JPH01219066A - セラミック基板の製造方法 - Google Patents
セラミック基板の製造方法Info
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- JPH01219066A JPH01219066A JP63046279A JP4627988A JPH01219066A JP H01219066 A JPH01219066 A JP H01219066A JP 63046279 A JP63046279 A JP 63046279A JP 4627988 A JP4627988 A JP 4627988A JP H01219066 A JPH01219066 A JP H01219066A
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Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はセラミック基板の製造方法に関するものである
。
。
従来の技術
従来、熱伝導性の高いセラミック基板は、一般に窒化ア
ルミニウム粉末１００重量％を１５００〜２０００℃の
高温度下でしかも１００気圧以上の圧力を印加して焼成
する、いわゆるホットプレス法で作製され・ている。
ルミニウム粉末１００重量％を１５００〜２０００℃の
高温度下でしかも１００気圧以上の圧力を印加して焼成
する、いわゆるホットプレス法で作製され・ている。
発明が解決しようとする課題
この方法では、非常に大きな加工エネルギーを必要とす
るので、半導体装置やＩＣ，ＬＳＩに使用するための高
密度実装基板としては非常に高価なものとなっている。
るので、半導体装置やＩＣ，ＬＳＩに使用するための高
密度実装基板としては非常に高価なものとなっている。
そこで、安価な基板の供給が強く求められている。
本発明の方法はこのような要求を実現したものである。
課題を解決するための手段
本発明の方法は、窒化アルミニウム粉末２０〜９０Ｍ量
％に、残量として無機材の粉末を混合し、この混合物を
常温で成形した後、８００〜１０００℃の範囲内の温度
で焼成することを特徴とする。
％に、残量として無機材の粉末を混合し、この混合物を
常温で成形した後、８００〜１０００℃の範囲内の温度
で焼成することを特徴とする。
作 用
本発明においては、非常に低い温度で焼成することがで
きるので、加工エネルギーが大幅に低減される。
きるので、加工エネルギーが大幅に低減される。
実施例
以下、本発明のセラミック基板の製造方法を一実施例に
ついて説明する。
ついて説明する。
まず、窒化アルミニウム粉末５０重量％と硼珪酸ガラス
の粉末５０重量％とを混合し、さらにこの混合物に水溶
性結合剤としてポリビニルアルコールを１〜５％添加し
て混純する。この混練物をスプレードライヤで顆粒化し
てから、得られた顆粒を所定の大きさの金型の中に充填
し、常温皮下で０．５〜２．Ｏｔ／ｌｌ１ｍ”で加圧す
る。成型物を金型から取出してから、５００〜６００℃
の範囲内の温度で１〜２時間保持して水溶性結合剤を飛
散させる。それから、８００〜１０００℃の範囲内の温
度で所定の収縮率になるまで焼成して、セラミック基板
とする。
の粉末５０重量％とを混合し、さらにこの混合物に水溶
性結合剤としてポリビニルアルコールを１〜５％添加し
て混純する。この混練物をスプレードライヤで顆粒化し
てから、得られた顆粒を所定の大きさの金型の中に充填
し、常温皮下で０．５〜２．Ｏｔ／ｌｌ１ｍ”で加圧す
る。成型物を金型から取出してから、５００〜６００℃
の範囲内の温度で１〜２時間保持して水溶性結合剤を飛
散させる。それから、８００〜１０００℃の範囲内の温
度で所定の収縮率になるまで焼成して、セラミック基板
とする。
この方法によれば、セラミック基板の製造原価が従来の
方法に比べて５〜２０％低減され、大幅にコストダウン
をすることができた。
方法に比べて５〜２０％低減され、大幅にコストダウン
をすることができた。
これは、常温粉末成形法と低温焼成法とによって、その
加工エネルギーが非常に少なくてすみ、また、高価な窒
化アルミニウム粉末の使用量が少なくてすむことによる
。
加工エネルギーが非常に少なくてすみ、また、高価な窒
化アルミニウム粉末の使用量が少なくてすむことによる
。
なお、窒化アルミニウム粉末と無機材の粉末との混合物
において、窒化アルミニウム粉末の比率が２０重量％未
満であるとき、得られ名文化アルミニウムセラミック基
板の熱伝導性が現用品の熱伝導性と同等以下となり、ま
た、それが９０重量％を越えると、窒化アルミニウムセ
ラミック基板の価格が現用品とほぼ同じとなるので、組
成比率が上記範囲内にあることが望ましい。
において、窒化アルミニウム粉末の比率が２０重量％未
満であるとき、得られ名文化アルミニウムセラミック基
板の熱伝導性が現用品の熱伝導性と同等以下となり、ま
た、それが９０重量％を越えると、窒化アルミニウムセ
ラミック基板の価格が現用品とほぼ同じとなるので、組
成比率が上記範囲内にあることが望ましい。
また、焼成温度が８００℃より低いときには、焼成が十
分でになされない可能性があり、それが１０００℃を越
えると、過燐酸となる可能性がある。したがって、焼成
温度は８００〜１０００℃であることが望ましい。
分でになされない可能性があり、それが１０００℃を越
えると、過燐酸となる可能性がある。したがって、焼成
温度は８００〜１０００℃であることが望ましい。
発明の詳細
な説明したように、本発明の方法によれば、窒化アルミ
ニウムに無機材を加えているので、材料費が安（てすみ
、−シかも混合物を非常に低い温度で焼成するので、従
来の方法に比べて熱エネルギーを大幅に低減できるので
、半導体装置などにおける高密度実装化のための窒化ア
ルミニウム基板を安価に提供することができる。
ニウムに無機材を加えているので、材料費が安（てすみ
、−シかも混合物を非常に低い温度で焼成するので、従
来の方法に比べて熱エネルギーを大幅に低減できるので
、半導体装置などにおける高密度実装化のための窒化ア
ルミニウム基板を安価に提供することができる。
Claims (1)
- 窒化アルミニウム粉末２０〜９０重量％に残量として無
機材の粉末を混合し、この混合物を常温で粉末成形した
後、８００〜１０００℃の範囲内の温度で焼成すること
を特徴とするセラミック基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63046279A JPH01219066A (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | セラミック基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63046279A JPH01219066A (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | セラミック基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01219066A true JPH01219066A (ja) | 1989-09-01 |
Family
ID=12742792
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63046279A Pending JPH01219066A (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | セラミック基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01219066A (ja) |
-
1988
- 1988-02-29 JP JP63046279A patent/JPH01219066A/ja active Pending
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