力ゲートを挾んで前記超電導体結晶層
に被着嘔れ之一対の導電膜よりなるソース電極及びドレ
イ／電極とを含むというものである。
セラミック系超電導体として知られている擬ペロブスカ
イト構造やＫＩＮｉＦ４型構造のセラミック結晶は、Ｙ
ｓランタノイド元素の−ｉ （Ｌａ、 ｙｂ。
イト構造やＫＩＮｉＦ４型構造のセラミック結晶は、Ｙ
ｓランタノイド元素の−ｉ （Ｌａ、 ｙｂ。
Ｔｍ、Ｅｒ、Ｈｏ、Ｄｙ、Ｔｂ、Ｇｄ、Ｅｕ、Ｓｍ）と
アルカリ土類金属（Ｂａ、 Ｃａ、 Ｓｒなど）及び２
価の（Ｃｕ、Ａｇ）と０とから成るＬ ｎ −Ａ−Ｃｕ
（Ａ’ｇ ）酸化物で、低温においてその電気抵抗が
零になる超電導性を示す。
アルカリ土類金属（Ｂａ、 Ｃａ、 Ｓｒなど）及び２
価の（Ｃｕ、Ａｇ）と０とから成るＬ ｎ −Ａ−Ｃｕ
（Ａ’ｇ ）酸化物で、低温においてその電気抵抗が
零になる超電導性を示す。
Ｙ５１．’Ｂａ５２．Ｃｕ５３，０５４から成る超電導
体、例えばＹＢａ ２ｃｕ３０６．６９は第４図に示す
ように斜方晶系に属し、格子定数（ａ ＝３．８８４５
＾、ｂ：３．８２９３Ａ、Ｃ＝ｘｘ、ｅｒ９３Ｍ）から
分かるようにＣ軸方向に長く、Ｃ軸に垂直なａｂ面内で
Ｃｕ−０結合鎖５５が無限に展開する構造を有している
。このＣｕ−０結合鎖５５の面はＣ軸方向に層状に積層
しておハ結晶の超電導性はこのＣｕ−０結合鎖のＣｕノ
３ｄ軌動と０の２ｐ軌這の混成によシ生じる強く束縛さ
れｔ電子が高密度の伝導帯の７工ルミ面を形成するｔめ
に生じるものと云われている。し友がって結晶の超電導
性がＣ軸に垂直なａｂ面内だけに、すなわちＣｕ−０結
合鎖面内だけに生じ、Ｃ軸方向にはわずかに漏洩するよ
うな電導の２次元性を示す特徴がある。このような２次
元的な超電導性を示す超電導体結晶ではＣ軸に垂直な方
向に圧力を与えるとａｂ面内のＣｕ−０結合距離が小さ
くなシ、その結果、超電導転位温度Ｔｃは増大し、電気
抵抗が減少することが知られている。
体、例えばＹＢａ ２ｃｕ３０６．６９は第４図に示す
ように斜方晶系に属し、格子定数（ａ ＝３．８８４５
＾、ｂ：３．８２９３Ａ、Ｃ＝ｘｘ、ｅｒ９３Ｍ）から
分かるようにＣ軸方向に長く、Ｃ軸に垂直なａｂ面内で
Ｃｕ−０結合鎖５５が無限に展開する構造を有している
。このＣｕ−０結合鎖５５の面はＣ軸方向に層状に積層
しておハ結晶の超電導性はこのＣｕ−０結合鎖のＣｕノ
３ｄ軌動と０の２ｐ軌這の混成によシ生じる強く束縛さ
れｔ電子が高密度の伝導帯の７工ルミ面を形成するｔめ
に生じるものと云われている。し友がって結晶の超電導
性がＣ軸に垂直なａｂ面内だけに、すなわちＣｕ−０結
合鎖面内だけに生じ、Ｃ軸方向にはわずかに漏洩するよ
うな電導の２次元性を示す特徴がある。このような２次
元的な超電導性を示す超電導体結晶ではＣ軸に垂直な方
向に圧力を与えるとａｂ面内のＣｕ−０結合距離が小さ
くなシ、その結果、超電導転位温度Ｔｃは増大し、電気
抵抗が減少することが知られている。
本発明の原理はソース・ドレイン！極間の超電導体結晶
のチャンネルコンダクタンスの制御を、結晶に圧力を与
えてＣｕ−０結合鎖の７工ルミ面の状態密度分布を変え
ることによシおこなうものである。Ｃ軸に垂直に圧力を
与えるとａｂ面内のチャンネルコンダクタンスが増大す
るのに対して。
のチャンネルコンダクタンスの制御を、結晶に圧力を与
えてＣｕ−０結合鎖の７工ルミ面の状態密度分布を変え
ることによシおこなうものである。Ｃ軸に垂直に圧力を
与えるとａｂ面内のチャンネルコンダクタンスが増大す
るのに対して。
Ｃ軸方向に圧力を加えるとチャンネルコンダクタンスは
逆に減少してしまう。そこで本発明はチャンネルとなる
超電導体結晶層の表面を完全に横断するように圧電素子
などの圧力ゲートヲ配置し、圧電素子にバイアス入力を
与えて、圧力ゲートを駆動きせて電・正変換をして超電
導体結晶層のＣ軸方向に圧力を加え、この圧力を与える
ことにょシソース・ドレイン電極間のチャンネルコンダ
クタンスを制御しｔノーマリオン型のトランジスタであ
る。尚、チャンネルとなる超電導体結晶層の表面を完全
に横断するように圧力ゲートを配置することによシ、チ
ャンネルを流れる超電導電流を圧力ゲートにょシ完全に
ピンチオフ （ｐｉｎｃｈ ｏｆｆ）できるのである。
逆に減少してしまう。そこで本発明はチャンネルとなる
超電導体結晶層の表面を完全に横断するように圧電素子
などの圧力ゲートヲ配置し、圧電素子にバイアス入力を
与えて、圧力ゲートを駆動きせて電・正変換をして超電
導体結晶層のＣ軸方向に圧力を加え、この圧力を与える
ことにょシソース・ドレイン電極間のチャンネルコンダ
クタンスを制御しｔノーマリオン型のトランジスタであ
る。尚、チャンネルとなる超電導体結晶層の表面を完全
に横断するように圧力ゲートを配置することによシ、チ
ャンネルを流れる超電導電流を圧力ゲートにょシ完全に
ピンチオフ （ｐｉｎｃｈ ｏｆｆ）できるのである。
次に１本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の第１の実施例を示すチップの断面図で
ある。
ある。
この実施例は、絶縁性基板（ＭｇＯ基板１０）の（１０
０）面に被着され（１００）面と平行方向に二次元的に
超電導性を示す結晶面（ａｂ面）をもつ長方形（１ｃｍ
ｘＯ，１ｃｍ）の超電導体結晶層（ＹＢａｚＣｕ３０ｓ
、ｓ９結晶層１１）と、ＹＢａｚｃｕ ３０ａｓｓ結晶
層１１上にこれを横断して設けられｔ圧電素子（ＰＺＴ
膜３１と１対のくし形電極４１．４２とを有している）
ｔ−含む圧力ゲートと、前述の圧力ゲ−）７挾んテＹＢ
ａ ｚｃｕａｏａ、ｓ ９結晶漸１１に被着された一対
の導電膜よりなるソース電極２１及びドレイン電極２２
とを含むというもので、いわば圧力ゲート形電界効果ト
ランジスタと称すべきものである。
０）面に被着され（１００）面と平行方向に二次元的に
超電導性を示す結晶面（ａｂ面）をもつ長方形（１ｃｍ
ｘＯ，１ｃｍ）の超電導体結晶層（ＹＢａｚＣｕ３０ｓ
、ｓ９結晶層１１）と、ＹＢａｚｃｕ ３０ａｓｓ結晶
層１１上にこれを横断して設けられｔ圧電素子（ＰＺＴ
膜３１と１対のくし形電極４１．４２とを有している）
ｔ−含む圧力ゲートと、前述の圧力ゲ−）７挾んテＹＢ
ａ ｚｃｕａｏａ、ｓ ９結晶漸１１に被着された一対
の導電膜よりなるソース電極２１及びドレイン電極２２
とを含むというもので、いわば圧力ゲート形電界効果ト
ランジスタと称すべきものである。
次に、この実施例の製造方法について説明する。
第２図（ａ）、 （ｂ）は第１の実施例の製造方法を説
明する几めの工程順に配置し几チップの断面図であるＯ まず、第２図（ａｌに示すように、ＭｇＯ基板１ｏの（
１００）面にスパッタリング（ｓｐｕｔ ｔｅｒ ｉｎ
ｇ）法で被着し九ので、熱処理を行なって厚さ′１ｍｍ
１幅−１ｃｍ、長さ５ｍｍのＹＢａｚＣｕａＯａ６ｓ結
晶層１１金設ける。このときＹＢａｚＣｕｓＯｅ６９Ｉ
！！ｉ！ｒ晶層１１はＭｇＯ基板１０に″垂直な方向に
Ｃ軸をとっている。
明する几めの工程順に配置し几チップの断面図であるＯ まず、第２図（ａｌに示すように、ＭｇＯ基板１ｏの（
１００）面にスパッタリング（ｓｐｕｔ ｔｅｒ ｉｎ
ｇ）法で被着し九ので、熱処理を行なって厚さ′１ｍｍ
１幅−１ｃｍ、長さ５ｍｍのＹＢａｚＣｕａＯａ６ｓ結
晶層１１金設ける。このときＹＢａｚＣｕｓＯｅ６９Ｉ
！！ｉ！ｒ晶層１１はＭｇＯ基板１０に″垂直な方向に
Ｃ軸をとっている。
次に、第２図（ｂ）に示すように、ＹＢａｚＣｕ３０ｓ
、ｓ９結晶層工１のＣ軸に平行な面を含む該結晶膜１１
の両端Ｋ Ａｕ ｆ被着してソース電ｆｉ２１とドレイ
ン電極２２を設ける。次に％第１図に示すように、ソー
ス電極２１とドレイン電極２２に挾まれ−ｚＹＢａ２Ｃ
ｕ３０ａｓ９結晶層１１の表面を完全に横断するように
、電圧印加によシ該績晶膜に垂直な方向すなわちＣ軸方
向に変位するような圧力ゲートとして厚さ１μｍのＰ
Ｚ Ｔ （＝ Ｚｒ−Ｔｉ−Ｐｂの固溶体）３１及び該
ｐＺＴ：ｎ上に設けｔゲート信号入力用のｌ対のくし形
電極４１．４２（Ａｕからなっている）から外る圧電素
子を設ける。この実施例を約８０Ｋに冷却してくし形電
ｆｆ１４１．４２に最大１■のゲート信号入力を与える
と、入力電圧の大きさに依存してくし形電極４１．４２
厘下のＰＺＴ膜３１ｆ ＹＢａ ｚｃｕ ３０６．ｓ
９結晶層１１表面に垂直な方向に膨張でせ、その結果Ｐ
ＺＴ膜３１直下の超電導体結晶層に圧力を与えてこの結
晶膜の格子間＠を変えることができる。良く知られてい
るようにＣ軸方向に圧力を加えると、Ｃｕ−０結合鎖の
あるａｂ面内の格子間隔は大きくな９、それだけ超電導
電流は減少する。本実施例の場合第３図に示すように、
圧力ゲートにＶｇ＝＝ｌＶ入力すると超電導電流工ｄａ
は０■入力のときの５ＯＡがＯＡに制御された。圧力ゲ
ート幅すなわちチャンネル幅’ｔ １ｃｍとすると、相
互コンダクタンスは５０００ｍＳ／ｍｍに相当する。
、ｓ９結晶層工１のＣ軸に平行な面を含む該結晶膜１１
の両端Ｋ Ａｕ ｆ被着してソース電ｆｉ２１とドレイ
ン電極２２を設ける。次に％第１図に示すように、ソー
ス電極２１とドレイン電極２２に挾まれ−ｚＹＢａ２Ｃ
ｕ３０ａｓ９結晶層１１の表面を完全に横断するように
、電圧印加によシ該績晶膜に垂直な方向すなわちＣ軸方
向に変位するような圧力ゲートとして厚さ１μｍのＰ
Ｚ Ｔ （＝ Ｚｒ−Ｔｉ−Ｐｂの固溶体）３１及び該
ｐＺＴ：ｎ上に設けｔゲート信号入力用のｌ対のくし形
電極４１．４２（Ａｕからなっている）から外る圧電素
子を設ける。この実施例を約８０Ｋに冷却してくし形電
ｆｆ１４１．４２に最大１■のゲート信号入力を与える
と、入力電圧の大きさに依存してくし形電極４１．４２
厘下のＰＺＴ膜３１ｆ ＹＢａ ｚｃｕ ３０６．ｓ
９結晶層１１表面に垂直な方向に膨張でせ、その結果Ｐ
ＺＴ膜３１直下の超電導体結晶層に圧力を与えてこの結
晶膜の格子間＠を変えることができる。良く知られてい
るようにＣ軸方向に圧力を加えると、Ｃｕ−０結合鎖の
あるａｂ面内の格子間隔は大きくな９、それだけ超電導
電流は減少する。本実施例の場合第３図に示すように、
圧力ゲートにＶｇ＝＝ｌＶ入力すると超電導電流工ｄａ
は０■入力のときの５ＯＡがＯＡに制御された。圧力ゲ
ート幅すなわちチャンネル幅’ｔ １ｃｍとすると、相
互コンダクタンスは５０００ｍＳ／ｍｍに相当する。
第５図は第２の実施例を示すチップの断面図である。
この実施例は、絶縁性基板としてサファイア基板６０、
超電導体結晶層として（Ｌａ−Ｃａ）ｚＡｇｏ４結晶ｒ
ｆｔｆ用いｔ外は第１の実施例と同じである。
超電導体結晶層として（Ｌａ−Ｃａ）ｚＡｇｏ４結晶ｒ
ｆｔｆ用いｔ外は第１の実施例と同じである。
次に、第２の実施例の製造方法について説明するＯ
第６図（ａｌ、 （ｂｌは第２の実施例の製造方法を説
明する几めの工程順に配置し九チップの断面図であるＯ 第６図ｆａ）に示すように、す７アイア基板６０の（０
１１２）面に厚さ１ｍｍの（Ｌａ−Ｃａ）２Ａｇ０４結
晶層６１’に成膜し熱処理を行なう。このとき、（Ｌａ
−Ｃａ ）、 Ａｇｏ４は斜方晶系に属し、（Ｌａ−
Ｃａ）１Ａｇ０４結晶層６１のＣ軸はサファイア基板６
０と垂直になる。
明する几めの工程順に配置し九チップの断面図であるＯ 第６図ｆａ）に示すように、す７アイア基板６０の（０
１１２）面に厚さ１ｍｍの（Ｌａ−Ｃａ）２Ａｇ０４結
晶層６１’に成膜し熱処理を行なう。このとき、（Ｌａ
−Ｃａ ）、 Ａｇｏ４は斜方晶系に属し、（Ｌａ−
Ｃａ）１Ａｇ０４結晶層６１のＣ軸はサファイア基板６
０と垂直になる。
次に、第６図（ｂ）に示すように、（Ｌａ −Ｃａ ）
＊ＡｇＯ４結晶層６１のＣ軸に平行な面を含む両端にＡ
ｕを被着してソース電極２１とドレイン電極２２を設け
る。
＊ＡｇＯ４結晶層６１のＣ軸に平行な面を含む両端にＡ
ｕを被着してソース電極２１とドレイン電極２２を設け
る。
次に、第５図に示すように、ソース・ドレイン両電極に
挾まれ＊ （Ｌａ−Ｃａ ）Ｉ Ａｇ０４結晶層６１の
表面に電圧印加により該超電導体膜のＣ軸方向に変位す
るような圧力ゲートとして厚さ１μｍのＰＺＴ３１及び
該ＰＺＴ上にゲート信号大刀用のくし形電極ｃ１，４２
’を設ける。
挾まれ＊ （Ｌａ−Ｃａ ）Ｉ Ａｇ０４結晶層６１の
表面に電圧印加により該超電導体膜のＣ軸方向に変位す
るような圧力ゲートとして厚さ１μｍのＰＺＴ３１及び
該ＰＺＴ上にゲート信号大刀用のくし形電極ｃ１，４２
’を設ける。
このようにして得た本発明の圧力ゲート形トランジスタ
を約３０Ｋに冷却してくし形電極４１゜４２に最大１ｖ
のゲート信号入力ｖｇヲ与えると、ソース・ドレイン電
極間の超電導電流はＯＶ大入力ときの３ＯＡがＱＡに抑
制され次。チャンネル幅ｔ−１ｃｍとすると相互コンダ
クタンスは３０００ｍ５Ａ面に相当する。
を約３０Ｋに冷却してくし形電極４１゜４２に最大１ｖ
のゲート信号入力ｖｇヲ与えると、ソース・ドレイン電
極間の超電導電流はＯＶ大入力ときの３ＯＡがＱＡに抑
制され次。チャンネル幅ｔ−１ｃｍとすると相互コンダ
クタンスは３０００ｍ５Ａ面に相当する。
以上の実施例においては起電導体結晶としてＹＢａ２Ｃ
Ｌ１３０１Ｌ６９．と（Ｌａ −Ｃａ ）２ Ａｇ０４
ｆ例に、マ九圧力ゲート材としてＰＺＴを例に説明して
き九が、Ｌｎ−Ａ−Ｃｕ−０系あるいはＬｎ−Ａ−Ａｇ
−Ｑ系などの他の超電導体でも、まｆｃＬｉＴａＯｓや
ＬｉＮｂ０ａなど、他の圧電結晶を用いても本発明の思
想を損うことはない。ま之使用できる基板はＭｇＯやサ
ファイアに限られるものではなく、イＳｒ’ｆ’ｉ０ａ
結晶の如く超電導体膜を成長できるものならば本発明の
適用範囲であることは云うまでもない。
Ｌ１３０１Ｌ６９．と（Ｌａ −Ｃａ ）２ Ａｇ０４
ｆ例に、マ九圧力ゲート材としてＰＺＴを例に説明して
き九が、Ｌｎ−Ａ−Ｃｕ−０系あるいはＬｎ−Ａ−Ａｇ
−Ｑ系などの他の超電導体でも、まｆｃＬｉＴａＯｓや
ＬｉＮｂ０ａなど、他の圧電結晶を用いても本発明の思
想を損うことはない。ま之使用できる基板はＭｇＯやサ
ファイアに限られるものではなく、イＳｒ’ｆ’ｉ０ａ
結晶の如く超電導体膜を成長できるものならば本発明の
適用範囲であることは云うまでもない。
以上説明しｔように本発明は、超電導体結晶層の超電導
性を示す面と平行な面上に設けｔ圧力ゲートに１ｖ程度
のゲート信号を加えることによυ。
性を示す面と平行な面上に設けｔ圧力ゲートに１ｖ程度
のゲート信号を加えることによυ。
超電導体結晶の結合鎖の７工ルミ面の状態密度分布を変
化させて超電導体結晶のソース・ドレイン間の超電導電
流を制御するもので、３〜５×１０３ｍ５／ｍｍの極め
て大きな相互コ／ダクタンスｈ声有する超電導体電子装
置を得ることができる。さらに従来のトランジスタの多
くでは特性がゲート電極と結晶膜との境界の清浄度に依
存し、表面に極めて敏感であつｔが、本発明は圧力ゲー
トを用いて機械的な変位を与えて変調するので、表子特
性が表面に鈍感で安定している効果も有している。
化させて超電導体結晶のソース・ドレイン間の超電導電
流を制御するもので、３〜５×１０３ｍ５／ｍｍの極め
て大きな相互コ／ダクタンスｈ声有する超電導体電子装
置を得ることができる。さらに従来のトランジスタの多
くでは特性がゲート電極と結晶膜との境界の清浄度に依
存し、表面に極めて敏感であつｔが、本発明は圧力ゲー
トを用いて機械的な変位を与えて変調するので、表子特
性が表面に鈍感で安定している効果も有している。
まｔ、圧力ゲートとして圧電素子を使用すると、トラン
ジスタの寸法も小さくてすみ、し九がって高集積化も容
易である。
ジスタの寸法も小さくてすみ、し九がって高集積化も容
易である。
第１図は本発明の第１の実施例を示すチップの断面図、
第２図（ａｌ、 （ｂ）は第１の実施例の製造方法を説
明する九めの工程順に配置し九チップの断面図、冨３図
は実施例の動作を説明する九めの信号波形図、第４図は
ＹＢａ２Ｃｕ３０ｓ、ｓ９結晶の構造模型図、第５図は
第２の実施例を示すチップの断面図、第６図（ａｌ、
（ｂｌは第２の実施例の製造方法を説明する九めの工程
順に配置しｔチップの断面図、第７図はショットキー障
壁形電界効果トランジスタ金示すチップの断面図、第８
図はジョセ７ン／形電界効果トランジスタを示すチップ
の断面図である。 １０ ・−・・−ｐｇｏ基板、１１−−−−・−ＹＢａ
２ＣｕｓＯ６，６９結晶層、２１・・・・・・ソース電
極、２２・・・・・・ドレイ／電極、３１・・・・・・
ＰＺＴｌ［，４１，４２・・・・・・ゲート信号入力用
のくし形電極、５１・・・・・・Ｙｌ ５２・・・・・
・Ｂａ、５３・・・・・・Ｃｕ、５４・・・・・・０．
５５・・・・・・Ｃｕ−０結合鎖、６０・・・・・・サ
ファイア基板、６１・・・・・・（Ｌａ−Ｃａ）ＩＡｇ
Ｏ４結晶層、１０１ ・−・−ｎ形溝電層、１０２・・
・・・・ゲート電極、１０６・・・・・・超電導体ソー
ス電極、１０７・・・・・・超電導体ゲート電極、１０
８・・・超電導体ドレイン電極、１０５，１０９・・・
・・・弱結合部の空乏層、１１０・・・・・・半導体基
板。 代理人 弁理士 内 原 音 第 １ 又 消２圏 第 ３ 霞 納 ４ 霞 第 ５ 図 第 ６ 霞 男 ｑ 図 第 ８ 霞
第２図（ａｌ、 （ｂ）は第１の実施例の製造方法を説
明する九めの工程順に配置し九チップの断面図、冨３図
は実施例の動作を説明する九めの信号波形図、第４図は
ＹＢａ２Ｃｕ３０ｓ、ｓ９結晶の構造模型図、第５図は
第２の実施例を示すチップの断面図、第６図（ａｌ、
（ｂｌは第２の実施例の製造方法を説明する九めの工程
順に配置しｔチップの断面図、第７図はショットキー障
壁形電界効果トランジスタ金示すチップの断面図、第８
図はジョセ７ン／形電界効果トランジスタを示すチップ
の断面図である。 １０ ・−・・−ｐｇｏ基板、１１−−−−・−ＹＢａ
２ＣｕｓＯ６，６９結晶層、２１・・・・・・ソース電
極、２２・・・・・・ドレイ／電極、３１・・・・・・
ＰＺＴｌ［，４１，４２・・・・・・ゲート信号入力用
のくし形電極、５１・・・・・・Ｙｌ ５２・・・・・
・Ｂａ、５３・・・・・・Ｃｕ、５４・・・・・・０．
５５・・・・・・Ｃｕ−０結合鎖、６０・・・・・・サ
ファイア基板、６１・・・・・・（Ｌａ−Ｃａ）ＩＡｇ
Ｏ４結晶層、１０１ ・−・−ｎ形溝電層、１０２・・
・・・・ゲート電極、１０６・・・・・・超電導体ソー
ス電極、１０７・・・・・・超電導体ゲート電極、１０
８・・・超電導体ドレイン電極、１０５，１０９・・・
・・・弱結合部の空乏層、１１０・・・・・・半導体基
板。 代理人 弁理士 内 原 音 第 １ 又 消２圏 第 ３ 霞 納 ４ 霞 第 ５ 図 第 ６ 霞 男 ｑ 図 第 ８ 霞
Claims (1)
- 絶縁性基板表面に被着され前記表面と平行方向に二次元
的に超電導性を示す結晶面をもつ所定形状の超電導体結
晶層と、前記超電導体結晶層上にこれを横断して設けら
れた圧電素子を含む圧力ゲートと、前記圧力ゲートを挾
んで前記超電導体結晶層に被着された一対の導電膜より
なるソース電極及びドレイン電極とを含むことを特徴と
する超電導体電子装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63029439A JPH0812935B2 (ja) | 1988-02-09 | 1988-02-09 | 超電導体電子装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63029439A JPH0812935B2 (ja) | 1988-02-09 | 1988-02-09 | 超電導体電子装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01204484A true JPH01204484A (ja) | 1989-08-17 |
| JPH0812935B2 JPH0812935B2 (ja) | 1996-02-07 |
Family
ID=12276166
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63029439A Expired - Lifetime JPH0812935B2 (ja) | 1988-02-09 | 1988-02-09 | 超電導体電子装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0812935B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01276681A (ja) * | 1988-04-27 | 1989-11-07 | Sony Corp | 超伝導トランジスタ |
| EP0569781A1 (de) * | 1992-05-11 | 1993-11-18 | Siemens Aktiengesellschaft | Supraleitungseinrichtung mit zwei Leiterstücken aus Hoch-Tc-Supraleitermaterial und dazwischenliegender Übergangszone |
| JPH07235700A (ja) * | 1994-02-23 | 1995-09-05 | Utsunomiya Univ | 超伝導超格子結晶デバイス |
| JPH0888418A (ja) * | 1994-09-10 | 1996-04-02 | Korea Electron Telecommun | 金属超薄膜を利用した圧電素子 |
| JP2001028465A (ja) * | 1999-07-15 | 2001-01-30 | Sharp Corp | 超伝導素子 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5455393A (en) * | 1977-10-13 | 1979-05-02 | Toshiba Corp | Electro-mechanical transducer |
| JPS5461864A (en) * | 1977-10-26 | 1979-05-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Logical element |
| JPS6414980A (en) * | 1987-07-09 | 1989-01-19 | Seiko Epson Corp | Superconducting transistor |
-
1988
- 1988-02-09 JP JP63029439A patent/JPH0812935B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5455393A (en) * | 1977-10-13 | 1979-05-02 | Toshiba Corp | Electro-mechanical transducer |
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| JPH07235700A (ja) * | 1994-02-23 | 1995-09-05 | Utsunomiya Univ | 超伝導超格子結晶デバイス |
| JPH0888418A (ja) * | 1994-09-10 | 1996-04-02 | Korea Electron Telecommun | 金属超薄膜を利用した圧電素子 |
| JP2001028465A (ja) * | 1999-07-15 | 2001-01-30 | Sharp Corp | 超伝導素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0812935B2 (ja) | 1996-02-07 |
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