JPH0341718A - 周辺露光装置 - Google Patents
周辺露光装置Info
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- JPH0341718A JPH0341718A JP17660589A JP17660589A JPH0341718A JP H0341718 A JPH0341718 A JP H0341718A JP 17660589 A JP17660589 A JP 17660589A JP 17660589 A JP17660589 A JP 17660589A JP H0341718 A JPH0341718 A JP H0341718A
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- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims abstract description 12
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 28
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
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- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は周辺露光装置に関する。
［従来の技術及び発明が解決すべき課題］一般に、半導
体装置の製造工程の一つであるリングラフィ工程は、主
として表面処理、レジスト塗布、露光、現像、エツチン
グの５つの工程に分けられる。これらの工程で用いられ
る投影型露光装置やエツチング等の真空装置は、半導体
ウェハの搬送や処理台への固定方法として、ウェハの周
辺をクランプするメカニカル方式を採用している。
体装置の製造工程の一つであるリングラフィ工程は、主
として表面処理、レジスト塗布、露光、現像、エツチン
グの５つの工程に分けられる。これらの工程で用いられ
る投影型露光装置やエツチング等の真空装置は、半導体
ウェハの搬送や処理台への固定方法として、ウェハの周
辺をクランプするメカニカル方式を採用している。
しかし、前工程のレジスト塗布工程において後処理が不
充分であると、半導体ウェハの周縁部にレジスト等が残
留している場合がある。このような場合、半導体ウェハ
の搬送を行なう際に、レジスト剥れが起きて異物が発生
し易い。
充分であると、半導体ウェハの周縁部にレジスト等が残
留している場合がある。このような場合、半導体ウェハ
の搬送を行なう際に、レジスト剥れが起きて異物が発生
し易い。
このようなレジスト剥れによる異物の発生を防止するた
め、半導体ウェハの周縁部のレジスト層を円環状に露光
し、現像することにより除去する方法がとられている。
め、半導体ウェハの周縁部のレジスト層を円環状に露光
し、現像することにより除去する方法がとられている。
このような露光装置として（特開昭５８−１５９５３５
号、特開昭５９−１５８５２０号、特願昭６２−２１．
６００９号）がある。
号、特開昭５９−１５８５２０号、特願昭６２−２１．
６００９号）がある。
この周辺露光装置は、第４図に示すように載置台１に位
置決め、吸着された半導体ウェハ２を回転させると共に
、位置制御可能な光照射部３により光ファイバー４によ
り送られた光を前側し、オリフラ部を含めた周縁部を選
択的に露光するものである。
置決め、吸着された半導体ウェハ２を回転させると共に
、位置制御可能な光照射部３により光ファイバー４によ
り送られた光を前側し、オリフラ部を含めた周縁部を選
択的に露光するものである。
ところで、このような従来の周辺露光装置においては、
第５図に示すように、載置台１の回転と共に円形の半導
体ウェハ２が回転して露光するため周縁部５の内周部６
た外周部７では移動距離が異なり、光照射部３から半導
体ウェハ２の周縁部５へ照射される光は光源の光強度分
布が均一の場合には内周部６に比較して外周部７に照射
される光量は少くなる。そのため、高強度の照射ができ
ず第６図に示すように露光、現像後のレジスト層Ｒの断
面は、所望の形状、半導体ウェハ２に対して垂直に除去
されず１点線で示すように、いわゆる膜だれ現像が生じ
てしまう６従って、残留レジスト層の完全な除去ができ
ず、また、ＩＣの歩留りの低下を招くという欠点があっ
た。
第５図に示すように、載置台１の回転と共に円形の半導
体ウェハ２が回転して露光するため周縁部５の内周部６
た外周部７では移動距離が異なり、光照射部３から半導
体ウェハ２の周縁部５へ照射される光は光源の光強度分
布が均一の場合には内周部６に比較して外周部７に照射
される光量は少くなる。そのため、高強度の照射ができ
ず第６図に示すように露光、現像後のレジスト層Ｒの断
面は、所望の形状、半導体ウェハ２に対して垂直に除去
されず１点線で示すように、いわゆる膜だれ現像が生じ
てしまう６従って、残留レジスト層の完全な除去ができ
ず、また、ＩＣの歩留りの低下を招くという欠点があっ
た。
本発明は上記の欠点を解消し、膜だれのない所望のレジ
スト層を効果的に露光できる周辺露光装置を提供するこ
とを目的とする。
スト層を効果的に露光できる周辺露光装置を提供するこ
とを目的とする。
［課題を解決するための手段］
上記の目的を達成するため本発明の周辺露光装置は、被
処理体の周縁部に沿って光照射部を相対的に移動させて
前記被処理体の前記周縁部を露光する周辺露光装置にお
いて、前記周縁部の内周部は透過率が低く、外周部は透
過率が高いフィルタを前記光照射部の光路に設ける。
処理体の周縁部に沿って光照射部を相対的に移動させて
前記被処理体の前記周縁部を露光する周辺露光装置にお
いて、前記周縁部の内周部は透過率が低く、外周部は透
過率が高いフィルタを前記光照射部の光路に設ける。
［作用コ
光照射部に設けたフィルタの内周部から外周部に向かっ
てその透過率に勾配を持たせることにより、光照射部が
円形の被処理体の周縁部を照射する際に内周部と外周部
の移動速度の差から生じる照射光量の大小を相殺するこ
とができるので、照射される部分全体として均一な照射
光量となる。
てその透過率に勾配を持たせることにより、光照射部が
円形の被処理体の周縁部を照射する際に内周部と外周部
の移動速度の差から生じる照射光量の大小を相殺するこ
とができるので、照射される部分全体として均一な照射
光量となる。
従って照射光としては強度のものを使用できるので、露
光領域と非露光領域の境界がシャープになり、現像後の
レジスト膜は膜だれのなく所望の形状に完全に除去する
ことができる。
光領域と非露光領域の境界がシャープになり、現像後の
レジスト膜は膜だれのなく所望の形状に完全に除去する
ことができる。
［実施例コ
以下、本発明の周辺露光装置を半導体製造工程における
周辺露光装置に適用した実施例を図面を参照して説明す
る。
周辺露光装置に適用した実施例を図面を参照して説明す
る。
第１図に示す周辺露光装置は、円形の被処理体であるレ
ジスト塗布後の半導体ウェハ２を吸着、保持する載置台
１０．載置台１０を回転駆動する回転機構８．半導体ウ
ェハ２の周縁端面を検出する端面検出手段９、半導体ウ
ェハ２の周縁部５０を露光するための光照射部３０及び
端面検出手段９からの信号によって回転機構８等を駆動
制御する制御部１１から成り、端面検出手段９は光源１
２及びレンズ１３を介して光源１２からの光を検出する
光センサ１４から成る。光照射部３０は図示しない開動
機構を備え、光センサ１４からの信号によってこの駆動
機構が光照射部３０を移動させることにより、半導体ウ
ェハ２のオリフラ部５０ａも含め、その周縁に沿って露
光することができるように構成されている。
ジスト塗布後の半導体ウェハ２を吸着、保持する載置台
１０．載置台１０を回転駆動する回転機構８．半導体ウ
ェハ２の周縁端面を検出する端面検出手段９、半導体ウ
ェハ２の周縁部５０を露光するための光照射部３０及び
端面検出手段９からの信号によって回転機構８等を駆動
制御する制御部１１から成り、端面検出手段９は光源１
２及びレンズ１３を介して光源１２からの光を検出する
光センサ１４から成る。光照射部３０は図示しない開動
機構を備え、光センサ１４からの信号によってこの駆動
機構が光照射部３０を移動させることにより、半導体ウ
ェハ２のオリフラ部５０ａも含め、その周縁に沿って露
光することができるように構成されている。
ここで、本発明の要点である光照射部３０は。
図示しない光源から露光用の光、例えばＵＶ光を導くた
めの光ファイバ、液体ファイバ等の光導管１５によって
導かれた光をフィルタ１６を透過して円形の半導体ウェ
ハ２の周縁部５０に照射する。
めの光ファイバ、液体ファイバ等の光導管１５によって
導かれた光をフィルタ１６を透過して円形の半導体ウェ
ハ２の周縁部５０に照射する。
フィルタエ６の照射ロエ７は第２図に示すような長方形
であってもよいし、又１円形、楕円形等であってもよい
が、フィルタ１６は内周部６０への透過光の光量が少く
、外周部７０への透過光の光量が多くなるような透過率
を有するようにしたものである。フィルタ１６の特性と
して所望の波長のものを使用し、透過率を変化させるに
は第３図に示すように色濃度を内周部６０の射光が透過
する領域を濃く、外周部７０の照射光透過領域では淡く
するかあるいはフィルタ１６の膜厚を内周部６０の照射
光透過部を厚く、外周部７０の照射光透過部を薄くする
等の方法を採用することができる。
であってもよいし、又１円形、楕円形等であってもよい
が、フィルタ１６は内周部６０への透過光の光量が少く
、外周部７０への透過光の光量が多くなるような透過率
を有するようにしたものである。フィルタ１６の特性と
して所望の波長のものを使用し、透過率を変化させるに
は第３図に示すように色濃度を内周部６０の射光が透過
する領域を濃く、外周部７０の照射光透過領域では淡く
するかあるいはフィルタ１６の膜厚を内周部６０の照射
光透過部を厚く、外周部７０の照射光透過部を薄くする
等の方法を採用することができる。
以上のような構成における周辺露光装置は、回転機構８
により半導体ウェハ２を回転させると共に、端面検出手
段９により半導体ウェハ端面を検出しながら光照射部３
０の位置を制御して半導体ウェハ周縁部に沿ってウェハ
上のレジスト膜に光を照射してゆくものであるが、光照
射部３０に設けたフィルタ１６の透過率に勾配を持たせ
ることにより、光照射部３０が円形の半導体ウェハ２の
周縁部を照射する際に内周部６０と外周部７０の移動速
度の差から生じる照射光量の大小を相殺し、均一な照射
光量とむる。
により半導体ウェハ２を回転させると共に、端面検出手
段９により半導体ウェハ端面を検出しながら光照射部３
０の位置を制御して半導体ウェハ周縁部に沿ってウェハ
上のレジスト膜に光を照射してゆくものであるが、光照
射部３０に設けたフィルタ１６の透過率に勾配を持たせ
ることにより、光照射部３０が円形の半導体ウェハ２の
周縁部を照射する際に内周部６０と外周部７０の移動速
度の差から生じる照射光量の大小を相殺し、均一な照射
光量とむる。
このため照射される光は強度のものを使用できるので、
露光領域と非露光領域の境界がシャープになり、現像後
のレジスト膜は膜だれのない所望の形状に完全に除去で
きる。
露光領域と非露光領域の境界がシャープになり、現像後
のレジスト膜は膜だれのない所望の形状に完全に除去で
きる。
以上の説明は半導体製造の周辺露光装置であるが本発明
はこれに限定されるものではなく円形照射に係るものな
らば何れのものにも適用することができる。
はこれに限定されるものではなく円形照射に係るものな
らば何れのものにも適用することができる。
［発明の効果コ
以上の説明からも明らかなように、本発明の周辺露光装
置によれば、光照射部にフィルタを設け。
置によれば、光照射部にフィルタを設け。
露光速度により生じる照射光量の差を相殺する透過率を
有するようにしたため、均一な光量の露光を行うことが
できる。そのため、強度の照射を行うことが可能となり
膜だれのないシャープな残留レジスト膜の除去が実現し
、クリーンな半導体を形成することができる。
有するようにしたため、均一な光量の露光を行うことが
できる。そのため、強度の照射を行うことが可能となり
膜だれのないシャープな残留レジスト膜の除去が実現し
、クリーンな半導体を形成することができる。
第１図は本発明の周辺露光装置が適用される半導体装置
の周辺露光装置の一実施例を示す構成図、第２図及び第
３図は第工図に示す一実施例の要部を示す説明図、第４
図及び第５図は従来の周辺露光装置を示す図、第６図は
従来の装置で製造されるレジスト膜の断面図である。 ２・・・・・・被処理体 １０・・・・載置台 １６・・・・フィルタ ５０・・・・周縁部 ６０・・・・内周部 ７０・・・・外周部 （半導体ウェハ）
の周辺露光装置の一実施例を示す構成図、第２図及び第
３図は第工図に示す一実施例の要部を示す説明図、第４
図及び第５図は従来の周辺露光装置を示す図、第６図は
従来の装置で製造されるレジスト膜の断面図である。 ２・・・・・・被処理体 １０・・・・載置台 １６・・・・フィルタ ５０・・・・周縁部 ６０・・・・内周部 ７０・・・・外周部 （半導体ウェハ）
Claims (1)
- 被処理体の周縁部に沿って光照射部を相対的に移動させ
て前記被処理体の前記周縁部を露光する周辺露光装置に
おいて、前記周縁部の内周部は透過率が低く、外周部は
透過率が高いフィルタを前記光照射部の光路に設けたこ
とを特徴とする周辺露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17660589A JPH0341718A (ja) | 1989-07-07 | 1989-07-07 | 周辺露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17660589A JPH0341718A (ja) | 1989-07-07 | 1989-07-07 | 周辺露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0341718A true JPH0341718A (ja) | 1991-02-22 |
Family
ID=16016492
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17660589A Pending JPH0341718A (ja) | 1989-07-07 | 1989-07-07 | 周辺露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0341718A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011238798A (ja) * | 2010-05-11 | 2011-11-24 | Tokyo Electron Ltd | 周縁露光装置及び周縁露光方法 |
-
1989
- 1989-07-07 JP JP17660589A patent/JPH0341718A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011238798A (ja) * | 2010-05-11 | 2011-11-24 | Tokyo Electron Ltd | 周縁露光装置及び周縁露光方法 |
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