JPH01209719A - 半導体ウエハ処理方法 - Google Patents
半導体ウエハ処理方法Info
- Publication number
- JPH01209719A JPH01209719A JP3580188A JP3580188A JPH01209719A JP H01209719 A JPH01209719 A JP H01209719A JP 3580188 A JP3580188 A JP 3580188A JP 3580188 A JP3580188 A JP 3580188A JP H01209719 A JPH01209719 A JP H01209719A
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- Japan
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- gas
- semiconductor wafer
- chamber
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体ウェハ処理方法に関する。
（従来の技術）
従来から薄膜形成装置では、被処理物例えば半導体ウェ
ハの表面に均一な膜厚の薄膜を形成するための各種の工
夫がなされている。
ハの表面に均一な膜厚の薄膜を形成するための各種の工
夫がなされている。
例えば第２図は、従来の薄膜形成装置の一例として、半
導体ウェハの表面に薄膜を形成するＣＶＤ装置を示すも
ので、このＣＶＤ装置では、チャンバ１内のプラテン２
に配置され、クランプ機構３によって保持された半導体
ウェハ４に、ガスミックスチャンパラ内に配置されたリ
ング状の導管にガス供給口を穿設してなる複数のガス供
給機構６から所定の反応ガス、例えばＷＦ６とＳ ｉＨ
４等を供給する。そして、このガス流路には、例えば円
板状のガス流制御板７が配置されており、このガス流制
御板７の径および位置等を調節することによって、半導
体ウェハ４に均一にガスが供給されるよう調節する。
導体ウェハの表面に薄膜を形成するＣＶＤ装置を示すも
ので、このＣＶＤ装置では、チャンバ１内のプラテン２
に配置され、クランプ機構３によって保持された半導体
ウェハ４に、ガスミックスチャンパラ内に配置されたリ
ング状の導管にガス供給口を穿設してなる複数のガス供
給機構６から所定の反応ガス、例えばＷＦ６とＳ ｉＨ
４等を供給する。そして、このガス流路には、例えば円
板状のガス流制御板７が配置されており、このガス流制
御板７の径および位置等を調節することによって、半導
体ウェハ４に均一にガスが供給されるよう調節する。
なお、プラテン２の上側には、例えば石英等からなる加
熱用窓８と例えばハロゲンランプ等からなる加熱用ラン
プ９が配置されており、加熱用窓８を介して、プラテン
２に加熱用ランプ９から光 ゛を照射し、プラテン２を
介して半導体ウェハ４を均一加熱するよう構成されてい
る。
熱用窓８と例えばハロゲンランプ等からなる加熱用ラン
プ９が配置されており、加熱用窓８を介して、プラテン
２に加熱用ランプ９から光 ゛を照射し、プラテン２を
介して半導体ウェハ４を均一加熱するよう構成されてい
る。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、例えば半導体デバイス製造工程における
薄膜形成等では、近年半導体ウェハの口径が４インチか
ら ６インチ、８インチから ８インチへと大口径化さ
れる傾向にある。このため、上記説明の従来の薄膜形成
装置では、半導体装置ハ各部位における薄膜の膜厚均一
性を良好に保つことが困難となりつつある。すなわち、
例えば４インチの半導体ウェハであれば膜厚均一性の良
好な薄膜を形成することができるが、例えば６インチの
半導体ウェハになると、周縁部の膜厚が薄くなる等して
膜厚均一性が悪化する。
薄膜形成等では、近年半導体ウェハの口径が４インチか
ら ６インチ、８インチから ８インチへと大口径化さ
れる傾向にある。このため、上記説明の従来の薄膜形成
装置では、半導体装置ハ各部位における薄膜の膜厚均一
性を良好に保つことが困難となりつつある。すなわち、
例えば４インチの半導体ウェハであれば膜厚均一性の良
好な薄膜を形成することができるが、例えば６インチの
半導体ウェハになると、周縁部の膜厚が薄くなる等して
膜厚均一性が悪化する。
本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもので
、処理例えば薄膜形成面積が広い場合でも、従来に比べ
て膜厚均一性が良好な薄膜を形成することのできる半導
体ウェハ処理方法を提供しようとするものである。
、処理例えば薄膜形成面積が広い場合でも、従来に比べ
て膜厚均一性が良好な薄膜を形成することのできる半導
体ウェハ処理方法を提供しようとするものである。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
すなわち本発明は、チャンバ内に配置された被処理物に
ガスを供給してするに際し、前記ガスに回転流を付与す
ることを特徴とする。
ガスを供給してするに際し、前記ガスに回転流を付与す
ることを特徴とする。
（作 用）
上記構成の本発明の半導体ウェハ処理方法では、ガスに
回転流を形成することにより、被処理物表面に均一に供
給することができ、処理面積が広い場合でも、従来に比
べてさらに均一性が良好な処理を実行することができる
。
回転流を形成することにより、被処理物表面に均一に供
給することができ、処理面積が広い場合でも、従来に比
べてさらに均一性が良好な処理を実行することができる
。
（実施例）
以下本発明の薄膜形成装置をＣＶＤ装置に適用した実施
例を第１図を参照して説明する。
例を第１図を参照して説明する。
例えば円筒状に形成されたチャンバ１１上部には、開口
が形成されており、この開口を閉塞する如く、クランプ
機構１２によって半導体ウェハ１３を下向きに保持する
プラテン１４が配置されている。
が形成されており、この開口を閉塞する如く、クランプ
機構１２によって半導体ウェハ１３を下向きに保持する
プラテン１４が配置されている。
また、このプラテン１４の上側には、例えば石英等の透
明部材によって気密に閉塞された加熱用窓１５が形成さ
れており、この加熱用窓１５の外側には、例えばハロゲ
ンランプ等の加熱用ランプ１６が、配置されている。す
なわち、加熱用ランプ１６から、加熱用窓１５を介して
プラテン１４に光を照射し、プラテン１４を加熱して、
このプラテン１４の反対側の面に配置された半導体ウェ
ハ１３を均一加熱可能に構成されている。
明部材によって気密に閉塞された加熱用窓１５が形成さ
れており、この加熱用窓１５の外側には、例えばハロゲ
ンランプ等の加熱用ランプ１６が、配置されている。す
なわち、加熱用ランプ１６から、加熱用窓１５を介して
プラテン１４に光を照射し、プラテン１４を加熱して、
このプラテン１４の反対側の面に配置された半導体ウェ
ハ１３を均一加熱可能に構成されている。
さらに、チャンバ１１上部には、チャンバ１１内から排
気を行うための排気口１７が設けられており、例えばチ
ャンバ１１側面等には、例えば内部に冷却水を循環させ
てチャンバ１１５！面を冷却するための冷却機Ｈ４１８
が配置されている。
気を行うための排気口１７が設けられており、例えばチ
ャンバ１１側面等には、例えば内部に冷却水を循環させ
てチャンバ１１５！面を冷却するための冷却機Ｈ４１８
が配置されている。
一方、チャンバ１１下部には、ガスミックスチャンバ１
９が連設されている。このガスミックスチャンバ１９内
には、例えばリング状に形成された導管に複数のガス供
給口を穿設してなるガス供給機構２０が複数例えば２個
同心的に配置されており、このガス供給機構２０によっ
て周囲を囲まれた部位のほぼ中央には、ガスに回転流を
形成するための機構、例えばガスミックスチャンバ１９
内にほぼ逆円錐形状に突出する如く設けられ、周囲に螺
旋状の羽根を形成されたガス流制御用部材２１と、この
ガス流制御用部材２１を回転させるための回転駆動機構
２２が配置されている。
９が連設されている。このガスミックスチャンバ１９内
には、例えばリング状に形成された導管に複数のガス供
給口を穿設してなるガス供給機構２０が複数例えば２個
同心的に配置されており、このガス供給機構２０によっ
て周囲を囲まれた部位のほぼ中央には、ガスに回転流を
形成するための機構、例えばガスミックスチャンバ１９
内にほぼ逆円錐形状に突出する如く設けられ、周囲に螺
旋状の羽根を形成されたガス流制御用部材２１と、この
ガス流制御用部材２１を回転させるための回転駆動機構
２２が配置されている。
上記構成のこの実施例のＣＶＤ装置では、次のようにし
て半導体ウェハ１３に薄膜を形成する。
て半導体ウェハ１３に薄膜を形成する。
すなわち、まずチャンバ１１の開閉機構（図示せず）を
開として、例えば搬送機構等により半導体ウェハ１３を
搬送してプラテン１４の所定位置に配置する。
開として、例えば搬送機構等により半導体ウェハ１３を
搬送してプラテン１４の所定位置に配置する。
この後、上記開閉機構を閉として排気口１７から排気を
行い、チャンバ１１内を所定の真空度とするとともに、
加熱用ランプ１６を加熱用窓１５を介してプラテン１４
に照射し、プラテン１４を加熱して、このプラテン１４
の反対側の面に配置された半導体ウェハ１３を例えば数
百度程度に加熱する。
行い、チャンバ１１内を所定の真空度とするとともに、
加熱用ランプ１６を加熱用窓１５を介してプラテン１４
に照射し、プラテン１４を加熱して、このプラテン１４
の反対側の面に配置された半導体ウェハ１３を例えば数
百度程度に加熱する。
そして、回転駆動機構２２により例えば毎分数十回転程
度の速度でガス流制御用部材２１を回転させながら、２
個のガス供給機構２０から、それぞれ所定の反応ガス、
例えばＷＦ６とＳｉＨ４等を供給し、薄膜を形成する。
度の速度でガス流制御用部材２１を回転させながら、２
個のガス供給機構２０から、それぞれ所定の反応ガス、
例えばＷＦ６とＳｉＨ４等を供給し、薄膜を形成する。
すなわち、この実施例のＣＶＤ装置では、反応ガスは、
回転流となりガスミックスチャンバ１９からチャンバ１
１内へ移動し、半導体ウェハ１３表面に供給される。し
たがって、半導体ウェハ１３表面各部に反応ガスが均一
に供給され、大口径の半導体ウェハ１３でも、従来に比
べて膜厚均一性の良好な薄膜を形成することができる。
回転流となりガスミックスチャンバ１９からチャンバ１
１内へ移動し、半導体ウェハ１３表面に供給される。し
たがって、半導体ウェハ１３表面各部に反応ガスが均一
に供給され、大口径の半導体ウェハ１３でも、従来に比
べて膜厚均一性の良好な薄膜を形成することができる。
反応ガスの回転操作時ガス流制御部材２１内に温度制御
部材例えばヒータや冷媒を内蔵することにより反応ガス
の均一化にさらに効果を有するとともに、反応の促進に
も効果がある。
部材例えばヒータや冷媒を内蔵することにより反応ガス
の均一化にさらに効果を有するとともに、反応の促進に
も効果がある。
なお、上記実施例では、半導体ウェハ１３に薄膜（ＣＶ
Ｄ膜）を形成するＣＶＤ装置について説明したが、本発
明はかかる実施例に限定されるものではなく、ガスを供
給して被処理物を処理する手段であれば薄膜形成に限ら
ずエツチング、アッシング、拡散、酸化、熱処理などに
も適用することができることは勿論である。上記実施例
ではガス流回転制御系をガスミックスチャンバ１９内に
設けた例について説明したが、ウェハ全面に反応ガス流
を均一に流す手段であればいずれでもよい。
Ｄ膜）を形成するＣＶＤ装置について説明したが、本発
明はかかる実施例に限定されるものではなく、ガスを供
給して被処理物を処理する手段であれば薄膜形成に限ら
ずエツチング、アッシング、拡散、酸化、熱処理などに
も適用することができることは勿論である。上記実施例
ではガス流回転制御系をガスミックスチャンバ１９内に
設けた例について説明したが、ウェハ全面に反応ガス流
を均一に流す手段であればいずれでもよい。
［発明の効果］
上述のように、本発明方法は、処理面積が広い場合でも
、従来に比べて均一性が良好な処理を実行することがで
きる。
、従来に比べて均一性が良好な処理を実行することがで
きる。
第１図は本発明の一実施例のＣＶＤ装置を説明するため
の構成図、第２図は従来のＣＶＤ装置を示す構成図であ
る。 １１・・・・・・チャンバ、１２・・・・・・クランプ
機構、１３・・・・・・半導体ウェハ、１４・・・・・
・プラテン、１５・・・・・・加熱用窓、１６・・・・
・・加熱用ランプ、１７・・・・・・排気口、１８・・
・・・・冷却機構、１９・・・・・・ガスミックスチャ
ンバ、２０・・・・・・ガス供給機構、２１・・・・・
・ガス流制御用部材、２２・・・・・・回転駆動機構。 出願人 東京エレクトロン株式会社 代理人 弁理士 須 山 佐 − 第１図 第２図
の構成図、第２図は従来のＣＶＤ装置を示す構成図であ
る。 １１・・・・・・チャンバ、１２・・・・・・クランプ
機構、１３・・・・・・半導体ウェハ、１４・・・・・
・プラテン、１５・・・・・・加熱用窓、１６・・・・
・・加熱用ランプ、１７・・・・・・排気口、１８・・
・・・・冷却機構、１９・・・・・・ガスミックスチャ
ンバ、２０・・・・・・ガス供給機構、２１・・・・・
・ガス流制御用部材、２２・・・・・・回転駆動機構。 出願人 東京エレクトロン株式会社 代理人 弁理士 須 山 佐 − 第１図 第２図
Claims (1)
- （１）チャンバ内に配置された被処理物にガスを供給し
てするに際し、前記ガスに回転流を付与することを特徴
とする半導体ウェハ処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3580188A JPH01209719A (ja) | 1988-02-18 | 1988-02-18 | 半導体ウエハ処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3580188A JPH01209719A (ja) | 1988-02-18 | 1988-02-18 | 半導体ウエハ処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01209719A true JPH01209719A (ja) | 1989-08-23 |
Family
ID=12452025
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3580188A Pending JPH01209719A (ja) | 1988-02-18 | 1988-02-18 | 半導体ウエハ処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01209719A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011192772A (ja) * | 2010-03-15 | 2011-09-29 | Toyota Central R&D Labs Inc | 気相成長装置及び気相成長方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59190297A (ja) * | 1983-04-12 | 1984-10-29 | Agency Of Ind Science & Technol | 有機金属気相結晶成長方法 |
| JPS603122A (ja) * | 1983-06-21 | 1985-01-09 | Nec Corp | 気相成長装置 |
-
1988
- 1988-02-18 JP JP3580188A patent/JPH01209719A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59190297A (ja) * | 1983-04-12 | 1984-10-29 | Agency Of Ind Science & Technol | 有機金属気相結晶成長方法 |
| JPS603122A (ja) * | 1983-06-21 | 1985-01-09 | Nec Corp | 気相成長装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011192772A (ja) * | 2010-03-15 | 2011-09-29 | Toyota Central R&D Labs Inc | 気相成長装置及び気相成長方法 |
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