JPS62130281A - 無電解メツキ浴 - Google Patents
無電解メツキ浴Info
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- JPS62130281A JPS62130281A JP27068985A JP27068985A JPS62130281A JP S62130281 A JPS62130281 A JP S62130281A JP 27068985 A JP27068985 A JP 27068985A JP 27068985 A JP27068985 A JP 27068985A JP S62130281 A JPS62130281 A JP S62130281A
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- plating bath
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/48—Coating with alloys
- C23C18/50—Coating with alloys with alloys based on iron, cobalt or nickel
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
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- C23C18/31—Coating with metals
- C23C18/32—Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron
- C23C18/34—Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron using reducing agents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は磁気記録媒体製造用の無電解メッキ浴に関す
るものである。
るものである。
磁気ディスク装置は、コンピー−ターシステムでの記憶
装置として重要性が年々高まってきており、その小型低
価格化を目標として磁気記録媒体の高記録密度化が要望
されている。メッキ技術を用いた磁気記録媒体は高密度
記録媒体として注目を集め精力的に研究開発が進められ
ている。
装置として重要性が年々高まってきており、その小型低
価格化を目標として磁気記録媒体の高記録密度化が要望
されている。メッキ技術を用いた磁気記録媒体は高密度
記録媒体として注目を集め精力的に研究開発が進められ
ている。
磁気ディスクを高記録密度化するためには、磁性膜の保
持力（Ｈｃ）を大きくすること、角型比（Ｂｒ／Ｂｓ）
を１、Ｏに近くすること、簿膜化すること、薄膜化に伴
なう出力の低下を補なうため残留磁束密度（Ｂｒ ）を
増すことが必要である。無電解メッキ法はこれらの条件
をみだすコバルト合金磁性膜を均一の厚さに多量生産す
ることができる手段として広く利用されている。たとえ
ば、コバルトイオン、ニッケルイオン、これらの金属イ
オンの還元剤、ｐＨ緩衝剤を溶解した公知の水溶液に錯
化剤として、リンゴ酸塩、コハク酸塩、マロン酸塩の３
種類（金属表面技術Ｖｏｌ ３３−４９．１９８２ ）
、或いは、リンゴ酸塩、コハク酸塩の２種類（特開昭５
５−９４４６８）を添加した無電解メッキ浴が発表され
ている。
持力（Ｈｃ）を大きくすること、角型比（Ｂｒ／Ｂｓ）
を１、Ｏに近くすること、簿膜化すること、薄膜化に伴
なう出力の低下を補なうため残留磁束密度（Ｂｒ ）を
増すことが必要である。無電解メッキ法はこれらの条件
をみだすコバルト合金磁性膜を均一の厚さに多量生産す
ることができる手段として広く利用されている。たとえ
ば、コバルトイオン、ニッケルイオン、これらの金属イ
オンの還元剤、ｐＨ緩衝剤を溶解した公知の水溶液に錯
化剤として、リンゴ酸塩、コハク酸塩、マロン酸塩の３
種類（金属表面技術Ｖｏｌ ３３−４９．１９８２ ）
、或いは、リンゴ酸塩、コハク酸塩の２種類（特開昭５
５−９４４６８）を添加した無電解メッキ浴が発表され
ている。
ところで上記の公知の無電解メッキ浴を用いることによ
り得られる磁性膜の特性は、Ｈｃ：６００〜６５００ｅ
で未だ満足なものではなかった。そのため、さらにＨｅ
、 Ｂｒ ／ Ｂｓ等が高く、管理容易な無電解メッ
キ浴が求められている。
り得られる磁性膜の特性は、Ｈｃ：６００〜６５００ｅ
で未だ満足なものではなかった。そのため、さらにＨｅ
、 Ｂｒ ／ Ｂｓ等が高く、管理容易な無電解メッ
キ浴が求められている。
本発明は、上記の事情に鑑み、コ・ぐルトイオン、ニッ
ケルイオン、これらの金属イオンの還元剤、錯化剤を含
む水溶液にさらにモノエタノールアミンを添加すること
により、磁性膜のＨｅを向上させることのできる無電解
メッキを提供することにある。
ケルイオン、これらの金属イオンの還元剤、錯化剤を含
む水溶液にさらにモノエタノールアミンを添加すること
により、磁性膜のＨｅを向上させることのできる無電解
メッキを提供することにある。
本発明者等は、上記の問題点を解決すべく鋭意研究した
結果、優れた特性の磁性膜が安定して得られる添加剤を
発見するに至った。
結果、優れた特性の磁性膜が安定して得られる添加剤を
発見するに至った。
本発明は上記の発見に基づいてなされたもので、ソ（７
）要旨ハ、コバルトイオン、ニッケルイオン、これらの
金属の還元剤、ｐＨ緩衝剤、および所定のＰＨに保持す
るＰＨ調整剤、前記金属イオンの錯化剤を含む水溶液に
モノエタノールアミンを加えた無電解メッキ浴にある。
）要旨ハ、コバルトイオン、ニッケルイオン、これらの
金属の還元剤、ｐＨ緩衝剤、および所定のＰＨに保持す
るＰＨ調整剤、前記金属イオンの錯化剤を含む水溶液に
モノエタノールアミンを加えた無電解メッキ浴にある。
本発明で使用するモノエタノールアミンとは構造式Ｈ２
ＮＣＨ２ＣＨ２０Ｈを有する無色の塩基性粘稠液で安価
に得られるＮ配位の錯化剤の１つである。
ＮＣＨ２ＣＨ２０Ｈを有する無色の塩基性粘稠液で安価
に得られるＮ配位の錯化剤の１つである。
アミノアルコールには多種あるが、実験を重ねた結果、
モノエタノールアミンが有効であることが判明した。た
とえば第１図、第２図はコバルトイオンおよびニッケル
イオンを含むメッキ浴にモノエタノールアミンを添加し
た場合であるが、この場合、モノエタノールアミンの添
加とともにＨｅは増大する。一方第３図、第４図はジェ
タノールアミン（構造式ＨＮ（ＣＨ２ＣＨ２０Ｈ）２）
、トリエタノールアミン（構造式Ｎ（ＣＨ２ＣＨ２０Ｈ
）３）を（実施例１の）メッキ浴に添加した場合である
が、この場合、ジェタノールアミンの添加とともにＨｅ
はかえって減少する。
モノエタノールアミンが有効であることが判明した。た
とえば第１図、第２図はコバルトイオンおよびニッケル
イオンを含むメッキ浴にモノエタノールアミンを添加し
た場合であるが、この場合、モノエタノールアミンの添
加とともにＨｅは増大する。一方第３図、第４図はジェ
タノールアミン（構造式ＨＮ（ＣＨ２ＣＨ２０Ｈ）２）
、トリエタノールアミン（構造式Ｎ（ＣＨ２ＣＨ２０Ｈ
）３）を（実施例１の）メッキ浴に添加した場合である
が、この場合、ジェタノールアミンの添加とともにＨｅ
はかえって減少する。
モノエタノールアミンの添加量としては、最高０、３
ｍａｔ ／ ｌでＨｅの上幅したい幅にあわせて任意に
添加する。たとえば、実施例のメッキ浴の場合、Ｈｅを
８０００ｅにしたい場合は、モノエタノールアミンを０
．１Ｍ添加するとよい。あまシ多量に添加すると−が管
理幅より高くなり粘度が上昇する。
ｍａｔ ／ ｌでＨｅの上幅したい幅にあわせて任意に
添加する。たとえば、実施例のメッキ浴の場合、Ｈｅを
８０００ｅにしたい場合は、モノエタノールアミンを０
．１Ｍ添加するとよい。あまシ多量に添加すると−が管
理幅より高くなり粘度が上昇する。
そのため新たにメッキ浴の安定性、磁気特性のディスク
面でのバラツキなど新だな問題が生ずる。
面でのバラツキなど新だな問題が生ずる。
この場合、浴のＰＨは９〜１０程度に保つのが好ましい
。
。
また浴温は７５−８５℃で良い。
その他は通常行なわれている無電解メッキ操作に従えば
良い。
良い。
無電解メッキ法において、モノエタノールアミンはＨｃ
を増加させる傾向があシ、その増加量は、モノエタノー
ルアミン濃度とともに増大する傾向が見いだされた。し
だがって、磁性膜のＨｅを増加させたい場合、メッキ浴
に適当量のモノエタノールアミンを添加することにより
、Ｈｅを目標とする値に増加させることができる。
を増加させる傾向があシ、その増加量は、モノエタノー
ルアミン濃度とともに増大する傾向が見いだされた。し
だがって、磁性膜のＨｅを増加させたい場合、メッキ浴
に適当量のモノエタノールアミンを添加することにより
、Ｈｅを目標とする値に増加させることができる。
次に実施例をあげて本発明を説明する。
〈実施例１〉
メッキ浴組成 （単位ｍｏｌ／ＩＩ ）硫酸
コバルト ０．０３硫酸ニツケル
０．０２酒石酸ナトリウム ０．
２ リンコ９酸ナトリウム ０．４グリシン
０．２ 次亜リン酸ナトリウム ０．２ 硫酸ナトリウム ０．１ モノエタノールアミン Ｏ〜０．２メッキ条件 メッキ浴ｐＨ９，４〜９．６ （ＮａＯＨでｐ” Ａ
整）メッキ浴温度 ２８０℃ 基板として非磁性体であるＡｔ板に非磁性Ｎｉｐミルメ
ッキし鏡面研摩して用い、上記のメッキ浴ならびに条件
で浸漬し、厚さ７００Ｘの磁性メッキをした。第１図に
、メッキ浴のモノエタノールアミンの濃度をＯ〜０．２
ｍｏｔ／ ｌまで変化させて、ＨｅおよびＢｒ／Ｂｓ
の値のモノエタノールアミン濃度依存性を示す。
コバルト ０．０３硫酸ニツケル
０．０２酒石酸ナトリウム ０．
２ リンコ９酸ナトリウム ０．４グリシン
０．２ 次亜リン酸ナトリウム ０．２ 硫酸ナトリウム ０．１ モノエタノールアミン Ｏ〜０．２メッキ条件 メッキ浴ｐＨ９，４〜９．６ （ＮａＯＨでｐ” Ａ
整）メッキ浴温度 ２８０℃ 基板として非磁性体であるＡｔ板に非磁性Ｎｉｐミルメ
ッキし鏡面研摩して用い、上記のメッキ浴ならびに条件
で浸漬し、厚さ７００Ｘの磁性メッキをした。第１図に
、メッキ浴のモノエタノールアミンの濃度をＯ〜０．２
ｍｏｔ／ ｌまで変化させて、ＨｅおよびＢｒ／Ｂｓ
の値のモノエタノールアミン濃度依存性を示す。
モノエタノールアミンの濃度がＯのときのＨｃは５８０
０ｅでアリ、モノエタノールアミン濃度増加にしたがっ
てＨｅが増大し、モノエタノールアミン濃度０．２Ｍで
１０６０６ｅに達した。まだ、Ｂｒ／Ｂｓは、モノエタ
ノールアミン濃度に無関係で０．８５であった。
０ｅでアリ、モノエタノールアミン濃度増加にしたがっ
てＨｅが増大し、モノエタノールアミン濃度０．２Ｍで
１０６０６ｅに達した。まだ、Ｂｒ／Ｂｓは、モノエタ
ノールアミン濃度に無関係で０．８５であった。
モノエタノールアミン０．２Ｍのとき、８０℃で４日経
過しても、ｐＨが変化したシ、分解したりすることはな
く、磁性膜の特性は８２０６ｅ Ｂｒ ／ Ｂｓ０１８
４となりＨｅ 、 Ｂｒ ／ Ｂｓの値は許容範囲に保
つことができた。
過しても、ｐＨが変化したシ、分解したりすることはな
く、磁性膜の特性は８２０６ｅ Ｂｒ ／ Ｂｓ０１８
４となりＨｅ 、 Ｂｒ ／ Ｂｓの値は許容範囲に保
つことができた。
〈実施例２〉
メッキ浴組成 （単位ｍｏｔ／ｌ）硫酸コバ
ルト ０．０３硫酸ニツケル
０．０２マロン酸ナトリウム ０．２ リンゴ酸ナトリウム ０．４ グリシン ０・２ 次亜リン酸ナトリウム ０．２ 硫酸ナトリウム ０．１ モノエタノールアミン ０〜０．２メッキ条件 メッキ浴ｐＨ９，４〜９．６ （ＮａＯＨでＰＨ調整
）メッキ浴温度 上８０℃ 実施例１において酒石酸ナトリウムに代えてマロン酸す
） ＩＪウムを使用した以外は実施例１と同様にメッキ
した場合のＨｅの値のモノエタノールアミン濃度依存性
を第２図に示す。
ルト ０．０３硫酸ニツケル
０．０２マロン酸ナトリウム ０．２ リンゴ酸ナトリウム ０．４ グリシン ０・２ 次亜リン酸ナトリウム ０．２ 硫酸ナトリウム ０．１ モノエタノールアミン ０〜０．２メッキ条件 メッキ浴ｐＨ９，４〜９．６ （ＮａＯＨでＰＨ調整
）メッキ浴温度 上８０℃ 実施例１において酒石酸ナトリウムに代えてマロン酸す
） ＩＪウムを使用した以外は実施例１と同様にメッキ
した場合のＨｅの値のモノエタノールアミン濃度依存性
を第２図に示す。
モノエタノールアミン濃度が０の時のＨｃハ４０００ｅ
でありモノエタノールアミンの増大にしたがってＨｅが
増大し、モノエタノールアミンの濃度が０．２Ｍで９０
００ｅに達した。
でありモノエタノールアミンの増大にしたがってＨｅが
増大し、モノエタノールアミンの濃度が０．２Ｍで９０
００ｅに達した。
以上述べたように、本発明に係る無電解磁性メッキ浴へ
のモノエタノールアミンの添加は、磁性膜のＨｅを増加
させる効果がある。
のモノエタノールアミンの添加は、磁性膜のＨｅを増加
させる効果がある。
・第１図、第２図は、本発明に係るモノエタノールアミ
ンの添加効果を示す図で、第１図は、実施例１に示すメ
ッキ浴におけるモノエタノールアミン濃度とＨｅ 、
Ｂｒ ／ Ｂｓの関係を示す図、第２図は実施例２に示
すメッキ浴における同じ関係を示す図である。第３図お
よび第４図は比較実験の結果を示す図であって第３図は
実施例１においてモノエタノールアミンの代わりにジェ
タノールアミンを使用した場合、第４図は同じくトリエ
タノールアミンを使用した場合の結果を示す。 第１図 モノエタノールアミンＸ度 ［１■μ］第２図 モノエタノールアミン濃度 ［ｍｏＮ／１］第３図 ジェタノールアミン濃度 ＣｔｎｏＱ／１ ）第４図 トリエタノールアミシ濃度 ＣＴｎｏ１／１）メッキ浴
は（実施例す
ンの添加効果を示す図で、第１図は、実施例１に示すメ
ッキ浴におけるモノエタノールアミン濃度とＨｅ 、
Ｂｒ ／ Ｂｓの関係を示す図、第２図は実施例２に示
すメッキ浴における同じ関係を示す図である。第３図お
よび第４図は比較実験の結果を示す図であって第３図は
実施例１においてモノエタノールアミンの代わりにジェ
タノールアミンを使用した場合、第４図は同じくトリエ
タノールアミンを使用した場合の結果を示す。 第１図 モノエタノールアミンＸ度 ［１■μ］第２図 モノエタノールアミン濃度 ［ｍｏＮ／１］第３図 ジェタノールアミン濃度 ＣｔｎｏＱ／１ ）第４図 トリエタノールアミシ濃度 ＣＴｎｏ１／１）メッキ浴
は（実施例す
Claims (1)
- コバルトイオン、またはコバルトイオンおよびニッケル
イオン、これら金属イオンの還元剤、ｐＨ緩衝剤、ｐＨ
調節剤、前記金属イオンの錯化剤を含む水溶液であって
、さらにモノエタノールアミンを含むことを特徴とする
無電解メッキ浴。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27068985A JPS62130281A (ja) | 1985-12-03 | 1985-12-03 | 無電解メツキ浴 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27068985A JPS62130281A (ja) | 1985-12-03 | 1985-12-03 | 無電解メツキ浴 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62130281A true JPS62130281A (ja) | 1987-06-12 |
Family
ID=17489579
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27068985A Pending JPS62130281A (ja) | 1985-12-03 | 1985-12-03 | 無電解メツキ浴 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62130281A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008185197A (ja) * | 2007-01-31 | 2008-08-14 | Mirai Ind Co Ltd | 管固定具、その管固定具を用いた管固定構造および管固定方法 |
| JP2008291878A (ja) * | 2007-05-23 | 2008-12-04 | Sekisui House Ltd | 貫通配管具 |
-
1985
- 1985-12-03 JP JP27068985A patent/JPS62130281A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008185197A (ja) * | 2007-01-31 | 2008-08-14 | Mirai Ind Co Ltd | 管固定具、その管固定具を用いた管固定構造および管固定方法 |
| JP2008291878A (ja) * | 2007-05-23 | 2008-12-04 | Sekisui House Ltd | 貫通配管具 |
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