JPH01216502A - チップ形電子部品 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はチップ形電子部°品の製造方法に係わり、電極
形成に関する。

〔従来の技術〕

従来、チップ形電子部品のうち、例えば角形チップ抵抗
器は、次のような手順で製造されてきた。

即ち、第１図に示すように、縦横方向に走る複数本の分
割用切溝ｌを有する電気絶縁性基板２（例えばアルミナ
基板）の片側主平面上に、第１層用電極３．３として銀
・パラジウムを印刷し、次に第２図に示すように、厚膜
抵抗体４を印刷（酸化ルテニウムを主成分として８５０
℃にて焼成）する。

次に第３図に示すように、ガラスペースト５を塗布（該
工程は省略される事もあるが、ホウケイ酸塩鉛系ガラス
を６００℃にて焼成）した後、第４図に示すように、該
厚膜抵抗体４にレーザーを使用して切欠部６，６（該切
欠部は１本もしくは３本以上又はＬ字形状のように設け
てもよい、）を設ける０次に再び第５図に示すように、
該焼成後のガラス５′上にガラスペースト５＃を塗布（
オーバーガラス工程・ホウケイ酸塩鉛系ガラスを６００
℃にて焼成）し、該基板をまず、第６図に示すよ　　　
□うに、細長状に分割し、次に第７図（ａ）及び（ｂ）
に示すように、該基板の第１層用電極３．３の一部及び
該両端面７．７に積層されるようにして第２層用電ｉ８
，８　　（！Ｉを７０〜８０重量％含有して成るホウケ
イ酸塩鉛系ガラスを塗布後、６００℃にて焼成）を形成
し、しかる後に該基板の長さ方向と略直角方向の分割用
切溝１上のアイ線及びエラ線に沿って分割し、第８図に
示すような単一の角形チップを得る。その後該第２層用
電極８．８上に第３層用電極９．９としてニッケルを、
更に該第３層用電極９．９上に第４層用電極１０．１０
としての半田を、それぞれバレルメッキ法によりメッキ
する事により、第９図に示すような断面構造を有する角
形チップ抵抗器が得られてきていた。しかしながら、従
来の方法ではダミ一部材と共にバレルメッキを行なうた
め、メッキ効率が低く例えば第３層用電極としてのニッ
ケルメッキの膜厚を３μ−確保するにはメッキ所要時間
として１２０分を要し、半田メッキの厚さを３μｔａ確
保するには４０分を要してイタ。又、バレルメッキ方式
ではバレル内の被メッキ物の各箇所における電流密度に
かなり・のバラツキが生じるため、メッキ膜厚の均一化
が図り難かった。更に、ダミ一部材へもメッキされるた
め、電解メッキ液が無駄になるのみならず、ダミ一部材
の体積が漸次増加するためにダミ一部材の寸法管理も要
求され、原価上昇の一因となっていた。

そしてバレルメッキ方式とは別に、細長状に分割された
基板２上の第２層用電極８．８に陰極を接続するという
ラックメッキ方式も知られているが、従来のラックメッ
キ方式では第３層用電極９．９及び第４層用電極１０．
１０を形成した後、第８図に示すように、該基板２の長
さ方向と略直角方向の分割用切溝ｌ上のアイ線及びエラ
線に沿って分割する事により、単一の角形チップを得る
事ができるが、この分割により第２層用電極８，８の分
割側端面の銀が露出する事による半田量われ等の重要な
問題を引き起こし、半田付けの信鯨性が極めて低かった
。

〔発明が解決しようとする課題〕

本発明は上述の問題に鑑み、メッキ所要時間を著しく短
縮し、且つ被メッキ膜厚分布の均一化を図る事ができ、
しかも生産原価の低減化を図る事ができ、半田付けの信
顛性も向上するチップ形電子部品における第３層用電極
を提供しようとするものである。

〔課題を解決するための手段） 本発明は、上記目的を達成するために、蒸着又はスパッ
タリング等を含む真空式薄膜形成手段を用いて形成され
た細長状チップ端面上の第２層用電極を陰極に接続する
という、ラックメッキ方式により電解メッキして第３層
用電極を形成して成るものである。

〔作　用〕

チップ形電子部品における第３層用電極９．９として上
記電解メッキ膜を形成する事により、従来のメッキ所要
時間よりも著しく短縮し、且つ被メッキ膜厚分布の均一
化を図る事ができ、しかも生産原価の低減化をも図る事
ができる。

〔実施例〕

次に、本発明の一実施例を添付図面に基づいて説明する
。

まず、第１図における２は電気絶縁性基板であって分割
用切溝ｌを有している。３，３は該基板２の片側主平面
上のアイウェア、エウオカエおよびカオキクカの各内部
領域を一つの単位胞として、それぞれの各単位胞内の対
向する１対の端部と、該端部を介して隣接する単位胞に
跨がるようにし、しかも左右に隣接する単位胞に侵入し
ないように印刷された第１層用電極であり、各単位胞内
においては合計２個の該電極３．３が互いに対向して１
対の電極を構成している。第２図における４はペースト
状の厚膜抵抗体であって、上記各単位胞内に印刷された
各１対の第１層用電極３．３の一部上に橋設され、しか
も切溝１上のアイ、エラ、カオ、クキの各線にそれぞれ
略平行になり、更に上記各単位胞の上下左右に隣接する
単位胞より越えない　゛ように印刷されている。

第３図における５はホウケイ酸塩鉛系のガラスペースト
であって、該ガラスペースト５により上記各厚膜抵抗体
４が完全に覆われ、しかも各単位胞内の１対の第１層用
電極３，３の一部が残り、該単位胞より越えないように
塗布される。第４図における５′は第３図におけるガラ
スペースト５の焼成後のガラスであり、６．６は図示さ
れないレーザー装置により切欠された切欠部である。

第５図における５＃は第４図に示された切欠部６，６を
有する焼成後のガラス５′で、厚膜抵抗体４の側面及び
レーザー照射された部分を含む基板２の一部を含み完全
に積層被覆されたガラスペーストであって、各単位胞内
に設けられた１対の第１層用電極３，３の一部が残り、
しかも該電極３．３を結ぶ方向と略直角番方向（即ち、
第５図における左右方向）に隣接する単位胞方向に対し
て一連不可分になるように塗布される。

第６図における５＃は第５図におけるガラスペースト５
＃の焼成後のガラスである。

第７図（Ｃ）及び（ｄ）における７は、第５図の切溝ｌ
上のアエカク線及びイウオキ線に沿って細長状に分割し
た電気絶縁性基板２め端面である。１１は端面７，７に
スパッタリングされた合金膜であって、端面７，７の全
面はもとより、第１層用電極３．３の一部にも積層され
るように構成されている。

第１０図における１２は電源のうち、例えば直流電源で
あって、この電源１２の両端より、陽極側は陽極板１４
へ、陰極側は前記第７図（Ｃ）及び（ｄ）における細長
状に分割された基板２の端面７，７上に積層された第２
層用電極１１．１１上へそれぞれ、被覆導線１３を介し
て接続されており、該陽極板１４及び該基板２はいずれ
も容器１６中の電解メッキ液１５に浸漬されており、被
覆導線１３は当然電解メッキ液１５と化学反応しない材
質が使用されている。第１１図における１７は本発明の
前記電解メッキ方式（ラックメッキ方式と通称されてい
る）により第２層電極１１．１１上に積層された第３層
用電極であり、該第３層用電極１７．１７は少なくとも
第１層用電極３．３及び第２層用電極１１．１１を完全
に覆うように積層されている。　１８．１８は第３層用
電極１７．１７上に積層された第４層用電極であり、該
第４層用電極１８．１８は少なくとも第３層用電極１７
．１７を完全に覆うように積層されている。

次に、上述の実施例の作用を第１図ないし第６図、第７
図（Ｃ）、（ｄ）、第１０図ないし第１２図により説明
する。

（１）　　まず、電気絶縁性基板２（例えばアルミナ基
板）上に縦横方向に走る複数本の切溝１を設ける。

（２）　　次に、上記切溝１により生じた単位胞、例え
ばアイウェア、エウオカエ及びカオキクカにおいて、そ
れぞれの各単位胞内で対向する１対の切溝１を介して隣
接する単位胞との切溝１上の境界線アエ、イウ、エラ、
ウオ、カフ、オキにそれぞれ跨がるよう・にして、しか
も左右に隣接する単位胞との切溝ｌｌ上の境界線アイ、
エラ、カオ、クキを越えないように（即ち、隣接単位胞
と短絡しないように）、第１層用電極３．３　　（ｌｉ
・パラジウム系）を、図示されない印刷機を用いて印刷
した後、８５０℃にて焼成する。（第１図） （■　次に、各単位胞毎に印刷された対向する１対の第
１層用電極３．３に図示されない印刷機を用いて、ペー
スト状の厚膜抵抗体４（主成分：酸化ルテニウム）を橋
設印刷した後、８５０℃にて焼成する。この場合、上記
電極３．３の上下隣接単位胞との境界線、例えば、アエ
、イウ、に近い側は印刷せずに残しておき、各単位胞あ
たり１個の厚膜抵抗体４が形成されるようにし、且っ該
厚膜抵抗体４は隣接する単位胞中の厚膜抵抗体４とは互
いに接しないように形成する。（第２図）（４）　　次
に、各単位胞において上記厚膜抵抗体４の印刷された領
域で、しかも第１層用電極３．３の両端部に露出部を残
しておくようにして、上記厚膜抵抗体４を完全に被覆す
るようにして、ホウケイ酸塩鉛系のガラスペースト５を
、図示されない印刷機を用いて塗布した後、６００℃に
て焼成する。尚、本工程は省略されてもよい、（第３図
）（５）次に、所望の抵抗値を得るために、各単位胞毎
に形成されたガラスペースト５を焼成したガラス５′に
より被覆された厚膜抵抗体４を該ガラス５′と共に、図
示されないレーザー装置を用いて第４図の紙面に対して
鉛直方向よりレーザー光線を照射して切欠部６，６を形
成する。この場合、所望の抵抗値により、切欠部を１本
、もしくは３本以上、又は例えばＬ字形にしてもよい。

（６）　　次に、該切欠部６，６を有するガラス５′上
を更に該ガラスペースト５＃により完全に被覆し且つ各
単位胞内の第１層用電極３．３の両端部に露山部を残し
ておくようにして、しかも該電極３．３方向と略直角方
向の隣接する単位胞との切溝１上の境界線アイ、エラ、
カオ、クキを越えて、第５図における横方向に一連不可
分に、ホウケイ酸塩鉛系のガラスペースト５＃を、図示
されない印刷機を用いて塗布した後、６００’Ｃにて焼
成する。

（７）次に、切溝１のうちのアエカク線及びイウオキ線
に沿って細長状にまず分割する。（第６図）（８）次に
、分割された細長状抵抗体のアエ線及びイウ線における
端面７．７上及び少なくとも第１層用電極３．３上の露
出部の一部に付着するようにスパッタリング方式（真空
度１０−’Ｔｏｒｒの真空系内をアルゴンガス雰囲気に
して１０４〜１０−３Ｔｏｒｒにし、更に基板温度を１
００℃に保持してスパッタリングする。）を用いて第２
層用電極１１．１１としてのニッケル・クロム合金膜を
形成する。この場合合金膜は少なくともクロムを含有す
る例えば鉄・クロムであってもよいし、少なくともアル
ミニウムもしくはチタンを含有するものであってもよい
。

この膜厚は４００人である（第７（ｃ）及び（ｄ）図）
（９）次に、第１０図に示される電解メッキ用の容器１
６中の電解メッキ液１５に前記第２層用電極１１．１１
をスパッタリングした細長状抵抗体の各該第２層用電極
１１．．１１を陰極板とし、別に陽極板１４を設けて、
それぞれを被覆導線１３を介して直流電源１２に接続し
、該電解メッキ液１５に浸漬した後、２０分間通電する
事により、第１層用電極３．３及び第２層用電極１１．
１１が完全に被覆されるようにして、第３層用電極１７
．１７としてのニッケルが膜厚３μｍを有してメッキさ
れる。

Ｑｌ　　次に、該第３層用電極１７．１７をメッキした
細長状抵抗体を、図示されない半田装置を用いて１０分
間浸漬する事により、厚さ３μ−の第４層用電極１８．
１８としての半田メッキ層を得る。この時、第３層用電
極１７．１７は該第４層用電極１８．１８により完全に
被覆されており、その断面状態は第１１図に示される。

ａυ　しかる後に、各単位胞毎に、対向する１対の第４
層用電極１８．１８方向と略平行の切溝ｌ上のアイ線、
エラ線、カオ線、クキ線・・・に沿って分割する事によ
り、完成品としての角形チップ抵抗器を得る。（第１２
図） このように第３層用電極をラックメッキ方式に基づく電
解メッキにより形成した角形チップ抵抗器は、次のよう
に高速メッキが可能となる。即ち、第３層用電極として
のニッケルを３μ−の厚すニメッキする場合、従来のバ
レルメッキ方式によるメッキ所要時間は１２０分であっ
たのに対し、本発明によるラックメッキ方式では２０分
であり、約８３％の、更に、第４層用電極としての半田
を３μ−の厚さにする場合、従来のバレルメッキ方式で
はメッキ所要時間は４０分を要したのに対し、本ラック
メッキ方式では１０分であり、７５％の、それぞれ、時
間短縮化を図ることができた。また、第１３図に従来例
のバレルメッキ方式と本発明のラックメッキ方式とにお
ける、被メッキ膜厚のバラツキ比較が示されているが、
該バラツキ度合は本発明の方が従来よりも約６４％小さ
くて優れていた。しかも本発明によれば生産原価の低減
化を図る事ができる。

（発明の効果〕 本発明によれば、蒸着またはスパッタリング等の真空式
薄膜形成手段を用いて形成された細長状チップの略端面
上の第２層用電極を陰極に接続するというラックメッキ
方式により電解メッキして第３層用電極を形成する事に
より、メッキ所要時間を約８３％に短縮する事ができ、
しかも被メッキ膜厚分布の全体的均一化を図る事ができ
るという、いずれも従来よりも優れて安定した状態をも
たらす事ができ、しかも従来よりも著しく生産原価を低
減させる事ができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は電気絶縁性基板上に設けられた縦横方向に走る
切溝と、該切溝によって生じた基板上の各単位胞内にお
いて、対向する１対の電極用端部と該１対の切溝と隣接
する単位胞の端部として、切溝を介して跨がるように印
刷された第１層用電極を示す従来例の平面略図、第２図
は各単位胞内に印刷された第１層用電極上に厚膜抵抗体
を橋設形成した状態を示す従来例の平面略図、第３図は
第２図の厚膜抵抗体を被覆するようにガラスペースト ４図は第３図のガラスペーストを焼成後、該ガラスと共
に厚膜抵抗体の一部をレーザーにより切欠した状態を示
す従来例の平面略図、第５図は第４図の切欠部を有する
ガラス上に更にガラスペーストを、第１層用電極と直角
方向に隣接する単位胞にわたり、一連不可分に印刷被覆
した状態を示す従来例の平面略図、第６図は第５図に切
溝上のアエカク線及びイウオキ線に沿って細長状に分割
した状態を示す従来例の平面略図、第７図（ａ）及び（
ｂ）は第６図における第１層用電極の一部及び該電極方
向の端面に第２Ｎ用電極を積層した状態を示す従来例の
それぞれ、平面略図及び該Ａ−Ａ線縦線面断面拡大図７
図ｔｅｌ及びｌｄｌは第６図における第１層用電極の一
部及び該電極方向の端面に第２層用電極を積層した状態
を示す本発明の一実施例の、それぞれ、平面略図及び該
Ｂ−Ｂ線縦線面断面拡大図８図は第７図（ａ）の細長方
向と略直角方向の切溝上のアイ線及びエラ線に沿って分
割した状態を示す従来例の平面図、第９図は第８図の第
１及び第２層用電極が被覆されるように、第３層用電極
を、更に該第３層用電極が被覆されるように第４層用電
極を、それぞれ基板より順次積層した状態を示す従来例
の第８図Ｃ−Ｃ線方向に相当する縦断面拡大図、第１Ｏ
図は第２層用電極を積層した細長状抵抗体を電解メッキ
用の容器中に浸漬して電解メッキする状態を示す本発明
の一実施例の概略図、第１１図は第３及び第４層用電極
を積層した後の本発明の細長状抵抗体の電極を含む第１
０図のＤ−り線方向に相当する縦断面図、第１２図は第
１１図の細長状抵抗体における、図示されない細長方向
と略直角方向の切溝上のアイ線及びエラ線に沿って、分
割した状態を示す本発明の一実施例の平面図、第１３図
は従来例と本発明の一実施例における被メッキ膜厚のバ
ラツキを比較した特性図である。 １・・・切溝、２・・・電気絶縁性基板、３・・・第１
層用電極、４・・・厚膜抵抗体、５，５＃・・・ガラス
ペースト、５’、５”・・・ガラス、６・・・切欠部、
７，１９・・・端面、８，１１・・・第２層用電極、９
，１７・・・第３層用電極、１０、１８・・・第４層用
電極、１２・・・電源、１３・・・被覆導線、１４・・
・陽極板、１５・・・電解メッキ液、１６・・・容器 特許出願人　　コ　−　ア株式会社 第３図 某−４−圓 ｔｆＩｇＩ￥１

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上へ形成する順序からして、少なくとも第１
   、第２、第３及び第４層用電極より成る細長状チップ形
   電子部品において、その略端面に蒸着又はスパッタリン
   グを含む真空式薄膜形成手段を用いて形成された該第２
   層用電極を陰極として、電解メッキ方法により該第３層
   用電極を形成した事を特徴とするチップ形電子部品。