JPH01220443A - レジスト塗布状態の監視方法 - Google Patents
レジスト塗布状態の監視方法Info
- Publication number
- JPH01220443A JPH01220443A JP63046092A JP4609288A JPH01220443A JP H01220443 A JPH01220443 A JP H01220443A JP 63046092 A JP63046092 A JP 63046092A JP 4609288 A JP4609288 A JP 4609288A JP H01220443 A JPH01220443 A JP H01220443A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- substrate
- resist liquid
- processed
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体の製造工程等において行われるレジス
ト液の塗布状態を監視する方法に関する。
ト液の塗布状態を監視する方法に関する。
（従来の技術）
従来から、半導体ウェハ等の電子部品の製造に、精密写
真技術が適用されており、その製造工程における露光工
程の前工程としてレジスト膜の形成が行われている。
真技術が適用されており、その製造工程における露光工
程の前工程としてレジスト膜の形成が行われている。
このレジスト膜の形成は、例えば載置台上に半導体ウェ
ハ等の被処理基板を真空チャック等により保持し、載置
台とともに被処理基板をその中心付近を回転軸として、
例えば１０００ｒ、ｐ、ｍ程度の回転数で回転させなが
ら、被処理基板のほぼ中心部にレジスト液を一定量供給
し、レジスト液を被処理基板上に薄く均一に広げ余分な
レジスト液を除去する、いわゆるスピンコーティング法
が多用されている。
ハ等の被処理基板を真空チャック等により保持し、載置
台とともに被処理基板をその中心付近を回転軸として、
例えば１０００ｒ、ｐ、ｍ程度の回転数で回転させなが
ら、被処理基板のほぼ中心部にレジスト液を一定量供給
し、レジスト液を被処理基板上に薄く均一に広げ余分な
レジスト液を除去する、いわゆるスピンコーティング法
が多用されている。
このようなレジスト膜の形成工程において、レジスト液
の吐出量は、従来、被処理基板全面にレジスト液が残ら
ず供給されるのに十分な量を試験工程から求め、実際の
生産工程では、この試験工程から求めたレジスト液の吐
出量を基準に被処理基板上に吐出している。
の吐出量は、従来、被処理基板全面にレジスト液が残ら
ず供給されるのに十分な量を試験工程から求め、実際の
生産工程では、この試験工程から求めたレジスト液の吐
出量を基準に被処理基板上に吐出している。
（発明が解決しようとする課題）
ところで、上述したように従来のレジスト膜の形成にお
いては、レジスト液が被処理基板全面に塗布されたかど
うかを検出する方法が見出されていなかったために、試
験工程から求めた吐出二を基準としてレジスト液の供給
が行われていた。
いては、レジスト液が被処理基板全面に塗布されたかど
うかを検出する方法が見出されていなかったために、試
験工程から求めた吐出二を基準としてレジスト液の供給
が行われていた。
しかしながら、このように試験工程から求めた一定量の
レジスト液を供給する方法では、レジスト膜を確実に被
処理基板全面に均一に形成するために、かなり多量のレ
ジスト液を供給しており、大部分のレジスト液は被処理
基板から飛散してしまい、レジスト液の使用量に相当の
むだがあるという欠点を有していた。例えば、レジスト
液の供給量を減少させると、レジスト液の拡散状態が円
形状ではなく、例えば第５図に示すように、部分的に突
出した状態で広がっていくため、その外縁部に未塗布部
分が非常に残存しやすい。
レジスト液を供給する方法では、レジスト膜を確実に被
処理基板全面に均一に形成するために、かなり多量のレ
ジスト液を供給しており、大部分のレジスト液は被処理
基板から飛散してしまい、レジスト液の使用量に相当の
むだがあるという欠点を有していた。例えば、レジスト
液の供給量を減少させると、レジスト液の拡散状態が円
形状ではなく、例えば第５図に示すように、部分的に突
出した状態で広がっていくため、その外縁部に未塗布部
分が非常に残存しやすい。
これらのことから、被処理基板上にレジスト液の未塗布
部分を残存させることなく、レジスト液の使用量を適正
な値とするために、被処理基板上全面にレジスト液が塗
布された後、レジスト液の供給を停止することが考えら
れており、これを実現するために、レジスト液の塗布状
態を確実に監視する方法が強く望まれている。
部分を残存させることなく、レジスト液の使用量を適正
な値とするために、被処理基板上全面にレジスト液が塗
布された後、レジスト液の供給を停止することが考えら
れており、これを実現するために、レジスト液の塗布状
態を確実に監視する方法が強く望まれている。
本発明は上述した従来技術の課題に対処すべく成された
もので、レジスト液が被処理基板上全面に供給されたこ
とを検出し、レジスト液の無駄使いを減少させることを
可能にするレジスト塗布状態の監視方法を提供すること
を目的とする。
もので、レジスト液が被処理基板上全面に供給されたこ
とを検出し、レジスト液の無駄使いを減少させることを
可能にするレジスト塗布状態の監視方法を提供すること
を目的とする。
［発明の構成コ
（課題を解決するための手段）
本発明のレジスト塗布状態の監視方法は、被処理基板の
外縁部近傍にレジスト液検出光を照射し、このレジスト
液検出光の反射光をＪＩＩＪ定することにより、中心付
近を回転軸として回転されている前記被処理基板上に吐
出されたレジスト液の該被処理基板上における供給状態
を検出することを特徴としている。
外縁部近傍にレジスト液検出光を照射し、このレジスト
液検出光の反射光をＪＩＩＪ定することにより、中心付
近を回転軸として回転されている前記被処理基板上に吐
出されたレジスト液の該被処理基板上における供給状態
を検出することを特徴としている。
（作 用）
本発明のレジスト塗布状態の監視方法においては、レジ
スト液検出光、例えば被処理基板とレジスト液とによっ
て吸収率のことなる波長の光を被処理基板の外縁部近傍
の所定の位置に照射し、このレジスト液検出光の反射光
の強度を測定することによって、被処理基板の外縁部ま
でレジスト液が供給されたかどうかを検出することがで
きる。
スト液検出光、例えば被処理基板とレジスト液とによっ
て吸収率のことなる波長の光を被処理基板の外縁部近傍
の所定の位置に照射し、このレジスト液検出光の反射光
の強度を測定することによって、被処理基板の外縁部ま
でレジスト液が供給されたかどうかを検出することがで
きる。
（実施例）
以下、本発明方法をレジスト塗布装置に適用した一実施
例について図面を参照して説明する。
例について図面を参照して説明する。
例えば半導体ウェハ等の被処理基板１を真空チャック等
によって吸着保持する載置台２は、この載置台２ととも
に被処理基板１を所定の回転数で回転させる回転機構３
に連結されている。
によって吸着保持する載置台２は、この載置台２ととも
に被処理基板１を所定の回転数で回転させる回転機構３
に連結されている。
被処理基板１のほぼ中央部上方には、レジスト液吐出ノ
ズル４が配置されており、このレジスト液吐出ノズル４
はレジスト液の供給および停止を行う電磁弁６を介して
レジスト供給部５に接続されている。
ズル４が配置されており、このレジスト液吐出ノズル４
はレジスト液の供給および停止を行う電磁弁６を介して
レジスト供給部５に接続されている。
また、レジスト液吐出ノズル４から吐出されたレジスト
液の被処理基板１上における供給状態を検出するために
、被処理基板１の外縁部近傍の所定の位置にレジスト液
の塗布状態を監視するためのレジスト液検出機構７が設
けられている。
液の被処理基板１上における供給状態を検出するために
、被処理基板１の外縁部近傍の所定の位置にレジスト液
の塗布状態を監視するためのレジスト液検出機構７が設
けられている。
このレジスト液検出機構７は被処理基板１の表面を照明
するための光放出する光源８と、この光源８から出力さ
れた光を被処理基板１上面の所定位置に対して導光する
如く垂直方向に照射するノ＼−フミラー９およびレンズ
１０と、被処理基板１によって反射された反射光のみを
選択的に通過させるフィルタ１１と、このフィルタ１１
を通過した所定の光の強度分布をΔ−１定する受光素子
例えばフォトラインセンサ１２とから主に構成されてい
る。このレジスト液検出機構７においては、光源８から
出力された光が被処理基板１によって反射され、この反
射光はハーフミラ−９によって直角方向に反射され、フ
ィルタ１１で光源８から出力された光の反射光のみに選
択され、フォトラインセンサ１２上に被処理基板１上の
状態を投影結像する如く構成されている。しかも、上記
光源８からの光の波長に感度を有するセンサが好適であ
る。
するための光放出する光源８と、この光源８から出力さ
れた光を被処理基板１上面の所定位置に対して導光する
如く垂直方向に照射するノ＼−フミラー９およびレンズ
１０と、被処理基板１によって反射された反射光のみを
選択的に通過させるフィルタ１１と、このフィルタ１１
を通過した所定の光の強度分布をΔ−１定する受光素子
例えばフォトラインセンサ１２とから主に構成されてい
る。このレジスト液検出機構７においては、光源８から
出力された光が被処理基板１によって反射され、この反
射光はハーフミラ−９によって直角方向に反射され、フ
ィルタ１１で光源８から出力された光の反射光のみに選
択され、フォトラインセンサ１２上に被処理基板１上の
状態を投影結像する如く構成されている。しかも、上記
光源８からの光の波長に感度を有するセンサが好適であ
る。
光源８から放出される光の波長は、レジスト液に対して
化学的に変化を起さない波長の選択が望ましい。
化学的に変化を起さない波長の選択が望ましい。
このレジスト液検出機構７からの検出情報は、レジスト
液供給状態制御機構１３に入力され、電磁弁６の開閉状
態が制御される。
液供給状態制御機構１３に入力され、電磁弁６の開閉状
態が制御される。
上記構成のレジスト塗布装置により、この実施例のレジ
スト液の塗布状態の監視方法について説明する。
スト液の塗布状態の監視方法について説明する。
まず、回転機構３により載置台２とともに被処理基板１
を例えば１ｏ００ｒ、り、ｆｆｌで低速回転させ、この
状態でレジスト液吐出ノズル４よりレジスト液を被処理
基板ｌ上に塗布する。この時、レジスト液は吐出点直下
より順次外縁部に向って広がって行く。
を例えば１ｏ００ｒ、り、ｆｆｌで低速回転させ、この
状態でレジスト液吐出ノズル４よりレジスト液を被処理
基板ｌ上に塗布する。この時、レジスト液は吐出点直下
より順次外縁部に向って広がって行く。
第２図および第３図は、塗布中のレジスト液１４の被処
理基板１上における拡散状態を示す図であり、第２図は
レジスト液１４が被処理基板１上を外縁部に向かって広
がっていく状態を示す図であり、第３図は被処理基板１
全而に塗布された状態を示す図である。
理基板１上における拡散状態を示す図であり、第２図は
レジスト液１４が被処理基板１上を外縁部に向かって広
がっていく状態を示す図であり、第３図は被処理基板１
全而に塗布された状態を示す図である。
ここで、レジスト液検出光として例えばレジスト液の赤
色によって充分に吸収され、かつ半導体ウェハ等の被処
理基板によって充分に反射される緑色光を使用する。こ
れにより、この緑色光の入射位置にレジスト液が到達し
ていなければ、充分な強度で反射光を検出することがで
き、レジスト液が到達しているとこのレジスト液によっ
て緑色光が吸収されてしまうために反射光がほぼなくな
り、被処理基板１による反射光の強度と明らかな差とし
て検出される。
色によって充分に吸収され、かつ半導体ウェハ等の被処
理基板によって充分に反射される緑色光を使用する。こ
れにより、この緑色光の入射位置にレジスト液が到達し
ていなければ、充分な強度で反射光を検出することがで
き、レジスト液が到達しているとこのレジスト液によっ
て緑色光が吸収されてしまうために反射光がほぼなくな
り、被処理基板１による反射光の強度と明らかな差とし
て検出される。
例えば第２図に示したレジスト液１４の拡散途中におけ
るフォトラインセンサ１２による反射光の検出強度分布
は、第４図に示すように、レジスト液が塗布された各位
置においては反射光の強度がほぼ零あるいは所定値とな
り、未塗布部分においては所定の強度で検出される。ま
た、第３図に示したレジスト液１４の塗布が終了した状
態におけるフォトラインセンサ１２による反射光の検出
強度分布は、第５図に示すように、レジスト液検出光の
全照射位置において反射光の強度がほぼ零あるいは所定
値となる。
るフォトラインセンサ１２による反射光の検出強度分布
は、第４図に示すように、レジスト液が塗布された各位
置においては反射光の強度がほぼ零あるいは所定値とな
り、未塗布部分においては所定の強度で検出される。ま
た、第３図に示したレジスト液１４の塗布が終了した状
態におけるフォトラインセンサ１２による反射光の検出
強度分布は、第５図に示すように、レジスト液検出光の
全照射位置において反射光の強度がほぼ零あるいは所定
値となる。
そして、これら反射光の強度分布の差からレジスト液１
４が被処理基板１上に全面に塗布されたことを検出する
ことが可能となる。
４が被処理基板１上に全面に塗布されたことを検出する
ことが可能となる。
なお、レジスト液検出光による反射光の強度ａｌｌ定は
、レジスト液の拡散状態が第６図に示したように、部分
的に突出した状態で広がっていくため、瞬間値の強度測
定ではなく、例えば被処理基板の１八回転程度の積算値
として反射光の強度をｌ−１定することが好ましく、こ
の実施例に使用したフォトラインセンサはこのような特
性を有している。
、レジスト液の拡散状態が第６図に示したように、部分
的に突出した状態で広がっていくため、瞬間値の強度測
定ではなく、例えば被処理基板の１八回転程度の積算値
として反射光の強度をｌ−１定することが好ましく、こ
の実施例に使用したフォトラインセンサはこのような特
性を有している。
上記実施例において、光源からの放出光とセンサへの光
入力を予め定められた周期で光チョップして操作すると
、雑音成分と分離した明瞭な信号成分の検出に役立つ。
入力を予め定められた周期で光チョップして操作すると
、雑音成分と分離した明瞭な信号成分の検出に役立つ。
以上説明したように、レジスト液の被処理基板上におけ
る塗布状態を検出することを可能にすることによって、
例えばこの実施例においては、レジスト液検出機構７か
らのレジスト液検出信号をレジスト液供給状態制御機構
１３に入力し、このレジスト液供給状態制御機構１３に
より電磁弁５を閉状態とすることによって、レジスト液
の吐出量を必要最小限に押えることができ、レジスト液
の使用量を削減することが可能となる。
る塗布状態を検出することを可能にすることによって、
例えばこの実施例においては、レジスト液検出機構７か
らのレジスト液検出信号をレジスト液供給状態制御機構
１３に入力し、このレジスト液供給状態制御機構１３に
より電磁弁５を閉状態とすることによって、レジスト液
の吐出量を必要最小限に押えることができ、レジスト液
の使用量を削減することが可能となる。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明のレジスト塗布状態の監視
方法によれば、被処理基板上に供給されたレジスト液が
その全面に塗布されたかどうかを確実に検出することが
可能となる。したがって、このレジスト液の検出情報を
もとにレジスト液の供給を停止することによって、レジ
スト液の使用量を削減することが可能となる。
方法によれば、被処理基板上に供給されたレジスト液が
その全面に塗布されたかどうかを確実に検出することが
可能となる。したがって、このレジスト液の検出情報を
もとにレジスト液の供給を停止することによって、レジ
スト液の使用量を削減することが可能となる。
第１図は本発明の一実施例の説明に使用したレジスト塗
布装置の概略を示す図、第２図および第３図は第１図の
レジスト塗布装置におけるレジスト液の拡散状態をそれ
ぞれ示す図、第４図および第５図は、第２図および第３
図にそれぞれ示す状態におけるレジスト液検出光の検出
強度分布をそれぞれ示す図、第６図はレジスト液の被処
理基板上における広がり状態を示す図である。 １・・・・・・被処理基板、２・・・・・・載置台、３
・・・・・・回転機構、４・・・・・・レジスト液吐出
ノズル、５・・・・・・レジスト液供給部、６・・・・
・・電磁弁、７・・・・・・レジスト液検出機構、８・
・・・・・光源、９・・・・・・ハーフミラ−１１０・
・・・・・レンズ、１１・・・・・・フィルタ、１２・
・・・・・フォトラインセンサ、１３・・・・・・レジ
スト液供給状態制御機構、１４・・・・・・レジスト液
出願人 東京エレクトロン株式会社代理人 弁理士
須 山 佐 − 第１図 第２図 第３図 距 駿 第４図 ２＃！ 第５図 第６図
布装置の概略を示す図、第２図および第３図は第１図の
レジスト塗布装置におけるレジスト液の拡散状態をそれ
ぞれ示す図、第４図および第５図は、第２図および第３
図にそれぞれ示す状態におけるレジスト液検出光の検出
強度分布をそれぞれ示す図、第６図はレジスト液の被処
理基板上における広がり状態を示す図である。 １・・・・・・被処理基板、２・・・・・・載置台、３
・・・・・・回転機構、４・・・・・・レジスト液吐出
ノズル、５・・・・・・レジスト液供給部、６・・・・
・・電磁弁、７・・・・・・レジスト液検出機構、８・
・・・・・光源、９・・・・・・ハーフミラ−１１０・
・・・・・レンズ、１１・・・・・・フィルタ、１２・
・・・・・フォトラインセンサ、１３・・・・・・レジ
スト液供給状態制御機構、１４・・・・・・レジスト液
出願人 東京エレクトロン株式会社代理人 弁理士
須 山 佐 − 第１図 第２図 第３図 距 駿 第４図 ２＃！ 第５図 第６図
Claims (1)
- 被処理基板の外縁部近傍にレジスト液検出光を照射し
、このレジスト液検出光の反射光を測定することにより
、中心付近を回転軸として回転されている前記被処理基
板上に吐出されたレジスト液の該被処理基板上における
供給状態を検出することを特徴とするレジスト塗布状態
の監視方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63046092A JPH01220443A (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | レジスト塗布状態の監視方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63046092A JPH01220443A (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | レジスト塗布状態の監視方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01220443A true JPH01220443A (ja) | 1989-09-04 |
Family
ID=12737345
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63046092A Pending JPH01220443A (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | レジスト塗布状態の監視方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01220443A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100294014B1 (ko) * | 1998-08-07 | 2001-10-26 | 윤종용 | 웨이퍼도포용감광액토출제어장치및제어방법 |
-
1988
- 1988-02-29 JP JP63046092A patent/JPH01220443A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100294014B1 (ko) * | 1998-08-07 | 2001-10-26 | 윤종용 | 웨이퍼도포용감광액토출제어장치및제어방법 |
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