JPH0685222A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPH0685222A JPH0685222A JP4233248A JP23324892A JPH0685222A JP H0685222 A JPH0685222 A JP H0685222A JP 4233248 A JP4233248 A JP 4233248A JP 23324892 A JP23324892 A JP 23324892A JP H0685222 A JPH0685222 A JP H0685222A
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- image pickup
- package
- pickup device
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 リードフレームのアイランド7に固体撮像装
置用周辺IC6を搭載した後、モールド樹脂8で封止、
形成し、プリモールドパッケージ2を形成する。次に、
開口している側のアイランド7に固体撮像素子1を搭載
する。その後、固体撮像素子1の保護のため、接着剤1
0を介して、透光性リキッド11をプリモールドパッケ
ージ2に取り付ける。 【効果】 実装基板上に搭載する場合に実装面積が小さ
く抑えられることで、ビデオカメラ等の映像機器の小型
化が図れる。
置用周辺IC6を搭載した後、モールド樹脂8で封止、
形成し、プリモールドパッケージ2を形成する。次に、
開口している側のアイランド7に固体撮像素子1を搭載
する。その後、固体撮像素子1の保護のため、接着剤1
0を介して、透光性リキッド11をプリモールドパッケ
ージ2に取り付ける。 【効果】 実装基板上に搭載する場合に実装面積が小さ
く抑えられることで、ビデオカメラ等の映像機器の小型
化が図れる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はプリモールドパッケージ
に固体撮像素子を搭載した固体撮像装置に関するもので
ある。
に固体撮像素子を搭載した固体撮像装置に関するもので
ある。
【0002】
【従来の技術】図4は従来のプリモールドパッケージ
(以下「パッケージ」という。)を用いた固体撮像装置
の断面図、図5は同固体撮像装置の製造工程図である。
(以下「パッケージ」という。)を用いた固体撮像装置
の断面図、図5は同固体撮像装置の製造工程図である。
【0003】次に、図4及び図5を用いて、以下に、従
来のパッケージを用いた固体撮像装置の製造工程を説明
する。
来のパッケージを用いた固体撮像装置の製造工程を説明
する。
【0004】まず、あらかじめ所定のパターンをエッチ
ング又はプレス等の手法により形成された金属から成る
リードフレームを第1上金型12と下金型13との間に
挟み込んだ後、固体撮像素子1搭載用の開口部を確保す
るため、第1上金型12の中に第2上金型14を挿入す
ることで、パッケージ15の形状に相当する空間を確保
する(図5(a))。
ング又はプレス等の手法により形成された金属から成る
リードフレームを第1上金型12と下金型13との間に
挟み込んだ後、固体撮像素子1搭載用の開口部を確保す
るため、第1上金型12の中に第2上金型14を挿入す
ることで、パッケージ15の形状に相当する空間を確保
する(図5(a))。
【0005】この後、熱硬化型エポキシ樹脂等からなる
モールド樹脂8を上記空間に注入する。該モールド樹脂
8の注入後、樹脂硬化まで所定の時間保圧した後、第2
上金型14を成型されたパッケージ15から離し、次
に、第1上金型12及び下金型13から、成型されたパ
ッケージ15を離型する。その後、成型されたパッケー
ジ15のモールド樹脂8は、この段階では十分に硬化し
ていない為、更に所定時間過熱することで、モールド樹
脂8を硬化させる。
モールド樹脂8を上記空間に注入する。該モールド樹脂
8の注入後、樹脂硬化まで所定の時間保圧した後、第2
上金型14を成型されたパッケージ15から離し、次
に、第1上金型12及び下金型13から、成型されたパ
ッケージ15を離型する。その後、成型されたパッケー
ジ15のモールド樹脂8は、この段階では十分に硬化し
ていない為、更に所定時間過熱することで、モールド樹
脂8を硬化させる。
【0006】次に、第1上金型12、下金型13及び第
2上金型14とリードフレームとの隙間からはみ出し、
リードフレーム上の余分な部分に付着した樹脂バリ(図
示せず)を除去し、その後、アウターリード4にスズメ
ッキ又は半田メッキ等を施し、アウターリード4を所定
の形状に曲げ、切断し、単品のパッケージ15を完成さ
せる(図5(b))。
2上金型14とリードフレームとの隙間からはみ出し、
リードフレーム上の余分な部分に付着した樹脂バリ(図
示せず)を除去し、その後、アウターリード4にスズメ
ッキ又は半田メッキ等を施し、アウターリード4を所定
の形状に曲げ、切断し、単品のパッケージ15を完成さ
せる(図5(b))。
【0007】次に、チップ単位に切断された固体撮像素
子1をパッケージ15の開口部の中にAgペースト等9
を介してダイボンドする。その後、固体撮像素子1上の
アルミ電極(図示せず)とパッケージ15のインナーリ
ード3との間にアルミ細線又は金細線5をワイヤーボン
ディングすることにより、相互の電気的導通を確保する
(図5(c))。
子1をパッケージ15の開口部の中にAgペースト等9
を介してダイボンドする。その後、固体撮像素子1上の
アルミ電極(図示せず)とパッケージ15のインナーリ
ード3との間にアルミ細線又は金細線5をワイヤーボン
ディングすることにより、相互の電気的導通を確保する
(図5(c))。
【0008】次に、固体撮像素子1をパッケージ外部の
水分やゴミ等から保護し、且つ、ビデオカメラのレンズ
等で集光した光線を固体撮像素子1で受光することを目
的とし、ガラス等からなる透光性リッド10をエポキシ
樹脂等からなる接着剤11を介し、パッケージ15に取
り付ける。
水分やゴミ等から保護し、且つ、ビデオカメラのレンズ
等で集光した光線を固体撮像素子1で受光することを目
的とし、ガラス等からなる透光性リッド10をエポキシ
樹脂等からなる接着剤11を介し、パッケージ15に取
り付ける。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】上述のようなプリモー
ルドパッケージに実装された固体撮像装置をビデオカメ
ラ等の映像機器に搭載する場合、以下のような問題があ
る。
ルドパッケージに実装された固体撮像装置をビデオカメ
ラ等の映像機器に搭載する場合、以下のような問題があ
る。
【0010】即ち、ビデオカメラ等を構成する為には、
固体撮像装置用周辺IC(以下「周辺IC」という。)
も搭載しなければならない。しかしながら、従来のよう
に固体撮像装置と周辺ICが別々のパッケージに実装さ
れていては、実装基板上の占有面積がそのパッケージ分
必要となり、近年のビデオカメラ等の小型化の要求に十
分答えていくことができない。
固体撮像装置用周辺IC(以下「周辺IC」という。)
も搭載しなければならない。しかしながら、従来のよう
に固体撮像装置と周辺ICが別々のパッケージに実装さ
れていては、実装基板上の占有面積がそのパッケージ分
必要となり、近年のビデオカメラ等の小型化の要求に十
分答えていくことができない。
【0011】本発明は、固体撮像素子と、周辺ICとを
同一パッケージ内に搭載することによって、実装面積を
従来よりも減少させる手段を提供することを目的とす
る。
同一パッケージ内に搭載することによって、実装面積を
従来よりも減少させる手段を提供することを目的とす
る。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明の固体撮像装置
は、リードフレームをモールド樹脂で封止したプリモー
ルドパッケージに固体撮像素子を搭載した固体撮像装置
であって、上記リードフレームの上記モールド樹脂で封
止される面に上記リードフレームのインナーリード部と
電気的に接続された−又は複数の上記固体撮像装置用周
辺回路を搭載し、且つ、上記リードフレームの上記モー
ルド樹脂で封止されない面に上記固体撮像素子を搭載し
たことを特徴とするものである。
は、リードフレームをモールド樹脂で封止したプリモー
ルドパッケージに固体撮像素子を搭載した固体撮像装置
であって、上記リードフレームの上記モールド樹脂で封
止される面に上記リードフレームのインナーリード部と
電気的に接続された−又は複数の上記固体撮像装置用周
辺回路を搭載し、且つ、上記リードフレームの上記モー
ルド樹脂で封止されない面に上記固体撮像素子を搭載し
たことを特徴とするものである。
【0013】
【作用】上記本発明の固体撮像装置を用い、固体撮像素
子と周辺ICとを同一パッケージに搭載することによ
り、従来のように、固体撮像素子と周辺ICとが別々の
パッケージに実装されたものに比べ、実装基板上に搭載
する場合、実装面積が小さく抑えられる。
子と周辺ICとを同一パッケージに搭載することによ
り、従来のように、固体撮像素子と周辺ICとが別々の
パッケージに実装されたものに比べ、実装基板上に搭載
する場合、実装面積が小さく抑えられる。
【0014】
【実施例】以下、一実施例に基づいて、本発明を詳細に
説明する。
説明する。
【0015】図1は本発明の一実施例のプリモールドパ
ッケージを用いた固体撮像装置の断面図,図2は、同固
体撮像装置の製造フローの概略図、図3は同固体撮像装
置の製造工程図である。
ッケージを用いた固体撮像装置の断面図,図2は、同固
体撮像装置の製造フローの概略図、図3は同固体撮像装
置の製造工程図である。
【0016】図1に示す様に、本発明のプリモールドパ
ッケージを用いた固体撮像装置は、アイランド7の開口
部5側の面に固体撮像素子1が搭載され、モールド樹脂
8で封止される側の面に固体撮像装置用周辺IC(以下
「周辺IC」という。)6が搭載され、周辺IC6と固
体撮像素子1とが同一プリモールドパッケージ(以下
「パッケージ」という。)2に搭載されていることを特
徴とする。
ッケージを用いた固体撮像装置は、アイランド7の開口
部5側の面に固体撮像素子1が搭載され、モールド樹脂
8で封止される側の面に固体撮像装置用周辺IC(以下
「周辺IC」という。)6が搭載され、周辺IC6と固
体撮像素子1とが同一プリモールドパッケージ(以下
「パッケージ」という。)2に搭載されていることを特
徴とする。
【0017】図1において、3はインナーリード、4は
アウターリード、5はアルミ細線又は金細線、9はAg
ペースト等、10は接着剤、11は透光性リッドを示
す。
アウターリード、5はアルミ細線又は金細線、9はAg
ペースト等、10は接着剤、11は透光性リッドを示
す。
【0018】次に、図1乃至図3を用いて本発明の一実
施例のプリモールドパッケージを用いた固体撮像装置の
製造工程を説明する。
施例のプリモールドパッケージを用いた固体撮像装置の
製造工程を説明する。
【0019】まず、チップ単位に切断された少なくとも
1個以上の周辺IC6を、予め所定のパターンをエッチ
ング又はプレス等の手法により形成した金属から成るリ
ードフレームのアイランド7上に図2に示す『ダイボン
ド工程』において、Agペースト等9を介してダイボン
ドする。その後、図2に示す『ワイヤーボンド工程』に
おいて、周辺IC6上のアルミ電極(図示せず)とリー
ドフレームのインナーリード3との間に、アルミ細線又
は金細線5をワイヤーボンディングすることにより、相
互の電気的導通を確保する(図3(a))。
1個以上の周辺IC6を、予め所定のパターンをエッチ
ング又はプレス等の手法により形成した金属から成るリ
ードフレームのアイランド7上に図2に示す『ダイボン
ド工程』において、Agペースト等9を介してダイボン
ドする。その後、図2に示す『ワイヤーボンド工程』に
おいて、周辺IC6上のアルミ電極(図示せず)とリー
ドフレームのインナーリード3との間に、アルミ細線又
は金細線5をワイヤーボンディングすることにより、相
互の電気的導通を確保する(図3(a))。
【0020】次に、ワイヤーボンディングされたリード
フレームを、図2に示す『型締め工程』において、第1
上金型12と下金型13との間に挟んだ後、固体撮像素
子1搭載用の開口部を確保するために、第1上金型12
の中に、第2上金型14を挿入することにより、パッケ
ージ2の形状に相当する空間が確保する(図3
(b))。この際、第2上金型14は、固体撮像素子1
搭載側のアイランド7に接するように位置すればよく、
本実施例で示すように、リードフレームを反転させなく
てもよい。
フレームを、図2に示す『型締め工程』において、第1
上金型12と下金型13との間に挟んだ後、固体撮像素
子1搭載用の開口部を確保するために、第1上金型12
の中に、第2上金型14を挿入することにより、パッケ
ージ2の形状に相当する空間が確保する(図3
(b))。この際、第2上金型14は、固体撮像素子1
搭載側のアイランド7に接するように位置すればよく、
本実施例で示すように、リードフレームを反転させなく
てもよい。
【0021】次に、図2に示す『樹脂注入工程』におい
て、熱硬化型エポキシ樹脂等からなるモールド樹脂8が
この空間に注入され、周辺IC6はモールド樹脂8によ
って完全に封止される。その後、樹脂硬化まで所定時間
保圧した後、図2に示す『型開き工程』で、第2上金型
14を成型されたパッケージ2から離し、次に、第1上
金型12及び下金型13から、成型されたパッケージ2
を離型される。この成型されたパッケージ2のモールド
樹脂8はこの段階では、十分に硬化していないため、更
に『ポストキュア工程』において、所定時間加熱するこ
とで、モールド樹脂8を硬化させる。
て、熱硬化型エポキシ樹脂等からなるモールド樹脂8が
この空間に注入され、周辺IC6はモールド樹脂8によ
って完全に封止される。その後、樹脂硬化まで所定時間
保圧した後、図2に示す『型開き工程』で、第2上金型
14を成型されたパッケージ2から離し、次に、第1上
金型12及び下金型13から、成型されたパッケージ2
を離型される。この成型されたパッケージ2のモールド
樹脂8はこの段階では、十分に硬化していないため、更
に『ポストキュア工程』において、所定時間加熱するこ
とで、モールド樹脂8を硬化させる。
【0022】次に、図2に示す『樹脂注入工程』におい
て、第1上金型12、下金型13及び第2上金型14と
リードフレームとの隙間からはみ出し、リードフレーム
上の余分な部分に付着した樹脂バリ(図示せず)は、図
2に示す『ブラスト工程』において、除去され、その
後、図2に示す『メッキ工程』において、アウターリー
ド4にスズメッキ又は半田メッキ等が施し、図2に示す
『トリム・フォーム工程』において、アウターリード4
を所定の形状に曲げ、切断し、単品のパッケージ2を形
成する(図3(c))。
て、第1上金型12、下金型13及び第2上金型14と
リードフレームとの隙間からはみ出し、リードフレーム
上の余分な部分に付着した樹脂バリ(図示せず)は、図
2に示す『ブラスト工程』において、除去され、その
後、図2に示す『メッキ工程』において、アウターリー
ド4にスズメッキ又は半田メッキ等が施し、図2に示す
『トリム・フォーム工程』において、アウターリード4
を所定の形状に曲げ、切断し、単品のパッケージ2を形
成する(図3(c))。
【0023】次に、図2に示す『ダイシング工程』おい
て、チップ単位に切断された固体撮像素子1を、開口部
を有する側のアイランド7上に図2に示す『ダイボンド
工程』において、Agペースト等9を介してダイボンド
する。これにより、同一アイランド7の表裏に固体撮像
素子1と周辺IC6とを搭載したことになる。その後、
『ワイヤーボンド工程』において、固体撮像素子1上の
アルミ電極(図示せず)とリードフレームのインナーリ
ード3との間に、アルミ細線又は金細線5をワイヤーボ
ンディングすることにより、相互の電気的導通を確保す
る(図3(d))。尚、固体撮像素子1と周辺ICとの
間の導通もインナーリードを介して確保されている。
て、チップ単位に切断された固体撮像素子1を、開口部
を有する側のアイランド7上に図2に示す『ダイボンド
工程』において、Agペースト等9を介してダイボンド
する。これにより、同一アイランド7の表裏に固体撮像
素子1と周辺IC6とを搭載したことになる。その後、
『ワイヤーボンド工程』において、固体撮像素子1上の
アルミ電極(図示せず)とリードフレームのインナーリ
ード3との間に、アルミ細線又は金細線5をワイヤーボ
ンディングすることにより、相互の電気的導通を確保す
る(図3(d))。尚、固体撮像素子1と周辺ICとの
間の導通もインナーリードを介して確保されている。
【0024】次に、図2に示す『ワイヤーボンド工程』
後、固体撮像素子1をパッケージ外部の水分やゴミ等か
ら保護し、且つ、ビデオカメラのレンズ等で集光した光
線を固体撮像素子1で受光することを目的とし、図2に
示す『シール工程』において、ガラス等からなる透光性
リッド11をエポキシ樹脂等からなる接着剤10を介し
て、パッケージ2に取り付ける(図3(e))。
後、固体撮像素子1をパッケージ外部の水分やゴミ等か
ら保護し、且つ、ビデオカメラのレンズ等で集光した光
線を固体撮像素子1で受光することを目的とし、図2に
示す『シール工程』において、ガラス等からなる透光性
リッド11をエポキシ樹脂等からなる接着剤10を介し
て、パッケージ2に取り付ける(図3(e))。
【0025】
【発明の効果】以上、詳細に説明した様に、本発明を用
い、固体撮像素子と固体撮像装置用周辺ICとを同一プ
リモールドパッケージに搭載することにより、従来に比
べ実装基板上に搭載する場合に、実装面積が小さく抑え
られることで、ビデオカメラ等の映像機器の小型化が図
れると共に、固体撮像素子と固体撮像装置用周辺ICと
の接続距離が従来より短かくすることができるため、外
来ノイズの影響も受け難くなり、回路設計が容易にな
る。
い、固体撮像素子と固体撮像装置用周辺ICとを同一プ
リモールドパッケージに搭載することにより、従来に比
べ実装基板上に搭載する場合に、実装面積が小さく抑え
られることで、ビデオカメラ等の映像機器の小型化が図
れると共に、固体撮像素子と固体撮像装置用周辺ICと
の接続距離が従来より短かくすることができるため、外
来ノイズの影響も受け難くなり、回路設計が容易にな
る。
【0026】また、プリモールドパッケージの成型工程
が1度で済む為、製造工程数の低減によるコストダウン
が図れる。
が1度で済む為、製造工程数の低減によるコストダウン
が図れる。
【図1】本発明の一実施例のプリモールドパッケージを
用いた固体撮像装置の断面図である。
用いた固体撮像装置の断面図である。
【図2】同固体撮像装置の製造フローの概略図である。
【図3】同固体撮像装置の製造工程図である。
【図4】従来のプリモールドパッケージを用いた固体撮
像装置の断面図である。
像装置の断面図である。
【図5】同固体撮像装置の製造工程図である。
1 固体撮像素子 2 プリモールドパッケージ 3 インナーリード 4 アウターリード 5 アルミ細線又は金細線 6 固体撮像装置用周辺IC 7 アイランド 8 モールド樹脂 9 Agペースト 10 接着剤 11 透光リキッド 12 第1上金型 13 下金型 14 第2金型
Claims (1)
- 【請求項1】 リードフレームをモールド樹脂で封止し
たプリモールドパッケージに固体撮像素子を搭載した固
体撮像装置において、 上記リードフレームの上記モールド樹脂で封止される面
に上記リードフレームのインナーリード部と電気的に接
続された、一又は複数の上記固体撮像素子用周辺回路を
搭載し、且つ、上記リードフレームの上記モールド樹脂
で封止されない面に上記固体撮像素子を搭載したことを
特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4233248A JP2843464B2 (ja) | 1992-09-01 | 1992-09-01 | 固体撮像装置 |
| US08/316,813 US5523608A (en) | 1992-09-01 | 1994-10-03 | Solid state imaging device having a solid state image sensor and its peripheral IC mounted on one package |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4233248A JP2843464B2 (ja) | 1992-09-01 | 1992-09-01 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0685222A true JPH0685222A (ja) | 1994-03-25 |
| JP2843464B2 JP2843464B2 (ja) | 1999-01-06 |
Family
ID=16952100
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4233248A Expired - Fee Related JP2843464B2 (ja) | 1992-09-01 | 1992-09-01 | 固体撮像装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5523608A (ja) |
| JP (1) | JP2843464B2 (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2755539A1 (fr) * | 1996-10-11 | 1998-05-07 | Denso Corp | Procede de fabrication d'un dispositif a semi-conducteur du type encapsule dans une resine et systeme de matrices pour ce procede |
| EP0789334A3 (en) * | 1996-01-26 | 1999-05-06 | Harris Corporation | Integrated circuit device having an opening exposing the integrated circuit die and related methods |
| KR20030007117A (ko) * | 2001-07-11 | 2003-01-23 | 에무.디.아이 가부시키가이샤 | 고체촬상장치 및 그 제조방법 |
| KR20040009085A (ko) * | 2002-07-22 | 2004-01-31 | 에스티에스반도체통신 주식회사 | 멀티칩 패키지 및 그 제조방법 |
| JP2004153855A (ja) * | 2003-12-24 | 2004-05-27 | Mitsubishi Electric Corp | 撮像装置 |
| WO2006085189A1 (en) * | 2005-02-09 | 2006-08-17 | Melexis Nv | Optical data transceivers |
| US7110033B2 (en) | 2000-04-07 | 2006-09-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Imaging device having an imaging element mounted on a substrate |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071023 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081023 Year of fee payment: 10 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |