JPH01220814A - 磁器コンデンサ - Google Patents
磁器コンデンサInfo
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- JPH01220814A JPH01220814A JP63047765A JP4776588A JPH01220814A JP H01220814 A JPH01220814 A JP H01220814A JP 63047765 A JP63047765 A JP 63047765A JP 4776588 A JP4776588 A JP 4776588A JP H01220814 A JPH01220814 A JP H01220814A
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 42
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 3
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
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- H01G4/005—Electrodes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は磁器コンデンサに関し、特にたとえば高圧用
磁器コンデンサに関する。
磁器コンデンサに関する。
（従来技術）
従来の磁器コンデンサｌとしては、第３図に示すように
、たとえばＢａＴｉＯ３系や５ｒＴｉＯ１系の誘電体磁
器素体２の両主面に電極３を形成したものがあった。こ
の電極３は、誘電体磁器素体２の両主面にたとえば銀ペ
ーストなどを塗布し焼き付けることによって形成される
。
、たとえばＢａＴｉＯ３系や５ｒＴｉＯ１系の誘電体磁
器素体２の両主面に電極３を形成したものがあった。こ
の電極３は、誘電体磁器素体２の両主面にたとえば銀ペ
ーストなどを塗布し焼き付けることによって形成される
。
（発明が解決しようとする問題点）
このような磁器コンデンサの電極の端部における等電位
面の様子が第４Ａ図に示される。第４Ａ図かられかるよ
うに、電極端部において電位傾度が大きくなっており、
電気力線が集中していることがわかる。そのため、磁器
コンデンサに高電圧を印加したとき、誘電体磁器素体の
２つの電極の端部間で絶縁破壊を起こしやすい。
面の様子が第４Ａ図に示される。第４Ａ図かられかるよ
うに、電極端部において電位傾度が大きくなっており、
電気力線が集中していることがわかる。そのため、磁器
コンデンサに高電圧を印加したとき、誘電体磁器素体の
２つの電極の端部間で絶縁破壊を起こしやすい。
このような電極端部における電気力線の集中を防ぐため
に、誘電体磁器素体の両主面においてその全面に電極を
形成することが考えられる。この場合の等電位面の様子
は第４Ｂ図に示されるようになり、電極端部における電
位傾度は第４Ａ図の電極端部の電位傾度に比べ小さくな
っていることがわかる。そのため、誘電体磁器素体の２
つの電極の端部間で絶縁破壊が起こりにくくなり、磁器
コンデンサの絶縁破壊電圧を大きくすることができる。
に、誘電体磁器素体の両主面においてその全面に電極を
形成することが考えられる。この場合の等電位面の様子
は第４Ｂ図に示されるようになり、電極端部における電
位傾度は第４Ａ図の電極端部の電位傾度に比べ小さくな
っていることがわかる。そのため、誘電体磁器素体の２
つの電極の端部間で絶縁破壊が起こりにくくなり、磁器
コンデンサの絶縁破壊電圧を大きくすることができる。
実験でも、第５図に示すように、誘電体磁器素体の端部
から電極の端部までの距離が短いはど、磁器コンデンサ
の絶縁破壊電圧は大きくなることが確かめられている。
から電極の端部までの距離が短いはど、磁器コンデンサ
の絶縁破壊電圧は大きくなることが確かめられている。
しかしながら、誘電体磁器素体の両主面の全面に電極を
形成した場合、磁器コンデンサの端部が欠けていたり磁
器コンデンサの端部にクラックが発生していたりすると
、理想的な電位傾度を保つことが困難となり破壊電圧が
低下してしまう。また、誘電体磁器素体の両主面に銀ペ
ーストを塗布し、焼き付けることによって電極を形成す
る場合には、誘電体磁器素体の側面に銀ペーストが流れ
たりしやすい。このような場合、誘電体磁器素体の側面
の銀ペーストを除去する工程が必要となって、磁器コン
デンサのコストアンプにつながる。
形成した場合、磁器コンデンサの端部が欠けていたり磁
器コンデンサの端部にクラックが発生していたりすると
、理想的な電位傾度を保つことが困難となり破壊電圧が
低下してしまう。また、誘電体磁器素体の両主面に銀ペ
ーストを塗布し、焼き付けることによって電極を形成す
る場合には、誘電体磁器素体の側面に銀ペーストが流れ
たりしやすい。このような場合、誘電体磁器素体の側面
の銀ペーストを除去する工程が必要となって、磁器コン
デンサのコストアンプにつながる。
これらの理由から、誘電体磁器素体の両主面の全面に電
極を形成せず、誘電体磁器素体の端部から間隔を隔てた
位置に電極が形成される。そのため、実際の磁器コンデ
ンサの絶縁破壊電圧は、第５図に示される最大の絶縁破
壊電圧よりも小さい値になっている。
極を形成せず、誘電体磁器素体の端部から間隔を隔てた
位置に電極が形成される。そのため、実際の磁器コンデ
ンサの絶縁破壊電圧は、第５図に示される最大の絶縁破
壊電圧よりも小さい値になっている。
それゆえに、この発明の主たる目的は、従来の磁器コン
デンサと比べて絶縁破壊電圧の大きい磁器コンデンサを
提供することである。
デンサと比べて絶縁破壊電圧の大きい磁器コンデンサを
提供することである。
（問題点を解決するための手段）
この発明は、誘電体磁器素体と、誘電体磁器素体の主面
に形成される電極とを含む磁器コンデンサにおいて、誘
電体磁器素体の電極形成面下に還元層が形成されている
ことを特徴とする、磁器コンデンサである。
に形成される電極とを含む磁器コンデンサにおいて、誘
電体磁器素体の電極形成面下に還元層が形成されている
ことを特徴とする、磁器コンデンサである。
（作用）
誘電体磁器素体に形成された還元層は、誘電体磁器素体
の還元されていない部分よりも小さい絶縁抵抗値を有す
る。そのため、この磁器コンデンサに電圧を印加したと
き、電極端部において電位傾度があまり大きくならない
。
の還元されていない部分よりも小さい絶縁抵抗値を有す
る。そのため、この磁器コンデンサに電圧を印加したと
き、電極端部において電位傾度があまり大きくならない
。
（発明の効果）
この発明によれば、誘電体磁器素体の２つの電極の端部
間で絶縁破壊がおこりに＜＜、従来の磁器コンデンサに
比べて、絶縁破壊電圧の大きい磁器コンデンサを得るこ
とができる。
間で絶縁破壊がおこりに＜＜、従来の磁器コンデンサに
比べて、絶縁破壊電圧の大きい磁器コンデンサを得るこ
とができる。
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
（実施例）
第１図はこの発明の一実施例を示す斜視図であり、第２
図は第１図実施例の線ｎ−ｎにおける断面図である。こ
の磁器コンデンサ１０は誘電体磁器素体１２を含む、こ
の誘電体磁器素体１２の材料としては、たとえばＢａＴ
ｉＯ３系およびＳｒＴ ｉ ０３系などの材料が用いら
れる。この誘電体磁器素体１２の両主面には、電極１４
が形成される。これらの電極１４は、誘電体！ｆｉ器素
体１２の両主面の全面に形成されてもよく、誘電体磁器
素体１２の端部から間隔を隔てて形成されてもよい。
図は第１図実施例の線ｎ−ｎにおける断面図である。こ
の磁器コンデンサ１０は誘電体磁器素体１２を含む、こ
の誘電体磁器素体１２の材料としては、たとえばＢａＴ
ｉＯ３系およびＳｒＴ ｉ ０３系などの材料が用いら
れる。この誘電体磁器素体１２の両主面には、電極１４
が形成される。これらの電極１４は、誘電体！ｆｉ器素
体１２の両主面の全面に形成されてもよく、誘電体磁器
素体１２の端部から間隔を隔てて形成されてもよい。
誘電体磁器素体１２の電極１４形成面下には還元層１６
が形成される。この還元層１６は、誘電体磁器素体１２
よりも小さな絶縁抵抗値を有する。
が形成される。この還元層１６は、誘電体磁器素体１２
よりも小さな絶縁抵抗値を有する。
このような磁器コンデンサ１０を製造するには、まず誘
電体磁器素体１２が準備される。この誘電体磁器素体１
２は、たとえば３ａＴｉＯｓ系や５ｒＴｉｏ、系などの
磁器材料を円板状に成形した後焼成することによって形
成される。この誘電体磁器素体１２の両主面に電極ペー
ストがたとえばスクリーン印刷などによって塗布される
。この電極ペーストは、酸化反応の強い金属粉末とガラ
スフリフトとで形成される。酸化反応の強い金属粉末と
しては、たとえばアルミニウム粉末などが用いられる。
電体磁器素体１２が準備される。この誘電体磁器素体１
２は、たとえば３ａＴｉＯｓ系や５ｒＴｉｏ、系などの
磁器材料を円板状に成形した後焼成することによって形
成される。この誘電体磁器素体１２の両主面に電極ペー
ストがたとえばスクリーン印刷などによって塗布される
。この電極ペーストは、酸化反応の強い金属粉末とガラ
スフリフトとで形成される。酸化反応の強い金属粉末と
しては、たとえばアルミニウム粉末などが用いられる。
そして、電極ペーストを塗布した誘電体磁器素体１２を
約１５０℃の雰囲気中で約１５分間乾燥させる。その後
、たとえば最高温度８３０〜８６０℃で約２時間焼き付
けて、誘電体磁器素体１２上に電極１４を形成する。こ
のとき、電極ペーストにガラスフリフトが含まれている
ため、電極ペースト中の金属粉末と空気中の酸素とが遮
断されてしまう、そのため、電極ペースト中の金属粉末
は、誘電体磁器素体１２中の酸素と反応して酸化する。
約１５０℃の雰囲気中で約１５分間乾燥させる。その後
、たとえば最高温度８３０〜８６０℃で約２時間焼き付
けて、誘電体磁器素体１２上に電極１４を形成する。こ
のとき、電極ペーストにガラスフリフトが含まれている
ため、電極ペースト中の金属粉末と空気中の酸素とが遮
断されてしまう、そのため、電極ペースト中の金属粉末
は、誘電体磁器素体１２中の酸素と反応して酸化する。
そのため、誘電体磁器素体１２の電極１４形成面下には
、還元層１６が形成される。この還元層１６は、誘電体
磁器素体１２に比べて小さい絶縁抵抗値を有する。たと
えば、電極ペースト中の金属粉末としてアルミニウム粉
末を使用し、ガラスフリットの量を３２１１％以上とし
た場合、誘電体磁器素体１２の絶縁抵抗値は１０′！〜
１０１４Ωであったのに比べて、還元層１６の絶縁抵抗
値は１０１１Ω以下であった。
、還元層１６が形成される。この還元層１６は、誘電体
磁器素体１２に比べて小さい絶縁抵抗値を有する。たと
えば、電極ペースト中の金属粉末としてアルミニウム粉
末を使用し、ガラスフリットの量を３２１１％以上とし
た場合、誘電体磁器素体１２の絶縁抵抗値は１０′！〜
１０１４Ωであったのに比べて、還元層１６の絶縁抵抗
値は１０１１Ω以下であった。
このような磁器コンデンサ１０では、還元層１６が形成
されていることによって、電極１４端部における電位傾
度があまり大きくならず、それによって絶縁破壊電圧を
大きくすることができる。
されていることによって、電極１４端部における電位傾
度があまり大きくならず、それによって絶縁破壊電圧を
大きくすることができる。
このような磁器コンデンサ１０において、電極ペースト
に含有される金属粉末としてアルミニウム粉末を使用し
、ガラスフリントの量を変えて絶縁破壊電圧を測定した
。そして、従来の銀電極を用いた磁器コンデンサの絶縁
破壊電圧に対するこれらの磁器コンデンサ１０の絶縁破
壊電圧の比を次表に示した。なお、絶縁破壊電圧として
は、直流絶縁破壊電圧と交流絶縁破壊電圧とを測定した
。
に含有される金属粉末としてアルミニウム粉末を使用し
、ガラスフリントの量を変えて絶縁破壊電圧を測定した
。そして、従来の銀電極を用いた磁器コンデンサの絶縁
破壊電圧に対するこれらの磁器コンデンサ１０の絶縁破
壊電圧の比を次表に示した。なお、絶縁破壊電圧として
は、直流絶縁破壊電圧と交流絶縁破壊電圧とを測定した
。
（以下余白）
表
この表かられかるように、電極１４の材料として、金属
粉末とガラスフリフトとを含む電極ペーストを用いるこ
とによって、磁器コンデンサ１０の絶縁破壊電圧を大き
くすることができる。特に、電極ペースト中のガラスフ
リットの量を３重量％以上としたとき、磁器コンデンサ
１ｏの絶縁破壊電圧は顕著に向上し、電極ペースト中の
ガラスフリットの量を２０重量％とじたとき、直流絶縁
破壊電圧は従来の磁器コンデンサの１．６倍になり、交
流絶縁破壊電圧は従来の磁器コンデンサの１゜８倍にな
っている。
粉末とガラスフリフトとを含む電極ペーストを用いるこ
とによって、磁器コンデンサ１０の絶縁破壊電圧を大き
くすることができる。特に、電極ペースト中のガラスフ
リットの量を３重量％以上としたとき、磁器コンデンサ
１ｏの絶縁破壊電圧は顕著に向上し、電極ペースト中の
ガラスフリットの量を２０重量％とじたとき、直流絶縁
破壊電圧は従来の磁器コンデンサの１．６倍になり、交
流絶縁破壊電圧は従来の磁器コンデンサの１゜８倍にな
っている。
このように、誘電体磁器素体１２の電極１４形成面下に
還元層１Ｇを形成することによって、磁器コンデンサ１
０の絶縁破壊電圧を大きくすることができる。
還元層１Ｇを形成することによって、磁器コンデンサ１
０の絶縁破壊電圧を大きくすることができる。
なお、電極形成面下の素体を還元させる方法は上記実施
例のものに限らない。
例のものに限らない。
第１図はこの発明の一実施例を示す斜視図である。
第２図は第１図実施例の線ｕ−ｎにおける断面図である
。 第３図はこの発明の背景となる従来の磁器コンデンサの
一例を示す斜視図である。 第４Ａ図および第４Ｂ図は磁器コンデンサの電極端部に
おける等電位面の様子を示す図解図である。 第５図は誘電体磁器素体の端部から電極の端部までの距
離と磁器コンデンサの絶縁破壊電圧との関係を示すグラ
フである。 図において、１０は磁器コンデンサ、１２は誘電体磁器
素体、１４は電極、１６は還元層を示す。 特許出願人 株式会社 村田製作所 代理人 弁理士 岡 １） 全 啓 第１図 Ｗ Ｖ ２″′ つ ） 汽 第 ３ 図 第４Ａ図 ９Ｌ待 第４Ｂ図 第 ５ 図 絶ｌ
。 第３図はこの発明の背景となる従来の磁器コンデンサの
一例を示す斜視図である。 第４Ａ図および第４Ｂ図は磁器コンデンサの電極端部に
おける等電位面の様子を示す図解図である。 第５図は誘電体磁器素体の端部から電極の端部までの距
離と磁器コンデンサの絶縁破壊電圧との関係を示すグラ
フである。 図において、１０は磁器コンデンサ、１２は誘電体磁器
素体、１４は電極、１６は還元層を示す。 特許出願人 株式会社 村田製作所 代理人 弁理士 岡 １） 全 啓 第１図 Ｗ Ｖ ２″′ つ ） 汽 第 ３ 図 第４Ａ図 ９Ｌ待 第４Ｂ図 第 ５ 図 絶ｌ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 誘電体磁器素体と、前記誘電体磁器素体の主面に形成さ
れる電極とを含む磁器コンデンサにおいて、 前記誘電体磁器素体の前記電極形成面下に還元層が形成
されていることを特徴とする、磁器コンデンサ。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63047765A JPH01220814A (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | 磁器コンデンサ |
| DE3905444A DE3905444C2 (de) | 1988-02-29 | 1989-02-22 | Keramischer Kondensator und Verfahren zu dessen Herstellung |
| US07/316,653 US4942496A (en) | 1988-02-29 | 1989-02-28 | Ceramic capacitor and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63047765A JPH01220814A (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | 磁器コンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01220814A true JPH01220814A (ja) | 1989-09-04 |
| JPH0524650B2 JPH0524650B2 (ja) | 1993-04-08 |
Family
ID=12784463
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63047765A Granted JPH01220814A (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | 磁器コンデンサ |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4942496A (ja) |
| JP (1) | JPH01220814A (ja) |
| DE (1) | DE3905444C2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5091820A (en) * | 1987-03-18 | 1992-02-25 | Tdk Corporation | Ceramic piezoelectric element with electrodes formed by reduction |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2504223B2 (ja) * | 1989-10-11 | 1996-06-05 | 株式会社村田製作所 | 積層コンデンサの製造方法 |
| JPH09246088A (ja) * | 1996-03-13 | 1997-09-19 | Murata Mfg Co Ltd | セラミック電子部品 |
| KR101018935B1 (ko) * | 2009-03-19 | 2011-03-02 | 오영주 | 어레이 구조를 갖는 표면실장형 고압 세라믹 커패시터 |
| DE102014106919B4 (de) * | 2014-05-16 | 2016-05-04 | Schott Ag | Verfahren zur Konstruktion und Herstellung von Glaskeramik Kondensatoren für Hochspannungsanwendungen und nach dem Verfahren bemessener und hergestellter Glaskeramik-Kondensator |
Citations (1)
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| DE1188727B (de) * | 1962-04-10 | 1965-03-11 | Siemens Ag | Keramischer Sperrschichtkondensator und Verfahren zu seiner Herstellung |
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| US3946290A (en) * | 1973-10-09 | 1976-03-23 | Tdk Electronics Co. Ltd. | High tension ceramic condenser |
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-
1988
- 1988-02-29 JP JP63047765A patent/JPH01220814A/ja active Granted
-
1989
- 1989-02-22 DE DE3905444A patent/DE3905444C2/de not_active Expired - Lifetime
- 1989-02-28 US US07/316,653 patent/US4942496A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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|---|---|---|---|---|
| US5091820A (en) * | 1987-03-18 | 1992-02-25 | Tdk Corporation | Ceramic piezoelectric element with electrodes formed by reduction |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3905444A1 (de) | 1989-11-09 |
| US4942496A (en) | 1990-07-17 |
| JPH0524650B2 (ja) | 1993-04-08 |
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