JPH01220210A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
- Publication number
- JPH01220210A JPH01220210A JP63046196A JP4619688A JPH01220210A JP H01220210 A JPH01220210 A JP H01220210A JP 63046196 A JP63046196 A JP 63046196A JP 4619688 A JP4619688 A JP 4619688A JP H01220210 A JPH01220210 A JP H01220210A
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- Japan
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- magnetic layer
- photoresist
- magnetic
- upper magnetic
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、磁気記録媒体からデータを読み出したり、磁
気記録媒体にデータを書き込んだりする磁気記録再生装
置に用いられフォトレジストを用いて形成される薄膜磁
気ヘッドに関するものである。
気記録媒体にデータを書き込んだりする磁気記録再生装
置に用いられフォトレジストを用いて形成される薄膜磁
気ヘッドに関するものである。
従来の技術
第５図は従来の薄膜磁気ヘッドを示す側断面図である。
第５図において、１は基板、２は基板１の上に形成され
た保護絶縁層、３は保護絶縁層２の上に形成され、磁性
材料で形成された下部磁性層、４は磁気ギャップとなる
ギャップ絶縁層で、ギャップ絶縁層４は下部磁性層３の
磁気記録媒体との媒体対向面側の反対側の端部を除いて
下部磁性Ｈ３の上に形成されている。５はギャップ絶縁
層４の上に形成された層間絶縁層、６は眉間絶縁層５の
上に形成され磁束を発生させるコイル層、７はコイル層
６の上に形成された層間絶縁層、８は層間絶縁層７の上
に形成されたコイル層、９はコイル層８の上に形成され
た層間絶縁層、１０は層間絶縁層９の上に形成され、磁
性材料で作成された上部磁性層で、上部磁性層１０は下
部磁性層３の媒体対向面側と反対側の端部と接合し磁気
ギャップを含んだ磁気回路を形成している。又、コイル
層６，８が巻かれている下部磁性層３及び上部磁性層１
０の部分は磁気抵抗を少なくするために膜厚を厚くして
いる。１１は上部磁性層１０の上に形成した保護絶縁層
である。
た保護絶縁層、３は保護絶縁層２の上に形成され、磁性
材料で形成された下部磁性層、４は磁気ギャップとなる
ギャップ絶縁層で、ギャップ絶縁層４は下部磁性層３の
磁気記録媒体との媒体対向面側の反対側の端部を除いて
下部磁性Ｈ３の上に形成されている。５はギャップ絶縁
層４の上に形成された層間絶縁層、６は眉間絶縁層５の
上に形成され磁束を発生させるコイル層、７はコイル層
６の上に形成された層間絶縁層、８は層間絶縁層７の上
に形成されたコイル層、９はコイル層８の上に形成され
た層間絶縁層、１０は層間絶縁層９の上に形成され、磁
性材料で作成された上部磁性層で、上部磁性層１０は下
部磁性層３の媒体対向面側と反対側の端部と接合し磁気
ギャップを含んだ磁気回路を形成している。又、コイル
層６，８が巻かれている下部磁性層３及び上部磁性層１
０の部分は磁気抵抗を少なくするために膜厚を厚くして
いる。１１は上部磁性層１０の上に形成した保護絶縁層
である。
この様に構成された従来の薄膜磁気ヘッドについてその
製造の過程を第６図から第１３図を用いて説明する。
製造の過程を第６図から第１３図を用いて説明する。
先ず第６図に示す様に基板１の上に保護絶縁層２を形成
する。次に保護絶縁層２の上に下部磁性層３を磁気記録
媒体との媒体対向面に達するまで形成する。次に第７図
に示す様に下部磁性層３の媒体対向面側と反対側の端部
を除いてギャップ絶縁層４を形成する。この時、ギャッ
プ絶縁層４は下部磁性層３の上には下部磁性層３の媒体
対向面側と反対側の端部を除いて、媒体対向面に達する
まで形成されており、その他は保護絶縁層２の上に形成
されている。その上に第８図に示す様に層間絶縁層５を
形成する。この時層間絶縁層５の媒体対向面側の端部が
媒体対向面から一定の距離だけ離れた位置に来る様に形
成されている。その上に第９図に示す様に導電薄膜でコ
イル層６を形成する。その上に第１０図に示す様にコイ
ル層６を覆う様にして層間絶縁層７を形成し、その上に
第１１図に示す様にコイル層８を形成し、その上に第１
２図に示す様にコイル層８を覆う様にして層間絶縁層９
を形成する。その上に７オトレジストを用いて、第１３
図に示す様に上部磁性層１０を形成し、上部磁性層１０
の媒体対向面側と反対側の端部は下部磁性層３とともに
磁気ギャップを含んだ磁気回路を形成する様に下部磁性
層３と接合している。父上部磁性層１０の上に保護絶縁
層１１を形成する。
する。次に保護絶縁層２の上に下部磁性層３を磁気記録
媒体との媒体対向面に達するまで形成する。次に第７図
に示す様に下部磁性層３の媒体対向面側と反対側の端部
を除いてギャップ絶縁層４を形成する。この時、ギャッ
プ絶縁層４は下部磁性層３の上には下部磁性層３の媒体
対向面側と反対側の端部を除いて、媒体対向面に達する
まで形成されており、その他は保護絶縁層２の上に形成
されている。その上に第８図に示す様に層間絶縁層５を
形成する。この時層間絶縁層５の媒体対向面側の端部が
媒体対向面から一定の距離だけ離れた位置に来る様に形
成されている。その上に第９図に示す様に導電薄膜でコ
イル層６を形成する。その上に第１０図に示す様にコイ
ル層６を覆う様にして層間絶縁層７を形成し、その上に
第１１図に示す様にコイル層８を形成し、その上に第１
２図に示す様にコイル層８を覆う様にして層間絶縁層９
を形成する。その上に７オトレジストを用いて、第１３
図に示す様に上部磁性層１０を形成し、上部磁性層１０
の媒体対向面側と反対側の端部は下部磁性層３とともに
磁気ギャップを含んだ磁気回路を形成する様に下部磁性
層３と接合している。父上部磁性層１０の上に保護絶縁
層１１を形成する。
発明が解決しようとする課題
しかしながら前記従来の構成では、第１２図にに示す様
に上部磁性層１０を形成しようとしてフォトレジストを
層間絶縁層９の上に塗布すると第１２図で示すコイル層
６，８及び層間絶縁層５゜７．９で囲まれた窪みの傾斜
面に塗布されたフォトレジストが窪みの底部に流れ込ん
でくるので、フォトレジストを乾燥させてフォトレジス
ト層を形成すると、窪みの底部はフォトレジスト層の厚
さが厚くなり、フォトマスクを被せて紫外線を照射する
。次に現像液で紫外線が照射されたフォトレジストを溶
かす段階において、窪みのフォトレジスト層は他の部分
よりも層の厚さが厚（なっているので窪みにフォトレジ
ストが現像液に溶けずに残る事によって、上部磁性層１
０を形成する場合に、上部磁性層１０と下部磁性層３の
接合面である窪みの底部にうま（上部磁性層１０が形成
されなかったり、又下部磁性層３と上部磁性層１０の接
合部にフォトレジストが入り込む事によって磁気抵抗が
増加して薄膜磁気ヘッドの磁気効率が低下するという問
題点を有していた。又窪みの底部に形成されたフォトレ
ジスト層を完全に現像液で可溶にするには、紫外線の強
度を強（するか、露光時間を長く取らなければならない
ので生産性が向上しないという問題点を有していた。
に上部磁性層１０を形成しようとしてフォトレジストを
層間絶縁層９の上に塗布すると第１２図で示すコイル層
６，８及び層間絶縁層５゜７．９で囲まれた窪みの傾斜
面に塗布されたフォトレジストが窪みの底部に流れ込ん
でくるので、フォトレジストを乾燥させてフォトレジス
ト層を形成すると、窪みの底部はフォトレジスト層の厚
さが厚くなり、フォトマスクを被せて紫外線を照射する
。次に現像液で紫外線が照射されたフォトレジストを溶
かす段階において、窪みのフォトレジスト層は他の部分
よりも層の厚さが厚（なっているので窪みにフォトレジ
ストが現像液に溶けずに残る事によって、上部磁性層１
０を形成する場合に、上部磁性層１０と下部磁性層３の
接合面である窪みの底部にうま（上部磁性層１０が形成
されなかったり、又下部磁性層３と上部磁性層１０の接
合部にフォトレジストが入り込む事によって磁気抵抗が
増加して薄膜磁気ヘッドの磁気効率が低下するという問
題点を有していた。又窪みの底部に形成されたフォトレ
ジスト層を完全に現像液で可溶にするには、紫外線の強
度を強（するか、露光時間を長く取らなければならない
ので生産性が向上しないという問題点を有していた。
本発明は前記従来の問題点を解決するもので、上部磁性
層と下部磁性層が接合する窪みに形成されるフォトレジ
スト層が他の部分よりも層の厚さが厚くなるのを防止し
、薄膜磁気ヘッドの磁気効率の低下を防止する事ができ
る薄膜磁気ヘッドを提供する事を目的としている。
層と下部磁性層が接合する窪みに形成されるフォトレジ
スト層が他の部分よりも層の厚さが厚くなるのを防止し
、薄膜磁気ヘッドの磁気効率の低下を防止する事ができ
る薄膜磁気ヘッドを提供する事を目的としている。
課題を解決するための手段
本発明は従来の問題点を解決するために、下部磁性層の
上部磁性層との接合面を上部磁性層に近付（ように下部
磁性層を形成した。
上部磁性層との接合面を上部磁性層に近付（ように下部
磁性層を形成した。
作 用
この構成によって、上部磁性層と下部磁性層が接合する
磁性層接合部の深さを浅くでき、磁性層接合部の傾斜面
の広さを減少させる事ができる。
磁性層接合部の深さを浅くでき、磁性層接合部の傾斜面
の広さを減少させる事ができる。
実 施 例
第１図は本発明の一実施例における薄膜磁気ヘッドを示
す側断面図である。１は基板、２は保護絶縁層、３は下
部磁性層、４はギャップ絶縁層、５は層間絶縁層、６は
コイル層、７は層間絶縁層、８はコイル層、９は層間絶
縁層、１０は上部磁性層、１１は保護絶縁層であり、こ
れらは従来の構成と同じである。１２は基板１上に形成
された柱層で柱層１２は下部磁性層３の上部磁性層１０
との接合面を上部磁性層１ｏに近付けるように設けられ
ている。
す側断面図である。１は基板、２は保護絶縁層、３は下
部磁性層、４はギャップ絶縁層、５は層間絶縁層、６は
コイル層、７は層間絶縁層、８はコイル層、９は層間絶
縁層、１０は上部磁性層、１１は保護絶縁層であり、こ
れらは従来の構成と同じである。１２は基板１上に形成
された柱層で柱層１２は下部磁性層３の上部磁性層１０
との接合面を上部磁性層１ｏに近付けるように設けられ
ている。
第２図は本発明の第二の実施例における薄膜磁気ヘッド
を示す側断面図である。１３は保護磁性層２の上に形成
された柱層で、柱層１３は下部磁性層３の上部磁性層１
０との接合面を上部磁性層１０の方に近付けるように設
けられている。
を示す側断面図である。１３は保護磁性層２の上に形成
された柱層で、柱層１３は下部磁性層３の上部磁性層１
０との接合面を上部磁性層１０の方に近付けるように設
けられている。
第３図は本発明の第三の実施例における薄膜磁気ヘッド
を示す側断面図である。１４は基板１上に設けられた柱
層、１５は柱層１４の上に保護絶縁層２を介して形成さ
れた柱層で、柱層１４，１５は下部磁性層３の上部磁性
層１０との接合面を上部磁性層１０に近付ける様に設け
られている。
を示す側断面図である。１４は基板１上に設けられた柱
層、１５は柱層１４の上に保護絶縁層２を介して形成さ
れた柱層で、柱層１４，１５は下部磁性層３の上部磁性
層１０との接合面を上部磁性層１０に近付ける様に設け
られている。
第４図は本発明の第四の実施例を示す断面図である。１
６は基板１上に非磁性絶縁材料で形成された柱層であり
、柱層１６の上には保護絶縁層２は形成されていない。
６は基板１上に非磁性絶縁材料で形成された柱層であり
、柱層１６の上には保護絶縁層２は形成されていない。
又柱層１６は下部磁性層３の上部磁性層１０に近付ける
様に設けられている。
様に設けられている。
以上の様にこれらの実施例によれば、上部磁性層１０を
形成しようとしてフォトレジストを塗布した場合、窪み
の傾斜面に付いたフォトレジストは窪みの底部に流れ落
ちるけれども、窪みに基板１及び保護絶縁層２の上に柱
層を形成することにより、窪みの深さが浅（なり傾斜面
の面積が減少するので窪みの底部に形成されるフォトレ
ジスト層の層の厚さは他のフォトレジスト層の厚さとほ
ぼ同じ厚さにできるので、紫外線の強度を強めたり露光
時間を長くしたすせずに、窪みに形成されたフォトレジ
スト層の底部まで紫外線が届く様にする事ができるので
、現像液で現像した場合に、窪みに形成されたフォトレ
ジスト層は完全に溶け、上部磁性層１０を形成した時に
、上部磁性層１０と下部磁性層３の接合部にフォトレジ
ストが残留しないようにできる。又第−の実施例及び第
四の実施例の場合基板１上に、柱層を形成したが基板に
柱層を一体形成してもよい。
形成しようとしてフォトレジストを塗布した場合、窪み
の傾斜面に付いたフォトレジストは窪みの底部に流れ落
ちるけれども、窪みに基板１及び保護絶縁層２の上に柱
層を形成することにより、窪みの深さが浅（なり傾斜面
の面積が減少するので窪みの底部に形成されるフォトレ
ジスト層の層の厚さは他のフォトレジスト層の厚さとほ
ぼ同じ厚さにできるので、紫外線の強度を強めたり露光
時間を長くしたすせずに、窪みに形成されたフォトレジ
スト層の底部まで紫外線が届く様にする事ができるので
、現像液で現像した場合に、窪みに形成されたフォトレ
ジスト層は完全に溶け、上部磁性層１０を形成した時に
、上部磁性層１０と下部磁性層３の接合部にフォトレジ
ストが残留しないようにできる。又第−の実施例及び第
四の実施例の場合基板１上に、柱層を形成したが基板に
柱層を一体形成してもよい。
発明の効果
本発明は、下部磁性層の上部磁性層との接合面を上部磁
性層に近付（様に下部磁性層を形成した事により上部磁
性層と下部磁性層が接合する窪みの深さを浅くでき、窪
みの傾斜面の広さを減少させる事ができるので、上部磁
性層を形成するためにフォトレジストを塗布した場合、
上部磁性層と下部磁性層の接合部に形成されるフォトレ
ジスト層の厚さを他のフォトレジスト層の厚さと同じ位
にすることができ、上部磁性層と下部磁性層の接合部に
フォトレジストが残留しないようにする事ができるので
接合部の磁気抵抗の増加を防ぎ薄膜磁気ヘッドの磁気効
率の低下を防止する事ができる。
性層に近付（様に下部磁性層を形成した事により上部磁
性層と下部磁性層が接合する窪みの深さを浅くでき、窪
みの傾斜面の広さを減少させる事ができるので、上部磁
性層を形成するためにフォトレジストを塗布した場合、
上部磁性層と下部磁性層の接合部に形成されるフォトレ
ジスト層の厚さを他のフォトレジスト層の厚さと同じ位
にすることができ、上部磁性層と下部磁性層の接合部に
フォトレジストが残留しないようにする事ができるので
接合部の磁気抵抗の増加を防ぎ薄膜磁気ヘッドの磁気効
率の低下を防止する事ができる。
第１図は本発明の第一の実施例における薄膜磁気ヘッド
を示す側断面図、第２図は本発明の第二の実施例におけ
る薄膜磁気ヘッドを示す側断面図、第３図は本発明の第
三の実施例における薄膜磁気ヘッドを示す側断面図、第
４図は本発明の第四の実施例における薄膜磁気ヘッドを
示す側断面図、第５図は従来の薄膜磁気ヘッドを示す側
断面図、第６図から第１３図までは従来の磁気ヘッドの
製造方法を表す側断面図である。 １・・・・・・基板 ２・・・・・・保護絶
縁層３・・・・・・下部磁性層 ４・・・・・・ギ
ャップ絶縁層５．７．９・・・・・・層間絶縁層 ６．８・・・・・・コイル層 １０・・・・・・上部
磁性層１１・・・・・・保護絶縁層 １２．１３，１３．１５・・・・・・柱層代理人の氏名
弁理士 中尾敏男 はが１名城
城第６図
を示す側断面図、第２図は本発明の第二の実施例におけ
る薄膜磁気ヘッドを示す側断面図、第３図は本発明の第
三の実施例における薄膜磁気ヘッドを示す側断面図、第
４図は本発明の第四の実施例における薄膜磁気ヘッドを
示す側断面図、第５図は従来の薄膜磁気ヘッドを示す側
断面図、第６図から第１３図までは従来の磁気ヘッドの
製造方法を表す側断面図である。 １・・・・・・基板 ２・・・・・・保護絶
縁層３・・・・・・下部磁性層 ４・・・・・・ギ
ャップ絶縁層５．７．９・・・・・・層間絶縁層 ６．８・・・・・・コイル層 １０・・・・・・上部
磁性層１１・・・・・・保護絶縁層 １２．１３，１３．１５・・・・・・柱層代理人の氏名
弁理士 中尾敏男 はが１名城
城第６図
Claims (1)
- 基板と、前記基板の上に形成された保護絶縁層と、前記
保護絶縁層の上に形成された下部磁性層と、前記下部磁
性層の上に形成され磁気ギャップとなるギャップ絶縁層
と、前記ギャップ絶縁層の上に絶縁層を介して形成され
磁束を発生させるコイル層と、前記コイル層の上に絶縁
層を介して形成され、前記下部磁性層と共に前記磁気ギ
ャップを含む磁気回路を構成する上部磁性層を備え、前
記下部磁性層の前記上部磁性層との接合面が前記上部磁
性層に近付く様に前記下部磁性層を形成したことを特徴
とする薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63046196A JPH01220210A (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63046196A JPH01220210A (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01220210A true JPH01220210A (ja) | 1989-09-01 |
Family
ID=12740318
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63046196A Pending JPH01220210A (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01220210A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59231722A (ja) * | 1983-06-13 | 1984-12-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
| JPS61117715A (ja) * | 1984-11-13 | 1986-06-05 | Nec Corp | 薄膜磁気ヘツド |
| JPS63168811A (ja) * | 1987-01-06 | 1988-07-12 | Alps Electric Co Ltd | 薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法 |
-
1988
- 1988-02-29 JP JP63046196A patent/JPH01220210A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59231722A (ja) * | 1983-06-13 | 1984-12-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
| JPS61117715A (ja) * | 1984-11-13 | 1986-06-05 | Nec Corp | 薄膜磁気ヘツド |
| JPS63168811A (ja) * | 1987-01-06 | 1988-07-12 | Alps Electric Co Ltd | 薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法 |
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