JPH01206538A - プラズマディスプレイの電極形成方法 - Google Patents
プラズマディスプレイの電極形成方法Info
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- JPH01206538A JPH01206538A JP2993388A JP2993388A JPH01206538A JP H01206538 A JPH01206538 A JP H01206538A JP 2993388 A JP2993388 A JP 2993388A JP 2993388 A JP2993388 A JP 2993388A JP H01206538 A JPH01206538 A JP H01206538A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はプラズマディスプレイの製造方法に関し、特に
その電極形成方法に関するものである。
その電極形成方法に関するものである。
プラズマディスプレイは、基板上に複数本の線状電極を
平行に配置したものを２枚用意し、互いの電極が偶不な
間隙を介して対向し且つ互いの線状電極が交差する方向
を向くように重ね合わせて構成される。
平行に配置したものを２枚用意し、互いの電極が偶不な
間隙を介して対向し且つ互いの線状電極が交差する方向
を向くように重ね合わせて構成される。
従来、この線状電極を備えた基板の製造方法は、基板上
に直接Ｎｉペースト等の導電性電極材料をスクリーン印
刷し、これを焼成するものであった。
に直接Ｎｉペースト等の導電性電極材料をスクリーン印
刷し、これを焼成するものであった。
ところが、例えばガラス基板上にＮｉペーストを直接印
刷した場合には、鏡面状のカラス基板がＮｉペーストと
馴染まないために、Ｎｉペーストの側縁部分が直線にな
らず波形状に形成された。
刷した場合には、鏡面状のカラス基板がＮｉペーストと
馴染まないために、Ｎｉペーストの側縁部分が直線にな
らず波形状に形成された。
また、Ｎｉペーストの塗布後、時間が経過するとＮｉペ
ーストが自重により流れ落ち、裾広がり形状になるとい
う形崩れの問題があった。このため、上記方法によると
隣接電極間の絶縁が劣化し易く、微細ピッチの電極パタ
ーンを形成することが困難であり、このため高解像度の
プラズマディスプレイを実現できなか°った。
ーストが自重により流れ落ち、裾広がり形状になるとい
う形崩れの問題があった。このため、上記方法によると
隣接電極間の絶縁が劣化し易く、微細ピッチの電極パタ
ーンを形成することが困難であり、このため高解像度の
プラズマディスプレイを実現できなか°った。
そこで、この様なＮｉペーストの形崩れによる問題を解
消しようとする堤案が例えば特開昭５８−５４５３４号
公報に開示されている。第２図は斯かる提案に開示され
た製造方法を説明するための′もので、絶縁ペーストを
塗布した直後の状態を概略的に示した断面図である。斯
かる方法では、基板１１上にガラス成分１２ａ、有機バ
インダー１２ｂ、無機バインダー１２ｃ及び揮発物質よ
り成る絶縁ペースト１２を塗布し、この上にＮｉペース
ト１３を塗布することにより、Ｎｉペーストの側縁部分
に波形が形成されないようにしている。
消しようとする堤案が例えば特開昭５８−５４５３４号
公報に開示されている。第２図は斯かる提案に開示され
た製造方法を説明するための′もので、絶縁ペーストを
塗布した直後の状態を概略的に示した断面図である。斯
かる方法では、基板１１上にガラス成分１２ａ、有機バ
インダー１２ｂ、無機バインダー１２ｃ及び揮発物質よ
り成る絶縁ペースト１２を塗布し、この上にＮｉペース
ト１３を塗布することにより、Ｎｉペーストの側縁部分
に波形が形成されないようにしている。
また、塗布された絶縁ペースト１２を乾燥させて揮発物
質を除去して多孔質化してから、その上にＮｉペースト
１３を塗布し、この後両ペースト１２．１３を同時に焼
成している。これにより、Ｎｉペースト１３の揮発物質
は絶縁ペースト１２の空孔１２ｄにも吸収されることと
なり、Ｎｉペースト１３の乾燥が速く進むので、形崩れ
のない電極パターンの形成が可能となっている。
質を除去して多孔質化してから、その上にＮｉペースト
１３を塗布し、この後両ペースト１２．１３を同時に焼
成している。これにより、Ｎｉペースト１３の揮発物質
は絶縁ペースト１２の空孔１２ｄにも吸収されることと
なり、Ｎｉペースト１３の乾燥が速く進むので、形崩れ
のない電極パターンの形成が可能となっている。
斯かる従来の製造方法では、Ｎｉペースト１３の揮発物
質を急速に絶縁ペースト１２の空孔中に吸収させている
ので、その粘性は急速に高まることとなり形崩れは生じ
なくなる。しかし、この方法では絶縁ペースト１２の空
間率を調整できないのでＮｉペースト１３の揮発物質の
吸収が速すぎることがある。すると、Ｎｉペースト１３
より形成される電極上にスクリーンのメツシュ跡が残り
表面に凹凸が形成されることがあった。第３図は斯かる
凹凸の状態を示す平面図であり、この凹凸はプラズマデ
ィスプレイ駆動の際の異常放電の原因になるという問題
があった。
質を急速に絶縁ペースト１２の空孔中に吸収させている
ので、その粘性は急速に高まることとなり形崩れは生じ
なくなる。しかし、この方法では絶縁ペースト１２の空
間率を調整できないのでＮｉペースト１３の揮発物質の
吸収が速すぎることがある。すると、Ｎｉペースト１３
より形成される電極上にスクリーンのメツシュ跡が残り
表面に凹凸が形成されることがあった。第３図は斯かる
凹凸の状態を示す平面図であり、この凹凸はプラズマデ
ィスプレイ駆動の際の異常放電の原因になるという問題
があった。
そこで、本発明は以上説明したような課題を解決するた
めになされたもので、その目的とするところは、絶縁ペ
ーストの空間率を制御できる方法により、形崩れや凹凸
のない良好な形状の電極を形成できるプラズマディスプ
レイの電極形成方法を提供することにある。
めになされたもので、その目的とするところは、絶縁ペ
ーストの空間率を制御できる方法により、形崩れや凹凸
のない良好な形状の電極を形成できるプラズマディスプ
レイの電極形成方法を提供することにある。
上記の目的を達成するために、本発明に係るプラズマデ
ィスプレイの電極形成方法は、基板上に絶縁ペーストを
塗布し、これを焼成して絶縁層を形成する工程と、この
絶縁層上に導電ペーストを印刷し、これを焼成して電極
を形成する工程とを有することを特徴としている。
ィスプレイの電極形成方法は、基板上に絶縁ペーストを
塗布し、これを焼成して絶縁層を形成する工程と、この
絶縁層上に導電ペーストを印刷し、これを焼成して電極
を形成する工程とを有することを特徴としている。
本発明においては、先ず最初に、基板上に絶縁ペースト
を塗布し、これを焼成して絶縁層を形成している。そし
て、この後に、この絶縁層上に導電ペーストを印刷し、
これを焼成して電極を形成している。
を塗布し、これを焼成して絶縁層を形成している。そし
て、この後に、この絶縁層上に導電ペーストを印刷し、
これを焼成して電極を形成している。
ところで、絶縁ペーストは一般にガラス成分、有機バイ
ンダー、無機バインダー及び揮発成分よりなっており、
この内の揮発成分は自然乾燥により除去でき、有機バイ
ンダーは所定温度で焼結し、無機バインダーは有機バイ
ンダーの焼結温度より高い所定温度以上で溶融する。即
ち、絶縁ペーストは揮発成分の除去により多孔質化され
るが、その空間率は焼成による有機バインダーの焼結及
び無機バインダーの溶融の程度により変化する性質を有
する。
ンダー、無機バインダー及び揮発成分よりなっており、
この内の揮発成分は自然乾燥により除去でき、有機バイ
ンダーは所定温度で焼結し、無機バインダーは有機バイ
ンダーの焼結温度より高い所定温度以上で溶融する。即
ち、絶縁ペーストは揮発成分の除去により多孔質化され
るが、その空間率は焼成による有機バインダーの焼結及
び無機バインダーの溶融の程度により変化する性質を有
する。
一方、絶縁ペースト上に形成される導電ペーストの揮発
成分の吸収速度はその下層となる絶縁ペーストの空間率
が高いほど大きくなる性質を有する。
成分の吸収速度はその下層となる絶縁ペーストの空間率
が高いほど大きくなる性質を有する。
従って、基板上に絶縁ペーストを塗布し、この状態で焼
成を実施すれば、有機バインダーの焼結及び無機バイン
ダーの溶融が起こり、揮発成分を除去して多孔質化され
た状態より空間率を低下させる事ができる。また、この
空間率は焼成条件により制御できる。よって、導電ペー
ストを塗布し焼成する際に導電ペースト中の揮発成分の
吸収速度を自由に制御できることとなり、導電ペースト
中の揮発成分の吸収速度を形崩れが生じない程度に速く
且つ表面に凹凸が生じない程度に遅く設定することがで
きる。
成を実施すれば、有機バインダーの焼結及び無機バイン
ダーの溶融が起こり、揮発成分を除去して多孔質化され
た状態より空間率を低下させる事ができる。また、この
空間率は焼成条件により制御できる。よって、導電ペー
ストを塗布し焼成する際に導電ペースト中の揮発成分の
吸収速度を自由に制御できることとなり、導電ペースト
中の揮発成分の吸収速度を形崩れが生じない程度に速く
且つ表面に凹凸が生じない程度に遅く設定することがで
きる。
以下に本発明を図示の実施例に基づいて説明する。
第１図（ａ）乃至（ｄ）は本発明に係るプラズマディス
プレイの電極形成方法の一実施例を示す工程説明図、第
４図は形成されたプラズマディスプレイの要部斜視図で
ある。同図において、１はガラス基板等の基板、２は絶
縁ペーストとしてのガラスペースト、３は導電ペースト
としてのＮｉペーストであり、２０はガラスペースト２
より形成された絶縁層、３０はＮｉペースト３より形成
された電極である。
プレイの電極形成方法の一実施例を示す工程説明図、第
４図は形成されたプラズマディスプレイの要部斜視図で
ある。同図において、１はガラス基板等の基板、２は絶
縁ペーストとしてのガラスペースト、３は導電ペースト
としてのＮｉペーストであり、２０はガラスペースト２
より形成された絶縁層、３０はＮｉペースト３より形成
された電極である。
本実施例においては、プラズマディスプレイ用電極の形
成を次のように実施する。
成を次のように実施する。
まず、初めに、第１図（ａ）に示すように、基板１上に
２００〜２５０メツシユのスクリーンを用いてガラスペ
ースト２（例えば、デュポン社製９７４０．９７４１等
）を厚さ２０〜３０μｍで一面に印刷する。このガラス
ペースト２はＳｉＯ２等のガラス成分２ａ、エチルセル
ロース等の有機バインダー２ｂ、鉛ガラス等の無機バイ
ンダー２ｃ及びシンナー等の揮発物質２ｄを混合したも
のであり、この段階では有機バインダー２ｂは揮発物質
２ｄ中に混在している。
２００〜２５０メツシユのスクリーンを用いてガラスペ
ースト２（例えば、デュポン社製９７４０．９７４１等
）を厚さ２０〜３０μｍで一面に印刷する。このガラス
ペースト２はＳｉＯ２等のガラス成分２ａ、エチルセル
ロース等の有機バインダー２ｂ、鉛ガラス等の無機バイ
ンダー２ｃ及びシンナー等の揮発物質２ｄを混合したも
のであり、この段階では有機バインダー２ｂは揮発物質
２ｄ中に混在している。
そして、次に、１２０℃で１時間乾燥させる。
すると、揮発物質２ｄは除去され、同図（ｂ）に示すよ
うに、空孔２ｅが形成され、ガラスペースト２は多孔質
化される。同時に、揮発物質２ｄ中に混在していた有機
バインダー２ｂが析出する。
うに、空孔２ｅが形成され、ガラスペースト２は多孔質
化される。同時に、揮発物質２ｄ中に混在していた有機
バインダー２ｂが析出する。
次に、この多孔質化されたガラスペースト２を温度３５
０°Ｃの酸素雰囲気下で１５分間焼成して有機バインダ
ー２ｂを焼結させる。同図（Ｃ）はこの焼成後の状態を
示している。
０°Ｃの酸素雰囲気下で１５分間焼成して有機バインダ
ー２ｂを焼結させる。同図（Ｃ）はこの焼成後の状態を
示している。
さらに、続いて、温度５３０℃の酸素雰囲気下で１５分
間焼成して無機バインダー２Ｃを一部溶出させて、同図
（ｄ）のようにガラス成分２ａ間を埋めて絶縁層の形成
を完了する。尚、無機バインダー２Ｃは５００〜５６０
℃で軟化し、５７０℃以上で完全に溶融するので、５３
０°Ｃの焼成ではガラス成分２ａ間の無機バインダー２
Ｃ中には微細な空孔が多数存在させることができる（同
図（ｄ）においては空孔は示していない）・。このよう
に、無機バインダー２Ｃを焼成する工程において、焼成
温度及び焼成時間を制御することによって絶縁ペースト
２の空間率を自由に設定することができる。
間焼成して無機バインダー２Ｃを一部溶出させて、同図
（ｄ）のようにガラス成分２ａ間を埋めて絶縁層の形成
を完了する。尚、無機バインダー２Ｃは５００〜５６０
℃で軟化し、５７０℃以上で完全に溶融するので、５３
０°Ｃの焼成ではガラス成分２ａ間の無機バインダー２
Ｃ中には微細な空孔が多数存在させることができる（同
図（ｄ）においては空孔は示していない）・。このよう
に、無機バインダー２Ｃを焼成する工程において、焼成
温度及び焼成時間を制御することによって絶縁ペースト
２の空間率を自由に設定することができる。
次の工程では、第１図（ｄ）に示すように、上記焼成を
経て空間率を適正値にした絶縁層２０上に、Ｎｉペース
ト３（例えば、デュポン社製 ９３９５等）をパターン
幅１６５μｍ、ピッチ３３０μｍ、ｌｌ厚３０μｍで、
エマルジョン厚１０μｍ、２５０メツシユのスクリーン
を使用して印刷形成する。
経て空間率を適正値にした絶縁層２０上に、Ｎｉペース
ト３（例えば、デュポン社製 ９３９５等）をパターン
幅１６５μｍ、ピッチ３３０μｍ、ｌｌ厚３０μｍで、
エマルジョン厚１０μｍ、２５０メツシユのスクリーン
を使用して印刷形成する。
この後、１２０℃で１時間乾燥を行い揮発物質を除去す
る。
る。
次に、温度３５０℃の酸素雰囲気下で１５分間焼成し有
機バインダーを燃焼させ、さらに、温度５７０〜５８０
℃の酸素雰囲気下で１５分間焼成しＮｉペースト３中の
無機バインダーを完全に溶融させ電極を形成する。
機バインダーを燃焼させ、さらに、温度５７０〜５８０
℃の酸素雰囲気下で１５分間焼成しＮｉペースト３中の
無機バインダーを完全に溶融させ電極を形成する。
以上に示した製造方法によれば、空間率を適正値にした
絶縁層２０上に、Ｎｉペースト３が形成されるので、Ｎ
ｉペースト３中の揮発物質の絶縁層２０への吸収速度が
調整可能となり、Ｎｉペースト３の硬化速度を制御でき
る。よって、硬化速度が遅すぎることによる形崩れや硬
化速度が速すぎることによる凹凸の発生を防止でき、良
好な形状の電極を形成することが可能となる。
絶縁層２０上に、Ｎｉペースト３が形成されるので、Ｎ
ｉペースト３中の揮発物質の絶縁層２０への吸収速度が
調整可能となり、Ｎｉペースト３の硬化速度を制御でき
る。よって、硬化速度が遅すぎることによる形崩れや硬
化速度が速すぎることによる凹凸の発生を防止でき、良
好な形状の電極を形成することが可能となる。
以上説明したように、本発明の製造方法によれば、基板
上に絶縁ペーストを塗布し、−旦焼成して絶縁ペースト
中の空間率を適正値とした後に導電ペーストを印刷し焼
成するようにしたので、形崩れのない、しかも表面に凹
凸のない良好な形状の電極を形成することができる。
上に絶縁ペーストを塗布し、−旦焼成して絶縁ペースト
中の空間率を適正値とした後に導電ペーストを印刷し焼
成するようにしたので、形崩れのない、しかも表面に凹
凸のない良好な形状の電極を形成することができる。
よって、電極形状の微細化及び電極ピッチの短縮が可能
となり、高解像度のプラズマディスプレイを実現できる
という効果を有する。
となり、高解像度のプラズマディスプレイを実現できる
という効果を有する。
第１図は（ａ）乃至（ｄ）は本発明に係るプラズマディ
スプレイの電極形成方法の一実施例を示す工程説明図、 第２図は従来製造工程における絶縁ペースト塗布後の状
態を概略的に示す断面図、 第３図は第２図の問題点を示す概略の平面図、第４図は
本実施例のプラズマディスプレイ用電極の要部斜視図で
ある。 １・・・基板、 ２・・・ガラスペースト（絶縁ペースト）、３・・・Ｎ
ｉペースト（導電ペースト）、２０・・・絶縁層、 ３０・・・電極。 特許出願人 沖電気工業株式会社 代理人 弁理士 前 １） 実 第３図 Ｃν 〆−〆１飄
スプレイの電極形成方法の一実施例を示す工程説明図、 第２図は従来製造工程における絶縁ペースト塗布後の状
態を概略的に示す断面図、 第３図は第２図の問題点を示す概略の平面図、第４図は
本実施例のプラズマディスプレイ用電極の要部斜視図で
ある。 １・・・基板、 ２・・・ガラスペースト（絶縁ペースト）、３・・・Ｎ
ｉペースト（導電ペースト）、２０・・・絶縁層、 ３０・・・電極。 特許出願人 沖電気工業株式会社 代理人 弁理士 前 １） 実 第３図 Ｃν 〆−〆１飄
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板上に絶縁ペーストを塗布し、これを焼成して絶縁層
を形成する工程と、 この絶縁層上に導電ペーストを印刷し、これを焼成して
電極を形成する工程と を有することを特徴とするプラズマディスプレイの電極
形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2993388A JPH01206538A (ja) | 1988-02-10 | 1988-02-10 | プラズマディスプレイの電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2993388A JPH01206538A (ja) | 1988-02-10 | 1988-02-10 | プラズマディスプレイの電極形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01206538A true JPH01206538A (ja) | 1989-08-18 |
Family
ID=12289787
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2993388A Pending JPH01206538A (ja) | 1988-02-10 | 1988-02-10 | プラズマディスプレイの電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01206538A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10319580A (ja) * | 1994-11-17 | 1998-12-04 | Toray Ind Inc | 感光性導電ペーストおよび電極の製造方法 |
| JP2007081300A (ja) * | 2005-09-16 | 2007-03-29 | Sharp Corp | 太陽電池の製造方法 |
-
1988
- 1988-02-10 JP JP2993388A patent/JPH01206538A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10319580A (ja) * | 1994-11-17 | 1998-12-04 | Toray Ind Inc | 感光性導電ペーストおよび電極の製造方法 |
| JP2007081300A (ja) * | 2005-09-16 | 2007-03-29 | Sharp Corp | 太陽電池の製造方法 |
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