JPH01213899A - データ保存方式 - Google Patents
データ保存方式Info
- Publication number
- JPH01213899A JPH01213899A JP63040459A JP4045988A JPH01213899A JP H01213899 A JPH01213899 A JP H01213899A JP 63040459 A JP63040459 A JP 63040459A JP 4045988 A JP4045988 A JP 4045988A JP H01213899 A JPH01213899 A JP H01213899A
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- Japan
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- 238000013500 data storage Methods 0.000 claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 239000003755 preservative agent Substances 0.000 abstract 2
- 230000002335 preservative effect Effects 0.000 abstract 2
- 101100524639 Toxoplasma gondii ROM3 gene Proteins 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、電気的に書換え可能な不揮発性メモリを用い
たデータ保存方式に関するものである。
たデータ保存方式に関するものである。
（従来の技術）
従来、更新を頻繁に行う必要のあるデータの保存にはＲ
ＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ ＡｃｃｅｓｓＭｅｍｏｒｙ）を
使用し、電源のオフ時には、前記ＲＡＭに電池を使用し
て電源を供給する方式と。
ＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ ＡｃｃｅｓｓＭｅｍｏｒｙ）を
使用し、電源のオフ時には、前記ＲＡＭに電池を使用し
て電源を供給する方式と。
電気的に書換え可能な不揮発性メモリ、例えばＥＥＰＲ
ＯＭ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｅｒａｓａｂｌｅ
ａｎｄ ＰｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅＲＯＭ）を使
用し電源を切った状態でもデータを保存できるようにし
た方式とが知られている。
ＯＭ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｅｒａｓａｂｌｅ
ａｎｄ ＰｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅＲＯＭ）を使
用し電源を切った状態でもデータを保存できるようにし
た方式とが知られている。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、前者の方式では電池による電源供給時間
には限界があるため、電源供給時間を延長するためには
電池の数を増すか又は容量の大きい電池を使用しなけれ
ばならず、電池の実装スペースが大きくなるとともに実
装作業の自動化が困難になり、さらにコストが割高にな
るという問題点があった。後者の方式におけるＥＥＦＲ
ＯＭはＲＡＭと異なりメモリの書換え回数に制限がある
ため、データの更新を頻繁に行う必要のあるデータを保
存した場合、ＲＡＭをアクセスするのと同様にＥＥＦＲ
ＯＭをアクセスすると、たちまちＥＥ Ｐ ＲＯＭの書
換え可能回数を越えてしまい保存データは信頼性のない
データになってしまう。また、保存データの信頼性を考
慮するとＥＥＦＲＯＭの使用寿命を短期間に設定しなけ
ればならないという問題点があった。
には限界があるため、電源供給時間を延長するためには
電池の数を増すか又は容量の大きい電池を使用しなけれ
ばならず、電池の実装スペースが大きくなるとともに実
装作業の自動化が困難になり、さらにコストが割高にな
るという問題点があった。後者の方式におけるＥＥＦＲ
ＯＭはＲＡＭと異なりメモリの書換え回数に制限がある
ため、データの更新を頻繁に行う必要のあるデータを保
存した場合、ＲＡＭをアクセスするのと同様にＥＥＦＲ
ＯＭをアクセスすると、たちまちＥＥ Ｐ ＲＯＭの書
換え可能回数を越えてしまい保存データは信頼性のない
データになってしまう。また、保存データの信頼性を考
慮するとＥＥＦＲＯＭの使用寿命を短期間に設定しなけ
ればならないという問題点があった。
本発明の目的は上記問題点に鑑み、電気的に書換え可能
な不揮発性メモリを用いたデータ保存方式において、保
存データの信頼性を高めると共にメモリの使用寿命を延
長することを可能にしたデータ保存方式を提供すること
にある。
な不揮発性メモリを用いたデータ保存方式において、保
存データの信頼性を高めると共にメモリの使用寿命を延
長することを可能にしたデータ保存方式を提供すること
にある。
（課題を解決するための手段）
上記の目的を達成するために、電気的に書換え可能な不
揮発性メモリを用い、該メモリのデータ保存アドレス領
域を所定範囲毎に区画し、該区画した領域の内の一つを
保存領域として保存データと前記保存領域の書換え回数
とを該保存領域に書込み、該保存データに変更が生じた
とき、前記保存領域の書換え回数と保存データとを更新
した書換え回数と保存データとに書換えると共に、前記
保存領域の書換え回数が前記メモリの書換え可能回数に
達したときに、前記区画領域の他の区画領域を新たな保
存領域としてデータを保存するようにしたものである。
揮発性メモリを用い、該メモリのデータ保存アドレス領
域を所定範囲毎に区画し、該区画した領域の内の一つを
保存領域として保存データと前記保存領域の書換え回数
とを該保存領域に書込み、該保存データに変更が生じた
とき、前記保存領域の書換え回数と保存データとを更新
した書換え回数と保存データとに書換えると共に、前記
保存領域の書換え回数が前記メモリの書換え可能回数に
達したときに、前記区画領域の他の区画領域を新たな保
存領域としてデータを保存するようにしたものである。
（作用）
本発明によれば、データ保存領域の書換え回数と保存デ
ータとを格納するのに必要なメモリアドレス範囲毎にメ
モリアドレス領域を区画し、該区画されたアドレス領域
の一つが保存領域とされてデータの保存および保存デー
タの書換えが行われ。
ータとを格納するのに必要なメモリアドレス範囲毎にメ
モリアドレス領域を区画し、該区画されたアドレス領域
の一つが保存領域とされてデータの保存および保存デー
タの書換えが行われ。
該保存領域の書換え回数がメモリの書換え可能回数に達
したときに、前記区画されたアドレス領域の内で保存領
域として使用されてない区画領域を新たな保存領域とし
てデータの保存が行われる。
したときに、前記区画されたアドレス領域の内で保存領
域として使用されてない区画領域を新たな保存領域とし
てデータの保存が行われる。
（実施例）
以下に本発明のデータ保存方式の一実施例を図面に基づ
いて説明する。
いて説明する。
第１図は本発明のデータ保存方式の一実施例を示すブロ
ック図であり、１はマイクロプロセッサ。
ック図であり、１はマイクロプロセッサ。
２はデータ保存処理のプログラムが記憶されているＲＯ
Ｍ、３はデータを保存するためのデータ容量２Ｎバイト
のＥ Ｅ Ｐ ＲＯＭである。マイクロプロセッサ１の
アドレスバスＡＤＢＵＳはＥＥＰＲＯＭ ３のアドレス
端子に接続されており、マイクロプロセッサ１のデータ
バスＤＢＵＳはＥＥＦＲＯＭ３のＩ１０端子に接続され
ている。外部回路（図示せず）において保存データに変
更を生じたとき、マイクロプロセッサ１は前記外部回路
から更新した保存データＢＤと割込み信号ＩＮＴを入力
し、ＥＥＦＲＯＭ３に対して書換え回数を保存しておく
保存領域のアドレスをアドレスバスＡＤＢＵＳに出力す
るとともにデータ読出し信号ＲＤを出力し、ＥＥＦＲＯ
Ｍ３の保存領域に格納されている保存領域の書換え回数
を読出す。さらに。
Ｍ、３はデータを保存するためのデータ容量２Ｎバイト
のＥ Ｅ Ｐ ＲＯＭである。マイクロプロセッサ１の
アドレスバスＡＤＢＵＳはＥＥＰＲＯＭ ３のアドレス
端子に接続されており、マイクロプロセッサ１のデータ
バスＤＢＵＳはＥＥＦＲＯＭ３のＩ１０端子に接続され
ている。外部回路（図示せず）において保存データに変
更を生じたとき、マイクロプロセッサ１は前記外部回路
から更新した保存データＢＤと割込み信号ＩＮＴを入力
し、ＥＥＦＲＯＭ３に対して書換え回数を保存しておく
保存領域のアドレスをアドレスバスＡＤＢＵＳに出力す
るとともにデータ読出し信号ＲＤを出力し、ＥＥＦＲＯ
Ｍ３の保存領域に格納されている保存領域の書換え回数
を読出す。さらに。
マイクロプロセッサ１は、前記読出した書換え回数を＋
１更新し、データバスＤＢＵＳに前記更新した書換え回
数を出力し、且つアドレスバスＡＤＢＵＳに前記書換え
回数を保存しておく保存領域のアドレスを出力するとと
もにデータ書込み信号ＷＲを出力して保存領域に該保存
領域の書換え回数を格納する。さらに、マイクロプロセ
ッサ１はアドレスバスＡＤＢＵＳに保存データを保存し
ておく保存領域のアドレスを出力し、且つデータバスＤ
ＢＵＳに前記更新した保存データＢＤを出力するととも
にデータ書込み信号ＷＲを出力して保存領域に保存デー
タを格納し、保存データの更新を終了する。
１更新し、データバスＤＢＵＳに前記更新した書換え回
数を出力し、且つアドレスバスＡＤＢＵＳに前記書換え
回数を保存しておく保存領域のアドレスを出力するとと
もにデータ書込み信号ＷＲを出力して保存領域に該保存
領域の書換え回数を格納する。さらに、マイクロプロセ
ッサ１はアドレスバスＡＤＢＵＳに保存データを保存し
ておく保存領域のアドレスを出力し、且つデータバスＤ
ＢＵＳに前記更新した保存データＢＤを出力するととも
にデータ書込み信号ＷＲを出力して保存領域に保存デー
タを格納し、保存データの更新を終了する。
第２図は本発明の一実施例におけるＥＥＦＲＯＭ３のデ
ータ保存アドレス領域の区画図であり。
ータ保存アドレス領域の区画図であり。
データ容量２バイト毎に区画されている。第３図は本発
明の一実施例におけるＥＥＦＲＯＭＢへのデータ保存手
順を示すフローチャートである。尚。
明の一実施例におけるＥＥＦＲＯＭＢへのデータ保存手
順を示すフローチャートである。尚。
第３図中の５ｔ−３１７はフローチャートの各ステップ
を示す。
を示す。
第２図乃至第３図において、ＣＮＴはＥＥＦＲＯＭ３の
保存領域への書換え回数カウンタ、 ＢＤは保存デー
タであり、Ｐは保存データを格納するＥＥＰＲＯＭのア
ドレスポインタ、Ｐｓはデータ保存アドレス領域の先頭
アドレス、（Ｐ）はＰの内容によって示されるアドレス
のメモリに格納されている内容、ＷｍａｘはＥＥＦＲＯ
Ｍ３の書換え可能回数 ２Ｎはデータ保存アドレス領域
のデータ容量を示す。
保存領域への書換え回数カウンタ、 ＢＤは保存デー
タであり、Ｐは保存データを格納するＥＥＰＲＯＭのア
ドレスポインタ、Ｐｓはデータ保存アドレス領域の先頭
アドレス、（Ｐ）はＰの内容によって示されるアドレス
のメモリに格納されている内容、ＷｍａｘはＥＥＦＲＯ
Ｍ３の書換え可能回数 ２Ｎはデータ保存アドレス領域
のデータ容量を示す。
次に、第１図乃至第３図に基づいて前述の一実施例の詳
細なデータ保存手順を説明する。
細なデータ保存手順を説明する。
まず、保存データを格納するＥＥＦＲＯＭ３のアドレス
ポインタ（以下Ｐと呼ぶ）の内容をデータ保存アドレス
領域の先頭アドレス（以下Ｐｓと呼ぶ）にしくステップ
Ｓ １）、ＥＥＦＲＯＭ３の保存領域への書換え回数
カウンタ（以下ＣＮＴと呼ぶ）の値を１にする（ステッ
プＳ２）。
ポインタ（以下Ｐと呼ぶ）の内容をデータ保存アドレス
領域の先頭アドレス（以下Ｐｓと呼ぶ）にしくステップ
Ｓ １）、ＥＥＦＲＯＭ３の保存領域への書換え回数
カウンタ（以下ＣＮＴと呼ぶ）の値を１にする（ステッ
プＳ２）。
次に、Ｐの内容によって示されるアドレスのメモリの内
容（以下（Ｐ）と呼ぶ）をＣＮＴの値に書換えることに
より保存領域の書換え回数を格納しくステップＳ３）、
Ｐの内容をＰ＋１にし、すなわちアドレスポインタＰの
内容をＰｓ＋１にする（ステップＳ ４）。（Ｐ）を
保存データ（以下ＢＤと呼ぶ）に書換えて（ステップＳ
５）、Ｐの内容をＰ−１にする。すなわちＰの内容をＰ
ｓにし保存領域の書換え回数を格納しであるメモリアド
レスに変更しておく （ステップＳ １３）。次にＢ
Ｄの変更が必要であるか否かを判定する（ステップＳ７
）。ＢＤに変更が生じると、ＣＮＴの値を（Ｐ）の値に
しくステップＳ８）、ＣＮＴの値とＥＥＦＲＯＭ３の書
換え可能回数（以下Ｗ１１ａｘと呼ぶ）とを比較しくス
テップＳ９）、ＣＮＴの値がＷｍａｘ未満であればＣＮ
Ｔの値を＋１更新しくステップ５ＩＯ）、 （Ｐ）を
ＣＮＴの値に書換え（ステップ５１４）、Ｐの内容をＰ
＋１にしくステップ５１５）、 （Ｐ）を更新した保
存データＢＤに書換えて（ステップ５１６）、Ｐの内容
をＰ−１にし保存領域の書換え回数を格納しであるメモ
リアドレスにＰを変更しておく（ステップＳ １７）。
容（以下（Ｐ）と呼ぶ）をＣＮＴの値に書換えることに
より保存領域の書換え回数を格納しくステップＳ３）、
Ｐの内容をＰ＋１にし、すなわちアドレスポインタＰの
内容をＰｓ＋１にする（ステップＳ ４）。（Ｐ）を
保存データ（以下ＢＤと呼ぶ）に書換えて（ステップＳ
５）、Ｐの内容をＰ−１にする。すなわちＰの内容をＰ
ｓにし保存領域の書換え回数を格納しであるメモリアド
レスに変更しておく （ステップＳ １３）。次にＢ
Ｄの変更が必要であるか否かを判定する（ステップＳ７
）。ＢＤに変更が生じると、ＣＮＴの値を（Ｐ）の値に
しくステップＳ８）、ＣＮＴの値とＥＥＦＲＯＭ３の書
換え可能回数（以下Ｗ１１ａｘと呼ぶ）とを比較しくス
テップＳ９）、ＣＮＴの値がＷｍａｘ未満であればＣＮ
Ｔの値を＋１更新しくステップ５ＩＯ）、 （Ｐ）を
ＣＮＴの値に書換え（ステップ５１４）、Ｐの内容をＰ
＋１にしくステップ５１５）、 （Ｐ）を更新した保
存データＢＤに書換えて（ステップ５１６）、Ｐの内容
をＰ−１にし保存領域の書換え回数を格納しであるメモ
リアドレスにＰを変更しておく（ステップＳ １７）。
ステップＳ９においてＣＮＴの値がＷｍａｘに達するま
で、（Ｓ７）−（Ｓ８）−（３９）−（ＳＬＯ） ＝（
Ｓ１４） −（Ｓ１５） −、（Ｓ１Ｇ） −（Ｓ１７
）のステップを繰り返す。すなわちＥ Ｅ Ｐ ＲＯＭ
３の書換え可能回数に達するまで、Ｐ＋１の内容によ
って示されるアドレスのメモリを、ＢＤを保存するメモ
リとしている。
で、（Ｓ７）−（Ｓ８）−（３９）−（ＳＬＯ） ＝（
Ｓ１４） −（Ｓ１５） −、（Ｓ１Ｇ） −（Ｓ１７
）のステップを繰り返す。すなわちＥ Ｅ Ｐ ＲＯＭ
３の書換え可能回数に達するまで、Ｐ＋１の内容によ
って示されるアドレスのメモリを、ＢＤを保存するメモ
リとしている。
ステップＳ９においてＣＮＴの値がＷ＋＊ａｘに達する
と、Ｐの内容とＰｓ＋２Ｎ ２とを比較しくステップ
５ｌｌ）、Ｐの内容がＰｓ＋２Ｎ−２未満であれば、Ｐ
の内容を＋２更新し、すなわち区画されたデータ保存ア
ドレス領域の内の他の区画を新たな保存領域としくステ
ップ５１２）、ＣＮＴの値を１にしくステップ５１３）
、 （Ｐ）をＣＮＴの値に書換え（ステップ５１４）
、Ｐの内容をＰ＋１にしくステップ５１５）、 （Ｐ
）を更新した保存データＢＤに書換えて（ステップ５１
８）、Ｐの内容をＰ−１にして保存領域の書換え回数を
格納しであるメモリアドレスにＰの内容を変更しておく
（ステップ５１７）。
と、Ｐの内容とＰｓ＋２Ｎ ２とを比較しくステップ
５ｌｌ）、Ｐの内容がＰｓ＋２Ｎ−２未満であれば、Ｐ
の内容を＋２更新し、すなわち区画されたデータ保存ア
ドレス領域の内の他の区画を新たな保存領域としくステ
ップ５１２）、ＣＮＴの値を１にしくステップ５１３）
、 （Ｐ）をＣＮＴの値に書換え（ステップ５１４）
、Ｐの内容をＰ＋１にしくステップ５１５）、 （Ｐ
）を更新した保存データＢＤに書換えて（ステップ５１
８）、Ｐの内容をＰ−１にして保存領域の書換え回数を
格納しであるメモリアドレスにＰの内容を変更しておく
（ステップ５１７）。
ステップＳｌｌにおいて、Ｐの内容がＰｓ＋２Ｎ−２に
達するとメモリの使用寿命が終了したことになる。
達するとメモリの使用寿命が終了したことになる。
すなわち、書換え可能回数がＷＩＩｌａｘのＥＥＰＲＯ
Ｍを使用し２データ保存アドレス領域のデータ容量を２
Ｎバイトとして、書換え回数の保存に１バイトのメモリ
を使用し、ＢＤの保存に１バイトのメモリを使用した場
合、ＢＤの古換え可能回数はＷａａｘＸＮ回になる。
Ｍを使用し２データ保存アドレス領域のデータ容量を２
Ｎバイトとして、書換え回数の保存に１バイトのメモリ
を使用し、ＢＤの保存に１バイトのメモリを使用した場
合、ＢＤの古換え可能回数はＷａａｘＸＮ回になる。
例えば、Ｗａ＋ａｘが５万回のＥＥＦＲＯＭを使用し、
データ保存アドレス領域のデータ容量を２５６バイトと
すると、６４０万回のデータ書換えが可能になり、１分
母データを書換える装置に適用した場合、ＥＥＰＲＯＭ
の使用寿命は１２年にも及ぶことになる。
データ保存アドレス領域のデータ容量を２５６バイトと
すると、６４０万回のデータ書換えが可能になり、１分
母データを書換える装置に適用した場合、ＥＥＰＲＯＭ
の使用寿命は１２年にも及ぶことになる。
（発明の効果）
以上述べたように１本発明は電気的に書換え可能な不揮
発性メモリを用いたデータ保存方式において、前記メモ
リのデータ保存アドレス領域を所定範囲毎に区画し、該
区画した領域の内の一つを保存領域として保存データと
前記保存領域の書換え回数とを該保存領域に書込み、該
保存データに変更が生じたとき、前記保存領域の書換え
回数と保存データとを更新した書換え回数と保存データ
とに書換えると共に、前記保存領域の書換え回数が前記
メモリの書換え可能回数の達したときに。
発性メモリを用いたデータ保存方式において、前記メモ
リのデータ保存アドレス領域を所定範囲毎に区画し、該
区画した領域の内の一つを保存領域として保存データと
前記保存領域の書換え回数とを該保存領域に書込み、該
保存データに変更が生じたとき、前記保存領域の書換え
回数と保存データとを更新した書換え回数と保存データ
とに書換えると共に、前記保存領域の書換え回数が前記
メモリの書換え可能回数の達したときに。
前記区画領域の他の区画領域を新たな保存領域としてデ
ータの保存および書換えを行うので、データ保存領域の
書換え回数を正確に把握でき、保存データの信頼性を損
なうことなく保存データの書換えを行うことができると
ともにメモリの使用寿命の延長を図れる利点を有する。
ータの保存および書換えを行うので、データ保存領域の
書換え回数を正確に把握でき、保存データの信頼性を損
なうことなく保存データの書換えを行うことができると
ともにメモリの使用寿命の延長を図れる利点を有する。
第１図は本発明のデータ保存方式の一実施例を示すブロ
ック図、第２図はデータ保存アドレス領域の区画図、第
３図は本発明の一実施例におけるＥＥＰＲＯＭへのデー
タ保存手順を示すフローチャートである。 １・・・マイクロプロセッサ、２・・・ＲＯＭ、３・・
・ＥＥＰＲＯＭ。 特 許 出 願 人 沖電気工業株式会社代理人 弁
理士 吉 １）精 孝
ック図、第２図はデータ保存アドレス領域の区画図、第
３図は本発明の一実施例におけるＥＥＰＲＯＭへのデー
タ保存手順を示すフローチャートである。 １・・・マイクロプロセッサ、２・・・ＲＯＭ、３・・
・ＥＥＰＲＯＭ。 特 許 出 願 人 沖電気工業株式会社代理人 弁
理士 吉 １）精 孝
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 電気的に書換え可能な不揮発性メモリを用いたデータ保
存方式において、 前記メモリのデータ保存アドレス領域を所定範囲の領域
ごとに区画し、該区画した領域の内の一つを保存領域と
して保存データと前記保存領域の書換え回数とを該保存
領域に書込み、該保存データに変更が生じたとき、前記
保存領域の書換え回数と保存データとを更新した書換え
回数と保存データとに書換えると共に、 前記保存領域の書換え回数が前記メモリの書換え可能回
数に達したときに、前記区画領域の他の区画領域を新た
な保存領域とする ことを特徴とするデータ保存方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63040459A JPH01213899A (ja) | 1988-02-23 | 1988-02-23 | データ保存方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63040459A JPH01213899A (ja) | 1988-02-23 | 1988-02-23 | データ保存方式 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01213899A true JPH01213899A (ja) | 1989-08-28 |
Family
ID=12581228
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63040459A Pending JPH01213899A (ja) | 1988-02-23 | 1988-02-23 | データ保存方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01213899A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04222997A (ja) * | 1990-12-25 | 1992-08-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | メモリカードにおけるデータ記録方法およびメモリカードシステム |
| JPH04271098A (ja) * | 1991-02-25 | 1992-09-28 | Fuji Photo Film Co Ltd | メモリカードにおけるデータ記録方法およびメモリカードシステム |
| JPH08297992A (ja) * | 1995-01-24 | 1996-11-12 | Lg Electron Inc | 半導体メモリ素子及びそのデータ記録方法 |
-
1988
- 1988-02-23 JP JP63040459A patent/JPH01213899A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04222997A (ja) * | 1990-12-25 | 1992-08-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | メモリカードにおけるデータ記録方法およびメモリカードシステム |
| JPH04271098A (ja) * | 1991-02-25 | 1992-09-28 | Fuji Photo Film Co Ltd | メモリカードにおけるデータ記録方法およびメモリカードシステム |
| JPH08297992A (ja) * | 1995-01-24 | 1996-11-12 | Lg Electron Inc | 半導体メモリ素子及びそのデータ記録方法 |
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