JPH0121228B2 - - Google Patents
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- JPH0121228B2 JPH0121228B2 JP14263280A JP14263280A JPH0121228B2 JP H0121228 B2 JPH0121228 B2 JP H0121228B2 JP 14263280 A JP14263280 A JP 14263280A JP 14263280 A JP14263280 A JP 14263280A JP H0121228 B2 JPH0121228 B2 JP H0121228B2
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- Japan
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- magnetic
- bath
- ions
- plating bath
- ion concentration
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- Expired
Links
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 claims description 10
- 229910001429 cobalt ion Inorganic materials 0.000 claims description 6
- XLJKHNWPARRRJB-UHFFFAOYSA-N cobalt(2+) Chemical compound [Co+2] XLJKHNWPARRRJB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 6
- -1 silver ions Chemical class 0.000 claims description 6
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 3
- 239000000872 buffer Substances 0.000 claims description 3
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 claims description 3
- 229910001453 nickel ion Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 claims description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 15
- FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N Silver ion Chemical compound [Ag+] FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- KWSLGOVYXMQPPX-UHFFFAOYSA-N 5-[3-(trifluoromethyl)phenyl]-2h-tetrazole Chemical compound FC(F)(F)C1=CC=CC(C2=NNN=N2)=C1 KWSLGOVYXMQPPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEQPNABPJHWNSG-UHFFFAOYSA-N Nickel(2+) Chemical compound [Ni+2] VEQPNABPJHWNSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BFNBIHQBYMNNAN-UHFFFAOYSA-N ammonium sulfate Chemical compound N.N.OS(O)(=O)=O BFNBIHQBYMNNAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052921 ammonium sulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000011130 ammonium sulphate Nutrition 0.000 description 2
- 229910000361 cobalt sulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- 229940044175 cobalt sulfate Drugs 0.000 description 2
- KTVIXTQDYHMGHF-UHFFFAOYSA-L cobalt(2+) sulfate Chemical compound [Co+2].[O-]S([O-])(=O)=O KTVIXTQDYHMGHF-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 229910000367 silver sulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- YPNVIBVEFVRZPJ-UHFFFAOYSA-L silver sulfate Chemical compound [Ag+].[Ag+].[O-]S([O-])(=O)=O YPNVIBVEFVRZPJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910001379 sodium hypophosphite Inorganic materials 0.000 description 2
- PRWXGRGLHYDWPS-UHFFFAOYSA-L sodium malonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C(=O)CC([O-])=O PRWXGRGLHYDWPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- WPUMTJGUQUYPIV-JIZZDEOASA-L disodium (S)-malate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C(=O)[C@@H](O)CC([O-])=O WPUMTJGUQUYPIV-JIZZDEOASA-L 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L nickel sulfate Chemical compound [Ni+2].[O-]S([O-])(=O)=O LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000363 nickel(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 235000019265 sodium DL-malate Nutrition 0.000 description 1
- 239000001394 sodium malate Substances 0.000 description 1
- 229940074404 sodium succinate Drugs 0.000 description 1
- ZDQYSKICYIVCPN-UHFFFAOYSA-L sodium succinate (anhydrous) Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C(=O)CCC([O-])=O ZDQYSKICYIVCPN-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Chemically Coating (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気デイスク等の磁気記録体に用いら
れる磁気記憶媒体（磁性膜）を作製する無電解め
つき浴に関するものである。
れる磁気記憶媒体（磁性膜）を作製する無電解め
つき浴に関するものである。
近年、高密度磁気記録体として、記憶媒体がめ
つき法により作製されためつき磁気デイスク等が
用いられ始めた。磁気記録装置は記録再生ヘツド
および記憶媒体の主構成部から構成され、要求さ
れる記録密度、記録再生速度などにより使用され
るヘツドの性能および記憶媒体の特性が決定され
る。記録密度及び出力は同一ヘツドを用いる場
合、記憶媒体の磁気特性（保磁力（Hc）、残留磁
束密度（Br））と膜厚δにより決まり、次の様な
関係がある。
つき法により作製されためつき磁気デイスク等が
用いられ始めた。磁気記録装置は記録再生ヘツド
および記憶媒体の主構成部から構成され、要求さ
れる記録密度、記録再生速度などにより使用され
るヘツドの性能および記憶媒体の特性が決定され
る。記録密度及び出力は同一ヘツドを用いる場
合、記憶媒体の磁気特性（保磁力（Hc）、残留磁
束密度（Br））と膜厚δにより決まり、次の様な
関係がある。
（記録密度）∝（Hc／Br・δ）1/2 (1)
（出力）∝（Br・δ・Hc）1/2 (2)
従つて要求される記録密度及び出力に適する磁
性膜を得るためには磁性膜の磁気特性及び膜厚を
一定の許容されうる範囲内に保つ必要がある。
性膜を得るためには磁性膜の磁気特性及び膜厚を
一定の許容されうる範囲内に保つ必要がある。
ところが無電解めつき法を用いて磁性膜を作製
する場合、ある一定組成で調製した無電解めつき
浴より得られる磁気特性を変化させることは容易
でない。電気めつき法の場合は電流密度を変える
ことにより得られる磁気特性を容易に変化させる
ことができるが、無電解めつき法では浴のPH、浴
温などのめつき条件を大幅に変動させる操作が必
要であり、これらの操作は浴寿命の低下、作業性
の低下などを伴うことが多く実用上問題がある。
従つて所要の磁気特性の磁性膜を得るにはその特
性に応じて別個の無電解めつき浴を開発しなけれ
ばならないという問題があつた。
する場合、ある一定組成で調製した無電解めつき
浴より得られる磁気特性を変化させることは容易
でない。電気めつき法の場合は電流密度を変える
ことにより得られる磁気特性を容易に変化させる
ことができるが、無電解めつき法では浴のPH、浴
温などのめつき条件を大幅に変動させる操作が必
要であり、これらの操作は浴寿命の低下、作業性
の低下などを伴うことが多く実用上問題がある。
従つて所要の磁気特性の磁性膜を得るにはその特
性に応じて別個の無電解めつき浴を開発しなけれ
ばならないという問題があつた。
本発明の目的は、これらの問題点を改善して無
電解めつき浴に銀イオンを加えることにより磁気
特性を制御して所要の特性を有する磁性膜を得る
ことのできる無電解めつき浴を提供することにあ
る。
電解めつき浴に銀イオンを加えることにより磁気
特性を制御して所要の特性を有する磁性膜を得る
ことのできる無電解めつき浴を提供することにあ
る。
本発明による無電解めつき浴は、コバルトイオ
ン、またはコバルトイオンおよびニツケルイオ
ン、これら金属イオンの還元剤、PH緩衝剤、PH調
節剤、前記金属イオン錯化剤を含む水溶液に銀イ
オンを加えることを特徴としており、これにより
磁気特性が制御され所要の特性を有する磁性膜が
得られる。
ン、またはコバルトイオンおよびニツケルイオ
ン、これら金属イオンの還元剤、PH緩衝剤、PH調
節剤、前記金属イオン錯化剤を含む水溶液に銀イ
オンを加えることを特徴としており、これにより
磁気特性が制御され所要の特性を有する磁性膜が
得られる。
以下、本発明による無電解めつき浴の特長を実
施例により説明する。
施例により説明する。
実施例 １
非磁性基板上に下記のめつき浴組成およびめつ
き条件にてCo―Ｐ磁性膜（δ500Å）を形成し
た。
き条件にてCo―Ｐ磁性膜（δ500Å）を形成し
た。
めつき浴組成
硫酸コバルト 0.05mol／
次亜リン酸ナトリウム 0.20mol／
マロン酸ナトリウム 0.50mol／
硫酸アンモニウム 0.50mol／
硫酸銀 ０〜4.65×10-4mol／
めつき条件
浴のPH9.25（25℃の時NH4OHで調節）
浴温 80℃
めつき浴の銀イオン濃度を０から9.3×
10-4mol／まで変化させてHcの値の銀イオン
濃度依存性を調べた結果を第１図に示す。図は横
軸にめつき浴の銀イオン濃度をとり、縦軸にめつ
きされた磁性膜のHcをとつたものである。銀イ
オン濃度が０の時のHcは575エルステツド（Oe）
であり、銀イオン濃度増加にしたがつてHcが減
少した。銀イオン濃度が9.3×10-4mol／では、
Hcが330Oeとなつたが、それ以上の濃度ではめ
つきの析出が抑制された。
10-4mol／まで変化させてHcの値の銀イオン
濃度依存性を調べた結果を第１図に示す。図は横
軸にめつき浴の銀イオン濃度をとり、縦軸にめつ
きされた磁性膜のHcをとつたものである。銀イ
オン濃度が０の時のHcは575エルステツド（Oe）
であり、銀イオン濃度増加にしたがつてHcが減
少した。銀イオン濃度が9.3×10-4mol／では、
Hcが330Oeとなつたが、それ以上の濃度ではめ
つきの析出が抑制された。
この様に微量の銀イオンをめつき浴に加えるこ
とにより得られるHcの値を減少させることがで
きた。
とにより得られるHcの値を減少させることがで
きた。
実施例 ２
非磁性基板上に下記のめつき浴組成及びめつき
条件にてCo―Ni―Ｐ磁性膜（δ500Å）を形成
した。
条件にてCo―Ni―Ｐ磁性膜（δ500Å）を形成
した。
めつき浴組成
硫酸コバルト 0.06mol／
硫酸ニツケル 0.04mol／
次亜リン酸ナトリウム 0.20mol／
硫酸アンモニウム 0.10mol／
マロン酸ナトリウム 0.30mol／
リンゴ酸ナトリウム 0.40mol／
コハク酸ナトリウム 0.50mol／
硫酸銀 ０〜2.8×10-4mol／
めつき条件
浴のPH9.2（25℃の時NH4OHで調節）
浴温 80℃
実施例１と同様にHcの値の銀イオン濃度依存
性を調べた結果を第２図に示す。銀イオン濃度が
０の時のHcは665Oeであり、銀イオン濃度増加
にしたがつてHcが減少した。銀イオン濃度が5.6
×10-4mol／では、Hcが380Oeになつたが、そ
れ以上の濃度ではめつきの析出が抑制された。こ
の様に微量の銀イオンを加えることによりCo―
Ni―Ｐ磁性膜のHcの値を減少させることができ
た。
性を調べた結果を第２図に示す。銀イオン濃度が
０の時のHcは665Oeであり、銀イオン濃度増加
にしたがつてHcが減少した。銀イオン濃度が5.6
×10-4mol／では、Hcが380Oeになつたが、そ
れ以上の濃度ではめつきの析出が抑制された。こ
の様に微量の銀イオンを加えることによりCo―
Ni―Ｐ磁性膜のHcの値を減少させることができ
た。
以上、実施例１、２で示された様に、本発明に
よれば、コバルトイオン、またはコバルトイオン
およびニツケルイオン、これら金属イオンの還元
剤、PH緩衝剤、PH調節剤、前記金属イオンの錯化
剤を含む水溶液に銀イオンを加えることにより、
磁気特性が制御され所要の特性を有する磁性膜が
得られる。
よれば、コバルトイオン、またはコバルトイオン
およびニツケルイオン、これら金属イオンの還元
剤、PH緩衝剤、PH調節剤、前記金属イオンの錯化
剤を含む水溶液に銀イオンを加えることにより、
磁気特性が制御され所要の特性を有する磁性膜が
得られる。
第１図は、実施例１で用いためつき浴における
銀イオン濃度とHcの関係を示す、第２図は実施
例２で用いためつき浴における同様の関係を示す
図である。
銀イオン濃度とHcの関係を示す、第２図は実施
例２で用いためつき浴における同様の関係を示す
図である。
Claims (1)
- １ コバルトイオン、またはコバルトイオンおよ
びニツケルイオン、これら金属イオンの還元剤、
PH緩衝剤、PH調節剤、前記金属イオンの錯化剤を
含む水溶液に銀イオンを加えたことを特徴とする
無電解めつき浴。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14263280A JPS5767157A (en) | 1980-10-13 | 1980-10-13 | Electroless plating bath |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14263280A JPS5767157A (en) | 1980-10-13 | 1980-10-13 | Electroless plating bath |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5767157A JPS5767157A (en) | 1982-04-23 |
| JPH0121228B2 true JPH0121228B2 (ja) | 1989-04-20 |
Family
ID=15319854
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14263280A Granted JPS5767157A (en) | 1980-10-13 | 1980-10-13 | Electroless plating bath |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5767157A (ja) |
-
1980
- 1980-10-13 JP JP14263280A patent/JPS5767157A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5767157A (en) | 1982-04-23 |
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