JPS6338431B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6338431B2 JPS6338431B2 JP14263080A JP14263080A JPS6338431B2 JP S6338431 B2 JPS6338431 B2 JP S6338431B2 JP 14263080 A JP14263080 A JP 14263080A JP 14263080 A JP14263080 A JP 14263080A JP S6338431 B2 JPS6338431 B2 JP S6338431B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- ions
- bath
- plating bath
- manganese
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Chemically Coating (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気デイスク等の磁気記録体に用いら
れる磁気記憶媒体（磁性膜）を作製する無電解め
つき浴に関するものである。
れる磁気記憶媒体（磁性膜）を作製する無電解め
つき浴に関するものである。
近年、高密度磁気記録体として、記憶媒体がめ
つき法により作製されためつき磁気デイスク等が
用いられ始めた。磁気記録装置は記録再生ヘツド
および記憶媒体の主構成部から構成され、要求さ
れる記録密度、記録再生速度などにより使用され
るヘツドの性能および記憶媒体の特性が決定され
る。記録密度及び出力は同一ヘツドを用いる場
合、記録媒体の磁気特性（保磁力（Hc）、残留磁
束密度（Br））と膜厚（δ）により決まり、次の
様な関係がある。
つき法により作製されためつき磁気デイスク等が
用いられ始めた。磁気記録装置は記録再生ヘツド
および記憶媒体の主構成部から構成され、要求さ
れる記録密度、記録再生速度などにより使用され
るヘツドの性能および記憶媒体の特性が決定され
る。記録密度及び出力は同一ヘツドを用いる場
合、記録媒体の磁気特性（保磁力（Hc）、残留磁
束密度（Br））と膜厚（δ）により決まり、次の
様な関係がある。
（記録密度）∝（Hc／Br・δ）１／２ (1)
（出力）∝（Br・δ・Hc）１／２ (2)
従つて要求される記録密度及び出力に適する磁
性膜を得るためには磁性膜の磁気特性及び膜厚を
一定の許容されうる範囲内に保つ必要がある。
性膜を得るためには磁性膜の磁気特性及び膜厚を
一定の許容されうる範囲内に保つ必要がある。
ところが無電解めつき法を用いて磁性膜を作製
する場合、ある一定組成で調製した無電解めつき
浴より得られる磁性膜の磁気特性を変化させるこ
とは容易でない。電気めつき法の場合は電流密度
を変えることにより得られる磁気特性を容易に変
化させることができるが、無電解めつき法では浴
のPH、浴温などのめつき条件を大幅に変動させる
操作が必要であり、これらの操作は浴寿命の低
下、作業性の低下などを伴うことが多く実用上問
題がある。従つて所要の磁気特性の磁性膜を得る
にはその特性に応じて別個の無電解めつき浴を開
発しなければならないという問題があつた。
する場合、ある一定組成で調製した無電解めつき
浴より得られる磁性膜の磁気特性を変化させるこ
とは容易でない。電気めつき法の場合は電流密度
を変えることにより得られる磁気特性を容易に変
化させることができるが、無電解めつき法では浴
のPH、浴温などのめつき条件を大幅に変動させる
操作が必要であり、これらの操作は浴寿命の低
下、作業性の低下などを伴うことが多く実用上問
題がある。従つて所要の磁気特性の磁性膜を得る
にはその特性に応じて別個の無電解めつき浴を開
発しなければならないという問題があつた。
本発明の目的は、これらの問題点を改善して無
電解めつき浴にマンガンイオンを加えることによ
り磁気特性を制御して所要の特性を有する磁性膜
を得ることのできる無電解めつき浴を提供するこ
とにある。
電解めつき浴にマンガンイオンを加えることによ
り磁気特性を制御して所要の特性を有する磁性膜
を得ることのできる無電解めつき浴を提供するこ
とにある。
本発明による無電解めつき浴は、コバルトイオ
ン、またはコバルトイオンおよびニツケルイオ
ン、これら金属イオンの還元剤、PH緩衝剤、PH調
節剤、前記金属イオンの錯化剤としてマロン酸基
を少なくとも含む水溶液にマンガンイオンを加え
ることを特徴としており、これにより磁気特性が
制御され所要の特性を有する磁性膜が得られる。
ン、またはコバルトイオンおよびニツケルイオ
ン、これら金属イオンの還元剤、PH緩衝剤、PH調
節剤、前記金属イオンの錯化剤としてマロン酸基
を少なくとも含む水溶液にマンガンイオンを加え
ることを特徴としており、これにより磁気特性が
制御され所要の特性を有する磁性膜が得られる。
以下、本発明による無電解めつき浴の特長を実
施例により説明する。
施例により説明する。
実施例 １
非磁性基板上に下記のめつき浴組成およびめつ
き条件にてCo―Ｐ磁性膜（δ500Å）を形成し
た。
き条件にてCo―Ｐ磁性膜（δ500Å）を形成し
た。
めつき浴組成
硫酸コバルト 0.05mol／
次亜リン酸ナトリウム 0.20mol／
マロン酸ナトリウム 0.50mol／
硫酸アンモニウム 0.50mol／
塩化マンガン ０〜1.1×10-2mol／
めつき条件
浴のPH9.15（25℃の時NH4OHで調節）
浴温 80℃
めつき浴のマンガンイオン濃度を０から1.1×
10-2mol／まで変化させてHcの値のマンガン
イオン濃度依存性を調べた結果を第１図に示す。
図は横軸にめつき浴のマンガンイオン濃度をと
り、縦軸にめつきされた磁性膜のHcをとつたも
のである。マンガンイオン濃度が０の時のHcは
540エルステツド（Oe）であり、マンガンイオン
濃度増加にしたがつてHcが減少した。マンガン
イオン濃度が1.1×10-2mol／ではHcが390Oe
となつたが、それ以上の濃度ではめつきの析出が
抑制された。
10-2mol／まで変化させてHcの値のマンガン
イオン濃度依存性を調べた結果を第１図に示す。
図は横軸にめつき浴のマンガンイオン濃度をと
り、縦軸にめつきされた磁性膜のHcをとつたも
のである。マンガンイオン濃度が０の時のHcは
540エルステツド（Oe）であり、マンガンイオン
濃度増加にしたがつてHcが減少した。マンガン
イオン濃度が1.1×10-2mol／ではHcが390Oe
となつたが、それ以上の濃度ではめつきの析出が
抑制された。
この様に微量のマンガンイオンをめつき浴に加
えることにより得られるHcの値を減少させるこ
とができた。
えることにより得られるHcの値を減少させるこ
とができた。
実施例 ２
非磁性基板上に下記のめつき浴組成及びめつき
条件にてCo―Ni―Ｐ磁性膜（δ500Å）を形成
した。
条件にてCo―Ni―Ｐ磁性膜（δ500Å）を形成
した。
めつき浴組成
硫酸コバルト 0.06mol／
硫酸ニツケル 0.04mol／
次亜リン酸ナトリウム 0.20mol／
硫酸アンモニウム 0.10mol／
マロン酸ナトリウム 0.30mol／
リンゴ酸ナトリウム 0.40mol／
コハク酸ナトリウム 0.50mol／
塩化マンガン ０〜1.8×10-2mol／
めつき条件
浴のPH9.0（25℃の時NH4OHで調節）
浴温 80℃
実施例１と同様にHcの値のマンガンイオン濃
度依存性を調べた結果を第２図に示す。マンガン
イオン濃度が０の時のHcは610Oeであり、マン
ガンイオン濃度増加にしたがつてHcが減少した。
マンガンイオン濃度が1.8×10-2mol／では、
Hcが450Oeになつたが、それ以上の濃度ではめ
つきの析出が抑制された。この様に微量のマンガ
ンイオンを加えることによりCo―Ni―Ｐ磁性膜
のHcの値を減少させることができた。
度依存性を調べた結果を第２図に示す。マンガン
イオン濃度が０の時のHcは610Oeであり、マン
ガンイオン濃度増加にしたがつてHcが減少した。
マンガンイオン濃度が1.8×10-2mol／では、
Hcが450Oeになつたが、それ以上の濃度ではめ
つきの析出が抑制された。この様に微量のマンガ
ンイオンを加えることによりCo―Ni―Ｐ磁性膜
のHcの値を減少させることができた。
以上実施例１、２で示された様に、本発明によ
れば、コバルトイオン、またはコバルトイオンお
よびニツケルイオン、これら金属イオンの還元
剤、PH緩衝剤、PH調節剤、前記金属イオンの錯化
剤としてマロン酸基を少なくとも含む水溶液にマ
ンガンイオンを加えることにより、磁気特性が制
御され所要の特性を有する磁性膜が得られる。
れば、コバルトイオン、またはコバルトイオンお
よびニツケルイオン、これら金属イオンの還元
剤、PH緩衝剤、PH調節剤、前記金属イオンの錯化
剤としてマロン酸基を少なくとも含む水溶液にマ
ンガンイオンを加えることにより、磁気特性が制
御され所要の特性を有する磁性膜が得られる。
第１図は、実施例１で用いためつき浴における
マンガンイオン濃度とHcの関係を示す図、第２
図は実施例２で用いためつき浴における同様の関
係を示す図である。
マンガンイオン濃度とHcの関係を示す図、第２
図は実施例２で用いためつき浴における同様の関
係を示す図である。
Claims (1)
- １ コバルトイオン、またはコバルトイオンおよ
びニツケルイオン、これら金属イオンの還元剤、
PH緩衝剤、PH調節剤、前記金属イオンの錯化剤と
してマロン酸基を少なくとも含む水溶液にマンガ
ンイオンを加え、磁気デイスクの磁気記録媒体
（磁性膜）を作製するために用いることを特徴と
する無電解めつき浴。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14263080A JPS5767155A (en) | 1980-10-13 | 1980-10-13 | Electroless plating bath |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14263080A JPS5767155A (en) | 1980-10-13 | 1980-10-13 | Electroless plating bath |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5767155A JPS5767155A (en) | 1982-04-23 |
| JPS6338431B2 true JPS6338431B2 (ja) | 1988-07-29 |
Family
ID=15319801
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14263080A Granted JPS5767155A (en) | 1980-10-13 | 1980-10-13 | Electroless plating bath |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5767155A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02149676A (ja) * | 1988-11-30 | 1990-06-08 | Univ Waseda | 無電解めっき浴 |
-
1980
- 1980-10-13 JP JP14263080A patent/JPS5767155A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5767155A (en) | 1982-04-23 |
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