JPH01232522A

JPH01232522A - 磁気ディスク

Info

Publication number: JPH01232522A
Application number: JP17914188A
Authority: JP
Inventors: Riyuuichi Kuguo; 竜一葛尾; Atsushi Kawamoto; 淳川本; Junya Tada; 多田　準也; Kenji Omori; 賢次大森; Hiroko Sekiya; 関矢　裕子
Original assignee: Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Current assignee: Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Priority date: 1987-08-06
Filing date: 1988-07-20
Publication date: 1989-09-18

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、磁気ディスク、更に詳しくは、磁気特性、特
に保磁力および／または耐食性を一段と向上させた磁気
ディスクに関するものである。

〔従来の技術〕

フロッピーディスク、ハードディスク等の磁気ディスク
には、ｒ−ＦｅｚＣｈやＦｅなどの磁性粉末と合成樹脂
バインダーとを混練して得られる混練物を非磁性基板上
に塗布したものが使用されている。

しかし、このような磁気ディスクの磁性層は、その中に
占める磁性粉末の割合が３０〜４０容量％と少ないため
、磁気記録媒体として飽和磁束密度が不十分で、高密度
記録の磁気ディスクという点では支障がある。

この種の塗布型の磁気記録媒体に対して非磁性基板上に
金属磁性薄膜を形成した高密度記録の可能な磁気記録媒
体が開発されている。

この金属薄膜タイプの磁気記録媒体を形成する方法とし
ては、（１）湿式法としての化学メツキ法、（２）乾式
法としてのスパッタリング法、イオンブレーティング法
、真空蒸着法などが採用されている。

（１）の化学メツキ法によるものは、例えば、Ｃｏ−Ｐ
、Ｃｏ−Ｎ１−Ｐなどの金属薄膜媒体が提案されている
が、膜の積層構造の複雑さ、ヘッドに対する耐クラツシ
ユ性およびエラー特性などの信頼性、膜形成の際の安定
性などに問題を抱えている。一方、（２）の乾式法は、
これらの問題を解消するものであり、これによるものと
して、例えば、Ｃｏ、　Ｃｏ−Ｎｉが検討されているが
、形成された薄膜がｈｃｐ構造をとる場合、磁化容易軸
であるｈｃｐ構造のＣ軸が膜面に対して垂直に配向する
傾向があり、面内磁気記録媒体として好適でない。そこ
で、Ｃ軸の配向性を弱めるため、Ｎ（特開昭５７−７２
３０７）、酸素（特開昭６Ｏ−１６３２２５）　、Ｃｒ
（昭和６０年応用物理学関係連合講演会予稿集２９頁Ｇ
−１〜４、石川、谷等）　、Ｗ　（ＲｏＤ、Ｆｉｓｈｅ
ｒ　ｅｔ　ａｌ：ＩＥＥＥ　　Ｔｒａｎｓ、　　Ｍａｇ
ｎ、、　　ＭＡＧ−１７，３１９０（１９８］、））　
　、Ｐｔ　　（Ｊ、八、　　Ａｂｏａｆ　　ｅｔ　　ａ
ｔ　　：　　ＩＥＥＥ　　Ｔｒａｎｓ、　　Ｍａｇｎ、
。

ＭＡＧ　−１９，１５１４（１９８３））などの他元素
を添加したもの、ＣｏＮｉ／ＣｒやＣｏＮｉＣｒ／Ｃｒ
の積層構造（昭和６０年応用物理学関係連合講演会ｔ！
７５集２９頁Ｇ１〜４、石川、谷等）などが提案されて
いる。

これらの磁気記録媒体は、飽和磁束密度、保磁力、角型
比といった磁気特性が極めて優れている。

〔発明が解決しようとする課題］しかしながら、これらの媒体の優れた保磁力を維持する
ために前記第１層としてのＣｒ層の層厚を増大させる必
要があり、従って、成膜に時間を要し生産性が低い上に
、その表面性が悪化しエラー特性等の悪化をひき起こし
て信頼性が低下し易い。

更に、これらの媒体は、耐食性に乏しく、エラー特性等
の悪化を招き易いという問題点も抱えている。

本発明の目的は、このような問題点を解消し、前記した
従来の乾式法によって形成されたものに対して、磁気特
性および／または耐食性を一段と向上させた磁気ディス
クを提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明は、前記目的を達成するものとして、非磁性基板
上に、第１層として、その組成が（１）　　実質的にＣ
ｒまたは（２）　　Ｃｕ、　Ｎｂ、　Ｔｉ、　Ｖ　、　
Ｚｒ、　Ｍｏ、　Ｚｎ、Ｗ　、　Ｔａのうちの１掻取上
１０重四％以下、残部実質的にＣｒからなるＣｒ層、第
２層として、その組成が（１）実質的にＣｏ、（２）Ｎ
ｉ　　３０重旧知以下、残部実質的にＣｏ、　（３）　
　Ｙ　、　Ｌａ、　Ｃｅ、　Ｐｒ、　Ｎｄ、　Ｓｍ、　
Ｇｄ、Ｔｂ、　Ｄｙのうちの１種板上１０重景％以下、
残部実質的にＣｏ、（４１Ｎｉ　　３０重量％以下、Ｙ
、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、　Ｎｄ、　Ｓｍ、　Ｇｄ、　Ｔｂ
、　Ｄｙのうちの１種以上１０重量％以下、残部実質的
にＣｏ、　（５）Ｃｕ、　Ｎｂ、　Ｔｉ、　Ｖ、Ｃｒ、
　Ｚｒ、　Ｍｏ、　Ｚｎ、　Ｗ　、　Ｔａのうちの１種
以上のＭ２１０重量％以下、残部実質的にＣｏ、（６）
　　Ｎｉ　　３０重遭％以下、Ｃｕ、　Ｎｂ、Ｔｉ、　
Ｖ　、　Ｃｒ、　Ｚｒ、　Ｍｏ、　Ｚｎ、Ｗ、Ｔａのう
ちの１種以上の門２１０重債％以下、残部実質的にＣｏ
、（７１Ｙ　、　Ｌａ、　Ｃｅ、　Ｐｒ、　Ｎｄ、　Ｓ
ｍ、　Ｇｄ、Ｔｂ、　ｏｙのうちの１種板上１０重■％
以下、Ｃｕ、　Ｎｂ、Ｔｉ、　Ｖ　、　Ｃｒ、　Ｚｒ、
　Ｍｏ、　Ｚｎ、　Ｗ　、　Ｔａのうちの１種以上ｌＯ
重量％以下、残部実質的にＣｏまたは（８１Ｎｉ３０重
量％以下、’ｌ　、　Ｌａ、　Ｃｅ、　Ｐｒ、　Ｎｄ、
　Ｓｍ、　Ｇｄ、Ｔｂ、　Ｄｙのうちの１種以上１０重
量％以下、Ｃｕ、　Ｎｂ、Ｔｉ、　Ｖ　、　Ｃｒ、　Ｚ
ｒ、　Ｍｏ、　Ｚｎ、　Ｗ　、　Ｔａのうちの１種以上
１０重量％以下、残部実質的にＣｏからなる磁気記録媒
体膜が形成されてなる磁気ディスクである。

但し、第１層が上記（１）、第２層が上記（１）および
（２）のもの、並びに第１層が上記（１）、第２層が上
記（５）および（６）のうち、Ｍ２カニ＜Ｃｒ、　Ｔａ
または−のものは公知であり、ＭＺがこれらのうちの１
種以上のみであるものは本発明から除かれる。

〔作　用〕

以下、本発明を更に詳細に説明する。

本発明の磁気ディスクは、非磁性基板上に、第１層とし
てＣｒ層、第２層としてＮｉ−Ｃｏ系もしくはＣｏ系磁
気記録媒体膜が形成されてなるものである。

まず、前記非磁性基板としては、Ａ１．Ｎ１−Ｐ下地が
施されたｉｌｌ、　　ＡｆｚＯ＋、耐熱性プラスチック
、ガラスなどが使用できる。

次に、この非磁性基板上に第１層として形成されるＣｒ
層はその組成が（１）　　実質的にＣｒまたは（２）Ｃ
ｕ、　Ｎｂ＋　Ｔｉ＋　Ｖ、　Ｚｒ、　Ｍｏ、　Ｚｎ、
　Ｗ、　Ｔａのうちの１種以上のＭ＋１０重量％以下、
残部実質的にＣｒからなる。Ｍ、の添加により、磁気特
性、特に保磁力が一段と向上した磁気ディスクが得られ
る。Ｍ。

が１０重世％を超えると、磁気ディスクの保磁力が低下
する。このような効果は、Ｃｒ層の格子定数がＭｌの添
加によって変化することによると推察される。

更に、前記Ｃｒ層上に第２層として形成される６ｎ気記
録媒体膜は、Ｏ〜３０重墳％のＮｉ並びにＹ。

Ｌａ、　Ｃｅ、　Ｉ’ｒ、　Ｎｄ、　Ｓｍ、　Ｇｄ、　
Ｔｂ＋　Ｄｙのうちの１種以上のＲ１０重里％以下およ
び／またはＣｕ、　Ｎｂ＋　Ｔｉ。

Ｖ＋　Ｃｒ、　Ｚｒ、　Ｍｏ、　Ｚｎ、　ｗ、　Ｔｄの
うちの１種以上のＭ２１Ｏ重量％以下、残部実質的にＣ
ｏからなるものである。Ｎｉが３０重量％を超えると、
この膜の残留磁化が大幅に低下し、電磁変換特性が劣化
する。

また、Ｒはこの膜の保磁力および耐食性を向上させるた
めに添加含有させる。Ｒが１０重四％を超えると、膜の
保磁力や飽和磁化が城少し、耐食性も低下する傾向が生
ずる。更に、Ｍ２は磁気記録媒体膜の保磁力を向上させ
るために添加含有させる。このような効果は、Ｍ２が結
晶粒界に偏析し、結晶粒を孤立化させることによると推
察される。

Ｍ２が２０重贋％を超えると、残留磁化が大幅に低下し
、電磁変換特性が劣化する。このようなＲとＭ２とが共
に添加されると、これらの効果が相乗され、磁気特性、
耐食性いずれにも極めて優れた磁気ディスクを得ること
ができる。この膜の膜厚は、０．０１〜０．１５μｍに
形成されるのが望ましい。膜厚が０．０１μｍ未満では
、十分な再生出力が得られず、また、０．１５μｍを超
えると、保磁力の減少が著しくなる。

本発明の磁気ディスクには、前記磁気記録媒体膜上に更
に、ヘッドに対する耐摩耗性を向上させるため、５ｉ０
２．カーボンなどの保護膜が形成されていることが望ま
しい。

本発明の第１層、第２層の膜は、スパッタリング法、真
空蒸着法、イオンブレーティング法などにより形成する
ことができる。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例を比較例、従来例と共に説明する
。

厚さ１．５龍の、Ｎ１−Ｐ下地が施されたＡβ基板上に
、マグネトロンスパッタ装置を用いて第１層として第１
表〜第２２表のような成分組成および層厚を有するＣｒ
層、第２層として上記表のような成分組成を有し、膜１
７５００人の磁気記録媒体膜を形成した。この際の成膜
条件はいずれの試験においても次の通りであった。

到達真空度　　　　　　２×１０−Ｓｍ８×１０−″’
Ｐａスパッタガス（八ｒ）圧　　　０．４〜１．２　Ｐ
ａスパッタ電力　　　　　　２００〜６００Ｗターゲツ
ト直径　　　　　１５Ｃ屯ターゲット−基板間路＃　１００〜１５０ｍｍ得られた
磁気ディスクは切断し、各々、組成分析と磁気特性およ
び耐食性の評価に供した。組成分析は、ＥＰＭＡ分析と
化学分析とを併用し、また磁気特性は、試料振動型磁力
計により測定した。耐食性の評価は、磁気ディスクの飽
和磁化と該ディスクを温度２５℃のＩＮ　　ＮａＣ７！
水溶液中に浸漬した後の飽和磁化との比を求めることに
より行なった。

得られた結果を第１表〜第２２表に示す。

〔発明の効果〕

以上から明らかなように、本発明は、従来のＣｏ−Ｎｉ
系磁気ディスクに比較して、磁気特性および／または耐
食性を大幅に向上させたものを提供することができる。

特許出願人　住友金属鉱山株式会社

Claims

【特許請求の範囲】

１、非磁性基板上に、第１層として、その組成が（１）
実質的にＣｒまたは（２）Ｃｕ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ
、Ｍｏ、Ｚｎ、Ｗ、Ｔａのうちの１種以上１０重量％以
下、残部実質的にＣｒからなるＣｒ層、第２層として、
その組成が（１）実質的にＣｏ、（２）Ｎｉ３０重量％
以下、残部実質的にＣｏ、（３）Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ
、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙのうちの１種以上１０
重量％以下、残部実質的にＣｏ、（４）Ｎｉ３０重量％
以下、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ
、Ｄｙのうちの１種以上１０重量％以下、残部実質的に
Ｃｏ、（５）Ｃｕ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｍｏ
、Ｚｎ、Ｗ、Ｔａのうちの１種以上のＭ＿Ｚ１０重量％
以下、残部実質的にＣｏ、（６）Ｎｉ３０重量％以下、
Ｃｕ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｚｎ、Ｗ、
Ｔａのうちの１種以上のＭ＿Ｚ１０重量％以下、残部実
質的にＣｏ、（７）Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ
、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙのうちの１種以上１０重量％以下、
Ｃｕ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｚｎ、Ｗ、
Ｔａのうちの１種以上１０重量％以下、残部実質的にＣ
ｏまたは（８）Ｎｉ３０重量％以下、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、
Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙのうちの１種以上
１０重量％以下、Ｃｕ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｚｒ、
Ｍｏ、Ｚｎ、Ｗ、Ｔａのうちの１種以上１０重量％以下
、残部実質的にＣｏからなる磁気記録媒体膜が形成され
てなる磁気ディスク（但し、第１層が上記（１）、第２
層が上記（１）および（２）のもの、並びに第１層が上
記（１）、第２層が上記（５）および（６）のうち、Ｍ
＿ＺがＣｒ、Ｔａ、Ｗのうちの１種以上のみであるもの
を除く。）。