JPH01215981A - 超伝導体薄膜の製造方法及び装置 - Google Patents
超伝導体薄膜の製造方法及び装置Info
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- JPH01215981A JPH01215981A JP63040508A JP4050888A JPH01215981A JP H01215981 A JPH01215981 A JP H01215981A JP 63040508 A JP63040508 A JP 63040508A JP 4050888 A JP4050888 A JP 4050888A JP H01215981 A JPH01215981 A JP H01215981A
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- ultrasonic atomizer
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- thin film
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、超音波霧化器を使用した超伝導体薄膜の製造
方法及び装置に関するものである。
方法及び装置に関するものである。
近年超伝導体の改良が著しく、高温の臨界温度を有する
超伝導素材が次々と開発されている。
超伝導素材が次々と開発されている。
例えば、Ｂａ−Ｌａ−Ｃｕ−０の複合金属酸化物が３０
にという比較的高温で超伝導を示すことがＩＢＭのチュ
ーリッヒ研究所のＪ、Ｇ、Ｂｅｄｏｎｏｚ等によって報
告（ＣｏｎｄｅｎｓｅｄＭａｔｔｅｒ ６４＋、１８９
−１９３（１９８６）されている。次いで、（Ｌａ （
１−ｘ） ５ｒｘ） ＺＣｕＯ（４−δ）や（Ｌａ （
１−ｘ） Ｃａｘ）ＺＣｕＯ（４−δ）で表される複合
金属酸化物が、各々最高３７Ｋ、１８にで、超伝導を示
すことが東京大学の国中らによって報告〔ケミストリー
・レクーズ（Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ Ｌｅｔｔｅｒｓ）
４２９〜４３２頁（１９８７） ）されている。
にという比較的高温で超伝導を示すことがＩＢＭのチュ
ーリッヒ研究所のＪ、Ｇ、Ｂｅｄｏｎｏｚ等によって報
告（ＣｏｎｄｅｎｓｅｄＭａｔｔｅｒ ６４＋、１８９
−１９３（１９８６）されている。次いで、（Ｌａ （
１−ｘ） ５ｒｘ） ＺＣｕＯ（４−δ）や（Ｌａ （
１−ｘ） Ｃａｘ）ＺＣｕＯ（４−δ）で表される複合
金属酸化物が、各々最高３７Ｋ、１８にで、超伝導を示
すことが東京大学の国中らによって報告〔ケミストリー
・レクーズ（Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ Ｌｅｔｔｅｒｓ）
４２９〜４３２頁（１９８７） ）されている。
また、米国ヒユーストン大学Ｃ，Ｗ、Ｃｈｕ、 らの
グループは臨界温度が９４にのバリウム−イツトリウム
−銅−酸化系の酸化物を見出したことを報告している（
Ｐｈｒｓ、 Ｒｅｖ、 Ｌｅｔｔｅｒ、 ｖｏｌ、 ５
８＋ ｐ、９０８−９０９１９８７）。さらに、東京大
学の北沢らのグループはバリウム−イッテルビウム−銅
−酸化系の酸化物において臨界温度が９５にのものを報
告しており、同じく東京大学の高木らのグループはバリ
ウム−エルビウム−銅−酸化系の酸化物において、９５
にの臨界温度を報告している（いずれも、Ｊａｐ、 Ｊ
ｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、、ｖｏｌ
、 ２６＋ ４月号、１９８７）。
グループは臨界温度が９４にのバリウム−イツトリウム
−銅−酸化系の酸化物を見出したことを報告している（
Ｐｈｒｓ、 Ｒｅｖ、 Ｌｅｔｔｅｒ、 ｖｏｌ、 ５
８＋ ｐ、９０８−９０９１９８７）。さらに、東京大
学の北沢らのグループはバリウム−イッテルビウム−銅
−酸化系の酸化物において臨界温度が９５にのものを報
告しており、同じく東京大学の高木らのグループはバリ
ウム−エルビウム−銅−酸化系の酸化物において、９５
にの臨界温度を報告している（いずれも、Ｊａｐ、 Ｊ
ｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、、ｖｏｌ
、 ２６＋ ４月号、１９８７）。
この種の複合金属酸化ものは、上記複合金属酸化物のＣ
ｕ成分の一部をＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉから選ばれる少なくと
も１種の遷移金属成分に代えることができ、また、Ｌａ
、Ｙ、Ｙｂ成分に変えてＬｕ、Ｙｍ、Ｉ（ｏ、Ｄｙ、Ｃ
ｄ等の他の希土類成分を導入することができ、これらの
金属成分の検討によりさらに臨界温度の高い超伝導体が
得られるものと期待されている。
ｕ成分の一部をＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉから選ばれる少なくと
も１種の遷移金属成分に代えることができ、また、Ｌａ
、Ｙ、Ｙｂ成分に変えてＬｕ、Ｙｍ、Ｉ（ｏ、Ｄｙ、Ｃ
ｄ等の他の希土類成分を導入することができ、これらの
金属成分の検討によりさらに臨界温度の高い超伝導体が
得られるものと期待されている。
これらの複合金属酸化物からなる超伝導体の製造方法と
しては、複合金属酸化物を構成する各種金属酸化物、炭
化塩等を混合焼成する方法が一般的である。
しては、複合金属酸化物を構成する各種金属酸化物、炭
化塩等を混合焼成する方法が一般的である。
また、超伝導体の薄膜化に対しては、蒸着、スパッタリ
ング等により直接基板上に膜状の伝導体を形成するとい
う製造方法が利用されている。
ング等により直接基板上に膜状の伝導体を形成するとい
う製造方法が利用されている。
しかしながら、従来の被膜形成方法によって超伝導体薄
膜を製造するものでは、高真空を必要とするために生産
効率が悪いだけでなく、大型化も困難で、厚みにむらの
ない複合金属酸化物の超伝導体薄膜を安定して形成する
ことは困難であった。
膜を製造するものでは、高真空を必要とするために生産
効率が悪いだけでなく、大型化も困難で、厚みにむらの
ない複合金属酸化物の超伝導体薄膜を安定して形成する
ことは困難であった。
本発明は上記問題点を解決するためのもので、超音波霧
化器とサセプターとの距離を可変とすることにより、均
一な超伝導体薄膜を効率よく製造することができる超伝
導体薄膜の製造方法及び装置を従供することを目的とす
る。
化器とサセプターとの距離を可変とすることにより、均
一な超伝導体薄膜を効率よく製造することができる超伝
導体薄膜の製造方法及び装置を従供することを目的とす
る。
本発明は、薄膜形成初期においては超音波霧化器とサセ
プターの距離を近接させ、一定程度膜が形成された場合
に超音波霧化器とサセプターとの距離を遠ざけてさらに
膜形成を行うことにより、均一な超伝導体薄膜を形成す
ることができたものである。
プターの距離を近接させ、一定程度膜が形成された場合
に超音波霧化器とサセプターとの距離を遠ざけてさらに
膜形成を行うことにより、均一な超伝導体薄膜を形成す
ることができたものである。
第１図は超音波霧化器を用いた本発明による超伝導体８
１９の製造を説明するための図である。図中、１は超音
波霧化器、３は石英管、５はパイレックス管、７は振動
軸、９はノズル、１１はＣＶＤサセプター、１２は基（
反、１３はロッド、１５゜１７はキャリアガス用パイプ
、１９はパイプ、２１ａ、２１ｂは蓋、２３ａ−ｄは保
持金具、２５ａ、２５ｂは保持金具、２７ａ−ｄはテフ
ロンリング、２９ａ−ｄは０リングである。
１９の製造を説明するための図である。図中、１は超音
波霧化器、３は石英管、５はパイレックス管、７は振動
軸、９はノズル、１１はＣＶＤサセプター、１２は基（
反、１３はロッド、１５゜１７はキャリアガス用パイプ
、１９はパイプ、２１ａ、２１ｂは蓋、２３ａ−ｄは保
持金具、２５ａ、２５ｂは保持金具、２７ａ−ｄはテフ
ロンリング、２９ａ−ｄは０リングである。
超音波霧化器１は図の矢印水平方向に６センチ程度の範
囲でスライドできるように取付けられている。そして、
ノズル９から、例えば、Ｙ、、Ｂａ、Ｃｕの各硝酸塩の
モル比１；２：３水溶液からなる原料水溶液が供給され
、振動軸７の先端で霧化される構成となっている。管内
にはロッド１３の先端に取付けられ、基板１２が固定さ
れたＣＶＤサセプター１１が上下動可能に挿入され、ま
た、ステンレス製のキャリアガス用パイプ１５．１７が
取付けられて空気、窒素ガス等のキャリアガスが送り込
まれ、排出される構成となっている。管の上端にはパイ
プ１９が設けられ、基板温度を測定するための熱電対が
パイプ１９を通して挿入され、そこからのリード線が引
き出されるようになっている（図示せず）。また管の上
端、下端には！２１ａ、２１ｂが設けられ、保持金具２
３ａ、２３ｂで固定されている。保持金具２３ａ−ｄは
ステンレス製の材質で、キャリアガス用パイプ１５．１
７との接続は銀蝋付け、もしくは溶接等で行っている。
囲でスライドできるように取付けられている。そして、
ノズル９から、例えば、Ｙ、、Ｂａ、Ｃｕの各硝酸塩の
モル比１；２：３水溶液からなる原料水溶液が供給され
、振動軸７の先端で霧化される構成となっている。管内
にはロッド１３の先端に取付けられ、基板１２が固定さ
れたＣＶＤサセプター１１が上下動可能に挿入され、ま
た、ステンレス製のキャリアガス用パイプ１５．１７が
取付けられて空気、窒素ガス等のキャリアガスが送り込
まれ、排出される構成となっている。管の上端にはパイ
プ１９が設けられ、基板温度を測定するための熱電対が
パイプ１９を通して挿入され、そこからのリード線が引
き出されるようになっている（図示せず）。また管の上
端、下端には！２１ａ、２１ｂが設けられ、保持金具２
３ａ、２３ｂで固定されている。保持金具２３ａ−ｄは
ステンレス製の材質で、キャリアガス用パイプ１５．１
７との接続は銀蝋付け、もしくは溶接等で行っている。
また、石英管３、パイレックス管５と保持金具とは０リ
ング２９ａ−ｄにより接している。また、石英管３、パ
イレックス管５の上下端と保持金具との間には、テフロ
ンリング２７ａ〜ｄが挿入されている。また、ＣＶＤサ
セプター１１が加熱されるために、保持金具２３ａ−ｄ
の側面には、冷却用に図示しないウォータージャケット
が組込まれている。
ング２９ａ−ｄにより接している。また、石英管３、パ
イレックス管５の上下端と保持金具との間には、テフロ
ンリング２７ａ〜ｄが挿入されている。また、ＣＶＤサ
セプター１１が加熱されるために、保持金具２３ａ−ｄ
の側面には、冷却用に図示しないウォータージャケット
が組込まれている。
このような構成において、まず、ＣＶＤサセプター１１
を下降させて、超音波霧化器１に接近させ、この状態で
ノズル９より原料水溶液を供給し、超音波霧化器１を駆
動して水溶液を霧化する。−方、管内にはキャリアガス
用パイプ１５からキャリアガスが送り込まれているので
、霧化された原料用液は上昇して、ＣＶＤサセプター１
１の面に取イ」けられた基板１２に付着して、膜形成が
行われる。こうして、所定厚みの膜形成がされた状態で
、ロッド１３を上昇させてＣＶＤサセプター１１と超音
波霧化器とを離し、この状態で所定厚みまでの膜形成を
行う。なお、膜形成の過程で超音波霧化器１を水平方向
にスライドすることにより、均一な膜形成を行えるよう
にする。
を下降させて、超音波霧化器１に接近させ、この状態で
ノズル９より原料水溶液を供給し、超音波霧化器１を駆
動して水溶液を霧化する。−方、管内にはキャリアガス
用パイプ１５からキャリアガスが送り込まれているので
、霧化された原料用液は上昇して、ＣＶＤサセプター１
１の面に取イ」けられた基板１２に付着して、膜形成が
行われる。こうして、所定厚みの膜形成がされた状態で
、ロッド１３を上昇させてＣＶＤサセプター１１と超音
波霧化器とを離し、この状態で所定厚みまでの膜形成を
行う。なお、膜形成の過程で超音波霧化器１を水平方向
にスライドすることにより、均一な膜形成を行えるよう
にする。
なお、」１記説明では、ＣＶＤサセプターを超音波霧化
器の上側とずろ例について説明したが、この上下関係を
逆にして、ＣＶＤサセプターを下方にしてキャリアガス
を上側から下側へ送るようにしてもよい。また、石英管
内部を負圧にして、膜形成を行う場合には、超音波霧化
器１と管との取付は部分には金属へロー等を使用する。
器の上側とずろ例について説明したが、この上下関係を
逆にして、ＣＶＤサセプターを下方にしてキャリアガス
を上側から下側へ送るようにしてもよい。また、石英管
内部を負圧にして、膜形成を行う場合には、超音波霧化
器１と管との取付は部分には金属へロー等を使用する。
第２図は超音波霧化器の例を示す図で、振動軸７の先端
に切り込み７ａを入れ、そこにノズル９より原料水溶液
を流し込むようにしている。この切り込み７ａは第２図
（ロ）に示すように７字形、第２図（ハ）に示すように
Ｕ字形、第２図（ニ）に示すように矩形溝であってもよ
い。
に切り込み７ａを入れ、そこにノズル９より原料水溶液
を流し込むようにしている。この切り込み７ａは第２図
（ロ）に示すように７字形、第２図（ハ）に示すように
Ｕ字形、第２図（ニ）に示すように矩形溝であってもよ
い。
本発明は、膜形成初期においては基板面と超音波霧化器
との距離を近接させ、その後、基板面と超音波霧化器と
の距離を離して膜形成することにより、むらがなく、均
一な超伝導体薄膜を形成することができたものである。
との距離を近接させ、その後、基板面と超音波霧化器と
の距離を離して膜形成することにより、むらがなく、均
一な超伝導体薄膜を形成することができたものである。
こうして膜形成した後、９４０°Ｃで熱処理したものに
ついて、電気抵抗の測定を行った結果、第３図のような
結果が得られた。
ついて、電気抵抗の測定を行った結果、第３図のような
結果が得られた。
第３図から分かるように９４０°Ｃで３時間焼成した場
合、５０μｍの膜厚で零抵抗温度７８Ｋが達成された。
合、５０μｍの膜厚で零抵抗温度７８Ｋが達成された。
また、製膜後、９４０’Ｃで３時間、５５０゜Ｃで５時
間程度のアニーリングをし、膜厚４５μｍの試料のＸ線
回折パターンを求めたところ、第４図のような結果が得
られた。４５Ｉｍという比較的厚い膜であるが、Ｃ軸配
向性を示していることが分かる。この薄膜の零抵抗温度
は８０にであった。
間程度のアニーリングをし、膜厚４５μｍの試料のＸ線
回折パターンを求めたところ、第４図のような結果が得
られた。４５Ｉｍという比較的厚い膜であるが、Ｃ軸配
向性を示していることが分かる。この薄膜の零抵抗温度
は８０にであった。
以下実施例を説明する。
第５図に示すように、基板を霧化器の下側に置き、空気
、窒素ガス等のキャリアガスを上から送り込む、いわゆ
るデポジションダウン方式で膜形成を行った。基板温度
は４００°Ｃ一定、製膜初期段階では霧化器と基板面と
の距離を２〜５ｃｍ程度にし、霧化量最大にして１〜２
分程度製膜しＪ！Ｘの１μｍ程度に膜形成し、その後霧
化器と基板面との距離をｌθ〜１３ｃｍＬこ離して、霧
化量は最大時の１／３〜１／４程度に絞って２０〜４０
分程度製膜を行い厚み５０μｍ内外の膜形成を行った。
、窒素ガス等のキャリアガスを上から送り込む、いわゆ
るデポジションダウン方式で膜形成を行った。基板温度
は４００°Ｃ一定、製膜初期段階では霧化器と基板面と
の距離を２〜５ｃｍ程度にし、霧化量最大にして１〜２
分程度製膜しＪ！Ｘの１μｍ程度に膜形成し、その後霧
化器と基板面との距離をｌθ〜１３ｃｍＬこ離して、霧
化量は最大時の１／３〜１／４程度に絞って２０〜４０
分程度製膜を行い厚み５０μｍ内外の膜形成を行った。
その結果均一で滑らかな膜質が得られたが、管壁を伝わ
った原料液が一部基板上に滴下し、膜表面が荒れるとい
う現象が見られた。
った原料液が一部基板上に滴下し、膜表面が荒れるとい
う現象が見られた。
〔実施例２〕
第６図に示すように、サセプターを霧化器に対して上方
に位置させ、空気、窒素ガス等のキャリアガスを下側か
ら上側へ送り込む、いわゆるデポジションアップ方式で
膜形成を行った。基板温度は同様に４００°Ｃ一定、製
膜初期段階では基板面と霧化器との距離を２〜５ｃｍ程
度にし、霧化量は最大で１〜２分程度製膜し厚み約１μ
ｍに膜形成し、その後基板と霧化器との距離を１０〜１
５ｃｍまで離して、霧化量は最大時の１／３〜１／４程
度に絞って３０〜５０分程度製膜を行い厚み約４５μｍ
に膜形成した。
に位置させ、空気、窒素ガス等のキャリアガスを下側か
ら上側へ送り込む、いわゆるデポジションアップ方式で
膜形成を行った。基板温度は同様に４００°Ｃ一定、製
膜初期段階では基板面と霧化器との距離を２〜５ｃｍ程
度にし、霧化量は最大で１〜２分程度製膜し厚み約１μ
ｍに膜形成し、その後基板と霧化器との距離を１０〜１
５ｃｍまで離して、霧化量は最大時の１／３〜１／４程
度に絞って３０〜５０分程度製膜を行い厚み約４５μｍ
に膜形成した。
その結果均一でかつ滑らかな薄膜が得られると共に、原
料液の滴下により膜質が荒れることもなかった。
料液の滴下により膜質が荒れることもなかった。
以上のように本発明によれば、超音波霧化器を使用し、
製膜初期段階では板面と霧化器との距離を接近させてご
く薄く膜形成し、その後基板面と霧化器との距離を離し
て膜形成することにより、効率的に均一で滑らかな超伝
導体薄膜の形成を行うことができ、その結果臨界温度の
高い超伝導体薄膜を得ることができた。また、通常の膜
形成においては、ｗ板上に超伝導体を堆積していく過程
で、基板温度の低下があるために、吹付−休止一吹付一
体止というザイクルで作製しているのに対し、本発明に
よるエアースプレーの方法により休止時間を大幅に短縮
でき、はぼ連続製膜によっても膜形成を行うことができ
た。また、原料霧化源、ノズル七基板との距離を適宜変
化さ−けるごとにより作製される膜質を変えることがで
きる。また、超音波霧化器の位置を水平力向にスライド
可能とすることにより、−層均一な膜形成を行うことが
−できる。
製膜初期段階では板面と霧化器との距離を接近させてご
く薄く膜形成し、その後基板面と霧化器との距離を離し
て膜形成することにより、効率的に均一で滑らかな超伝
導体薄膜の形成を行うことができ、その結果臨界温度の
高い超伝導体薄膜を得ることができた。また、通常の膜
形成においては、ｗ板上に超伝導体を堆積していく過程
で、基板温度の低下があるために、吹付−休止一吹付一
体止というザイクルで作製しているのに対し、本発明に
よるエアースプレーの方法により休止時間を大幅に短縮
でき、はぼ連続製膜によっても膜形成を行うことができ
た。また、原料霧化源、ノズル七基板との距離を適宜変
化さ−けるごとにより作製される膜質を変えることがで
きる。また、超音波霧化器の位置を水平力向にスライド
可能とすることにより、−層均一な膜形成を行うことが
−できる。
第１図は本発明による超伝導体薄膜の製造装置の全体構
成を示す図、第２図は超音波霧化器のノズル先端部を示
す図、第３図は焼成時間と零抵抗温度との関係を示す図
、第４図は回折パターンを示す図、第５図、第６図はデ
ポジションダウン、デボジションアソプ方式における霧
化器ｔｉ）の流れを示す図である。 １・・・超音波霧化器、３・・・石英管、５・・・パイ
レックス管、７・・・振動軸、９・・・ノズル、１１・
・・ＣＶＤサセプター、１２・・・基板、１３・・・ロ
ンド、１５゜１７・・・キャリアガス用パイプ。 出 願 人 東亜燃料株式会社（外１ 名：）代
理人 弁理士 奸 川 昌 信（外４名）１ｌ （１１積ｉ秒）Ｊ！／ｉ釧
成を示す図、第２図は超音波霧化器のノズル先端部を示
す図、第３図は焼成時間と零抵抗温度との関係を示す図
、第４図は回折パターンを示す図、第５図、第６図はデ
ポジションダウン、デボジションアソプ方式における霧
化器ｔｉ）の流れを示す図である。 １・・・超音波霧化器、３・・・石英管、５・・・パイ
レックス管、７・・・振動軸、９・・・ノズル、１１・
・・ＣＶＤサセプター、１２・・・基板、１３・・・ロ
ンド、１５゜１７・・・キャリアガス用パイプ。 出 願 人 東亜燃料株式会社（外１ 名：）代
理人 弁理士 奸 川 昌 信（外４名）１ｌ （１１積ｉ秒）Ｊ！／ｉ釧
Claims (4)
- （１）超音波霧化器を使用し、霧化した原料溶液をキャ
リアガスで輸送して基板上に薄膜形成する超伝導体薄膜
の製造方法であって、超音波霧化器と基板との距離を製
膜初期においては短く、一定程度膜形成後は長くしたこ
とを特徴とする超伝導体薄膜の製造方法。 - （２）管内に上下動可能に設けられ、基板が固定された
ＣＶＤサセプタと、管に対して水平方向にスライド可能
に設けられ、管内で原料液を霧化する超音波霧化器と、
キャリアガスを導入、排出するパイプとを備え、製膜時
、超音波霧化器と基板との距離を可変にしたことを特徴
とする超伝導体薄膜の製造装置。 - （３）管の上端、下端には蓋が設けられ、該蓋を通して
ＣＶＤサセプタが上下動すると共に、キャリアガス用パ
イプが設けられている請求項２記載の超伝導体薄膜の製
造装置。 - （４）ＣＶＤサセプタは加熱されると共に、管冷却手段
が設けられている請求項２記載の超伝導体薄膜の製造装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63040508A JPH01215981A (ja) | 1988-02-23 | 1988-02-23 | 超伝導体薄膜の製造方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63040508A JPH01215981A (ja) | 1988-02-23 | 1988-02-23 | 超伝導体薄膜の製造方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01215981A true JPH01215981A (ja) | 1989-08-29 |
Family
ID=12582487
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63040508A Pending JPH01215981A (ja) | 1988-02-23 | 1988-02-23 | 超伝導体薄膜の製造方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01215981A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01230403A (ja) * | 1988-03-09 | 1989-09-13 | Hitachi Ltd | 酸化物超電導体の製造方法 |
| JPH04325405A (ja) * | 1990-12-24 | 1992-11-13 | General Electric Co <Ge> | 金属酸化物薄膜の製法 |
| JP2014063973A (ja) * | 2012-08-26 | 2014-04-10 | Kumamoto Univ | 酸化亜鉛結晶層の製造方法及び酸化亜鉛結晶層並びにミスト化学気相成長装置 |
-
1988
- 1988-02-23 JP JP63040508A patent/JPH01215981A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01230403A (ja) * | 1988-03-09 | 1989-09-13 | Hitachi Ltd | 酸化物超電導体の製造方法 |
| JPH04325405A (ja) * | 1990-12-24 | 1992-11-13 | General Electric Co <Ge> | 金属酸化物薄膜の製法 |
| JP2014063973A (ja) * | 2012-08-26 | 2014-04-10 | Kumamoto Univ | 酸化亜鉛結晶層の製造方法及び酸化亜鉛結晶層並びにミスト化学気相成長装置 |
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