JPH01207979A - 化合物半導体装置 - Google Patents
化合物半導体装置Info
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- JPH01207979A JPH01207979A JP3334288A JP3334288A JPH01207979A JP H01207979 A JPH01207979 A JP H01207979A JP 3334288 A JP3334288 A JP 3334288A JP 3334288 A JP3334288 A JP 3334288A JP H01207979 A JPH01207979 A JP H01207979A
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- Japan
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- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 15
- 230000005533 two-dimensional electron gas Effects 0.000 claims description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
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Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は化合物半導体装置に関する。
第２図は従来の化合物半導体装置の一例の断面図である
。
。
化合物半導体装置は、半絶縁性ＧａＡｓ層の上に第１の
半導体層である非ドープＧａＡｓ層５と、第２の半導体
層であるＡ Ｉ！（１−ｘ） Ｇ ａ ｘ層４を重ねて
形成し、その表面にゲート電極２を挟んでソース電極１
及びドレイン電極３を設けて構成さ４の界面にはへテロ
接合が形成され、非ドープＧａＡｓ層５の表面下の点線
内に移動度の高い二次元電子ガス領域７が形成される。
半導体層である非ドープＧａＡｓ層５と、第２の半導体
層であるＡ Ｉ！（１−ｘ） Ｇ ａ ｘ層４を重ねて
形成し、その表面にゲート電極２を挟んでソース電極１
及びドレイン電極３を設けて構成さ４の界面にはへテロ
接合が形成され、非ドープＧａＡｓ層５の表面下の点線
内に移動度の高い二次元電子ガス領域７が形成される。
ソース及びドレイン電極１及び３の下に低抵抗のオーミ
ック層を形成するため、電子供給層であるＡ１３・−・
・ＧＭ・層４の表面にオーミ・２り金属を蒸着し、熱処
理によって低抵抗合金層を形成していた。
ック層を形成するため、電子供給層であるＡ１３・−・
・ＧＭ・層４の表面にオーミ・２り金属を蒸着し、熱処
理によって低抵抗合金層を形成していた。
上述した化合物半導体装置は、電子供給層の表面にオー
ミックコンタクトを形成することは必すしも容易でなく
、安定して低コンタクト抵抗か得られないという問題が
あった。
ミックコンタクトを形成することは必すしも容易でなく
、安定して低コンタクト抵抗か得られないという問題が
あった。
種々の電子供給層の材料の中から二次元電子ガスの移動
度、電子濃度等について最適なものを選んだとしても、
上述のオーミックコンタク１〜か形成できない場合もあ
り、任意の結晶が電子供給層として使用できるとは限ら
ないという欠点も有している。
度、電子濃度等について最適なものを選んだとしても、
上述のオーミックコンタク１〜か形成できない場合もあ
り、任意の結晶が電子供給層として使用できるとは限ら
ないという欠点も有している。
本発明の化合物半導体装置は、第１の半導体層の表面に
該第１の半導体層と電子親和力の異なる第２の半導体層
を形成し、前記二つの半導体層の界面に高移動度の二次
元電子ガス領域を有してヘテロ接合を形成し、前記第２
の半導体層の表面にゲート電極を有する化合物半導体装
置において、前記ゲート電極を挟んて設けられたソース
及びドレイン電極と前記第１の半導体層とそれぞれとの
間に該第１の半導体層よりも高不純物濃度の第３の半導
体層を設けて構成されている。
該第１の半導体層と電子親和力の異なる第２の半導体層
を形成し、前記二つの半導体層の界面に高移動度の二次
元電子ガス領域を有してヘテロ接合を形成し、前記第２
の半導体層の表面にゲート電極を有する化合物半導体装
置において、前記ゲート電極を挟んて設けられたソース
及びドレイン電極と前記第１の半導体層とそれぞれとの
間に該第１の半導体層よりも高不純物濃度の第３の半導
体層を設けて構成されている。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の一実施例の断面図である。
化合物半導体装置は、ソース電極１及びドレイン電極３
と非ドープＧａＡｓ層５との間にそれぞれｎ＋ＧａＡｓ
層６ａ、６ｂを設けた点か異る以外は第２図の従来の化
合物半導体装置の同一である。
と非ドープＧａＡｓ層５との間にそれぞれｎ＋ＧａＡｓ
層６ａ、６ｂを設けた点か異る以外は第２図の従来の化
合物半導体装置の同一である。
二次元電子ガス領域７は００５μｍの厚さの二つのｎ＋
ＧａＡｓ層６ａ、６ｂの間に存在している。第１の半導
体層である非ドープＧａＡｓ層５の表面に第３の半導体
層としてｎ＋ＧａＡｓ層６を形成しているので、その表
面には容易に低コンタクト抵抗のオーミックを形成でき
る。
ＧａＡｓ層６ａ、６ｂの間に存在している。第１の半導
体層である非ドープＧａＡｓ層５の表面に第３の半導体
層としてｎ＋ＧａＡｓ層６を形成しているので、その表
面には容易に低コンタクト抵抗のオーミックを形成でき
る。
ｎ＋ＧａＡｓ層と二次元電子カス領域７間の抵抗は小さ
いので、ゲート・ソース間抵抗の低い化合物半導体が得
られる。
いので、ゲート・ソース間抵抗の低い化合物半導体が得
られる。
なお、ｎ４ＧａＡｓ層６ａ、６ｂは非ドープＧａＡｓ層
５を貫いてもよい。
５を貫いてもよい。
以上説明したように本発明は、二次元電子ガス領域に高
濃度層を介して、オーミックコンタクトを形成するのて
、容易に低コンタクト抵抗が得られる。
濃度層を介して、オーミックコンタクトを形成するのて
、容易に低コンタクト抵抗が得られる。
従って、ソース寄生抵抗の小さいヘテロ接合の化合物半
導体装置が容易に得られる。
導体装置が容易に得られる。
第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は従来の化
合物半導体装置の一例の断面図である。 １・・・ソース電極、２・・・ゲート電極、３・・・ド
レイン電極、４・・・Ａ Ｉ！（ｓ−ｘ） Ｇ ａ ｘ
Ａ ｓ層、５・・・非ドープＧａＡｓ層、６−・−ｎ
＋ＧａＡｓ層、７・・二次元カス領域。
合物半導体装置の一例の断面図である。 １・・・ソース電極、２・・・ゲート電極、３・・・ド
レイン電極、４・・・Ａ Ｉ！（ｓ−ｘ） Ｇ ａ ｘ
Ａ ｓ層、５・・・非ドープＧａＡｓ層、６−・−ｎ
＋ＧａＡｓ層、７・・二次元カス領域。
Claims (1)
- 第１の半導体層の表面に該第１の半導体層と電子親和
力の異なる第２の半導体層を形成し、前記二つの半導体
層の界面に高移動度の二次元電子ガス領域を有してヘテ
ロ接合を形成し、前記第２の半導体層の表面にゲート電
極を有する化合物半導体装置において、前記ゲート電極
を挟んで設けられたソース及びドレイン電極と前記第１
の半導体層とそれぞれとの間に該第１の半導体層よりも
高不純物濃度の第３の半導体層を設けたことを特徴とす
る化合物半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3334288A JPH01207979A (ja) | 1988-02-15 | 1988-02-15 | 化合物半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3334288A JPH01207979A (ja) | 1988-02-15 | 1988-02-15 | 化合物半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01207979A true JPH01207979A (ja) | 1989-08-21 |
Family
ID=12383892
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3334288A Pending JPH01207979A (ja) | 1988-02-15 | 1988-02-15 | 化合物半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01207979A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06163600A (ja) * | 1992-11-26 | 1994-06-10 | Nec Corp | 電界効果トランジスタ |
-
1988
- 1988-02-15 JP JP3334288A patent/JPH01207979A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06163600A (ja) * | 1992-11-26 | 1994-06-10 | Nec Corp | 電界効果トランジスタ |
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