JPH0334405A - 多層状強磁性体 - Google Patents
多層状強磁性体Info
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- JPH0334405A JPH0334405A JP16871989A JP16871989A JPH0334405A JP H0334405 A JPH0334405 A JP H0334405A JP 16871989 A JP16871989 A JP 16871989A JP 16871989 A JP16871989 A JP 16871989A JP H0334405 A JPH0334405 A JP H0334405A
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
- H01F10/324—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、鉄を主成分とした、高い飽和磁束密度、低保
磁力及び零付近の磁歪定数を有し、しかも耐食性が良好
であるなど、優れた特板金有し、高密度記録用磁気ヘッ
ド及び薄膜インダクタ等の材料として好適に利用しうる
新規な多層状強磁性体に関するものである。
磁力及び零付近の磁歪定数を有し、しかも耐食性が良好
であるなど、優れた特板金有し、高密度記録用磁気ヘッ
ド及び薄膜インダクタ等の材料として好適に利用しうる
新規な多層状強磁性体に関するものである。
従来の技術
近年、VTRなどの磁気記録再生装置においては、記録
信号の高密度化や高周波数化などが進められており、こ
れに伴い、磁気記録媒体として磁性粉に、鉄、コバルト
、ニッケルなどの強磁性金属の粉末を用いた、いわゆる
メタルテープや、強磁性金属材料を蒸着などの手段によ
りベースフィルム上に被着した、いわゆる蒸着テープな
どが実用化されつつある。
信号の高密度化や高周波数化などが進められており、こ
れに伴い、磁気記録媒体として磁性粉に、鉄、コバルト
、ニッケルなどの強磁性金属の粉末を用いた、いわゆる
メタルテープや、強磁性金属材料を蒸着などの手段によ
りベースフィルム上に被着した、いわゆる蒸着テープな
どが実用化されつつある。
このような磁気記録媒体は高い保磁力を有するので、記
録に用いる磁気ヘッドのヘッド材料としては、高飽和磁
束密度を有するものが要求される。特に薄膜磁気ヘッド
などでは、記録密度を向上させるために、ヘッドの磁極
先端の厚さを薄くする必要があり1これに伴って生じる
磁極先端の磁気飽和を防ぐために高飽和磁束密度を有す
る磁性材料が必要となる。筐た、垂直磁気記録方式にお
いても、例えば垂直磁気記録用単磁極型磁気ヘッドの主
磁極は0.2μm程度と極めて薄いため、記録・再生の
際に磁気的に飽和しやすく、それを避けるためには高飽
和磁束密度を有する磁気ヘッド材料が必要となる。
録に用いる磁気ヘッドのヘッド材料としては、高飽和磁
束密度を有するものが要求される。特に薄膜磁気ヘッド
などでは、記録密度を向上させるために、ヘッドの磁極
先端の厚さを薄くする必要があり1これに伴って生じる
磁極先端の磁気飽和を防ぐために高飽和磁束密度を有す
る磁性材料が必要となる。筐た、垂直磁気記録方式にお
いても、例えば垂直磁気記録用単磁極型磁気ヘッドの主
磁極は0.2μm程度と極めて薄いため、記録・再生の
際に磁気的に飽和しやすく、それを避けるためには高飽
和磁束密度を有する磁気ヘッド材料が必要となる。
一方、該磁気ヘッド材料は、ヘッドの再生効率の面から
、高透磁率を有することが必要であり、そのため磁歪定
数がゼロに近いことが望ましい。
、高透磁率を有することが必要であり、そのため磁歪定
数がゼロに近いことが望ましい。
このような高飽和磁束密度、高透磁率及び低磁歪定数を
有し、軟磁気特性をもつ磁性材料としては、これ1での
種々のものが開発されて釦り、例えば鉄−ニッケル系合
金(パーマロイ)、鉄−アルミニウム−ケイ素系合金(
センダスト)、鉄−ケイ素−ガリウム−ルテニウム系合
金、コバルト−ジルコニウム−二オプ系合金のようなコ
バルト系アモルファス合金、鉄−ケイ素系合金(特開昭
57−172703号公報)、鉄−クロム系合金(特開
昭63−60256号公報)などが知られている。
有し、軟磁気特性をもつ磁性材料としては、これ1での
種々のものが開発されて釦り、例えば鉄−ニッケル系合
金(パーマロイ)、鉄−アルミニウム−ケイ素系合金(
センダスト)、鉄−ケイ素−ガリウム−ルテニウム系合
金、コバルト−ジルコニウム−二オプ系合金のようなコ
バルト系アモルファス合金、鉄−ケイ素系合金(特開昭
57−172703号公報)、鉄−クロム系合金(特開
昭63−60256号公報)などが知られている。
しかしながら、これらの中の鉄系磁性材料は、飽和磁束
密度(Bms)が8〜12kGの範囲内で、初透磁率〔
μm a。(5MHz ) )が最大のもので2000
程度である。高透磁率を得るには、磁歪定数(λS)及
び結晶磁気異方性定数(K)が共に零付近にあることが
必要であり、そのためには多量の非磁性元素の添加を必
要とするために、飽和磁束密度は高々12kG程度のも
のしか得られていないのが実状である。
密度(Bms)が8〜12kGの範囲内で、初透磁率〔
μm a。(5MHz ) )が最大のもので2000
程度である。高透磁率を得るには、磁歪定数(λS)及
び結晶磁気異方性定数(K)が共に零付近にあることが
必要であり、そのためには多量の非磁性元素の添加を必
要とするために、飽和磁束密度は高々12kG程度のも
のしか得られていないのが実状である。
他方、飽和磁束密度が約20kG以上の太きいものとし
て、窒化鉄系のものが種々知られているが、これらは再
現性の面で必ずしも満足しうるものとはいえなかったり
、また保磁力を低く抑えることが困難であるなどの問題
があった。
て、窒化鉄系のものが種々知られているが、これらは再
現性の面で必ずしも満足しうるものとはいえなかったり
、また保磁力を低く抑えることが困難であるなどの問題
があった。
また、これらの鉄系磁性材料は結晶磁気異方性定数が大
きいことから、単層膜として使用する場合、結晶粒の体
積が大きく、それによる結晶磁気異方性の影響を太きく
受けて軟磁気特性が著しく低下するという欠点がある。
きいことから、単層膜として使用する場合、結晶粒の体
積が大きく、それによる結晶磁気異方性の影響を太きく
受けて軟磁気特性が著しく低下するという欠点がある。
そして、このような欠点を改良するためには、該結晶粒
を微細化して、結晶磁気異方性の影響を低く抑えること
が望ましいので、多層化することによって、強磁性材料
層1層の厚さを薄くして結晶粒を微細化し、軟磁気特性
を向上させることが試みられている。
を微細化して、結晶磁気異方性の影響を低く抑えること
が望ましいので、多層化することによって、強磁性材料
層1層の厚さを薄くして結晶粒を微細化し、軟磁気特性
を向上させることが試みられている。
強磁性材料層にα−Feを用いた多層状磁性体としては
、例えば鉄系強磁性材料層と二酸化ケイ素から成る中間
層とを交互に積層したもの(特開昭63−58806号
公報)、鉄−クロム系合金から成る強磁性材料層と二酸
化ケイ素やパマロイから成る中間層を交互に積層したも
の(特開昭63−60256号公報)など、中間層に非
磁性材料の二酸化ケイ素を用いたものがこれ1で知られ
ている。
、例えば鉄系強磁性材料層と二酸化ケイ素から成る中間
層とを交互に積層したもの(特開昭63−58806号
公報)、鉄−クロム系合金から成る強磁性材料層と二酸
化ケイ素やパマロイから成る中間層を交互に積層したも
の(特開昭63−60256号公報)など、中間層に非
磁性材料の二酸化ケイ素を用いたものがこれ1で知られ
ている。
しかしながら、このような中間層に二酸化ケイ素を用い
た多層状磁性体は軟磁気特性を向上させるのにある程度
優れた効果を有するものの、軟磁気特性の耐熱安定性に
ついては必ずしも十分ではない。これは、200〜60
0℃程度の温度に釦いて、該二酸化ケイ素が強磁性材料
層中の鉄と拡散結合を起こしたり、あるいは強磁性材料
層の結晶粒を拡大させたりすることにより特性が低下す
るためである。他方、鉄を主成分とし、ケイ素やルテニ
ウムを含有する強磁性材料としては、鉄−ケイ素系合金
(特公昭61−8566号公報)、鉄−ケイ素−ルテニ
ウム系合金(ヨーoツバ特許第144.150号明細書
)、鉄−ルテニウム系合金(特開昭62−1398号公
報)などが知られている。
た多層状磁性体は軟磁気特性を向上させるのにある程度
優れた効果を有するものの、軟磁気特性の耐熱安定性に
ついては必ずしも十分ではない。これは、200〜60
0℃程度の温度に釦いて、該二酸化ケイ素が強磁性材料
層中の鉄と拡散結合を起こしたり、あるいは強磁性材料
層の結晶粒を拡大させたりすることにより特性が低下す
るためである。他方、鉄を主成分とし、ケイ素やルテニ
ウムを含有する強磁性材料としては、鉄−ケイ素系合金
(特公昭61−8566号公報)、鉄−ケイ素−ルテニ
ウム系合金(ヨーoツバ特許第144.150号明細書
)、鉄−ルテニウム系合金(特開昭62−1398号公
報)などが知られている。
これらのうちで、鉄−ケイ素系合金は飽和磁束密度(B
ms)や透磁率(μiac ) が太きいという特性
を有しているが耐食性を欠く。
ms)や透磁率(μiac ) が太きいという特性
を有しているが耐食性を欠く。
また、この中でケイ素含有量6.5重i %のものは磁
歪定数(λS)が零付近にあり、磁気ヘッド用として応
用することが試みられているが、耐食性の点で問題があ
るため、1だ実用化に至っていない。
歪定数(λS)が零付近にあり、磁気ヘッド用として応
用することが試みられているが、耐食性の点で問題があ
るため、1だ実用化に至っていない。
次に、鉄−ケイ素−ルテニウム系合金は、高密度磁気記
録の磁気ヘッド用薄膜材料として用いられているが、ケ
イ素含有量の少ない領域では磁歪定数が太きく、ヘッド
として使用できないし、ケイ素含有量の多い領域では磁
歪定数は零付近になるものの飽和磁束密度が15kG以
下に低下するため、利用範囲が制限されるのを免れない
。
録の磁気ヘッド用薄膜材料として用いられているが、ケ
イ素含有量の少ない領域では磁歪定数が太きく、ヘッド
として使用できないし、ケイ素含有量の多い領域では磁
歪定数は零付近になるものの飽和磁束密度が15kG以
下に低下するため、利用範囲が制限されるのを免れない
。
他方、鉄−ルテニウム系合金は、飽和磁束密度が高く、
磁歪定数が零に近いという特性を有するが、透磁率が小
さく、これを多層化した場合でもせいぜい1800程度
である上に、熱加工によ、91000以下に低下するの
で実用上問題がある。
磁歪定数が零に近いという特性を有するが、透磁率が小
さく、これを多層化した場合でもせいぜい1800程度
である上に、熱加工によ、91000以下に低下するの
で実用上問題がある。
発明が解決しようとする課題
本発明は、このような事情のもとで、高飽和磁束密度、
低保磁力及び零付近の磁歪定数を有し、しかも耐食性が
良好な多層状強磁性体を提供することを目的としてなさ
れたものである。
低保磁力及び零付近の磁歪定数を有し、しかも耐食性が
良好な多層状強磁性体を提供することを目的としてなさ
れたものである。
課題を解決するための手段
本発明者らは、前記の優れた性質を有する多層状強磁性
体を開発するために鋭意研究を重ねた結果、所定組成の
鉄−タンタル系の鉄合金から戒る強磁性材料と非磁性材
料とを多層に積層したものが、その目的に適合しうろこ
とを見出し、この知見に基づいて本発明をなすに至った
。
体を開発するために鋭意研究を重ねた結果、所定組成の
鉄−タンタル系の鉄合金から戒る強磁性材料と非磁性材
料とを多層に積層したものが、その目的に適合しうろこ
とを見出し、この知見に基づいて本発明をなすに至った
。
すなわち、本発明は、一般式
%式%
(式中、Xは0.3≦X≦7.0の範囲内にある)で表
わされる鉄合金から成る強磁性材料層と、非磁性材料層
とを交互に積層したことを特徴とする多層状強磁性体を
提供するものである。
わされる鉄合金から成る強磁性材料層と、非磁性材料層
とを交互に積層したことを特徴とする多層状強磁性体を
提供するものである。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明の積層材料の主要構成素材として用いる強磁性材
料は、主成分としての鉄に、タンタルを原子比基準で(
L3〜7.Oat%含有することが必要である。メンタ
ル含有量がこれよシも少なすぎると、保磁力が高くなり
軟磁気特性の向上等の所期の効果が発揮されないし、筐
た、これようも多すぎても同様である。
料は、主成分としての鉄に、タンタルを原子比基準で(
L3〜7.Oat%含有することが必要である。メンタ
ル含有量がこれよシも少なすぎると、保磁力が高くなり
軟磁気特性の向上等の所期の効果が発揮されないし、筐
た、これようも多すぎても同様である。
これらの強磁性材料層は所要の保磁力を維持しながら、
磁歪定数を零付近へ低下させるとともに、耐食性を向上
させるのに寄与する。
磁歪定数を零付近へ低下させるとともに、耐食性を向上
させるのに寄与する。
本発明の多層状強磁性体の他の構成素材として用いる非
磁性材料は、通常用いられている市販のものであればい
かなるものでもよく、例えば窒化ケイ素、窒化ホウ素、
窒化アルミニウムのような窒化物、S i 02 、A
t1103のような酸化物などの非磁性材があり、好ま
しくは窒化ケイ素、特に一般式 SixNy (非平衡相も含む) で表わされるケイ素の窒化物を含有する系のものが用い
られる。このケイ素の窒化物のX及びyは、[14≦x
/、≦1.1 を満たす関係にあるものが好ましい。
磁性材料は、通常用いられている市販のものであればい
かなるものでもよく、例えば窒化ケイ素、窒化ホウ素、
窒化アルミニウムのような窒化物、S i 02 、A
t1103のような酸化物などの非磁性材があり、好ま
しくは窒化ケイ素、特に一般式 SixNy (非平衡相も含む) で表わされるケイ素の窒化物を含有する系のものが用い
られる。このケイ素の窒化物のX及びyは、[14≦x
/、≦1.1 を満たす関係にあるものが好ましい。
x/y値が前記範囲を逸脱すると軟磁気特性を向上させ
る効果が十分に発揮されない傾向が生じる。このような
ケイ素の窒化物は、300〜600℃程度の温度におい
ても安定で、酸化ケイ素のように磁気層中の鉄と拡散結
合することがなく、特性の低下が抑制される。これらの
中で特に窒化ケイ素−ニオブ−窒化ニオブ複合材が好ま
しい。非磁性材料層は強磁性材料層1層の厚さを薄くし
て、結晶粒を細かくするのに役立っていると推測される
。
る効果が十分に発揮されない傾向が生じる。このような
ケイ素の窒化物は、300〜600℃程度の温度におい
ても安定で、酸化ケイ素のように磁気層中の鉄と拡散結
合することがなく、特性の低下が抑制される。これらの
中で特に窒化ケイ素−ニオブ−窒化ニオブ複合材が好ま
しい。非磁性材料層は強磁性材料層1層の厚さを薄くし
て、結晶粒を細かくするのに役立っていると推測される
。
本発明の多層状強磁性体を形成させる方法については、
このような強磁性材料の層と非磁性材料の層とが交互に
積層されるようなものであれば特に制限はなく、通常薄
膜の形成に用いられる方法、例えば真空蒸着法、スパッ
タリング法、イオンブレーティング法、CVD法などの
中から任意の方法を選択して用いることができる。例え
ば、適当な基板に、鉄ターゲツト上にメンタル片を載置
した複合ターゲットと、上記非磁性材料のターゲットと
を用いて、交互にスパッタリングを行う方法などが用い
られる。
このような強磁性材料の層と非磁性材料の層とが交互に
積層されるようなものであれば特に制限はなく、通常薄
膜の形成に用いられる方法、例えば真空蒸着法、スパッ
タリング法、イオンブレーティング法、CVD法などの
中から任意の方法を選択して用いることができる。例え
ば、適当な基板に、鉄ターゲツト上にメンタル片を載置
した複合ターゲットと、上記非磁性材料のターゲットと
を用いて、交互にスパッタリングを行う方法などが用い
られる。
この際に用いられる基板については特に制限はなく、従
来磁気ヘッド用などの磁性薄膜に慣用されているもの、
例えばガラスやプラスチック上に紫外線などで硬化する
ポリマー層を設けたもの、アクリル系樹脂、スチレン系
樹脂、ポリカーボネート樹脂、酢酸ビニル樹脂、塩化ビ
ニル樹脂、ポリオレフィン系樹脂などの透明材料から成
る基板、あるいはアルミニウムやMn −Zn系フェラ
イトのようなフェライトなどの不透明材料から成る基板
などを用いることができる。
来磁気ヘッド用などの磁性薄膜に慣用されているもの、
例えばガラスやプラスチック上に紫外線などで硬化する
ポリマー層を設けたもの、アクリル系樹脂、スチレン系
樹脂、ポリカーボネート樹脂、酢酸ビニル樹脂、塩化ビ
ニル樹脂、ポリオレフィン系樹脂などの透明材料から成
る基板、あるいはアルミニウムやMn −Zn系フェラ
イトのようなフェライトなどの不透明材料から成る基板
などを用いることができる。
前記多層状強磁性体の形成における積層時には、単層の
厚さを薄くして積層数を増やす方が好ましいが、経済性
や作業性などの点から、通常磁性材料層の厚さは200
〜1000λの範囲で、非磁性材料層の厚さ10〜10
0犬の範囲で選ばれ、また、積層数は4〜140層の範
囲に、全体の厚さは114〜50μmの範囲にあること
が好ぢしい。
厚さを薄くして積層数を増やす方が好ましいが、経済性
や作業性などの点から、通常磁性材料層の厚さは200
〜1000λの範囲で、非磁性材料層の厚さ10〜10
0犬の範囲で選ばれ、また、積層数は4〜140層の範
囲に、全体の厚さは114〜50μmの範囲にあること
が好ぢしい。
捷た、磁性材料層や非磁性材料層の各組成成分の割合は
、例えば蒸着原料の組成、蒸着真空度、蒸着速度などを
選択することによシ制御することができる。
、例えば蒸着原料の組成、蒸着真空度、蒸着速度などを
選択することによシ制御することができる。
発明の効果
本発明の多層状強磁性体は、高飽和磁束密度、低保磁力
、零付近の磁歪定数を有し、しかも耐食性に優れるとい
う顕著な効果を奏し、磁気ディスク装置、VTRなどの
磁気ヘッド用材料あるいは変圧器特に薄膜トランス、薄
膜インダクタ用の材料として好適に利用しうる。
、零付近の磁歪定数を有し、しかも耐食性に優れるとい
う顕著な効果を奏し、磁気ディスク装置、VTRなどの
磁気ヘッド用材料あるいは変圧器特に薄膜トランス、薄
膜インダクタ用の材料として好適に利用しうる。
実施例
次に実施例によって本発明をさらに詳細に説明する。
なお、得られた多層状強磁性体の組成、保磁力、磁歪定
数、飽和磁束密度及び耐食性は次のようにして求めた。
数、飽和磁束密度及び耐食性は次のようにして求めた。
(1)組成
E& A (Electron Probe Micr
oanalysis )を用いて求めた。
oanalysis )を用いて求めた。
(2)保磁力Hc(Oe)
薄膜ヒストロスコープを用いて測定した。
(3)磁歪定数(λS)
薄膜試料を膜面内に回転する磁場中に配置して試料のそ
りを同期整流方式によってレーザを用いて検出、測定し
た。また、磁歪定数測定用の試料には板厚約0.1閣の
ホウケイ酸ガラス(商品名:松浪カバーガラス)を用い
た。
りを同期整流方式によってレーザを用いて検出、測定し
た。また、磁歪定数測定用の試料には板厚約0.1閣の
ホウケイ酸ガラス(商品名:松浪カバーガラス)を用い
た。
(4)飽和磁束密度(Bms )
試料振動型磁力計(VSM)により測定した。
(5)耐食性
耐食性の評価法として、電気化学的測定法を用いた。
測定要領として、0.01規定NaC2を含むp)l&
45のホウ酸緩衝溶液(0,15規定H3BO3+0.
0375規定Na2B4O7)中におけるアノード分極
曲線を測定し、食孔電位を求めた。
45のホウ酸緩衝溶液(0,15規定H3BO3+0.
0375規定Na2B4O7)中におけるアノード分極
曲線を測定し、食孔電位を求めた。
尚、照合電極には銀−塩化銀電極を用いた。
基板に板厚1.0gのバリウムホウケイ酸ガラス(商品
名コーニング社製7059)−i用いるとともに、鉄タ
ーゲツト上にタンタルの小片を種々の面積比で載置した
複合ターゲットと窒化ケイ素(Si、N4)ターゲット
上にニオブの小片を載置した複合ターゲットを用い、R
Fマグネトロンスパッタ装置にて50002(エルステ
ソド)の磁場中で交互にスパッタリングを行い、基板上
に厚さ500久の鉄−タンタル磁性合金から成る強磁性
材料層と厚さ40Aの窒化ケイ素−ニオブー窒化ニオブ
から成る非磁性材料層交互に15層積層された総膜庫0
.8μmの多層状強磁性体を形成した。
名コーニング社製7059)−i用いるとともに、鉄タ
ーゲツト上にタンタルの小片を種々の面積比で載置した
複合ターゲットと窒化ケイ素(Si、N4)ターゲット
上にニオブの小片を載置した複合ターゲットを用い、R
Fマグネトロンスパッタ装置にて50002(エルステ
ソド)の磁場中で交互にスパッタリングを行い、基板上
に厚さ500久の鉄−タンタル磁性合金から成る強磁性
材料層と厚さ40Aの窒化ケイ素−ニオブー窒化ニオブ
から成る非磁性材料層交互に15層積層された総膜庫0
.8μmの多層状強磁性体を形成した。
スパッタリングの条件は、鉄−メンタル合金層の形成に
は、Arガス雰囲気下で、Ar圧6mTorr投入パワ
ーA 2 w/cdl 、基板温度300℃とし、窒化
ケイ素−ニオブ−窒化ニオブ層の形成には、Arと窒素
との混合ガス雰囲気下で、ガス圧15mTorr 、投
入パワー1.9 w/c++t、基板温度500℃とし
た。
は、Arガス雰囲気下で、Ar圧6mTorr投入パワ
ーA 2 w/cdl 、基板温度300℃とし、窒化
ケイ素−ニオブ−窒化ニオブ層の形成には、Arと窒素
との混合ガス雰囲気下で、ガス圧15mTorr 、投
入パワー1.9 w/c++t、基板温度500℃とし
た。
このようにして得られた多層状強磁性体における鉄−タ
ンタル層の組成を求めるために、前記基板上に基板温度
を200℃とした以外は前記と同じ条件で厚さ約1μm
の鉄−クンタル膜を形成し、この膜の組成を求めた。
ンタル層の組成を求めるために、前記基板上に基板温度
を200℃とした以外は前記と同じ条件で厚さ約1μm
の鉄−クンタル膜を形成し、この膜の組成を求めた。
第1図はこの多層状強磁性体の保磁力とタンタル含有量
との関係を示すグラフである。これから、Zoat%以
下のメンタル量を含有させると、5.00e以下の保磁
力が得られることが分った。
との関係を示すグラフである。これから、Zoat%以
下のメンタル量を含有させると、5.00e以下の保磁
力が得られることが分った。
第2図はこの多層状強磁性体の飽和磁束密度とタンタル
含有量との関係を示すグラフである。
含有量との関係を示すグラフである。
これから、タンタル含有量7 at%以下にかいて15
kG以上の飽和磁束密度を示すことが分った。
kG以上の飽和磁束密度を示すことが分った。
第3図はこの多層状強磁性体の磁歪とタンタル含有量と
の関係を示すグラフである。磁気ヘッド等へ応用する場
合、磁歪定数が零付近にある必要があることから、α3
at%≦X≦a5at%の範囲内であれば磁歪定数5X
106以下となり好ましい。
の関係を示すグラフである。磁気ヘッド等へ応用する場
合、磁歪定数が零付近にある必要があることから、α3
at%≦X≦a5at%の範囲内であれば磁歪定数5X
106以下となり好ましい。
第4図はこの多層状強磁性体及び強磁性体の食孔電位と
タンタル含有量との関係を示すグラフである。強磁性体
を多層化させる事によって食孔電位が高くなることがわ
かる。さらにTa含有量が多くなると食孔電位も高くな
ることがわかる。これらよシ、この多層状強磁性体は良
好な耐食性をもつことが明らかである。
タンタル含有量との関係を示すグラフである。強磁性体
を多層化させる事によって食孔電位が高くなることがわ
かる。さらにTa含有量が多くなると食孔電位も高くな
ることがわかる。これらよシ、この多層状強磁性体は良
好な耐食性をもつことが明らかである。
第1図は本発明の多層状強磁性体の1例の保磁力とタン
タル含有量との関係を示すグラフ、第2図は本発明の多
層状強磁性体の1例の飽和磁束密度とタンタル含有量と
の関係を示すグラフ、第3図は本発明の多層状強磁性体
の1例の磁歪とタンタル含有量との関係を示すグラフ、
第4図は本発明の多層状強磁性体及び比較としての強磁
性体の1例の食孔電位とタンタル含有量との関係を示す
グラフである。 千〇含0 (01%) 一含有量 (01%) Fevco−x hx/5t3N4十Nb系1シ層膜の
Tし含有量に対するBお Ta含含量 量01%) Fe+oo−zTaz/S;3NL+Nb系多層膜の1
含有置に対するんの麦化
タル含有量との関係を示すグラフ、第2図は本発明の多
層状強磁性体の1例の飽和磁束密度とタンタル含有量と
の関係を示すグラフ、第3図は本発明の多層状強磁性体
の1例の磁歪とタンタル含有量との関係を示すグラフ、
第4図は本発明の多層状強磁性体及び比較としての強磁
性体の1例の食孔電位とタンタル含有量との関係を示す
グラフである。 千〇含0 (01%) 一含有量 (01%) Fevco−x hx/5t3N4十Nb系1シ層膜の
Tし含有量に対するBお Ta含含量 量01%) Fe+oo−zTaz/S;3NL+Nb系多層膜の1
含有置に対するんの麦化
Claims (2)
- (1)一般式 Fe_1_0_0_−_xT_a_x(
式中、xは0.3≦x≦7.0の範囲内にある)で表わ
される鉄合金から成る強磁性材料層と非磁性材料層とを
交互に積層したことを特徴とする多層状強磁性体。 - (2)非磁性材料層が窒化ケイ素系のものである請求項
1の多層状強磁性体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16871989A JPH0334405A (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | 多層状強磁性体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16871989A JPH0334405A (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | 多層状強磁性体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0334405A true JPH0334405A (ja) | 1991-02-14 |
Family
ID=15873176
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16871989A Pending JPH0334405A (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | 多層状強磁性体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0334405A (ja) |
-
1989
- 1989-06-30 JP JP16871989A patent/JPH0334405A/ja active Pending
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