JPH021912B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 Ａ 産業上の利用分野 本発明は非導電性基板の前処理方法に係り、特
に、無電解メツキ浴から非導電性基板に金属を選
択的に付着させるための準備のために非導電性基
板を処理する方法に関する。本発明の方法はプリ
ント回路カード及びプリント回路ボードの製造に
特に適している。

Ｂ 背景技術 プリント回路カード及びボードにおいては非導
電性材料が基板として用いられている。導電性回
路パターンは前記基板の片面あるいは両面上に形
成されている。

導電パターンは種々の既知の技術を用いて基板
表面上に形成される。これらの既知の技術には除
去技術、EDB（無電解直接結合：Electroless
Direct Bond）技術、及び剥離技術が含まれ、除
去技術では銅のような導電性金属層がエツチング
されて所望の回路パターンを形成し、EDB技術
では銅のような導電性金属層が無電解メツキ浴か
ら基板表面にメツキされて直接に所望のパターン
を形成し、剥離技術では剥離銅のような剥離金属
（ピール・アパート・メタル）と呼ばれる薄い層
から所望の回路パターンを形成する。

これらのいずれの技術においても層と層との間
の接続はメツキされたスルーホールで形成されて
いる。こうしたホールのメツキでは銅のような金
属は（ホールの壁の上の）非導電性基板の上に直
接的にメツキされなければならない。更に、
EDB技術では、基板表面に直接的にメツキしな
ければならない。

基板が非導電性であるとき、基板をメツキする
には、金属を付着させる前に基板を活性化即ちメ
ツキの核となるものを付着させなければならな
い。

基板を活性化させる多くの方法において、塩化
スズの感光性溶液及び金属パラジウム粒子層を形
成する塩化パラジウムの活性剤を用いている。誘
電性基板を活性化させる方法の１つは米国特許第
3011920号に記載され、その方法は、コロイド金
属溶液で基板に第１の処理を施して基板を感光性
にし、感光性を付与された非導電性基板けら保護
コロイドを除去するために選択溶媒を作用させて
前記第１の処理を促進させ、前記感光性基板上に
金属コーテイングを無電解で付着させることを含
んでいる。例えば金属が銅であれば銅の塩の溶液
と還元剤とを用いることになる。

より複雑な回路及びより鮮明なラインに対する
要請は益々増えており、メツキ核の付与即ち触媒
の作用（被メツキ表面の活性化）といつた前処理
に関する開発努力も続けられている。例えば、基
板の非回路領域をパターン形成するために触媒層
上に永久レジスト材料を付着させ、その後に前記
永久レジスト材料でマスクされていない領域上に
無電解メツキを施す方法が提案されている。しか
しながら、そのような方法は、永久レジスト材料
層の下の触媒物質の存在によつて互いに近接した
回路中の配線相互間の漏電が生じやすくなるので
必らずしも満足できるものではない。この種の欠
点は例えばライン間隔が約5.1×10^-5ｍ（約２ミ
ル）から約7.6×10^-5ｍ（約３ミル）程度の高実
装密度回路では特に問題となる。永久レジスト・
マスクを用いたプロセスにおける改良の１つが米
国特許第3982045号に記載されている。

Ｃ 発明の概要 本発明の方法は無電解メツキ浴から金属を選択
的に付着させる前に非導電性基板を前処理する方
法である。

本発明による方法は、永久レジスト・マスクを
採用すると同時に隣接ライン間の電流の漏れを最
小にする。永久レジスト・マスクの永久という意
味はレジスト・マスクが金属メツキ時に取除かれ
ていないということである。

本発明によれば、永久レジスト層下のメツキ核
粒子が電流を流しにくいので、完全に解消されな
いまでも、配線相互間の電流の漏れの問題は十分
に減じられる。

本発明の方法では永久レジスト材料の下の残留
メツキ核粒子は絶縁性であると言える。

特に、本発明の方法は粗面化された非導電性基
板を用いる。これにより後に付着されるメツキ核
及びその上のメツキ金属についての改良された結
合力が得られることになる。

基板の粗面化された表面は粒径が約20オングス
トロームから約50オングストロームのパラジウ
ム／スズ粒子の均一コロイド分散液に接触させら
れる。パラジウム／スズ粒子は次にアルカリ水酸
化物溶液と接触することによつて活性化される。
アルカリ水酸化物浴液は約0.05モルから約１モル
の濃度ある。

感光性組成物が次に活性化されたパラジウム／
スズ粒子を含む表面に積層される。感光性組成物
は基板上に永久保護コーテイングを形成し得るも
のでなければならない。感光性組成物は所定のパ
ターン状に露光されてから現象されて基板の少な
くとも１つの表面上に所定のパターンが形成され
る。現象プロセスによつて基板の非回路領域をマ
スク即ち特定するマスクが形成される。本発明に
おいては永久レジスト層が基板への積層によつて
形成される。

Ｄ 実施例 本発明の方法は種々の誘電性（非導電性）基板
の表面処理即ち前処理に関する。非導電性基板の
材料には熱可塑樹脂、熱硬化性樹脂、及びガラス
等が含まれる。

熱硬化性樹脂の典型例はエポキシ、フエノール
を基本とする物質、ポリアミド、及びポリイミド
である。

また、誘電体材料はガラスが充填されたエポキ
シあるいはフエノールを基本とする物質のような
充填剤及び／または補強剤を含むポリマーの成形
品であつてもよい。

フエノールを基本とする物質の例にはフエノー
ル、レシルシノール、及びクレゾールのコポリマ
ーが含まれる。

熱可塑性高分子物質の例にはポリプロピレンの
ようなポリオレフイン、ポリスルホン、ポリカー
ボネイト、ニトリルゴム、及びABSポリマーが
含まれる。

プリント回路カード及びボードに用いられる最
も典型的なポリマーはエポキシ樹脂である。典型
的なエポキシ樹脂の例には、ビスフエノール−Ａ
及びエピクロロヒドリンから得られるビスフエノ
ール−Ａ型樹脂；フエノールのようなフエノール
物質及びエピクロロヒドリンを作用させたホルム
アルデヒドのようなアルデヒドから製造されるノ
ボラツク樹脂のエポキシ化によつて得られる樹脂
物質；テトラグリシジルジアミノジフエニル・メ
タンのような多官能基エポキシ樹脂、及び、ビス
(3)４−エポキシ−６−メチル−シクロヘキサメチ
ル・アジペイトのような脂環式エポキシ樹脂が含
まれる。最も普通に用いられるエポキシはビスフ
エノール−Ａ型である。

また、樹脂性エポキシ組成物には促進剤及び加
硫剤を含ませることができる。好ましい加硫剤の
例にはポリアミン；第１、第２、及び第３アミ
ン；ポリアミド；ポリスルホン；尿素−フエノー
ル−ホルムアルデヒド；及びこれらの酸あるいは
無水物が含まれる。更に、好ましい加硫剤には
BF₃のようなルイス酸触媒やその錯体が含まれ
る。

誘電体基板は通常、グラスフアイバーのような
補強用フアイバー及び／または充填剤を含んでい
る。フアイバーを含んでいるそのような組成物は
通常、フアイバーにエポキシ組成物を浸み込ませ
て製造する。フアイバーと組み合せたときのエポ
キシ組成物の量は通常はフアイバーとエポキシと
の総量に対して約30wt％から約70wt％であり、
更に通常は約55wt％から約65wt％である。

補強用フアイバーと組合せた後、その組成物は
まずＢ段階まで硬化された後にシート状等の所望
の形状に成形される。シート状に成形されると
き、シートの厚さは通常約3.8×10^-5ｍ（約1.5ミ
ル）から約20×10^-5ｍ（約８ミル）であり更に通
常は約５×10^-5ｍ（約２ミル）から約7.6×10^-5
ｍ（約３ミル）である。組成物の硬化工程は約80
℃から約110℃の温度において約３分から約10分
の間行なわれる。

基板は一般に行なわれているように他の支持基
板上に積層されてもよい。

例えば、複数のシートを一緒に圧縮することに
よつて基板を結合させてもよく、このときの圧力
は例えば約200psiから約500psi、より通常には約
250psiから約300psiであり、温度は約180℃であ
る。加圧時間は材料及び圧力によつて様々であ
る。上述の場合は約１時間程度が適当である。

誘電体基板に対して本発明の前処理工程をはじ
めるに先立つて、必要なスルーホールが誘電体基
板に形成されてもよく、この場合にはスルーホー
ルは適宜にに清浄化され前処理される。例えば、
スルーホールの前処理には砂及び／または蒸気の
吹き付けのような物理的手段及び／または溶媒膨
潤のような化学的手段を用いて活性サイトを形成
することを含む。典型的溶媒はＮ−メチルピロリ
ドンである。基板をクロムスルホン酸組成物で前
処理することができる。

基板の少なくとも１つの表面は粗面化される。
例えば、銅、ニツケル、あるいはアルミニウム等
のような金属のフイルムが非導電性基板の表面上
に積層される。次に、回路を形成する前に、前記
金属を前記表面上から完全に剥す。あるいはエツ
チングする。これは犠牲金属方法と呼ばれ、誘電
体基板上に不規則な表面（即ち粗面化された表
面）を形成し、後にその上に付着される触媒やメ
ツキ金属に対して改良された結合サイトを形成す
る。このような目的で用いられる好ましい金属は
例えば銅である。例えば粗面化された表面を有す
る銅シートが前記粗面化された表面を基板の粗面
化しようとする表面に押し当てるように加圧され
て非導電性基板の表面上に積層される。好ましい
銅シートの厚さは例えば約25.4ミクロンである。
続いて、銅の薄膜が、錯生成形剤が含まれず
CuCl₂及びHClを含む水溶液を好ましくは用いる
ことによつて、完全にエツチング除去される。過
硫酸塩をエツチング剤として用いることができ
る。用いる銅の薄膜は米国特許第4358479号に掲
載された方法を用いて製造したものでもよい。

本発明の好ましい一実施例では銅は塩化第２銅
（CuCl₂）中で約120〓において約３分から約６分
の間にわたつてエツチングされる。

好ましい実施例では、スズ／パラジウム組成物
を用いた前処理に先立つて、基板を米国特許第
4478883号及び同第4554182号に記載された多官能
基イオン・ポリマーを含む水溶液で前処理しても
よい。

前記多官能基イオン・ポリマーは同極性の少な
くとも２つの活性イオン官能基部分を含んでい
る。ポリマーは少なくとも親水性であり、好まし
くは水または水組成物に可溶である。好ましいイ
オン部分は第４ホスホニウム基あるいは第４アン
モニウム基である。少なくとも２つのイオン部分
を含むポリマーは入手も容易でありここではこれ
以上は述べない。

入手可能な多官能基イオン・ポリマーの例はハ
ーキユレス（Hercules）から入手可能なレテン
（Reten）210、レテン220、及びレテン300であ
り、これらについては「ウオーターソルブル・ポ
リマー（Water−Soluble Polymers）」冊子VC
−482A、ハーキユレス社、ウイリングトン、デ
ラウエア（BulletinVC−482A、Hercules
Incorporated、Wilmington、Delaware）19899
に述べられている。

上述のレテン・ポリマーは高分子量ポリマー
（約50000から約1000000あるいはこれ以上）であ
り、ポリアクリルアミドを主たる化学的基本骨格
とする。イオンポリマーは通常約0.01wt％から約
0.5wt％、更に通常は約0.05wt％から約0.5wt％の
コポリマーの希釈水溶液として用いられる。この
水溶液には通常約０から約７更に通常は約０から
約３のPHとなるようにH₂SO₄あるいはHClの如き
無機酸が含まれる。無機酸は通常約2wt％から約
10wt％存在する。

イオン・ポリマーによる処理は一般に約１分か
ら約10分である。

基板をイオン・ポリマーに接触させた後に基板
を水洗いして過剰ポリマーを取除いて基板に吸収
されないようにする。

次に、基板を粒径が約10オングストロームから
約50オングストロームのパラジウム／スズ粒子の
均一コロイド分散溶液に接触させる。パラジウ
ム／スズ粒子は本発明の目的が達成されるために
は、特に、隣接するライン相互間の必要な電気抵
抗が維持されるためには、その粒径が前述のもの
でなければならない。パラジウム／スズ粒子の均
一コロイド分散液は通常パラジウムを約1.5ｇ／
から約2.5ｇ／、スズを約75ｇ／から約150
ｇ／含んでいる。分散液は更に約0.09ｇ／か
ら約0.16ｇ／の非イオン界面活性剤を含んでい
てもよい。好ましい非イオン界面活性剤は例えば
商品名FC−95として売られている過フツ化アル
キル硫酸カリウムのような過フツ化炭化水素であ
る。コロイド分散液には約100ｇ／から約180
ｇ／の塩化ナトリウムが含まれてもよい。本発
明に用いられるのに適したパラジウム／スズ粒子
の均一コロイド分散液及びその製法については米
国特許第4593016号にも記載されている。

後続の金属付着工程のために基板を調整する目
的で触媒が付着された前記基板を促進剤に接触さ
せる必要がある。

本発明では水酸化カリウムや好ましくは水酸化
ナトリウムのようなアルカリ水酸化物を含む促進
剤を用いる。アルカリ水酸化物は急結組成物中に
約0.05モルから約１モル、好ましくは約0.4モル
から約0.6モル含まれている。

活性化促進工程は約室温から約70℃の温度で約
30秒から約90秒行なわれる。活性化工程は約1.5
分以上行なわれないことが大切である。というの
は、長すぎる活性化促進工程はパラジウム触媒を
損わせたり基板材料を損傷させたりするからであ
る。促進剤はイオン化スズ物質を取り除いていく
がパラジウムは分散粒子の形で残すというような
特別な処理作用をする。

この結果果、表面には約1.5μｇ／cm²から約4.0μ
ｇ／cm²のPd及び約1μｇ／cm²以下のスズの被覆が
形成される。Pdは無電解メツキのメツキ核作用
にとつて十分なものであり、一方、スズは約10×
10^-5ｍ（約４ミル）のライン間隔において約300
メガオーム以上という抵抗の十分に低いものであ
る。

次に、感光性組成物が基板のメツキ核が形成さ
れた表面上に積層される。用いられる感光性組成
物は永久保護コーテイングを行い得るものであ
る。

好ましい感光性組成物は、ノボラツクのエポキ
シ当量重量当り少なくとも0.9モルの少なくとも
１つモノエチレン列化された不飽和カルボン酸と
少なくとも約６端子エポキシ基を有する少なくと
も１つのエポキシ化された非直鎖状のノボラツク
との混合物からの生成物である。エポキシ化され
たノボラツク・ポリマーは商業的に入手でき、ま
た、ハローエポキシ・アルカンを有する複核二価
フエノールの熱可塑性フエノール化アルデヒドの
反応によるよく知られた方法から製造できる。好
ましい複核二価フエノールはビスフエノール−Ａ
である。好ましいエポキシ化されたノボラツクは
次の平均式で表わされる。

この物質は商業的に入手可能であり、商品名
Epi−Rez SU8という商品である。

エポキシ化されたノボラツクは、エポキシ化さ
れたノボラツクのエポキシド当量当り少なくとも
約0.9モルの量で、少なくとも１つのモノエチレ
ン列化された不飽和カルボン酸と反応させられ
る。モノカルボン酸はエポキシ化されたノボラツ
クのエポキシド当量の重さ当り一般に約0.9モル
からの約２モル、好ましくは約１モルである。モ
ノカルボン酸の最も好ましい量はエポキシ化され
たノボラツクのエポキシド当量の重さ当り約１モ
ルから約1.2モルである。好ましいカルボン酸の
例にはアクリル酸、メタクリル酸、及びクロトン
酸が含まれる。

感光性化合物も、紫外線露光で反応することが
でき一般にエチレン列基を含み所望の感度にする
ために用いられるポリエチレン列化された不飽和
化合物を含んでいる。ポリエチレン列化された不
飽和化合物の量は一般に約0.5wt％から約40wt
％、より通常には約1wt％から約20wt％であり、
最も普通には少なくとも約3wt％である。より通
常のポリエチレン列化不飽和化合物にはポリエチ
レン・グリコール・ジアクリラート及びトリメチ
ロール・プロパン・トリアクリラートが含まれ
る。これらには光重合開始剤即ち増感剤が含まれ
ていてもよい。これらの例にはアントラキノン及
び置換されたアントラキノンが含まれる。特に好
ましい光重合開始剤はベンゾトリアゾール及びタ
ーシヤル−ブチルアントラキノンである。光重合
開始剤は紫外線に対して感度が増すに十分な量が
用いられ、一般に約0.1％から約10％、より一般
的には約0.1％から約５％用いられる。

更に、組成物はフエニルアミダゾールのような
後硬化を容易にするような付加的硬化剤を含んで
いてもよい。

光重合開始剤として米国特許第4237216号に記
載されたものを用いることができる。

本発明で用いるに適した光感光性組成物はキヤ
リヤ・フイルム上に塗布される。キヤリヤ・フイ
ルムはフイルムの連続性が損われることなく剥が
せるものでなければならず、また、十分に柔軟で
巻取り可能でなければならない。好ましいキヤリ
ヤ・フイルムにはポリエチレン、ポリプロピレ
ン、ポリエチレンテレフタレン（例えば商標名マ
イラーで入手可能な物質）のようなポリエステ
ル、ワツクス紙、シリコンのような剥離コーテイ
ングを備えた紙等が含まれる。

感光性組成物の厚さは通常約1.8×10^-5ｍ（約
0.7ミル）から約５×10^-5ｍ（約２ミル）であり
好ましくは約3.8×10^-5ｍ（約1.5ミル）から約4.6
×10^-5ｍ（約1.8ミル）である。感光性組成物が
被覆されたキヤリヤ・フイルムは、約0.5トルか
ら約0.2トルの減圧下において約40℃と約60℃と
の間、好ましくは約48℃と約52℃との間の温度で
加熱することにより、感光性組成物が基板に接す
るようにして触媒付着された基板に積層される。
積層化工程は通常約１分で完了する。こうして感
光性物質が基板に積層され、後の工程において感
光性組成物層と基板との間の相互拡張（相互密
着）が確実になる。こうして相互拡張を確実化す
ることによつて、フオトレジスト下のパラジウム
粒子が組成物中にトラツプされ（取り込まれ）、
埋め込まれる。こうして80％相対湿度、約50℃で
約10⁹オームよりも大きい値のライン間隔抵抗が
確実に得られる。この相互拡散は感光物質の一方
向の移動及び基板粒子の反対方向の移動を招く。
キヤリヤ・フイルムは感光性物質を露光させる前
にあるいは後に取り除く。

フオトレジスト材の他の例には、米国特許第
3469882号、同3526504号、同3867153号及び同
3448098号及び公表された欧州特許出願第0049504
号等に開示されているネガテイブあるいは光硬化
可能な高分子可能な組成物が含まれる。メチルメ
タクリレートからのポリマー、グリシジル・アク
リラートからのポリマー、及び／またはトリメト
ロール・プロパン・トリアクリラート及びペンタ
エリチリトル・トリアクリラートのようなポリア
クリラートからのポリマーは、デユポン社のリス
トン（Reston）という商標名の商品によつて入
手できる。このうち、リストンＴ−168及びリス
トン3515が特に適している。

レジスト材は次に所望のパターン状に露光され
て紫外線、電子線、Ｘ線等によつて象形成され、
ネガテイブ・レジスト材の場合であれば露光され
ていない部分が除去される。

好ましい感光性物質では露光は高圧水銀アー
ク・ランプで行なわれ、エネルギー・レベルは約
250ミリジユールから約２ジユールの範囲が好ま
しく、更に好ましくは約500ミリジユールである。

現像はメチルクロロホルム即ち１、１、１−ト
リクロロエタンのようなクロロカーボンを用いて
行つてもよい。そのような現像液は、約6wt％以
下のγ−ブチロ・ラクトンが含まれていてもよ
い。

現像の後に、感光性レジストを後硬化処理して
もよく、この後硬化処理では残存レジスト全体を
約0.5ジユールから約５ジユールのエネルギーの
紫外線を発する高圧水銀アーク・ランプで露光さ
せる。

次に、組成物を約100℃から約200℃で約10分間
から約60分間、好ましくは約150℃で約20分間ベ
ークしてもよい。これにより硬化が終了し、相互
拡散及びフオトレジスト下のメツキ核のシーリン
グが確実に行なわれる。

本発明によれば、後にメツキされる銅の厚さを
正確に制御し、くつきりした線の形成を容易に
し、異なる導電線間の絶縁性を確実なものにする
ことができる。

これで基板に無電解メツキ浴から導電性金属を
メツキする準備ができたことになる。

本発明に適したメツキ金属の例はニツケル、
金、好ましくは銅である。銅の無電解メツキ浴及
びメツキ方法として米国特許第3844799号に記載
のものを用いることができる。

銅の無電解メツキ浴の浴組成は一般に銅イオン
源、還元剤、銅イオン用の錯化剤、及びPH調整剤
を含む水溶性組成物である。メツキ浴はまた一般
にシアン化物イオン源及び界面活性剤を含む。

一般に用いられる銅イオン源は硫酸銅あるいは
錯化剤の銅塩である。硫酸銅を用いるとき、使用
量は約３ｇ／から約15ｇ／、好ましくは約６
ｇ／から約12ｇ／である。最も普通の還元剤
はホルムアルデヒドであり、好ましくは約0.7
ｇ／から約７ｇ／、更に好ましくは約0.7
ｇ／から約2.2ｇ／の量だけ用いられる。他
の還元剤の例はパラホルムアルデヒド、トリオキ
サン、ジメチルハイダントイン、及びグリオキサ
ル；アルカリ金属水素化ホウ素（カリウム水素化
ホウ素）のような水素化ホウ素及びトリメトキシ
水素化ホウ素ナトリウムのような置換型水素化ホ
ウ素、及びボランアミン（イソプロピル・アミ
ン・ボラン及びモルフオリン・ボラン）のような
ボラン等である。ジ亜リン酸塩還元剤をニツケル
及び銅の両方の無電解メツキ浴を用いることがで
きる。

錯化剤の例には、ロツシエル塩、エチレンジア
ミンテトラ酢酸、エチレンジアミンテトラ酢酸の
（モノ、ジ、トリ、テトラ）ナトリウム塩、ニト
ロテトラ酢酸及びそのアルカリ塩、グルコン酸、
グルコン酸塩（グルコナイト）、トリメタノール
アミン、グルコノ（γ−ラクトン）、Ｎ−水酸化
エチルエチレンジアミントリアセテートのような
変形エチレンジアミンアセテートが含まれる。更
に、多数の他の銅錯化剤の例が米国特許第
2996408号、同3075855号、同3075856号、及び同
2938805号に記載されている。錯化剤の量は溶液
中に存在する銅イオンの量に依存し、通常は約20
ｇ／から約50ｇ／である。

メツキ浴にはコーテイングしようとする表面を
ぬらすのに役立つ界面活性剤が含まれていてもよ
い。好ましい界面活性剤は、例えば、ガフアク
（Gafac）RE−610という名前の商品として入手
可能な有機硫酸塩エステルである。一般に、界面
活性剤は約0.02ｇ／から約0.3ｇ／の量だけ
存在する。更に、メツキ浴のPHは一般に調整され
ており、例えば、水酸化ナトリウムや水酸化カリ
ウムのような塩基化合物を加えて所望のPHを達成
する。メツキ浴の通常のPHは11.6と11.8との間で
ある。

また、メツキ浴は通常、シアン化物イオン塩を
約10mg／から約25mg／含み、シアン化物イオ
ンのメツキ浴中の濃度は0.0002モルから0.0004モ
ルの範囲以内である。シアン化物の例には、アル
カリ金属シアン化物、アルカリ土類金属シアン化
物、アンモニウムシアン化物が含まれる。また、
メツキ浴にはこれ以外の少量の添付物が含まれて
いてもよい。

メツキ浴の比重は概ね1060から1080の範囲内で
ある。また、メツキ浴の温度は通常、70℃から80
℃、更に通常には70℃から75℃に維持されてい
る。シアン化物イオンを用いたときのメツキ浴の
温度については米国特許第3844799号にも記載さ
れている。

また、メツキ浴中の酸素含有量を約2ppmから
約4ppm、更には約2.5ppmから約3.5ppmに維持
してもよい。米国特許第4152467号には酸素含有
について記載されている。酸素の含有量はメツキ
浴中への酸素ガス及び不活性ガスの注入によつて
調節され得る。メツキ浴中のガスの全流量の例は
1000ガロンのメツキ浴に対して約1SCFMから約
20SCFM、更には約3SCFMから約8SCFMであ
る。

具体的実施例： スルーホールを有するエポキシ−ガラス積層複
合パネルを、商品名Ｋ−２という商品として入手
することも可能なPHが約13の硫酸ナトリウム及び
ケイ酸塩ナトリウムの水溶液から成るアルカリ性
洗浄液で約45℃から約60℃の温度で約５分間洗浄
した。その後、洗浄液を約45℃から約60℃の温度
の脱イオン水で２回水洗して除去した。

各パネルの基板表面は、スルーホールを含み、
約2wt％の硫酸中のハーキユレス社のレテン210
の0.05wt％溶液中に約２分間浸される。レテン
210は粉末状であり、アクリルアミドとベーター
メタクリル−オキエチルトリメチルアンモニウム
−メチル硫化塩のコポリマーの１％溶液であり、
そのブルツクフイールド粘度は1000cpsである。
この後、基板を脱イオン水で２度水洗した。

パネル（基板）を次に約３分間、コロイド懸濁
液メツキ核（シーダー）浴に浸した。この浴は、
約80ｇ／のSrCl₂・H₂O、約1.2ｇ／のPdCl₂、
約85ml／の37％HCl、約0.09ｇ／のFC−95、
及び約150ｇ／のNaClから得られる。FC−95
は過フツ化アルキル硫酸カリウムの非イオン性界
面活性である。

パネルを次に脱イオン水で２回水洗し、次に、
約0.5モルの水酸化ナトリウムの促進剤溶液中に
約２分間通した。次に、パネルを室温で脱イオン
水により１回水洗し、続いて、約45℃から約60℃
の温度の脱イオン水で約１分間水洗し、その後、
約70℃の強風オーブンで約20分間乾燥させた。こ
うした処理により、約3.5μｇ／cm²のパラジウムの
表面被覆層と約1.1μｇ／cm²のスズの被覆層とが形
成された。

次にパネルは約48℃から約52℃の温度で約0.5
トルから約0.2トルの減圧下で積層されることに
より感光性組成物で被覆される。感光性組成物
は、約88グラムのEpi−Rez SU8という商品名の
セラニース・レジン社（Celanese RESINS）の
商品でもある８官能基を有するエポキシ化された
ノボラツクに約100ｇのメチルエチル・ケトンを
混ぜた後に混合物を10ミクロンのフイルタ紙でろ
過し、次に撹拌しながら約12ｇのチバガイキー社
（Ciba−Geigy）の商品名CY197という商品でも
ある環状脂肪族エポキシドを添加し、次に黄色光
下で約４ｇのジエネラル・エレクトリツク社
（General Electric）の商品名UVE1017という商
品でもあるトリアクリルスルホニウム塩（50％溶
液）を添加することにより得られる。

感光性組成物は、基板に積層させる前に、剥離
可能なキヤリヤ・フイルム上に平均厚さが約
0.046ミリ（約0.0018インチ）で変位が約±0.0076
ミリ（約0.0003インチ）の厚さに塗られた。

感光性組成物の被膜はOriel560UV発生器を用
いて所定のパターン状に露光され、その後、１、
１、１−トリクロロメタンを用いて現像してUV
露光した領域のレジストを残した。

パネルを次に無電解メツキ浴と接触させた。メ
ツキ浴は約10ｇ／のCuSO₄・5H₂O、約353
ｇ／のエチレン・ジアミン・テトラ酢酸・２水
和物、約0.25ｇ／のGAFACRE−610、約14
mg／のシアン化ナトリウム、及び約２ｇ／の
37％HCHO水溶液を含んでいる。メツキ浴の比
重は約1.07、そのPHはNaOHを添加し73℃±５℃
の温度下で11.7である。ガス流量は12SCFMであ
る。基板に形成された銅パターンでは、1.0×
10^-5ミリ（４ミル）の回路線間隔の抵抗値が100
ボルトで300ｍΩ以上であつた。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 非導電性基板に無電解メツキ浴から金属を選
   択的に付着させるために前記非導電性基板を前処
   理する方法であつて、 前記基板の表面を粗面化し、 前記表面に、約10オングストロームから約50オ
   ングストロームの粒径のパラジウム／スズ粒子の
   均一コロイド分散液を接触させ、 約0.05モルから約１モルのアルカリ水酸化物溶
   液と接触させることにより前記パラジウム／スズ
   粒子を活性化させ、 感光性組成物を前記表面上に積層し、 前記感光性組成物を所定のパターン状に露光さ
   せ、 前記感光性組成物を現象して前記所定のパター
   ンを前記表面上に形成する、 非導電性基板の無電解メツキのための前処理方
   法。