JPH01236643A - プリモールド型半導体装置 - Google Patents
プリモールド型半導体装置Info
- Publication number
- JPH01236643A JPH01236643A JP6428988A JP6428988A JPH01236643A JP H01236643 A JPH01236643 A JP H01236643A JP 6428988 A JP6428988 A JP 6428988A JP 6428988 A JP6428988 A JP 6428988A JP H01236643 A JPH01236643 A JP H01236643A
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- Japan
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- tie bar
- die attach
- resin mold
- semiconductor pellet
- molded
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、リードフレームを使用したプリモールド型半
導体装置に関するものである。
導体装置に関するものである。
現在、ＥＰＲＯＭ （Ｅｒａｓａｂｌｅ Ｐｒ。
ｇｒａｍｍａｂｌｅ ＲＯＭ）で代表されるような記
憶素子、または、ＣＣＤ形、ＭｏＳトランジスタ形など
の固体撮像素子で代表されるような光電気変換機能を有
する素子は中空型セラミックパッケージが主流となって
いる。その構造を第４図に示す。図中５は半導体ペレッ
ト、６はリード線、７は内部端子、８は受光窓、１２は
外部電極導出部、１３はセラミックパッケージ、１４は
メタライズ、１５はセラミック基板、１６は外部端子を
示すが、その組み立ては、まず、セラミック基板１５上
のメタライズ１４に半導体ペレット５を、エポキシ樹脂
もしくは銀ペーストなどの導電性樹脂を用いてグイ・ボ
ンディングを行い、次いで内部端子７と外部電極導出部
１２を、金あるいはアルミニウム等の金属線を用いてワ
イヤー・ボンディングを行い、リード線６を形成した後
、光ｉ３適性材料を用いて半導体ペレット５上面部に受
光窓８を設けることにより作製されている。ところがこ
のような中空型セラミックパッケージは、気密封止のた
め樹脂クランクなどが生じないので信頼性がある反面、
高価格であるため低コスト民生用機器としての大量生産
などには不向きである。このコストダウンに大きく寄与
したのがパンケージのプラスチック化と部品リードフレ
ーム化である。
憶素子、または、ＣＣＤ形、ＭｏＳトランジスタ形など
の固体撮像素子で代表されるような光電気変換機能を有
する素子は中空型セラミックパッケージが主流となって
いる。その構造を第４図に示す。図中５は半導体ペレッ
ト、６はリード線、７は内部端子、８は受光窓、１２は
外部電極導出部、１３はセラミックパッケージ、１４は
メタライズ、１５はセラミック基板、１６は外部端子を
示すが、その組み立ては、まず、セラミック基板１５上
のメタライズ１４に半導体ペレット５を、エポキシ樹脂
もしくは銀ペーストなどの導電性樹脂を用いてグイ・ボ
ンディングを行い、次いで内部端子７と外部電極導出部
１２を、金あるいはアルミニウム等の金属線を用いてワ
イヤー・ボンディングを行い、リード線６を形成した後
、光ｉ３適性材料を用いて半導体ペレット５上面部に受
光窓８を設けることにより作製されている。ところがこ
のような中空型セラミックパッケージは、気密封止のた
め樹脂クランクなどが生じないので信頼性がある反面、
高価格であるため低コスト民生用機器としての大量生産
などには不向きである。このコストダウンに大きく寄与
したのがパンケージのプラスチック化と部品リードフレ
ーム化である。
第２図は従来のプリモールド型プラスチックパッケージ
の断面図、第３図（ａ）は第２図における線分Ａ−Ａで
切断した際の平面図、第３図（ｂ）は第３図（ａ）にお
ける線分Ｂ−Ｂで切断した際の断面傾斜図を示す０図中
１はり−ドフレー゛ ム、２は半導体ペレットを載
置するダイ・アタッチ、２ａはダイ・アタッチ裏面部、
３はダイ・アタッチにおけるタイバー部、３ａはタイバ
ー部側面部、４は樹脂モールド部、５は半導体ペレット
、６はリード線、７はリードフレーム内部端子、８は受
光窓、９はプラスチックパッケージ、１０は接着剤、１
１はリードフレーム外部端子を示すが、このプリモール
ド型プラスパッケージを作製するには、まず樹脂モール
ド部４を用いてリードフレームｌの側面の高さまでプリ
モールディングを行い、４２％Ｎｉ−Ｆｅ合金または銅
系合金で作られたダイ・アタッチ部２上に半導体ペレッ
ト５を、Ａｕ−３ｉ共品もしくはＰｂ−３ｎ系半田、あ
るいはエポキシ根ペースト等によりマウントし、しかる
後に半導体ペレ７）の外部電極導出部とリードフレーム
内部端子７とをリード線６を用いてワイヤーボンディン
グし、光透過窓８を接着剤１０等を用いて気密封止する
ことにより行われる。
の断面図、第３図（ａ）は第２図における線分Ａ−Ａで
切断した際の平面図、第３図（ｂ）は第３図（ａ）にお
ける線分Ｂ−Ｂで切断した際の断面傾斜図を示す０図中
１はり−ドフレー゛ ム、２は半導体ペレットを載
置するダイ・アタッチ、２ａはダイ・アタッチ裏面部、
３はダイ・アタッチにおけるタイバー部、３ａはタイバ
ー部側面部、４は樹脂モールド部、５は半導体ペレット
、６はリード線、７はリードフレーム内部端子、８は受
光窓、９はプラスチックパッケージ、１０は接着剤、１
１はリードフレーム外部端子を示すが、このプリモール
ド型プラスパッケージを作製するには、まず樹脂モール
ド部４を用いてリードフレームｌの側面の高さまでプリ
モールディングを行い、４２％Ｎｉ−Ｆｅ合金または銅
系合金で作られたダイ・アタッチ部２上に半導体ペレッ
ト５を、Ａｕ−３ｉ共品もしくはＰｂ−３ｎ系半田、あ
るいはエポキシ根ペースト等によりマウントし、しかる
後に半導体ペレ７）の外部電極導出部とリードフレーム
内部端子７とをリード線６を用いてワイヤーボンディン
グし、光透過窓８を接着剤１０等を用いて気密封止する
ことにより行われる。
しかしながら、このＥＰＲＯＭ、固体撮像素子等のプリ
モールド型プラスチックパッケージング技術においては
、リードフレーム、ダイ・アタッチを樹脂によりモール
ディングした後に、半導体ペレットをグイボンディング
し、次いで半導体ペレットの外部電極導出部とリードフ
レームの内部端子のワイヤーボンディングを行うため、
リードフレーム及びダイ・アタッチ部表面を樹脂で覆う
ことができない、従って、ダイ・アタッチ２と樹脂モー
ルド部４とのコンタクトは、ダイ・アタッチ裏面部２ａ
ｓ及びダイ・アタッチにおけるタイバー部側面３ａでし
か保持できないため、急冷却、急加熱するような熱的衝
撃が加えられた場合、リードフレームｌの材質と樹脂モ
ールド部４の熱膨張係数の違いにより、樹脂モールド部
４に収縮応力が発生し、応力分岐線に沿ってクランクな
どが生じ、樹脂モールド部４と、ダイ・アタッチ裏面２
ａ及びタイバー部側面３ａとの密着部位にまで応力作用
が働き、両者の密着が容易に破壊され、プリモールド型
素子の各種不良を生じさせてしまうと言う問題があった
。
モールド型プラスチックパッケージング技術においては
、リードフレーム、ダイ・アタッチを樹脂によりモール
ディングした後に、半導体ペレットをグイボンディング
し、次いで半導体ペレットの外部電極導出部とリードフ
レームの内部端子のワイヤーボンディングを行うため、
リードフレーム及びダイ・アタッチ部表面を樹脂で覆う
ことができない、従って、ダイ・アタッチ２と樹脂モー
ルド部４とのコンタクトは、ダイ・アタッチ裏面部２ａ
ｓ及びダイ・アタッチにおけるタイバー部側面３ａでし
か保持できないため、急冷却、急加熱するような熱的衝
撃が加えられた場合、リードフレームｌの材質と樹脂モ
ールド部４の熱膨張係数の違いにより、樹脂モールド部
４に収縮応力が発生し、応力分岐線に沿ってクランクな
どが生じ、樹脂モールド部４と、ダイ・アタッチ裏面２
ａ及びタイバー部側面３ａとの密着部位にまで応力作用
が働き、両者の密着が容易に破壊され、プリモールド型
素子の各種不良を生じさせてしまうと言う問題があった
。
本発明はプリモールド型半導体素子において、半導体ペ
レットをｉ１置するダイ・アタッチと樹脂モールド部の
密着度を高めることにより、各種不良を生じない、信頼
性を高めることを課題とする。
レットをｉ１置するダイ・アタッチと樹脂モールド部の
密着度を高めることにより、各種不良を生じない、信頼
性を高めることを課題とする。
本発明はプリモールド型半導体装置において、半導体ペ
レットを支持するダイ・アタッチ部を下向きに延設して
タイバー部を形成し、該タイバー部を樹脂モールド部に
埋没さすたことを特徴とするものであり、特にタイバー
部が、下向きにＵ字形状に折り曲げられて樹脂モールド
部内に延設され、またＥＦＲＯＭのような記憶素子ある
いは固体撮像素子などのように半導体ペレットが受光部
を有する素子であることを特徴とするものである。
レットを支持するダイ・アタッチ部を下向きに延設して
タイバー部を形成し、該タイバー部を樹脂モールド部に
埋没さすたことを特徴とするものであり、特にタイバー
部が、下向きにＵ字形状に折り曲げられて樹脂モールド
部内に延設され、またＥＦＲＯＭのような記憶素子ある
いは固体撮像素子などのように半導体ペレットが受光部
を有する素子であることを特徴とするものである。
本発明は、半導体ペレットを７ａ置するダイ・アタッチ
を延設して形成されるタイバー部を樹脂モールド内に埋
没させることにより、ダイ・アタッチと樹脂モールド部
とのコンタクトを強固にすることができるものであり、
安定したプリモールド型半導体素子とすることができる
ものである。
を延設して形成されるタイバー部を樹脂モールド内に埋
没させることにより、ダイ・アタッチと樹脂モールド部
とのコンタクトを強固にすることができるものであり、
安定したプリモールド型半導体素子とすることができる
ものである。
以下、図面を参照しつつ本発明の実施例について説明す
る。
る。
第１図は、Ｕ字状タイバー部を有するダイ・アタッチ上
に半導体ペレットを載置した本発明におけるプリモール
ド型プラスチックパッケージの断面図。
に半導体ペレットを載置した本発明におけるプリモール
ド型プラスチックパッケージの断面図。
図中１はリードフレーム、２はダイ・アタッチ、３はタ
イバー部、４は樹脂モールド部、５は半導体ペレット、
６はリード線、７はリードフレームの内部端子、８・・
・受光窓、９・・・プラスチックパッケージ、１０・・
・接着剤、１１・・・リードフレーム外部端子を示す。
イバー部、４は樹脂モールド部、５は半導体ペレット、
６はリード線、７はリードフレームの内部端子、８・・
・受光窓、９・・・プラスチックパッケージ、１０・・
・接着剤、１１・・・リードフレーム外部端子を示す。
第１図に示すように、本発明のプリモールド型半導体装
置におけるリードフレーム１と、ダイ・アタッチ２は例
えばコバール等の薄板を打ち抜き等の手段で形成したも
のである。ダイ・アタッチ２は四角形状であり、その端
部のタイバー部３はあらかじめプレス成形などによりＵ
字状に形成しておく。そしてプラスチックパッケージ内
にリードフレームの内部端子７とダイ・アタッチ２の上
面を同一の高さとし、その高さ、即ち図中斜線で示す範
囲内を合成樹脂でモールドし、タイバー部３をモールド
樹脂中に埋没させる。次にダイ・アタッチ２上面に半導
体ペレット５をグイ・ボンディングした後、リード線６
により半導体ペレット５上のボンディング・バットとリ
ードフレームの内部端子７とをワイヤー・ボンディング
する。その後プラスチック・パンケージ９の上方解放部
に光ｉ３過性材料で形成された受光窓８を接着剤１０を
介して取り付け、プリモールド型半導体装置を完成する
。
置におけるリードフレーム１と、ダイ・アタッチ２は例
えばコバール等の薄板を打ち抜き等の手段で形成したも
のである。ダイ・アタッチ２は四角形状であり、その端
部のタイバー部３はあらかじめプレス成形などによりＵ
字状に形成しておく。そしてプラスチックパッケージ内
にリードフレームの内部端子７とダイ・アタッチ２の上
面を同一の高さとし、その高さ、即ち図中斜線で示す範
囲内を合成樹脂でモールドし、タイバー部３をモールド
樹脂中に埋没させる。次にダイ・アタッチ２上面に半導
体ペレット５をグイ・ボンディングした後、リード線６
により半導体ペレット５上のボンディング・バットとリ
ードフレームの内部端子７とをワイヤー・ボンディング
する。その後プラスチック・パンケージ９の上方解放部
に光ｉ３過性材料で形成された受光窓８を接着剤１０を
介して取り付け、プリモールド型半導体装置を完成する
。
向上記実施例ではタイバー部をＵ字形状に成型したが、
モールド樹脂中に埋め込むことができる形状であればよ
く、例えばタイバー部をダイ・アタッチ面より下向きに
折り曲げた形状としてもよい。
モールド樹脂中に埋め込むことができる形状であればよ
く、例えばタイバー部をダイ・アタッチ面より下向きに
折り曲げた形状としてもよい。
半導体ペレットを支持するダイ・アタッチ部を延設して
タイバー部を形成し、該タイバー部を樹脂モールド部に
埋没させることにより、パッケージングされた後に、例
えば熱衝撃が加えられ、ダイ・アタッチと樹脂モールド
部との収縮係数の違いから収縮応力等が生じた場合でも
、タイバー部と樹脂モールド部とのコンタクトにより、
ダイ・アタッチ部と樹脂モールド部とのコンタクトを強
固に保持することができるものである。従って、従来の
中空型セラミックパッケージと同等の信頼性を有するも
のとすることができ、しかも低コストのため、民生用機
器に使用される固体逼像素子などのパンケージングとし
て大量使用に供することができる。
タイバー部を形成し、該タイバー部を樹脂モールド部に
埋没させることにより、パッケージングされた後に、例
えば熱衝撃が加えられ、ダイ・アタッチと樹脂モールド
部との収縮係数の違いから収縮応力等が生じた場合でも
、タイバー部と樹脂モールド部とのコンタクトにより、
ダイ・アタッチ部と樹脂モールド部とのコンタクトを強
固に保持することができるものである。従って、従来の
中空型セラミックパッケージと同等の信頼性を有するも
のとすることができ、しかも低コストのため、民生用機
器に使用される固体逼像素子などのパンケージングとし
て大量使用に供することができる。
第１図は、Ｕ字状タイバー部を存するダイ・アタッチ上
に半導体ペレットを裁置した本発明におけるプリモール
ド型プラスチックパッケージの断面図、第２図は従来の
プリモールド型プラスチックパッケージの断面図、第３
図（ａ）は第２図における線分Ａ−Ａで切断した際の平
面図、第３図（ｂ）は第３図（ａ）における線分Ｂ−Ｂ
で切断した際の断面傾斜図、第４図は、中空型セラミッ
クパッケージの斜視図。 １・・・リードフレーム、２・・・ダイ・アタッチ、３
・・・タイバー部、４・・・樹脂モールド部、５・・・
半導体ペレット、６・・・リード線、７・・・リードフ
レームの内部端子、８・・・受光窓、９・・・プラスチ
ックパッケージ、１０・・・接着剤、１１・・・リード
フレーム外部端子を示す。 第１図 第２図 （ａ） 第４図
に半導体ペレットを裁置した本発明におけるプリモール
ド型プラスチックパッケージの断面図、第２図は従来の
プリモールド型プラスチックパッケージの断面図、第３
図（ａ）は第２図における線分Ａ−Ａで切断した際の平
面図、第３図（ｂ）は第３図（ａ）における線分Ｂ−Ｂ
で切断した際の断面傾斜図、第４図は、中空型セラミッ
クパッケージの斜視図。 １・・・リードフレーム、２・・・ダイ・アタッチ、３
・・・タイバー部、４・・・樹脂モールド部、５・・・
半導体ペレット、６・・・リード線、７・・・リードフ
レームの内部端子、８・・・受光窓、９・・・プラスチ
ックパッケージ、１０・・・接着剤、１１・・・リード
フレーム外部端子を示す。 第１図 第２図 （ａ） 第４図
Claims (3)
- （１）半導体ペレットを支持するダイ・アタッチ部を延
設してタイバー部を形成し、該タイバー部を樹脂モール
ド部に埋没させたことを特徴とするプリモールド型半導
体装置。 - （２）上記タイバー部が、下向きにＵ字形状に折り曲げ
られて樹脂モールド部内に延設されたことを特徴とする
請求項１記載のプリモールド型半導体装置。 - （３）前記半導体ペレットが受光部を有する素子である
ことを特徴とする請求項１記載のプリモールド型半導体
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6428988A JPH01236643A (ja) | 1988-03-16 | 1988-03-16 | プリモールド型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6428988A JPH01236643A (ja) | 1988-03-16 | 1988-03-16 | プリモールド型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01236643A true JPH01236643A (ja) | 1989-09-21 |
Family
ID=13253924
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6428988A Pending JPH01236643A (ja) | 1988-03-16 | 1988-03-16 | プリモールド型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01236643A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5998857A (en) * | 1998-08-11 | 1999-12-07 | Sampo Semiconductor Corporation | Semiconductor packaging structure with the bar on chip |
-
1988
- 1988-03-16 JP JP6428988A patent/JPH01236643A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5998857A (en) * | 1998-08-11 | 1999-12-07 | Sampo Semiconductor Corporation | Semiconductor packaging structure with the bar on chip |
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