JPH01219014A - 誘電体材料粉末の製造方法 - Google Patents
誘電体材料粉末の製造方法Info
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- JPH01219014A JPH01219014A JP4609388A JP4609388A JPH01219014A JP H01219014 A JPH01219014 A JP H01219014A JP 4609388 A JP4609388 A JP 4609388A JP 4609388 A JP4609388 A JP 4609388A JP H01219014 A JPH01219014 A JP H01219014A
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- Japan
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- dielectric material
- crystal
- component
- powder
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、セラミックコンデンサなどの電子部品となる
誘電体素子の製造に適する誘電体材料粉末の製造方法に
関する。
誘電体素子の製造に適する誘電体材料粉末の製造方法に
関する。
（従来の技術）
従来から、セラミックコンデンサなどとして使用されて
いるＢａＴ１０３．５ｒＴｉ（ｈなどやこれらセラミッ
クコンデンサにキュリー点のシフターなどとして添加さ
れるＣａＴｉＯ２、ＢａＺｒ０ ｚなどの酸化物系誘電
体材料粉末の製造方法としては、固相反応法が一般的に
用いられている。この固相反応法をＢａＴｉＯ３を例と
して説明すると、たとえばＴｉＯ２とＢａＣ０３とを出
発原料として使用し、これらを充分に混合した後、１０
００℃〜１２００℃程度の温 ・度で仮焼して結晶化
させ、得られた焼成物を粉砕、後処理して粉末とする方
法である。また、この固相反応性以外に、共沈法、アル
コキシド法、水熱合成法などが知られている。
いるＢａＴ１０３．５ｒＴｉ（ｈなどやこれらセラミッ
クコンデンサにキュリー点のシフターなどとして添加さ
れるＣａＴｉＯ２、ＢａＺｒ０ ｚなどの酸化物系誘電
体材料粉末の製造方法としては、固相反応法が一般的に
用いられている。この固相反応法をＢａＴｉＯ３を例と
して説明すると、たとえばＴｉＯ２とＢａＣ０３とを出
発原料として使用し、これらを充分に混合した後、１０
００℃〜１２００℃程度の温 ・度で仮焼して結晶化
させ、得られた焼成物を粉砕、後処理して粉末とする方
法である。また、この固相反応性以外に、共沈法、アル
コキシド法、水熱合成法などが知られている。
そして、これらの方法によって得た誘電体材料粉末をバ
インダ成分などとともに混合し、所定の形状の成形体を
作製した後、焼成して焼結させることによって目的とす
る誘電体素子を得ている。
インダ成分などとともに混合し、所定の形状の成形体を
作製した後、焼成して焼結させることによって目的とす
る誘電体素子を得ている。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、上述した固相反応法は、経済性、量産性
などに優れている半面、得られる粉末の粒径が２μｆｉ
ｌ〜３μｌと比較的大きく、また粒度の分布幅も広いと
いう問題があった。また、固相反応性以外の共沈法、ア
ルコキシド法、水熱合成法などによって製造される誘電
体材料粉末は、粒径が０．５μｍ＝１．５μｍ程度と比
較的微細な粉末であり、粒径的にはセラミックコンデン
サ用として適しているが、やはり上述した固相反応法と
同様に粒度分布幅が広く、粒径のばらつきが大きいとい
う問題があった。このように、粒径が不均一であると、
焼結させた際に得られる焼結体の機械的強度が部分的に
不均一となり、素子の寿命を短くする原因となるため、
より粒径の均一な誘電体材料粉末が求められている。
などに優れている半面、得られる粉末の粒径が２μｆｉ
ｌ〜３μｌと比較的大きく、また粒度の分布幅も広いと
いう問題があった。また、固相反応性以外の共沈法、ア
ルコキシド法、水熱合成法などによって製造される誘電
体材料粉末は、粒径が０．５μｍ＝１．５μｍ程度と比
較的微細な粉末であり、粒径的にはセラミックコンデン
サ用として適しているが、やはり上述した固相反応法と
同様に粒度分布幅が広く、粒径のばらつきが大きいとい
う問題があった。このように、粒径が不均一であると、
焼結させた際に得られる焼結体の機械的強度が部分的に
不均一となり、素子の寿命を短くする原因となるため、
より粒径の均一な誘電体材料粉末が求められている。
また、近年、電子機器の小型化に伴いセラミックコンデ
ンサなどの素子も小型大容量のものが望まれている。こ
のセラミックコンデンサなどの素子の小型大容量化を実
現する一つの手段として積層型セラミックコンデンサが
知られており、積層数を増してさらに大容量化すること
が試みられている。しかし、積層数を増加させることは
誘電体層間に設けられる内部電極数をも増加させること
となり著しいコストの上昇を招いてしまう。これは、Ｂ
ａＴ１０３、ＢａＺｒ０３、ＣａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ
３などの焼結温度が１３００℃〜１４００℃と高いため
、内部電極として高価なＰｔ’ＰＰｄを使用せざる得な
いためである。
ンサなどの素子も小型大容量のものが望まれている。こ
のセラミックコンデンサなどの素子の小型大容量化を実
現する一つの手段として積層型セラミックコンデンサが
知られており、積層数を増してさらに大容量化すること
が試みられている。しかし、積層数を増加させることは
誘電体層間に設けられる内部電極数をも増加させること
となり著しいコストの上昇を招いてしまう。これは、Ｂ
ａＴ１０３、ＢａＺｒ０３、ＣａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ
３などの焼結温度が１３００℃〜１４００℃と高いため
、内部電極として高価なＰｔ’ＰＰｄを使用せざる得な
いためである。
これに対する解決策の一つとして誘電体材料粉末を微細
化して焼結温度を低下させ、内部電極にＡｇなどの比較
的安価な材料の使用を可能にする方法が考えられている
が、上述したような従来法によって製造された誘電体材
料粉末は、上記要求を満足していないため、この方法に
適した高品位で微細な誘電体材料粉末が強く求められて
いる。
化して焼結温度を低下させ、内部電極にＡｇなどの比較
的安価な材料の使用を可能にする方法が考えられている
が、上述したような従来法によって製造された誘電体材
料粉末は、上記要求を満足していないため、この方法に
適した高品位で微細な誘電体材料粉末が強く求められて
いる。
本発明は、このような従来技術の課題に対処するべくな
されたもので、粒径が微細で、かつ粒度分布の均一な誘
電体材料粉末を安定して得ることを可能にした誘電体材
料粉末の製造方法を提供することを目的としている。
されたもので、粒径が微細で、かつ粒度分布の均一な誘
電体材料粉末を安定して得ることを可能にした誘電体材
料粉末の製造方法を提供することを目的としている。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
本発明の誘電体材料粉末の製造方法は、上記目的を達成
するために、誘電体材料の基本成分としてＡＯ酸成分Ａ
はＢａＳＢｅＳｑｇ、 Ｃａ５Ｓｒ、 Ｒａから選ばれ
た少なくとも一種の元素を示す。以下同じ。）オヨヒＤ
０２成分（Ｄ ハＴＩ、 Ｚｒ５Ｈｆ、 Ｔｈから選ば
れた少なくとも一種の元素を示す。以下同じ。）とガラ
ス形成成分としてＢ２Ｏ３成分およびＡＯ酸成分を少な
くとも含有する原料混合物を加熱溶融する工程と、この
溶融物を急冷して非晶質体とする工程と、この非晶質体
に熱処理を施してＡＤ（ｈで表される誘電体材料結晶を
析出させる工程と、この熱処理工程によって得た焼成物
を粉砕する工程と、得られた粉末を希酸で処理してガラ
ス形成成分を除去し、ＡＤＯ３で表される誘電体材料の
結晶粉末を抽出する工程とを有することを特徴としてい
る。
するために、誘電体材料の基本成分としてＡＯ酸成分Ａ
はＢａＳＢｅＳｑｇ、 Ｃａ５Ｓｒ、 Ｒａから選ばれ
た少なくとも一種の元素を示す。以下同じ。）オヨヒＤ
０２成分（Ｄ ハＴＩ、 Ｚｒ５Ｈｆ、 Ｔｈから選ば
れた少なくとも一種の元素を示す。以下同じ。）とガラ
ス形成成分としてＢ２Ｏ３成分およびＡＯ酸成分を少な
くとも含有する原料混合物を加熱溶融する工程と、この
溶融物を急冷して非晶質体とする工程と、この非晶質体
に熱処理を施してＡＤ（ｈで表される誘電体材料結晶を
析出させる工程と、この熱処理工程によって得た焼成物
を粉砕する工程と、得られた粉末を希酸で処理してガラ
ス形成成分を除去し、ＡＤＯ３で表される誘電体材料の
結晶粉末を抽出する工程とを有することを特徴としてい
る。
（作 用）
本発明においては、まずＡＯ−ＤＯ２−Ｂ２０３系の原
料混合物を溶融した後、急冷することにって非晶質体を
作製する。そして、この非晶質体に熱処理を施すことに
よってＡＤＯ３の結晶を析出させる。このＡＤＯ３結晶
の析出反応は、固相内での原子拡散に支配されるため、
ゆっくりと反応が進み、析出するＡＤＯ３結晶を非常に
微細な粒子とすることが可能となる。また、析出させる
結晶粒子の粒径の熱処理温度依存性が緩かであるため、
熱処理条件や原料混合物中の成分組成を変化させること
で、粒径の制御を容易に行うことが可能である。
料混合物を溶融した後、急冷することにって非晶質体を
作製する。そして、この非晶質体に熱処理を施すことに
よってＡＤＯ３の結晶を析出させる。このＡＤＯ３結晶
の析出反応は、固相内での原子拡散に支配されるため、
ゆっくりと反応が進み、析出するＡＤＯ３結晶を非常に
微細な粒子とすることが可能となる。また、析出させる
結晶粒子の粒径の熱処理温度依存性が緩かであるため、
熱処理条件や原料混合物中の成分組成を変化させること
で、粒径の制御を容易に行うことが可能である。
この熱処理条件は、目的とする誘電体材料によって異な
るが、通常６００℃〜８５０℃程度の温度条件下で、１
時間〜８時間程度行う。
るが、通常６００℃〜８５０℃程度の温度条件下で、１
時間〜８時間程度行う。
また、原料混合物中の各成分組成は、第１図に示す三角
成分図中におけるＡ０５０ｍｏ１％−８２０３５０ｔｏ
。
成分図中におけるＡ０５０ｍｏ１％−８２０３５０ｔｏ
。
１％の点ａと００２５５ｍｏ１％−ＡＯ４５ｍｏ１％の
点すとＢ０２４５ｍｏｌ１％−ＡＯ５５ｍｏ１％の点Ｃ
とで囲まれた範囲内（図中斜線で示す。）の組成を有す
るものが好ましい。
点すとＢ０２４５ｍｏｌ１％−ＡＯ５５ｍｏ１％の点Ｃ
とで囲まれた範囲内（図中斜線で示す。）の組成を有す
るものが好ましい。
これは、非晶質体を熱処理した際に、まずＡＢ２０４（
あるいはＡＯ・ Ｂ２０３）相が析出する。
あるいはＡＯ・ Ｂ２０３）相が析出する。
これは示差熱分析およびＸ線回折の結果などからＡＤＯ
３に優先して析出することを確認している。
３に優先して析出することを確認している。
したがってＡＤＯ３の基本成分となるＡＯがＢ２Ｏ３と
等量モルより少ない場合、ＡＯはＢ２Ｏ３と化合してＡ
Ｂ２０４となり易いため、目的とするＡＤＯ３の析出量
が減少し、残部がＤＯ２として析出してしまう。このＤ
Ｏ２は後工程の希酸処理によって除去することが比較的
困難であるため、最終生成物であるＡＤＯ３中に残存し
やすい。また、８２０３ｍの減少と共に溶融温度の上昇
を招き経済性が悪化する。以上の影響を考慮すると、第
１図中の点ａと点すとを結ぶ線上の組成およびそれより
ＡＯが過剰となる組成が好ましい組成範囲となる。
等量モルより少ない場合、ＡＯはＢ２Ｏ３と化合してＡ
Ｂ２０４となり易いため、目的とするＡＤＯ３の析出量
が減少し、残部がＤＯ２として析出してしまう。このＤ
Ｏ２は後工程の希酸処理によって除去することが比較的
困難であるため、最終生成物であるＡＤＯ３中に残存し
やすい。また、８２０３ｍの減少と共に溶融温度の上昇
を招き経済性が悪化する。以上の影響を考慮すると、第
１図中の点ａと点すとを結ぶ線上の組成およびそれより
ＡＯが過剰となる組成が好ましい組成範囲となる。
一方、ＡＯがＢ２Ｏ３のモル数より過剰である場合には
、ＡＯが非晶質体中に残存し、ＡＤＯ３＋ＡＢ２０４
＋ＡＯが析出する。このＡＯはＡＢ２０４と共・ に希
酸処理によって容易に除去することが可能であるが、Ａ
Ｏの析出量の増加に伴ってＡＤＯ３の収率が低下し、ま
た希酸処理工程への負担が増大し、生産性が損われるた
め、第１図中の点ａと点Ｃとを結ぶ線上の組成およびそ
れよりＤＯ２が過剰となる組成が好ましい組成範囲とな
る。
、ＡＯが非晶質体中に残存し、ＡＤＯ３＋ＡＢ２０４
＋ＡＯが析出する。このＡＯはＡＢ２０４と共・ に希
酸処理によって容易に除去することが可能であるが、Ａ
Ｏの析出量の増加に伴ってＡＤＯ３の収率が低下し、ま
た希酸処理工程への負担が増大し、生産性が損われるた
め、第１図中の点ａと点Ｃとを結ぶ線上の組成およびそ
れよりＤＯ２が過剰となる組成が好ましい組成範囲とな
る。
したがって、第１図中の点ａと点すと点Ｃとで囲まれた
範囲内の成分組成を有する原料混合物を使用することが
好ましい。さらに、化学量論比としテハ、点ａと点ｄ１
すなわち００２５０ｍｏ１％−ＡＯ５（１ｍｏ１％の点
とを結ぶ線上の組成であり、この線上の組成が最も望ま
しい成分組成となる。
範囲内の成分組成を有する原料混合物を使用することが
好ましい。さらに、化学量論比としテハ、点ａと点ｄ１
すなわち００２５０ｍｏ１％−ＡＯ５（１ｍｏ１％の点
とを結ぶ線上の組成であり、この線上の組成が最も望ま
しい成分組成となる。
（実施例）
以下、本発明の方法をＢ ａ （Ｔ ｉ ｘ Ｚ ｒ
１−ｘ ） ｏ３の製造に適、用した一実施例について
説明する。なお、ここでＺｒはＢａＴｉＯ３のキュリー
点をシフトさせる成分で、ＴＩに対してｘ−０，８０〜
１．０程度の範囲で選択的に置換するものである。
１−ｘ ） ｏ３の製造に適、用した一実施例について
説明する。なお、ここでＺｒはＢａＴｉＯ３のキュリー
点をシフトさせる成分で、ＴＩに対してｘ−０，８０〜
１．０程度の範囲で選択的に置換するものである。
まず、ガラス形成物質としてＢａｏ−Ｂ２Ｏ３を用い、
原料混合物を溶融冷却して得られる非晶質体において、
Ｂａ（Ｔｌｘｚｒｌ−ｘ）０３：Ｂａｏ−Ｂ２Ｏ３がモ
ル比でｓｏ：ｓｏ左なるように、それぞれの出発原料で
あるＴｉＯ２、ＺｒＯ２、Ｈ３ＢＯ３、ＢａＣ０３を所
定世評量し、これらを充分に混合した後、白金ルツボに
収容し、１３００℃〜１４００℃の温度条件で加熱溶融
した。この溶融物を白金ルツボ底部のノズルから流出さ
せ、直径２００１１１１０％回転数５０Ｏｒ、ｐ、ｍ−
、線圧５ｔ、ｏｎの水冷双ロール上に注いで急冷して薄
板状の非晶質体とした。
原料混合物を溶融冷却して得られる非晶質体において、
Ｂａ（Ｔｌｘｚｒｌ−ｘ）０３：Ｂａｏ−Ｂ２Ｏ３がモ
ル比でｓｏ：ｓｏ左なるように、それぞれの出発原料で
あるＴｉＯ２、ＺｒＯ２、Ｈ３ＢＯ３、ＢａＣ０３を所
定世評量し、これらを充分に混合した後、白金ルツボに
収容し、１３００℃〜１４００℃の温度条件で加熱溶融
した。この溶融物を白金ルツボ底部のノズルから流出さ
せ、直径２００１１１１０％回転数５０Ｏｒ、ｐ、ｍ−
、線圧５ｔ、ｏｎの水冷双ロール上に注いで急冷して薄
板状の非晶質体とした。
次に、この非晶質体をボールミルまたは振動ミルによっ
て微粉砕し、所定の容器に充填して電気炉内に収容し、
７５０℃〜８５０℃で５時間熱処理を行い、Ｂａ （Ｔ
Ｉ、 Ｚｒ１−ｘ） ０３結晶を含む焼成物を作製した
。この焼成物を２０メツシユ以下となるように粉砕し、
１０％酢酸溶液で処理してガラス形成物質の溶解除去を
行った。なお、この際の結晶粉末の量は、酢酸溶液に対
して２０重量％とし、８０℃の液中で行った。次いで、
この酸処理後の処理物に対して繰返し水洗を行い、ｐＨ
が６以上となったところで水洗を終了して、脱水および
乾燥を行い、Ｂａ （ＴｉｘＺｒｌ−、） ０３結晶機
粒子を得た。
て微粉砕し、所定の容器に充填して電気炉内に収容し、
７５０℃〜８５０℃で５時間熱処理を行い、Ｂａ （Ｔ
Ｉ、 Ｚｒ１−ｘ） ０３結晶を含む焼成物を作製した
。この焼成物を２０メツシユ以下となるように粉砕し、
１０％酢酸溶液で処理してガラス形成物質の溶解除去を
行った。なお、この際の結晶粉末の量は、酢酸溶液に対
して２０重量％とし、８０℃の液中で行った。次いで、
この酸処理後の処理物に対して繰返し水洗を行い、ｐＨ
が６以上となったところで水洗を終了して、脱水および
乾燥を行い、Ｂａ （ＴｉｘＺｒｌ−、） ０３結晶機
粒子を得た。
得られたＢａ （ＴｉＸＺｒ１−ｘ） ０３粉末は、測
定の結果、平均粒径０．５μｍ１粒度分布（３σ） ０
．０８であった。
定の結果、平均粒径０．５μｍ１粒度分布（３σ） ０
．０８であった。
一方、本発明との比較のため、共沈法によってＢａ（Ｔ
ｉ工Ｚ ｒ １□）０３粉末を作製し、この粉末につい
ても同様な測定を行ったところ、平均粒径１．６μｍ１
粒度分布（３σ）０，５であり、上記実施例によるＢａ
（ＴｉｘＺｒ、、 ） ０１粉末が粒径のそろった均
一なものであることを確認した。またこの結果は、各Ｂ
ａ （ＴｌｘＺｒｌ−ｘ） Ｏ、粉末の電子顕微鏡写真
からもいっそう明らかとなった。
ｉ工Ｚ ｒ １□）０３粉末を作製し、この粉末につい
ても同様な測定を行ったところ、平均粒径１．６μｍ１
粒度分布（３σ）０，５であり、上記実施例によるＢａ
（ＴｉｘＺｒ、、 ） ０１粉末が粒径のそろった均
一なものであることを確認した。またこの結果は、各Ｂ
ａ （ＴｌｘＺｒｌ−ｘ） Ｏ、粉末の電子顕微鏡写真
からもいっそう明らかとなった。
次に、上記実施例によって得たＢａ （ＴｉｘＺｒｌ−
ｘ）０３粉末を用い、焼結体を作製したところ、均質で
焼結強度が高く、非常に安定した長寿命の素子を得るこ
とができた。
ｘ）０３粉末を用い、焼結体を作製したところ、均質で
焼結強度が高く、非常に安定した長寿命の素子を得るこ
とができた。
なお、上記実施例においては、出発原料となる原料混合
物の組成や熱処理条件を変えることによって容易に粒径
を制御することができ、これらの組合わせにより、必要
に応じて０．０１μｍ〜数μＩの範囲で粒径を制御する
ことが可能である。
物の組成や熱処理条件を変えることによって容易に粒径
を制御することができ、これらの組合わせにより、必要
に応じて０．０１μｍ〜数μＩの範囲で粒径を制御する
ことが可能である。
また、上記実施例では、本発明の製造方法をＢａ （Ｔ
ｉｘＺｒ１□）０３の製造に適用した例について説明し
たが、ＡＤＯ３のＡが１３６５Ｍｇ 、 Ｃａ、 Ｓｒ
やＲａで、ＤがＨｆ’やＴｈの場合でも同様な結果が得
られた。
ｉｘＺｒ１□）０３の製造に適用した例について説明し
たが、ＡＤＯ３のＡが１３６５Ｍｇ 、 Ｃａ、 Ｓｒ
やＲａで、ＤがＨｆ’やＴｈの場合でも同様な結果が得
られた。
［発明の効果］
以上説明したように本発明の誘電体材料粉末の製造方法
によれば、微細で粒度分布の幅が狭い均質な誘電体材料
粉末が得られ、また原料混合物の組成範囲や非晶質体へ
の熱処理条件を変えることにより粒径の制御が容易にで
き、希望する粒径の微粒子粉末を比較的大きいものから
、非常に微細なものまでコストを上げることなく安定し
て得ることが可能である。
によれば、微細で粒度分布の幅が狭い均質な誘電体材料
粉末が得られ、また原料混合物の組成範囲や非晶質体へ
の熱処理条件を変えることにより粒径の制御が容易にで
き、希望する粒径の微粒子粉末を比較的大きいものから
、非常に微細なものまでコストを上げることなく安定し
て得ることが可能である。
第１図は本発明に係る原料混合物の各出発原料の組成を
示す三角成分図である。 出願人 東芝硝子株式会社 代理人 弁理士 須 山 佐 − 輸お 二角ｌ ＊ ｔ！ｌ （ｍｏ １％） 第１図
示す三角成分図である。 出願人 東芝硝子株式会社 代理人 弁理士 須 山 佐 − 輸お 二角ｌ ＊ ｔ！ｌ （ｍｏ １％） 第１図
Claims (1)
- （１）誘電体材料の基本成分としてＡＯ成分（ＡはＢａ
、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｒａから選ばれた少なくと
も一種の元素を示す。）およびＤＯ＿２成分（ＤはＴｉ
、Ｚｒ、Ｈｒ、Ｔｈから選ばれた少なくとも一種の元素
を示す。）とガラス形成成分としてＢ＿２Ｏ＿３成分お
よびＡＯ成分とを含有する原料混合物を加熱溶融する工
程と、この溶融物を急冷して非晶質体とする工程と、こ
の非晶質体に熱処理を施してＡＤＯ＿３で表される誘電
体材料結晶を析出させる工程と、この熱処理工程によっ
て得た焼成物を粉砕する工程と、得られた粉末を希酸で
処理してガラス形成成分を除去し、ＡＤＯ＿３で表され
る誘電体材料の結晶粉末を抽出する工程とを有すること
を特徴とする誘電体材料粉末の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4609388A JPH01219014A (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | 誘電体材料粉末の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4609388A JPH01219014A (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | 誘電体材料粉末の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01219014A true JPH01219014A (ja) | 1989-09-01 |
Family
ID=12737374
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4609388A Pending JPH01219014A (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | 誘電体材料粉末の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01219014A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004331492A (ja) * | 2003-04-18 | 2004-11-25 | Asahi Glass Co Ltd | チタン酸ジルコン酸鉛微粒子の製造方法 |
| JP2007326735A (ja) * | 2006-06-07 | 2007-12-20 | Asahi Glass Co Ltd | セリア−ジルコニア固溶体微粒子の製造方法 |
| JP2008143733A (ja) * | 2006-12-08 | 2008-06-26 | Asahi Glass Co Ltd | ジルコニア微粒子の製造方法 |
| JP2011105542A (ja) * | 2009-11-17 | 2011-06-02 | Asahi Glass Co Ltd | チタン酸化合物粒子の製造方法及びチタン酸化合物粒子 |
-
1988
- 1988-02-29 JP JP4609388A patent/JPH01219014A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004331492A (ja) * | 2003-04-18 | 2004-11-25 | Asahi Glass Co Ltd | チタン酸ジルコン酸鉛微粒子の製造方法 |
| JP2007326735A (ja) * | 2006-06-07 | 2007-12-20 | Asahi Glass Co Ltd | セリア−ジルコニア固溶体微粒子の製造方法 |
| JP2008143733A (ja) * | 2006-12-08 | 2008-06-26 | Asahi Glass Co Ltd | ジルコニア微粒子の製造方法 |
| JP2011105542A (ja) * | 2009-11-17 | 2011-06-02 | Asahi Glass Co Ltd | チタン酸化合物粒子の製造方法及びチタン酸化合物粒子 |
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