JPH01219168A - 非導電性基板の無電解メツキのための前処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 Ａ、産業上の利用分野 本発明は非導電性基板の前処理方法に係り、特に、無電
解メッキ浴から非導電性基板に金属を選択的に付着させ
るための準備のために非導電性基板を処理する方法に関
する。本発明の方法はプリント回路カード及びプリント
回路ボードの製造に特に適している。

Ｂ、背景技術 プリント回路カード及びボードにおいては非導電性材料
が基板として用いられている。導電性回路パターンは前
記基板の片面あるいは両面上に形成されている。

導電パターンは種々の既知の技術を用いて基板表面上に
形成される。これらの既知の技術には除去技術、ＥＤＢ
　（無電解直接結合：　ｇｌｅｃｔｒｏｌｅｓｓＤｉｒ
ｅｃｔ　　Ｂｏｎｄ）技術、及び剥離技術が含まれ、除
去技術では銅のような導電性金属層がエツチングされて
所望の回路パターンを形成し、ＥＤＢ技術では銅のよう
な導電性金属層が無電解メッキ浴から基板表面にメッキ
されて直接に所望のパターンを形成し、剥離技術では剥
離銅のような剥離金属（ビール・アパート・メタル）と
呼ばれる薄い層から所望の回路パターンを形成する。

これらのいずれの技術においても層と層との間の接続は
メッキされたスルーホールで形成されている。こ９した
ホールのメッキでは銅のような金属は（ホールの壁の上
の）非導電性基板の上に直接的にメッキされなければな
らない。更に、ＥＤＢ技術では、基板表面を直接的にメ
ッキしなげればならない。

基板が非導電性であるとき、基板をメッキするには、金
属を付着させる前に基板を活性化即ちメッキの核となる
ものを付着させなければならない。

基板を活性化させる多（の方法において、塩化スズの感
光性溶液及び金属パラジウム粒子層全形成する塩化パラ
ジウムの活性剤を用いている。誘電性基板を活性化させ
る方法の１つは米国特許第３０１１９２０号に記載され
、その方法は、コロイド金属溶液で基板に第１の処理を
施して基板を感光性にし、感光性を付与された非導電性
基板から保護コロイドを除去するために選択溶媒を作用
させて前記第１の処理を促進させ、前記感光性基板上に
金属コーティングを無電解で付着させることを含んでい
る。例えば金属が銅であれば銅の塩の溶液と還元剤とを
用いることＫなる。

より複雑な回路及びより鮮明なラインに対する登詰は益
々増えており、メッキ核の付与即ち触媒の作用（被メッ
キ表面の活性化）といった前処理に関する開発努力も続
けられている。例えば、基板の非回路領域をパターン形
成するために触媒層上に永久レジスト材料を付着させ、
その後に前記永久レジスト材料でマスクされていない領
域上に無電解メッキを施す方法が提案されている。しか
しながら、そのような方法は、永久レジスト材料層の下
の触媒物質の存在によって互いに近接した回路中の配線
相互間の漏電が生じやす（なるので必らずしも満足でき
るものではない。この種の欠点は例えばライン間隔が約
５．　Ｉ　Ｘ　１０　　”ｍ（約２ミル）から釣人６ｘ
１０−５ｍ（約６ミル）程度の高実装密度回路では特に
問題となる。永久レジスト・マスクを用いたプロセスに
おける改良の１つが米国特許第３９８２０４５号に記載
されている。

Ｃ１発明の概要 本発明の方法は無電解メッキ浴から金属を選択的に付着
させる前に非導電性基板を前処理する方法である。

本発明による方法は、永久レジスト・マスクを採用する
と同時に隣接ライン間の電流の漏れを最小にする。永久
レジスト・マスクの永久という意味はレジスト・マスク
が金属メッキ時に取除かれていないということである。

本発明によれば、永久レジスト層下のメッキ核粒子が電
流を流しに（いので、完全に解消されないまでも、配線
相互間の電流の漏れの問題は十分に減じられる。

本発明の方法では永久レジスト材料の下の残怪′メッキ
核粒子は絶縁性であると言える。

特に、本発明の方法は粗面化された非導電性基板を用い
る。これにより後に付着されるメッキ核及びその上のメ
ッキ金属についての改良された結合力が得られることに
なる。

基板の粗面化された表面は粒径が約２０オングストロー
ムから約５０オングストロームのパラジウム／スズ粒子
の均一コロイド分散液に接触させられる。パラジウム／
スズ粒子は次にアルカリ水酸化物溶液と接触することに
よって活性化される。

アルカリ水酸化物浴液は約０．０５モルから約１モルの
濃度である。

感光性組成物が次に活性化されたパラジウム／スズ粒子
を含む表面に積層される。感光性組成物は基板上に永久
保護コーティングを形成し得るものでなければならない
。感光性組成物は所定のパターン状に露光されてから現
象されて基板の少なくとも１つの表面上に所定のパター
ンが形成される。現象プロセスによって基板の非回路領
域をマスク即ち特定するマスクが形成される。不発明に
おいては永久レジスト層が基板への積層によって形成さ
れる。

Ｄ、実施例 本発明の方法は種々の誘電性（非導電性）基板の表面処
理即ち前処理に関する。非導電性基板の材料には熱可塑
樹脂、熱硬化性樹脂、及びガラス等が含まれる。

熱硬化性樹脂の典型例はエポキシ、フェノールを基本と
する物質、ポリアミド、及びポリイミドである。

また、誘電体材料はガラスが充填されたエポキシあるい
はフェノール？基本とする物質のような充填剤及び／ま
たは補強剤を含むポリマーの成形品であってもよい。

フェノールを基本とする物質の例にはフェノール、レシ
ルシノール、及びクレゾールのコポリマーが含まれる。

熱可塑性高分子物質の例にはポリプロピレンのようなポ
リオレフィン、ポリスルホン、ポリカーボネイト、ニト
リルゴム、及びＡＢＳポリマーが含まれる。

プリント回路カード及びボードに用いられる最も典型的
なポリマーはエポキシ樹脂である。典型的なエポキシ樹
脂の例には、ビスフェノール−Ａ及びエピクロロヒドリ
ンから得られるビスフェノール−Ａ型樹１ｆｆｌフェノ
ールのようなフェノール物質及びエビクロロヒドリンを
作用させたホルムアルデヒドのようなアルデヒドから製
造されるノボラック樹脂のエポキシ化によって得られる
樹脂物質；テトラグリシジルジアミノジフェニル・メタ
ンのよつな多官能基エポキシ樹脂、及び、ビス（３）　
４−エポキシ−６−メチル−シクロヘキサメチル・アジ
ベイトのような脂環式エポキシ樹脂が含まれる。最も普
通に用いられるエポキシはビスフェノール−Ａ型である
。

また、樹脂性エポキシ組成物には促進剤及び加硫剤を含
ませることができる。好ましい加硫剤の例にはポリアミ
ン；第１、第２、及び第６アミン；ポリアミド；ポリス
ルホン；尿素−フエノール−ホルムアルデヒド；及びこ
れらの酸あるいは無水物が含まれる。更に、好ましい加
硫剤にはＢ　Ｆ　ｓのようなルイス酸触媒やその錯体が
含まれる。

誘電体基板は通常、グラスファイバーのような補強用フ
ァイバー及び／または充填ｊ１すを含んでいる。ファイ
バーを含んでいるそのような組成物は通常、ファイバー
にエポキシ組成物を浸み込ませて製造する。ファイバー
と組み合せたときのエポキシ組成物の量は通常はファイ
バーとエポキシとの総量に対して約３Ｑｗｔ％から約７
０ｗｔ％であり、更に通常は約５５ｗｔ％から約６５ｗ
ｔ％である。

補強用ファイバーと組合せた後、その組成物はまずＢ段
階まで硬化された後にシート状等の所望の形状に成形さ
れる。シート状に成形されるとき、シートの厚さは通常
約３．８ｘ１０　５ｍ（約１．５ミル）から約２０ｘ１
０　５ｍ（約８ミル）であり更に通常は約５Ｘ１０−５
ｍ（約２ミル）から約７．６ｘ１０　５ｍ（約６ミル）
である。組成物の硬化工程は約８０℃から約１１０°Ｃ
の温度において約５分から約１０分の間行なわれる。

基へは一般に行なわれているように他の支持基板上に積
層されてもよい。

例えば、複数のシートを一諸に圧縮することによって基
板を結合させてもよく、このときの圧力は例えば約２０
０ｐｓｉから約５００　ｐｓｉ、より通常には約２５０
ｐｓｉから約ろＯＯｐｓｉであり、温度は約１８０℃で
ある。加圧時間は材料及び圧力によって様々である。上
述の場合は約１時間程度が適当である。

誘電体基板に対して本発明の前処理工程をはじめるに先
立って、必要なスルーホールが誘電体基板に形成されて
もよく、この場合にはスルーホールは適宜にに清浄化さ
れ前処理される。例えば、スルーホールの前処理には砂
及び／または蒸気の吹き付けのような物理的手段及び／
または溶媒膨潤のような化学的手段を用いて活性サイト
を形成することを含む。典型的溶媒はＮ−メチルピロリ
トンである。基板をクロムスルホン酸組成物で前処理す
ることができる。

基板の少な（とも１つの表面は粗面化される。

例えば、銅、ニッケル、あるいはアルミニウム等のよう
な金属のフィルムが非導電性基板の表面上に積層される
。次に、回路を形成する前に、前記金属を前記表面上か
ら完全に剥す。あるいはエツチングする。これは犠牲金
属方法と呼ばれ、銹電体基板上に不規則な表面（即ち粗
面化された表面）を形成し、後にその上に付着される触
媒やメッキ金属に対して改良された結合サイトラ形成す
る。

このような目的で用いられる好ましい金属は例えば銅で
ある。例えば粗面化された表面を有する銅シートが前記
粗面化された表面を基板の粗面化しよりとする表面に押
し当てるように加圧されて非導電性基板の表面上に積層
される。好ましい銅シートの厚さは例えば約２５．４　
ミクロンである。続いて、銅の薄膜が、錯生成膨剤が含
まれずＣｕ　Ｃｌ　２及びＨＣＩを含む水溶液を好まし
くは用いることによって、完全にエツチング除去される
。過硫酸塩をエツチング剤として用いることができる。

用いる銅の薄膜は米国特許第４５５８４７９号に掲載さ
れた方法を用いて製造したものでもよい。

本発明の好ましい一実施例では銅は塩化第２銅（Ｃｕ　
Ｃｉｔ　２　）中で約１２０°Ｆにおいて約６分から約
６分の間にわたってエツチングされる。

好ましい実施例では、スズ／パラジウム組成物を用いた
前処理に先立って、基板を米国特許第４４７８８８３号
及び同第４５５４１８２号に記載された多官能基イオン
・ポリマーを含む水溶液で前処理してもよい。

前記多官能基イオン・ポリマーは同極性の少な（とも２
つの活性イオン官能基部分を含んでいる。

ポリマーは少な（とも親水性であり、好ましくは水また
は水組成物に可溶である。好ましいイオン部分は第４ホ
スホニウム基あるいは第４アンモニウム基である。少な
（とも２つのイオン部分を含むポリマーは入手も容易で
ありここではこれ以上は述べない。

入手可能な多官能基イオン・ポリマーの例は］・−キュ
レス（Ｈｅｒｃｕｌｅｓ）から入手可能なレチン（Ｒｅ
ｔｅｎ）２１０、レチン２２０、及びレチン６００であ
り、これらについては［ウォーターソルブル書ポリ？　
−（Ｗａｔｅｒ−８ｏｌｕｂｌｅｐｏｌｙｍｅｒｓ）Ｊ
冊子ＶＣ−４８２Ａ、パーキュレス社、ライリングトン
、プラウエア（ＢｕｌｌｅｔｉｎＶＣ４８２Ａ１　Ｈｅ
ｒｃｕｌｅｓ　　Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ。

Ｗｉｌｍｉｎｇｔｏｎ、Ｄｅｌａｗａｒｅ）１９８９９
に述べられている。

上述のレチン・ポリマーは高分子量ポリマー（約５０．
０００から約１．０００．０００あるいはこれ以上）で
あり、ポリアクリルアミドを主たる化学的基本骨格とす
る。イオンポリマーは通常的ａ０１ｗｔ％から約０．５
　ｗ　ｔ％、更に通常は約０．０５ｗｔ％かＣ）　約０
．５　ｗ　ｔ％のコポリマーの希釈水溶液として用いら
れる。この水溶液には通常的０かも約７更に通常は約０
から約６のｐＨとなるようにＨ２ＳＯ４あるいはＨＣｌ
の如き無機酸が含まれる。無機酸は通常的２　Ｗ　ｔ％
から約１Ｑｗｔ％存在する。

イオン・ポリマーによる処理は一般に約１分から約１０
分である。

基板をイオン・ポリマーに接触させた後に基板を水洗い
して過剰ポリマーを取除いて基板に吸収されないように
する。

次に、基板を粒径が約１０オングストロームから約５０
オングストロームのパラジウム／スズ粒子の均一コロイ
ド分散溶液に接触させる。ノ（ラジウム／スズ粒子は本
発明の目的が達成されるためには、特に、隣接するライ
ン相互間の必要な電気抵抗が維持されるためには、その
粒径が前述のものでなければならない。パラジウム／ス
ズ粒子の均一コロイド分散液は通常パラジウムを約１．
５ｇ／ｌから約１５９／ｌ、ｙ、　Ｘ　ｆ約７５ｇ／ｌ
から約１５０！？／Ｊ含んでいる。分散液は更に約０．
０９９／ｅから約０．１６ｇ／ｅの非イオン界面活性剤
を含んでいてもよい。好ましい非イオン界面活性剤は例
えば商品名ＦＣ−９５として売られている過フン化アル
キル硫酸カリウムのような過フッ化炭化水素である。コ
ロイド分散液には約１００ｇ／７！から約１８０ｇ／ｌ
の塩化ナトリウムが含まれてもよい。本発明に用いられ
るのに適したパラジウム／スズ粒子の均一コロイド分散
液及びその製法については米国特許第４５９３０１６号
にも記載されている。

後続の金属付着工程のために基板を調整する目的で触媒
が付着された前記基板を促進剤に接触させる必要がある
。

本発明では水酸化カリウムや好ましくは水酸化ナトリウ
ムのようなアルカリ水酸化物を含む促進剤を用いる。ア
ルカリ水酸化物は急結組成物中に約０．０５モルから約
１モル、好ましくは約０．４モルから約０．６モル含ま
れている。

活性化促進工程は約室温から約７０℃の温度で約３０秒
から約９０秒行なわれる。活性化工程は約１，５分以上
行なわれないことが大切である。というのは、長すぎる
活性化促進工程はパラジウム触媒を損わせたり基板材料
を損傷させたりするからである。促進剤はイオン化スズ
物質を取り除いてい（がパラジウムは分散粒子の形で残
すというような特別な処理作用をする。

この結果、表面には約１．５μｇ／Ｃｍ２から約４゜０
μソ／ｃｍ２のＰｄ及び約１μ＆／ｃｍ２以下のスズの
被榎が形成される。Ｐｄは無電解メッキのメッキ核作用
にとって十分なものであり、一方、スズは約１０ｘ１０
　５ｍ（約４ミル）のライン間隔において約３００メガ
オーム以上という抵抗の十分に低いものである。

次に、感光性組成物が基板のメッキ核が形成された表面
上に積層される。用いられる感光性組成物は永久保護コ
ーティングを行い得るものである。

好ましい感光性組成物は、ノボラックのエポキシ当量重
量当り少な（とも０．９モルの少な（とも１つモノエチ
レン列化された不飽和カルボン酸と少な（とも約６端子
エポキシ基を有する少なくとも１つのエポキシ化された
非直鎖状のノボラックとの混合物からの生成物である。

エポキシ化されたノボラック・ポリマーは商業的に入手
でき、また、・・ローエポキシ・アルカンを有する複核
二価フェノールの熱可塑性フェノール化アルデヒドの反
応によるよく知られた方法から製造できる。好ましい複
核二価フェノールはビスフェノール−Ａである。好まし
いエポキシ化されたノボラックは次の平均式で表わされ
る。

（以下余白） ヘ　　　　　　　　　ヘ　　　　　　　　　ｃ−４へｈ
　　　　　　　　　　　　　　　Ｎ’ｌ　　　　　　　
　　　　　　　　Ｎ’）　　　　　　　　　　　　　　
　ｍ（Ｊ　　　　　　　　　　　　　Ｑ　　　　　　　
　　　　　　（、ｌ　　　　　　　　　　　　　Ｕ−工
　　　　　　　　　　：Ｉ：　　　　　　　　　　　″
Ｓこの物質は商業的に入手可能であり、商品名Ｅｐｉ−
Ｒｅｚ　　ＳＵ８という商品がある。

エポキシ化されたノボラックは、エポキシ化されたノボ
ラックのエポキシド当量当り少なくとも約０．９モルの
量で、少なくとも１つのモノエチレン列化された不飽和
カルボン酸と反応させられる。

モノカルボン酸はエポキシ化されたノボラックのエポキ
シド当量の重さ当り一般に約０．９モルから約２モル、
好ましくは約１モルである。モノカルボン酸の最も好ま
しい量はエポキシ化されたノボラックのエポキシド当量
の重さ当り約１モルから約１．２モルである。好ましい
カルボン酸の例にはアクリル酸、メタクリル酸、及びク
ロトン酸が含まれる。

感光性化合物も、紫外線露光で反応するこ七かでさ一般
にエチレン列基を含み所望の感度にするために用いられ
るポリエチレン列化された不飽和化合物を含んでいる。

ポリエチレン列化された不飽和化合物の量は一般に約Ｑ
、　５　ｗ　ｔ％から約４０ｗ　ｔ　％、より通常には
約ｉ　ｗ　ｔ％から約２０ｗｔ％であり、最も普通には
少なくとも約３ｗｔ％である。より通常のポリエチレン
列化不飽和化合物にはポリエチレン・グリコール・シア
クリラード及びトリメチロール・プロノくン・トリアク
リラードが含まれる。これらには光重合開始剤即ち増感
剤が含まれていてもよい。これらの例にはアントラキノ
ン及び置換されたアントラキノンが含まれる。特に好ま
しい光重合開始剤はベンゾトリアゾール及びターシャル
−ブチルアントラキノンである。光重合開始剤は紫外線
に対して感度が増すに十分な量が用いられ、一般に約０
．１％から約１０％、より一般的には約０．１％から約
５％用いられる。

更に、組成物はフェニルアミダゾールのような後硬化を
容易にするような付加的硬化剤を含んでいてもよい。

光重合開始剤として米国特許第４２３７２１６号に記載
されたものを用いることができる。

本発明で用いるに適した光感光性組成物はキャリヤφフ
ィルム上に塗布される。キャリヤ・フィルムはフィルム
の連続性が損われることなく剥がせるものでなければな
らず、また、十分に柔軟で巻取り可能でなければならな
い。好ましいキャリヤ・フィルムにはポリエチレン、ポ
リプロピレン、ポリエチレンテレフタレン（例えば商標
名マイラーで入手可能な物質）のようなポリエステル、
ワックス紙、シリコンのような剥離コーティングを備え
た紙等が含まれる。

感光性組成物の厚さは通常約１．８Ｘ１０−５ｍ（約０
．７ミル）から約５ｘ１０　５ｍ（約２ミル）であり好
ましくは約３．８ｘ１０　５ｍ（約１．５ミル）かも約
４．６Ｘ１０　　”’ｍ（約１．８ミル）である。感光
性組成物が被覆されたキャリヤ・フィルムは、約０．５
トルかも約０．２トルの減圧下において約４０℃と約６
０℃との間、好ましくは約４８℃と約５２℃との間の温
度で加熱することにより、感光性組成物が基板に接する
ようにして触媒付着された基板に積層される。積層化工
程は通常約１分で完了する。こうして感光性物質が基板
に積層され、後の工程において感光性組成物層と基板と
の間の相互拡散（相互密着）が確実になる。こうして相
互拡散を確実化することによって、フォトレジスト下の
パラジウム粒子が組成物中にトラップされ（取り込まれ
）、埋め込まれる。こうして８０％相対湿度、約５０℃
で約１０９オームよりも大きい値のライン間隔抵抗が確
実に得られる。

この相互拡散は感光物質の一方向の移動及び基板粒子の
反対方向の移動を招く。キャリヤ・フィルムは感光性物
質を露光させる前にあるいけ後に取り除く。

フォトレジスト材の他の例には、米国特許第５４６９８
８２号、同３５２６５０４号、同３８６７１５６号及び
同３４４８０９８号及び公表された欧州特許出願第００
４９５０４号等に開示されているネガティブあるいは光
硬化可能な高分子可能な組成物が含まれる。メチルメタ
クリラートからのポリマー、グリシジル・アクリラート
からのポリマー、及び／またはトリメトロール・プロノ
（ン・トリアクリラード及びペンタエリチリトル・トリ
アクリラードのようなポリアクリラートからのポリマー
は、デュポン社のリストン（Ｒｅ５ｔｏｎ）という商標
名の商品によって入手できる。このうち、リストンＴ−
１６８及びリストン３５１５が特に適している。

レジスト制は次に所望のパターン状に露光されて紫外線
、電子線、Ｘ線等によって床形成され、ネガティブ・レ
ジスト材の場合であれば露光されていない部分が除去さ
れる。

好ましい感光性物質では露光は高圧水銀アーク・ランプ
で行なわれ、エネルギー・レベルは約２５０ミリジユー
ルから約２ジユールの範囲が好ましく、更に好ましくは
約５００ミリジユールである。

現像はメチルクロロホルム即ち１．１．１−トリクロロ
エタンのようなりロロカーボンを用いて行ってもよい。

そのような現像液は、約６　ｗ　ｔ％以下のγ−ブチロ
・ラクトンが含まれていてもよい。

現（象の後に、感光性レジストを後硬化処理してもよく
、この後硬化処理では残存レジスト全体を約０．５ジユ
ールから約５ジユールのエネルギーの紫外線を発する高
圧水銀アーク・ランプで露光させる。

次に、組成物を約１００°Ｃから約２００°Ｃで約１０
分間から約６０分間、好ましくは約１５０’Ｃで約２０
分間ベークしてもよい。こねにより硬化が終了し、相互
拡散及びフォトレジスト下のメッキ核のシーリングが確
実に行なわれる。

本発明によれば、後にメッキされる銅の厚さを正確に制
御し、くっきりした線の形成を容易にし、異なる導電線
間の絶縁性を確実なものにすることができる。

これで基板に無電解メッキ浴から４電性金属をメッキす
る準備ができたことになる。

本発明に適したメッキ金属の例はニッケル、金、好まし
くは銅である。銅の無電解メッキ浴及びメッキ方法とし
て米国特許第３８４４７９９号に記載のものを用いるこ
とができる。

銅の無電解メッキ浴の浴組成は一般に銅イオン源、還元
剤、銅イオン用の錯化剤、及びｐＨ調整剤を含む水溶性
組成物である。メッキ浴はまた一般にシアン化物イオン
源及び界面活性剤を含む。

一般に用いられる銅イオン源は硫酸銅あるいは錯化剤の
銅塩である。硫酸銅を用いるとき、使用量は約’４／ｌ
かも約１−５ｇ／ｌ、好ましくは約６９／ｌから約１２
ｇ／ｌである。最も普通の還元剤はホルムアルデヒドで
あり、好ましくは約０゜７ｊ９／ｌかも約７９／ｌ、更
に好ましくは約０．７９／７！から約２．２９／ｌの量
だけ用いられる。他の還元剤の例はパラホルムアルデヒ
ド、トリオキサン、ジメチルハイダントイン、及びグリ
オキサル；アルカリ金属水素化ホウ素（カリウム水素化
ホウ素）のような水素化ホウ素及びトリメトキシ水素化
ホウ素ナトリウムのような置換型水素化ホウ素、及びボ
ランアミン（イソプロピル・アミン畳ボラン及びモルフ
ォリン・ポラン）のようなボラン等である。ジ亜リン酸
塩還元剤をニッケル及び銅の両方の無電解メッキ浴に用
いることができる。

錯化剤の例には、ロッシェル塩、エチレンジアミンテト
ラ酢酸、エチレンジアミンテトラ酢酸の（モノ、ジ、ト
リ、テトラ）ナトリウム塩、ニトロテトラ酢酸及びその
アルカリ塩、グルコン酸、グルコン酸塩（グルコナイト
）、トリメタノールアミン、グルコノ（γ−ラクトン）
、Ｎ−水酸化エチルエチレンジアミントリアセテートの
ような変形エチレンジアミンアセテートが含まれる。更
に、多数の他の銅錯化剤の例が米国特許第２９９６４０
８号、同３０７５８５５号、同３０７５８５６号、及び
同２９３８８０５号に記載されている。錯化剤の量は溶
液中に存在する銅イオンの量に依存し、通常は約２０９
／ｌから約５０９／１である。

メッキ浴にはコーティングしようとする表面をぬらすの
に役立つ界面活性剤が含まれていてもよい。好ましい界
面活性剤は、例えば、ガフアク（Ｇａｆ　ａｃ）　ＲＥ
　−６１０という名前の商品として入手可能な有機硫酸
塩エステルである。一般に、界面活性剤は約０．ＣＪ２
９／ｌから約０．ろソ／７！の量だけ存在する。更に、
メッキ浴のｐＨは一般に調整されており、例えば、水酸
化ナトリウムや水酸化力ＩＪウムのよりな塩基化合物を
加えて所望ＯｐＨを達成する。メッキ浴の通常のｐＨは
１１．６と１１．８との間である。

また、メッキ浴は通常、シアン化物イオン塩を約１０ｍ
ｇ／Ｊ？から約２５ｍｇ／／含み、シアン化物イオンの
メッキ浴中の濃度は０．　ＯＯ０２モルから０．０００
４モルの範囲以内である。シアン化物の例には、アルカ
リ金属シアン化物、アルカリ土類金属シアン化物、アン
モニウムシアン化物が含まれる。また、メッキ浴にはこ
れ以外の少量の添付物が含まれていてもよい。

メッキ浴の比重は概ね１．０６０から１．０８０の範囲
内である。また、メッキ浴の温度は通常、７０℃から８
０℃、更に通常には７０℃から７５℃に維持されている
。シアン化物イオンを用いたときのメッキ浴の温度につ
いては米国特許菓６８４４７９９号にも記載されている
。

また、メッキ浴中の酸素含有量を約２　ＰＰｍかも約４
ｐｐｍ、更には約２５ｐｐｍから約３．５ｐｐｍに維持
してもよい。米国特許第４１５２４６７号には酸素含有
について記載されている。酸素の含有量はメッキ浴中へ
の酸素ガス及び不活性ガスの注入によって調節され得る
。メッキ浴中のガスの全流量の例は１０００ガロンのメ
ッキ浴に対して約ＩＳＣＦＭから約２０ＳＣＦＭ、更に
は約６８ＣＦＭから約８８ＣＦＭである。

具体的実験例ニ スルーホールを有するエボキンーガラス積層複合パネル
を、商品名に−２という商品として入手することも可能
なｐＨが約１３の硫酸ナトリウム及びケイ酸塩ナトリウ
ムの水溶液から成るアルカリ性洗浄液で約４５℃から約
６０℃の温度で約５分間洗浄した。その後、洗浄液を約
４５℃から約６０℃の温度の脱イオン水で２回水洗して
除去した。

各パネルの基板表面は、スルーホールを含み、約２ｗｔ
％の硫酸中の２１−キュレス社のレチン２１０の０．０
５ｗｔ％溶液中に約２分間浸される。

レチン２１０は粉末状であり、アクリルアミドとベータ
ーメタクリル−オキエチルトリメチルアンモニウム−メ
チル硫化塩のコポリマーの１％溶液であり、そのブルッ
クフィールド粘度Ｈ１０００ｃｐｓである。この後、基
板を脱イオン水で２度水洗した。

パネル（基板）を次に約６分間、コロイド懸濁液メッキ
核（シーダー）浴に浸した。この浴は、約８０９／ｌ、
のＳｒＣすｌｌＨ２Ｏ、約１．２．！９／ｌのＰ　ｄ　
Ｃｌ　２、約８５ｍ１／ｌの５７％ＨＣ１、約０．０９
ｙ／ｅのＦＣ−９５、及び約１５０＆／ｌのＮａ（Ｊか
ら得られる。ＦＣ−９５は過フッ化アルキル硫酸カリウ
ムの非イオン性界面活性剤である。

パネルを次に脱イオン水で２回水洗し、次に、約０．５
モルの水酸化ナトリウムの促進剤溶液中に約２分間通し
た。次に、パネルを室温で脱イオン水により１回水洗し
、続いて、約４５℃から約６０℃の温度の脱イオン水で
約１分間水洗し、その後、約７０℃の強風オープンで約
２０分間乾燥させた。こうした処理により、約３．５μ
ｊｉ／ｃｍ２のパラジウムの表面被覆層と約１，１μ９
７ｃｍ２のスズの被覆層とが形成された。

次にパネルは約４８℃から約５２℃の温度で約０．５ト
ルから約０．２トルの減圧下で積層されることにより感
光性組成物で被覆される。感光性組成物は、約８８グラ
ムのＥｐｉ−Ｒｅｚ　　Ｓｎ２という商品名のセラニー
ス番しジン社（ＣｅｌａｎｅｓｅＲＥＳＩＮＳ）の商品
でもある８官能基を有するエポキシ化されたノボラック
に約１００ｇのメチルエチルΦケトンを混ぜた後に混合
物を１０ミクロンのフィルタ紙でろ過し、次に攪拌しな
がら約１２Ｉのチバガイキー社（（’ｉｂａ−Ｇｅｉｇ
）’）の商品名ＣＹ１９７という商品でもある環状脂肪
族エポキシドを添加し、次に黄色光下で約４ｇのジェネ
ラル・エレクトリック社（Ｇｅｎｅｒａｌ　Ｅｌｅｃｔ
ｒｉｃ）の商品名ＵＶＥ　１０１７という商品でもある
トリアクリルスルホニウム塩（５０％溶液）を添加する
ことにより得られる。

感光性組成物は、基板に積層させる前に、剥離可能なキ
ャリヤ・フィルム上に平均原さが約０．０４６ミリ（約
０．００１８インチ）で変位が約±０゜００７６ミリ（
約０．０００３インチ）の厚さに塗られた。

感光性組成物の被膜は０ｒｉｅｌ　　５６０ＵＶ発生器
を用いて所定のパターン状に露光され、その後、１．１
．１−トリクロロメタンを用いて現鐵してＵ■露光した
領域のレジストを残した。

パネルを次に無電解メッキ浴と接触させた。メッキ浴は
約１０１１／ｌのＣｕＳ０　・５Ｈ２０１約６５５Ｅｌ
／ｌのエチレン・ジアミン・テトラ酢酸・２水相物、約
０．２５ｇ／ｌのＧＡＦＡＣＲＥ−６１０、約１４ｍｇ
／Ｉのシアン化ナトリウム、及び約２９／ｌの３７％Ｈ
ＣＨＯ水溶液ヲ含んでいる。

メッキ浴の比重は約１．０７、そのｐＨはＮａＯＨを添
加し７３°Ｃ±５℃の温度下で１１．７である。ガス流
量は１２ＳＣＦＭである。基板に形成された銅パターン
では、１，０Ｘ１０　　　ミリ（４ミル）の回路線間隔
の抵抗値が１００ボルトで３００ｍΩ以上であった。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 非導電性基板に無電解メッキ浴から金属を選択的に付着
   させるために前記非導電性基板を前処理する方法であつ
   て、 前記基板の表面を粗面化し、 前記表面に、約１０オングストロームから約５０オング
   ストロームの粒径のパラジウム／スズ粒子の均一コロイ
   ド分散液を接触させ、 約０．０５モルから約１モルのアルカリ水酸化物溶液と
   接触させることにより前記パラジウム／スズ粒子を活性
   化させ、 感光性組成物を前記表面上に積層し、 前記感光性組成物を所定のパターン状に露光させ、 前記感光性組成物を現象して前記所定のパターンを前記
   表面上に形成する、 非導電性基板の無電解メッキのための前処理方法。