JPH01235277A - 縦型電界効果トランジスタ - Google Patents
縦型電界効果トランジスタInfo
- Publication number
- JPH01235277A JPH01235277A JP6254588A JP6254588A JPH01235277A JP H01235277 A JPH01235277 A JP H01235277A JP 6254588 A JP6254588 A JP 6254588A JP 6254588 A JP6254588 A JP 6254588A JP H01235277 A JPH01235277 A JP H01235277A
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- Japan
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Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特に電力スイッチング素子
として用いられる縦型パワー電界効果トランジスタ（Ｍ
ＯＳ ＦＥＴ）に関する。
として用いられる縦型パワー電界効果トランジスタ（Ｍ
ＯＳ ＦＥＴ）に関する。
従来、この種の縦型ＭＯ８ＦＥＴは第２図に示す様にド
レイン領域として作用するＮ型半導体基板１にＰ型ベー
ス領域２を有し、その中に環状のＮ型ソース領域３を備
え、ベース領域２の周辺上にゲート酸化膜５を介してポ
リシリコンのゲート電極４が設けられ、アルミニウムの
ソース電極６はソース領域３とベース領域２と接続して
いる。
レイン領域として作用するＮ型半導体基板１にＰ型ベー
ス領域２を有し、その中に環状のＮ型ソース領域３を備
え、ベース領域２の周辺上にゲート酸化膜５を介してポ
リシリコンのゲート電極４が設けられ、アルミニウムの
ソース電極６はソース領域３とベース領域２と接続して
いる。
特にソース電極６はソース領域３と合金層８を介して抵
抗性接触している。この時ソース領域３の深さが約１ミ
クロンと合金層８を深さよりも深くソース電極３がベー
ス領域２と抵抗性接触するためにバックゲート領域７が
設けられている。そのためソース領域３を幅広くとる構
造となっていた。
抗性接触している。この時ソース領域３の深さが約１ミ
クロンと合金層８を深さよりも深くソース電極３がベー
ス領域２と抵抗性接触するためにバックゲート領域７が
設けられている。そのためソース領域３を幅広くとる構
造となっていた。
上述した従来の縦型ＭＯ８ＦＥＴはソース電極６がベー
ス領域２と抵抗性接触を取るためバックゲート領域７が
設けられているのでソース領域６が幅広くなり素子寸法
が小さくできないという欠点がある。 。
ス領域２と抵抗性接触を取るためバックゲート領域７が
設けられているのでソース領域６が幅広くなり素子寸法
が小さくできないという欠点がある。 。
本発明の縦型ＭＯ８ＦＥＴは、ソース電極となるアルミ
ニウムがアルミスパイクする深さより浅いソース領域を
有している。
ニウムがアルミスパイクする深さより浅いソース領域を
有している。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の縦断面図である。
１はドレイン部となるＮ−型シリコン基板、２はチャネ
ル部となるＰ型ベース領域、３はソーストなるＮ＋型層
、これらＰ型層２及びＮ＋型層３はゲートポリシリコン
４をマスクとして不純物２重拡散を行うことによりセル
ファライン（自己整合的）にチャネル長さを規定するこ
とができる。Ｎ＋型層のソース領域３をアルミニウムの
ソース［極６がアルミスパイクするよりも例えばヒ素を
不純物として浅く、約０．４μｍに形成する。ソース電
極６はソース領域３の表面接合部より０．５μｍ以上望
ましくは１μｍ以上離しておく必要がある。
ル部となるＰ型ベース領域、３はソーストなるＮ＋型層
、これらＰ型層２及びＮ＋型層３はゲートポリシリコン
４をマスクとして不純物２重拡散を行うことによりセル
ファライン（自己整合的）にチャネル長さを規定するこ
とができる。Ｎ＋型層のソース領域３をアルミニウムの
ソース［極６がアルミスパイクするよりも例えばヒ素を
不純物として浅く、約０．４μｍに形成する。ソース電
極６はソース領域３の表面接合部より０．５μｍ以上望
ましくは１μｍ以上離しておく必要がある。
ソース電極６はアルミスパイク等の合金化層８をソース
領域３と形成するが、この合金化層８によってソース電
極６はベース領域と抵抗性接触するため、第２図の従来
例のバックゲート領域７を省略できる。このため、ソー
ス領域３を薄くできることとあいまってソース領域３の
小型化が達成でき、素子全体の小型化を実現できる。
領域３と形成するが、この合金化層８によってソース電
極６はベース領域と抵抗性接触するため、第２図の従来
例のバックゲート領域７を省略できる。このため、ソー
ス領域３を薄くできることとあいまってソース領域３の
小型化が達成でき、素子全体の小型化を実現できる。
なお、本実施例をＰチャネル型に適用しても同様の効果
が得られる。
が得られる。
以上説明したように本発明はソース領域をソース電極の
アルミニウムがアルミスパイクする深さより浅く形成す
ることでバックゲート領域を省くことができ、素子寸法
を小さくすることができる。またチャネル長さを同一に
設定するとベース領域も浅くなりより小さな素子寸法と
することができる。
アルミニウムがアルミスパイクする深さより浅く形成す
ることでバックゲート領域を省くことができ、素子寸法
を小さくすることができる。またチャネル長さを同一に
設定するとベース領域も浅くなりより小さな素子寸法と
することができる。
第１図は本発明の縦型ＭＯ３ＦＥＴの縦断面図、第２図
は従来の縦型ＭＯ３ＦＥＴの縦断面図である。 １・・・・・・Ｎ型半導体基板、２・・・・・・Ｐ型ベ
ース領域、３・・・・・・Ｎ型ソース領域、４・・・・
・・ゲートポリシフン、５・・・・・・ゲート酸化膜、
６・・・・・・ソースアルミ電極、７・・・・・・Ｐ型
バックゲート領域、８・・・・・・アロイ層。 代理人 弁理士 内 原 音
は従来の縦型ＭＯ３ＦＥＴの縦断面図である。 １・・・・・・Ｎ型半導体基板、２・・・・・・Ｐ型ベ
ース領域、３・・・・・・Ｎ型ソース領域、４・・・・
・・ゲートポリシフン、５・・・・・・ゲート酸化膜、
６・・・・・・ソースアルミ電極、７・・・・・・Ｐ型
バックゲート領域、８・・・・・・アロイ層。 代理人 弁理士 内 原 音
Claims (1)
- 縦型電界効果トランジスタにおいてソース電極となる
アルミニウムがシリコンと合金層を形成する深さより浅
く形成されたソース領域を含むことを特徴とする縦型電
界効果トランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6254588A JPH01235277A (ja) | 1988-03-15 | 1988-03-15 | 縦型電界効果トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6254588A JPH01235277A (ja) | 1988-03-15 | 1988-03-15 | 縦型電界効果トランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01235277A true JPH01235277A (ja) | 1989-09-20 |
Family
ID=13203311
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6254588A Pending JPH01235277A (ja) | 1988-03-15 | 1988-03-15 | 縦型電界効果トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01235277A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002289853A (ja) * | 2001-03-28 | 2002-10-04 | Rohm Co Ltd | 半導体装置およびその製法 |
| JP2002314078A (ja) * | 2001-04-17 | 2002-10-25 | Rohm Co Ltd | 半導体装置およびその製法 |
| JP2002373988A (ja) * | 2001-06-14 | 2002-12-26 | Rohm Co Ltd | 半導体装置およびその製法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58138076A (ja) * | 1982-01-04 | 1983-08-16 | ゼネラル・エレクトリツク・カンパニイ | ソ−ス・ベ−ス間短絡部を有する電力用ｍｏｓ−ｆｅｔおよびその製造方法 |
| JPS6184867A (ja) * | 1984-09-27 | 1986-04-30 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | Ｉｇｆｅｔの製造方法 |
-
1988
- 1988-03-15 JP JP6254588A patent/JPH01235277A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58138076A (ja) * | 1982-01-04 | 1983-08-16 | ゼネラル・エレクトリツク・カンパニイ | ソ−ス・ベ−ス間短絡部を有する電力用ｍｏｓ−ｆｅｔおよびその製造方法 |
| JPS6184867A (ja) * | 1984-09-27 | 1986-04-30 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | Ｉｇｆｅｔの製造方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002289853A (ja) * | 2001-03-28 | 2002-10-04 | Rohm Co Ltd | 半導体装置およびその製法 |
| JP2002314078A (ja) * | 2001-04-17 | 2002-10-25 | Rohm Co Ltd | 半導体装置およびその製法 |
| JP2002373988A (ja) * | 2001-06-14 | 2002-12-26 | Rohm Co Ltd | 半導体装置およびその製法 |
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